CN110868200A - 一种单键开关机与复位电路 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种单键开关机与复位电路，包括三极管电路、与所述三极管电路相连接的MOS管电路以及与所述三极管电路、MOS管电路相连接的7404非门电路；所述三级管电路包括三极管Q2以及与所述三级管Q2相连接的电阻R4、电阻R5以及电容C1；所述三极管Q2的基极与7404非门电路一端相连接，且在该7404非门电路与三级管Q2基极的连接线路上串接有一电阻R3；所述三极管Q2的发射极接公共地；所述MOS管电路包括MOS管Q1，该MOS管Q1为P沟道增强型MOS管；且所述MOS管Q1的漏极接外部电源电压VBAT，MOS管Q1的源极接外部电源BAT，MOS管Q1的栅极接三极管Q2的集电极，实际应用过程中，可避免MCU程序跑飞而意外关机，也可以实现MCU任意状态的软硬件复位，产品电源不受影响。

Description

一种单键开关机与复位电路
[技术领域]
本发明涉及开关机与复位电路技术领域，尤其涉及一种可以有效避免MCU程序跑飞而意外关机，也可以实现MCU任意状态的软硬件复位，且产品电源不受影响的单键开关机与复位电路。
[背景技术]
随着智能化家居的普及，现代智能设备体积越来越小，性能越来越强。很多设备都需要做到尽量节能，所以在很多时候都必不可少关机和复位功能，由于产品的体积问题，这两个功能会尽量做到一个按键上。
目前较为常见的单键开关机和复位电路，一般原理如下：当按下SW1按键，Q1 PMOS的栅极为低，Q1导通，VBAT有电压，VBAT通过DCDC变换得到MCU供电的电压VCC，同时MCU工作，给POWER_HOLD一个持续的高电平，从而保持Q1的导通状态，松开按键后，产品也是有电的，POWER_HOLD输出低电平实现关机功能。但此电路有一个严重的缺陷，MCU必需给一个稳定的POWER_HOLD高电平信号，一旦MCU被辐射干扰，或是本身程序出问题，产品便会掉电。
怎样在此电路的基础上进行改进，解决以上所述的缺陷，是本领域技术人员经常考虑的问题，也进行了大量的研发与实验，并取得了较好的成绩。
[发明内容]
为克服现有技术所存在的问题，本发明提供一种可以有效避免MCU程序跑飞而意外关机，也可以实现MCU任意状态的软硬件复位，且产品电源不受影响的单键开关机与复位电路。
本发明解决技术问题的方案是提供一种单键开关机与复位电路，包括三极管电路、与所述三极管电路相连接的MOS管电路以及与所述三极管电路、MOS管电路相连接的7404非门电路；所述三级管电路包括三极管Q2以及与所述三级管Q2相连接的电阻R4、电阻R5以及电容C1；所述三极管Q2的基极与7404非门电路一端相连接，且在该7404非门电路与三级管Q2基极的连接线路上串接有一电阻R3；所述三极管Q2的发射极接公共地；所述MOS管电路包括MOS管Q1，该MOS管Q1为P沟道增强型MOS管；且所述MOS管Q1的漏极接外部电源电压VBAT，MOS管Q1的源极接外部电源BAT，MOS管Q1的栅极接三极管Q2的集电极；所述MOS管Q1的源极与栅极之间还并联连接有一第一电阻电路，该第一电阻电路中串联连接有一电阻R1；所述三极管Q2的基极通过一第二电阻电路连接MOS管Q1的漏极，该电阻R5串接于所述第二电阻电路中；所述三极管Q2的基极与发射极之间还并联连接有一第三电阻电路和第一电容电路；该电阻R4串接于所述第三电阻电路中；该电容C1串接于所述第一电容电路中；所述MOS管Q1的栅极还连接有一二极管电路；该二极管电路中串接有一二极管D1以及控制按钮SW1，所述二极管电路相对于MOS管Q1栅极的另一端接公共地；还包括与所述二极管电路的二极管D1和控制按钮SW1连线部位相连接的另一复位电路；该复位电路中串联连接有一二极管D2，且复位电路一端连接外部芯片的MCU-RESET触点；所述7404非门电路相对于三极管Q2基极的另一端连接外部芯片的POWER-HOLD触点。
优选地，所述复位电路上还连接有一第四电阻电路；该第四电阻电路中串接有一电阻R2；且所述第四电阻电路一端接外部电源电压VCC。
与现有技术相比，本发明一种单键开关机与复位电路通过同时设置三极管电路、与所述三极管电路相连接的MOS管电路以及与所述三极管电路、MOS管电路相连接的7404非门电路，三级管电路包括三极管Q2以及与所述三级管Q2相连接的电阻R4、电阻R5以及电容C1，三极管Q2的基极与7404非门电路一端相连接，且在该7404非门电路与三级管Q2基极的连接线路上串接有一