CN110898632A - VOCs的处理装置及VOCs的处理方法 - Google Patents

VOCs的处理装置及VOCs的处理方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种VOCs的处理装置及VOCs的处理方法，该处理装置包括等离子体模块组件，等离子体模块组件包括处理室、第一电极构件、第二电极构件和分子筛，处理室设置有处理室进口和处理室出口；第一电极构件延伸穿过处理室；第二电极构件与第一电极构件传导的电流极性相反，并且第二电极构件形成处理室的一部分且与第一电极构件靠近且间隔地设置；分子筛具有羟基基团并设置在处理室中。本发明提供的处理装置能够产生电场，该电场能够作用于处理室中的气体，使得气体放电产生大量的活性粒子。活性粒子能够作用于分子筛上的羟基基团，将其离解成羟基自由基，借助于羟基自由基的氧化性能，将VOCs氧化分解成CO2和H2O等小分子物质。

Description

VOCs的处理装置及VOCs的处理方法
技术领域
本发明涉及气体处理技术领域，且更具体地涉及一种VOCs的处理装置及VOCs的处理方法。
背景技术
随着工业的发展，环境问题日益严峻，其中挥发性有机物(Volatile OrganicCompounds，VOCs)的污染问题继SOx、NOx及氟利昂之后，受到世界各国的普遍重视。随着环保法规日渐完善和严格，VOCs的治理将呈现爆发式增长。工业生产过程产生的VOCs是其主要来源之一，主要特点为风量大、浓度低、废气成分复杂。
目前通常的处理方法主要有两种：一种是破坏性消除法，如蓄热燃烧法和催化燃烧法；另一种为回收法，如蒸汽脱附冷凝法、吸收法和膜分离法。由于废气浓度低、风量大，使得上述处理方法均存在投资成本高、能源浪费大、经济效益低等缺点；虽然采用吸附浓缩加后处理联合治理技术能在一定程度上节约成本，但依然存在固废、液废等二次污染问题。
与上述处理方法相比，低温等离子体技术因其设备简单，能耗低，不产生副产物等特点，在处理大风量、低浓度工业源VOCs废气方面有其特有的优势。但是现有的低温等离子技术的缺点是VOCs去除率不高，并且影响VOCs去除率的因素复杂。
因此，需要一种VOCs的处理装置及VOCs的处理方法，以至少部分地解决现有技术中存在的问题。
发明内容
在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
为了至少部分地解决上述问题，根据本发明的一个方面，提供了一种VOCs的处理装置，其包括等离子体模块组件，所述等离子体模块组件包括：
处理室，所述处理室用于处理包含VOCs的气体，所述处理室设置有分别用于所述气体进出的处理室进口和处理室出口；
第一电极构件，所述第一电极构件延伸穿过所述处理室；
第二电极构件，所述第二电极构件形成所述处理室的一部分且与所述第一电极构件传导的电流极性相反，并且所述第二电极构件与第一电极构件靠近且间隔地设置，以使所述第一电极构件和第二电极构件之间能够产生电场，所述电场用于使所述处理室中的气体产生活性粒子；以及
分子筛，所述分子筛具有羟基基团并设置在所述处理室中，以能够使得所述羟基基团被所述处理室中的气体在所述电场的作用下产生的活性粒子离解成羟基自由基，所述羟基自由基用于使得所述VOCs氧化分解。
根据本方案，第一电极构件和第二电极构件在导电的状态下能够产生电场，该电场能够作用于处理室中的气体，使得气体放电产生大量的活性粒子。活性粒子能够作用于分子筛上的羟基基团，将其离解成羟基自由基，借助于羟基自由基的氧化性能，将VOCs氧化分解成CO2和H2O等小分子物质。本发明提供的处理装置能够有效地去除VOCs，去除率高，而且促进了低温等离子技术在工业上的应用。
可选地，所述分子筛为木质素基分子筛。
可选地，所述处理装置还包括用于辐射紫外线的紫外线辐射设备，以使将所述气体中的O2变成臭氧，所述分子筛位于所述紫外线的辐射区域，以使所述臭氧使所述分子筛的内部的VOCs氧化分解。
可选地，所述紫外线辐射设备设置在所述处理室的外侧。
可选地，所述第一电极构件沿所述处理室的高度方向延伸，所述第二电极构件形成所述处理室的沿所述高度方向延伸的第一壁。
可选地，所述紫外线辐射设备设置在所述处理室的与所述第一壁相接的第二壁的外侧，所述第二壁由钛元素改性的石英玻璃制成。
可选地，所述等离子体模块组件还包括设置在所述处理室中的绝缘介质，所述绝缘介质包覆所述第一电极构件，并且/或者
所述第一电极构件为正极构件，所述第二电极构件为负极构件。
可选地，至少两个所述处理室成排设置，并且所述至少两个处理室中中的每一个均包括所述第一电极构件和所述第二电极构件并填装有所述分子筛。
可选地，所述处理装置还包括壳体，所述壳体设置有分别用于气体进出的装置进口和装置出口，至少一组的所述等离子体模块组件和所述紫外线辐射设备设置在所述壳体中。
根据本发明的另一方面，提供了一种VOCs的处理方法，所述处理方法使用上述技术方案中的任一方面所述的处理装置而实现，所述处理方法包括如下步骤：
活性粒子产生步骤，其中，对所述处理室中的包含VOCs的气体施加由所述第一电极构件和所述第二电极构件产生的所述电场，以使所述气体放电产生活性粒子；
羟基自由基产生步骤，其中，所述活性粒子作用于设置在所述处理室中的所述分子筛，以使所述分子筛的羟基基团离解成羟基自由基；以及
羟基自由基氧化VOCs步骤，其中，所述羟基自由基作用于所述VOCs，以使所述VOCs氧化分解。
根据本方案，可以借助于电场的作用使得气体放电产生大量的活性粒子。活性粒子能够作用于分子筛上的羟基基团，将其离解成羟基自由基，借助于羟基自由基的氧化性能，将VOCs氧化分解成CO2和H2O等小分子物质。本发明提供的处理方法能够有效地去除VOCs，去除率高，而且促进了低温等离子技术在工业上的应用。
可选地，所述处理装置还包括紫外线辐射设备，所述处理方法还包括：
臭氧产生步骤，其中，所述紫外线辐射设备辐射的紫外线作用于所述气体中包含的O2，从而使所述O2变成臭氧；以及
臭氧氧化VOCs步骤，其中，所述臭氧作用于所述分子筛的内部的VOCs，以使所述VOCs氧化分解。
可选地，所述羟基自由基氧化VOCs步骤和所述臭氧氧化VOCs步骤同时进行。
可选地，还包括在所述活性粒子产生步骤之后的VOCs断键步骤，其中，所述活性粒子作用于所述VOCs，以使VOCs的分子结构因断键而被破坏。
附图说明
本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施方式及其描述，用来解释本发明的装置及原理。在附图中，
图1为根据本发明的优选实施方式的VOCs的处理装置的立体示意图；
图2为图1中所示的处理装置的另一个立体示意图，其中示出了部分结构；
图3为图2的侧视示意图；
图4为图2中所示的等离子体模块组件的立体示意图，其中移除了一部分的分子筛和一部分的第二壁；以及
图5为图4中所示的等离子体模块组件的另一个立体示意图，其中移除了分子筛和一侧的第二壁。
附图标记说明
100：处理装置 110：壳体
111a：装置进口 111b：装置出口
112：安装部 120：等离子体模块组件
121：处理室 122：第一电极构件
123a：第二电极构件 123b：第二壁
123c：导电连接板 124：分子筛
125a：处理室进口 125b：处理室出口
126：绝缘介质 127：绝缘板
128：接线柱 129：支撑件
130：紫外线辐射设备 140：高压电源设备
150：接线盒
具体实施方式
在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。
为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的结构，以便阐释本发明。显然，本发明的施行并不限定于该技术领域的技术人员所熟习的特殊细节。本发明的较佳实施方式详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式，不应当解释为局限于这里提出的实施方式。
应当理解的是，在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施方式并且不作为本发明的限制，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合。本发明中所使用的术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并非限制。
本发明中所引用的诸如“第一”和“第二”的序数词仅仅是标识，而不具有任何其他含义，例如特定的顺序等。而且，例如，术语“第一部件”其本身不暗示“第二部件”的存在，术语“第二部件”本身不暗示“第一部件”的存在。
以下，将参照附图对本发明的具体实施方式进行更详细地说明，这些附图示出了本发明的代表实施方式，并不是限定本发明。
如图1至图3所示，本发明提供了一种VOCs的处理装置100，用于处理气体中的VOCs，优选地适用于处理废气中的VOCs，特别地适用于处理工业生产和/或加工中产生的具有大风量、低浓度的废气中的VOCs。下面以气体中的VOCs为例对处理装置100进行描述。
需要说明的是，本文提及的“气体”包含VOCs。例如，气体中还可以具有包含O2和H2O的空气。此处提及的“大风量”是指气体的流速较大，“低浓度”是指气体中VOCs类有机物的浓度较低。
如图1所示，处理装置100大致构造成能够安装至例如用于气体处理的单元、系统或工艺中。具体地，处理装置100包括壳体110，壳体110设置有分别用于气体进出的装置进口111a和装置出口111b。气体可以从装置进口111a进入，经过处理后从装置出口111b流出。优选地，装置进口111a和装置出口111b处均设置有例如法兰的安装部112，以便于经由装置进口111a和装置出口111b安装处理装置100。
如图2所示，处理装置100还包括等离子体模块组件120和用于辐射紫外线的紫外线辐射设备130。等离子体模块组件120设置在壳体110中，用于将VOCs分解成CO2和H2O等小分子物质。紫外线辐射设备130能够朝向等离子体模块组件120辐射紫外线。优选地，等离子体模块组件120为低温等离子体模块组件。下面将详细描述等离子体模块组件120和紫外线辐射设备130。
如图4所示，等离子体模块组件120包括处理室121、第一电极构件122和第二电极构件123a。处理室121用于处理包含VOCs的气体，并设置有分别用于气体进出的处理室进口125a和处理室出口125b。进入至壳体110内的气体从处理室进口125a进入至处理室121内，在处理室121中经过处理后从处理室出口125b流出。具体地，处理室进口125a靠近装置进口111a，处理室出口125b靠近装置出口111b。第一电极构件122延伸穿过处理室121。第二电极构件123a与第一电极构件122传导的电流极性相反。例如第一电极构件122是正极构件，第二电极构件123a是负极构件。并且第二电极构件123a形成处理室121的一部分且与第一电极构件122靠近且间隔地设置，以使第一电极构件122和第二电极构件123a之间能够产生电场，电场用于使处理室121中的气体产生活性粒子。
第一电极构件122和第二电极构件123a能够分别与高压电源设备140(图1)的正极和负极电连接。高压电源设备140施加至上述两个电极构件足够高的交流电压，以产生电场(外加电场)。该电场能够作用于处理室121中的气体，使得气体放电产生大量的活性粒子。例如，活性粒子可以为高能电子、离子或自由基等粒子。需要说明的是，活性粒子中参与VOCs处理过程的主要是高能电子。
等离子体模块组件120还包括具有羟基基团的分子筛124。具体地，分子筛124的表面具有丰富的羟基基团。分子筛124设置在处理室121中，以能够使得羟基基团被上述活性粒子离解成羟基自由基，羟基自由基用于使得VOCs氧化分解。为便于示出具体结构，图4中仅示出了一个处理室121填装分子筛124的状态，可以理解的是，其它处理室121也填装分子筛124。具体地，羟基基团在高能电子的作用下与H2O反应生成羟基自由基。羟基自由基具有极强的氧化性，能够作用于VOCs，可以有效破坏VOCs的化学结构及表面化学官能团，以使VOCs氧化分解成CO2和H2O等小分子物质。
本实施方式中的分子筛124一方面可以提供羟基基团，使得在活性粒子的作用下离解成羟基自由基，从而将VOCs氧化分解；另一方面，分子筛124具有微孔结构，能够有效吸附VOCs等有机分子；再一方面，在处理室121中填充分子筛124可以使在不增加处理室121的体积的前提下，大幅地延长VOCs在处理室121内的停留时间，从而能够使得VOCs分子去除率增加，同时也能够提高CO2的选择性，可显著降低CO等副产物的产生。
另一方面，本实施方式的处理装置100产生的上述诸如高能电子的活性粒子还能够直接作用于VOCs，以使VOCs发生断键反应，从而使其易于降解，生成CO2和H2O等小分子物质。具体地，在外加电场的作用下，气体放电产生的高能电子轰击VOCs，可以理解还会轰击其他分子，使它们发生电离、离解、激发等反应。分子和原子的电离可以产生高能电子，VOCs在高能电子的轰击下会发生断键反应，其分子结构遭到破坏，从而使其易于降解，生成CO2和H2O等小分子物质。需要说明的是，VOCs降解成CO2和H2O等小分子物质的过程是在处理室121内实现的。
优选地，分子筛124为木质素基分子筛。具体地，分子筛124可以由天然木质素通过诸如乙酰基化、硅烷基化和聚合作用等反应过程制备而成，羟基基团会聚合在乙酰基和硅烷基结构中，以使羟基基团大量地存在于分子筛124中。本实施方式的分子筛124可以是申请号为CN201410769036.6的发明专利中已公开的木质素基微孔分子筛。由此，相对于采用催化剂的现有技术，本实施方式的分子筛124不仅可以避免将催化剂至于放电区产生的积碳现象；且催化剂属于贵金属，价格较高，而木质素是可再生的天然有机物，是一种可再生的廉价天然资源，制造木质素基分子筛的原材料和成本相对较低。
进一步地，如图4和图5所示，等离子体模块组件120构造成大致长方体的形状。至少两个处理室121成排设置，并且至少两个处理室121中的每一个均包括第一电极构件122和第二电极构件123a并填装有分子筛124。图示实施方式示出了多个处理室121成阵列布置，具体地，处理室121沿等离子体模块组件120的长度方向D1布置成八排，沿宽度方向D2布置成两列。当然，如果需要和/或期望，处理室121也可以设置为一个。
需要说明的是，本文提及的“长度方向D1”、“宽度方向D2”和“高度方向D3”是相对于电极构件处于竖直放置状态(图4)下的等离子体模块组件120而言，这些方向术语适用于处理室121。而图2中示出了电极构件处于平躺放置状态下的等离子体模块组件120，即相对于图4中的等离子体模块组件120翻转90度。
本实施方式的等离子体模块组件120构造成线板结构。具体地，第一电极构件122为正极构件，由诸如金属丝等的导电丝制成。可选为诸如0.4mm的镍铬合金丝。第一电极构件122沿处理室121的高度方向D3延伸。第二电极构件123a为负极构件，由诸如金属板等的导电板制成。可选为厚度诸如4mm的不锈钢板。需要说明的是，在图4中，为了便于示出第一电极构件122和处理室出口125b，第二电极构件123a的一部分被剖切形成缺口。第一电极构件122和第二电极构件123a大致平行设置。这样相对于其它类型的等离子体模块组件120，本实施方式的等离子体模块组件120在相同的电场强度下，需要的电压较小，工业应用中更容易实现。
优选地，第一电极构件122和第二电极构件123a之间的间距不超过100mm。可选地，分子筛124可以位于第一电极构件122和第二电极构件123a之间。换句话说，第一电极构件122位于分子筛124中。
进一步地，等离子体模块组件120还包括设置在处理室121中的绝缘介质126，绝缘介质126包覆第一电极构件122(图4中示例性地剖切了绝缘介质126和第一电极构件122，以便于示出两者的包覆结构)。当在上述两个电极构件上施加足够高的交流电压时，在这两个电极构件直接的气体被击穿，从而形成介质阻挡放电。这样一方面防止在放电空间形成局部火花或弧光放电，另一方面能够使得气体均匀稳定的放电。绝缘介质126形成为包覆第一电极构件122的套管，该套管采用诸如聚四氟乙烯等绝缘材料制成。
第二电极构件123a形成处理室121的沿高度方向D3延伸的第一壁。具体地，第二电极构件123a形成彼此相对的第一壁。处理室121的第二壁123b与第一壁相接。可选地，处理室121沿高度方向D3的上端和下端由诸如陶瓷板的绝缘板127覆盖。处理室进口125a和处理室出口125b设置在绝缘板127上。绝缘板127在处理室进口125a和处理室出口125b处还设置有孔板。气体经由孔板进出处理室121。孔板可拆卸地设置，以便于经由处理室进口125a或处理室出口125b填装或移出分子筛124。具体地，绝缘板127水平布置，处理室进口125a设置在处理室121的上端，处理室出口125b设置在处理室121的下端。第一电极构件122的两个端部分别经由处理室进口125a和处理室出口125b延伸出处理室121，以便于与高压电源设备140电连接。
当沿长度方向设置至少两个处理室121时，可选地，第二电极构件123a沿长度方向平行间隔地布置，并且由导电连接板123c(图5)彼此连接，以便于经由导电连接板123c彼此导电。导电连接板123c可以为金属板。图示实施方式中，导电连接板123c将相邻的处理室121隔开。位于最外的第一壁与第二壁123b可以通过卡槽的方式连接。为了方便电连接，第一电极构件122的端部可以由接线柱128连接。进一步地，等离子体模块组件120的角部设置有支撑件129，以支撑接线柱128。支撑件129由诸如陶瓷板的绝缘材料制成。
进一步地，返回参照图2，处理装置100还包括用于辐射紫外线的紫外线辐射设备130，分子筛124位于紫外线的辐射区域。紫外线辐射设备130能够辐射波长为185nm的紫外线，该紫外线能够将空气中的O2转变成臭氧。臭氧具有强氧化性，能渗透到分子筛124孔隙的内部，将吸附在分子筛124内部的VOCs氧化分解成H2O和CO2等小分子物质，弥补了由于填充分子筛124使等离子体(上述活性粒子)的穿透能力减弱的不足，从而使得VOCs能够尽可能的完全去除。另外，分子筛124还可以使O3在反应器内的停留时间更长，提高CO2的选择性，减少生成CO等副产物。紫外线辐射设备130可以优选为紫外灯。
优选地，紫外线辐射设备130设置在处理室121的外侧，以便于借助于第二壁和下述隔板将紫外线辐射设备130与处理室121隔开。这样使得气体仅可以通过处理室121，而不流经紫外线辐射设备130，避免了因气体经过而使紫外线辐射设备130的表面产生污染，从而避免了紫外线大幅衰减，使紫外线辐射设备130的使用寿命延长。紫外线辐射设备130由此可以不需要定期清洁。
具体地，紫外线辐射设备130设置在处理室121的与第一壁相接的第二壁123b的外侧。这种实施方式下，第二壁123b由能够被紫外线穿过的材料制成。例如，第二壁123b可以为钛元素改性的石英玻璃板制成。采用石英玻璃板作为紫外线的穿透层，使紫外线穿透率最高可达80％～90％，可大幅降低185nm波段紫外线的衰减程度，提高紫外线的利用率。
返回参照图2和图3，壳体110中可以设置有至少一组的等离子体模块组件120和紫外线辐射设备130。可以借助于设置在壳体110中的隔板以使相邻的等离子体模块组件120和紫外线辐射设备130隔开。进一步说，可以借助于隔板将气体与紫外线辐射设备130隔开。图示实施方式示出了壳体110中设置有两组的等离子体模块组件120和紫外线辐射设备130。在每一组中，紫外线辐射设备130设置在等离子体模块组件120的上方和下方。每一组对应设置有紫外灯的接线盒150和高压电源设备140。高压电源设备140可以为电源高压包。
根据本发明的另一方面，还提供了一种VOCs的处理方法，该处理方法使用上述技术方案中的任一方面的处理装置100而实现，处理方法包括如下步骤：
活性粒子产生步骤，其中，对处理室121中的包含VOCs的气体施加由第一电极构件122和第二电极构件123a产生的电场，以使气体放电产生活性粒子；
羟基自由基产生步骤，其中，活性粒子作用于设置在处理室121中的分子筛124，以使分子筛124的羟基基团离解成羟基自由基；以及
羟基自由基氧化VOCs步骤，其中，羟基自由基作用于VOCs，以使VOCs氧化分解。
本发明提供的处理方法，可以借助于电场的作用使得气体放电产生大量的活性粒子。活性粒子能够作用于分子筛124上的羟基基团，将其离解成羟基自由基，借助于羟基自由基的氧化性能，将VOCs氧化分解成CO2和H2O等小分子物质。本发明提供的处理方法能够有效地去除VOCs，去除率高，而且促进了低温等离子技术在工业上的应用。
处理方法还包括臭氧产生步骤和臭氧氧化VOCs步骤。在臭氧产生步骤中，紫外线辐射设备130辐射的紫外线作用于气体中包含的O2，从而使O2变成臭氧；
在臭氧氧化VOCs步骤中，臭氧作用于分子筛124的内部的VOCs，以使VOCs氧化分解。
羟基自由基氧化VOCs步骤和臭氧氧化VOCs步骤大致同时进行。换句话说，等离子体模块组件120和紫外线辐射设备130能够产生协同效应，使得产生的羟基自由基和产生的臭氧能够大致同时作用于VOCs，从而提高了VOCs的去除率。
处理方法还包括在活性粒子产生步骤之后的VOCs断键步骤，其中，活性粒子作用于VOCs，以使VOCs的分子结构因断键而被破坏，从而便于VOCs降解，生成CO2和H2O等小分子物质。
本实施方式中各处理步骤中涉及的具体作用方式、原理和效果等其他内容已在上述处理装置100的描述内容中详述，在此不再赘述。
除非另有定义，本文中所使用的技术和科学术语与本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中使用的术语只是为了描述具体的实施目的，不是旨在限制本发明。本文中出现的诸如“部”、“件”等术语既可以表示单个的零件，也可以表示多个零件的组合。本文中出现的诸如“安装”、“设置”等术语既可以表示一个部件直接附接至另一个部件，也可以表示一个部件通过中间件附接至另一个部件。本文中在一个实施方式中描述的特征可以单独地或与其他特征结合地应用于另一个实施方式，除非该特征在该另一个实施方式中不适用或是另有说明。
本发明已经通过上述实施方式进行了说明，但应当理解的是，上述实施方式只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施方式范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施方式，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。

Claims (13)

1.一种VOCs的处理装置，其特征在于，包括等离子体模块组件，所述等离子体模块组件包括：
处理室，所述处理室用于处理包含VOCs的气体，所述处理室设置有分别用于所述气体进出的处理室进口和处理室出口；
第一电极构件，所述第一电极构件延伸穿过所述处理室；
第二电极构件，所述第二电极构件与所述第一电极构件传导的电流极性相反，并且所述第二电极构件形成所述处理室的一部分且与第一电极构件靠近且间隔地设置，以使所述第一电极构件和第二电极构件之间能够产生电场，所述电场用于使所述处理室中的气体产生活性粒子；以及
分子筛，所述分子筛具有羟基基团并设置在所述处理室中，以能够使得所述羟基基团被所述活性粒子离解成羟基自由基，所述羟基自由基用于使得所述VOCs氧化分解。
2.根据权利要求1所述的处理装置，其特征在于，所述分子筛为木质素基分子筛。
3.根据权利要求1所述的处理装置，其特征在于，所述处理装置还包括用于辐射紫外线的紫外线辐射设备，以使所述紫外线将所述气体中的O2变成臭氧，所述分子筛位于所述紫外线的辐射区域，以使所述臭氧使所述分子筛的内部的VOCs氧化分解。
4.根据权利要求3所述的处理装置，其特征在于，所述紫外线辐射设备设置在所述处理室的外侧。
5.根据权利要求3所述的处理装置，其特征在于，所述第一电极构件沿所述处理室的高度方向延伸，所述第二电极构件形成所述处理室的沿所述高度方向延伸的第一壁。
6.根据权利要求5所述的处理装置，其特征在于，所述紫外线辐射设备设置在所述处理室的与所述第一壁相接的第二壁的外侧，所述第二壁由钛元素改性的石英玻璃板制成。
7.根据权利要求1所述的处理装置，其特征在于，所述等离子体模块组件还包括设置在所述处理室中的绝缘介质，所述绝缘介质包覆所述第一电极构件，并且/或者
所述第一电极构件为正极构件，所述第二电极构件为负极构件。
8.根据权利要求1所述的处理装置，其特征在于，至少两个所述处理室成排设置，并且所述至少两个处理室中的每一个均包括所述第一电极构件和所述第二电极构件并填装有所述分子筛。
9.根据权利要求3所述的处理装置，其特征在于，所述处理装置还包括壳体，所述壳体设置有分别用于气体进出的装置进口和装置出口，至少一组的所述等离子体模块组件和所述紫外线辐射设备设置在所述壳体中。
10.一种使用根据权利要求1至9中任一项所述的处理装置的VOCs的处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
活性粒子产生步骤，其中，对所述处理室中的包含VOCs的气体施加由所述第一电极构件和所述第二电极构件产生的所述电场，以使所述气体放电产生活性粒子；
羟基自由基产生步骤，其中，所述活性粒子作用于设置在所述处理室中的所述分子筛，以使所述分子筛的羟基基团离解成羟基自由基；以及
羟基自由基氧化VOCs步骤，其中，所述羟基自由基作用于所述VOCs，以使所述VOCs氧化分解。
11.根据权利要求10所述的处理方法，其特征在于，所述处理装置还包括紫外线辐射设备，所述处理方法还包括：
臭氧产生步骤，其中，所述紫外线辐射设备辐射的紫外线作用于所述气体中包含的O2，从而使所述O2变成臭氧；以及
臭氧氧化VOCs步骤，其中，所述臭氧作用于所述分子筛的内部的VOCs，以使所述VOCs氧化分解。
12.根据权利要求11所述的处理方法，其特征在于，所述羟基自由基氧化VOCs步骤和所述臭氧氧化VOCs步骤同时进行。
13.根据权利要求10所述的处理方法，其特征在于，还包括在所述活性粒子产生步骤之后的VOCs断键步骤，其中，所述活性粒子作用于所述VOCs，以使VOCs的分子结构因断键而被破坏。
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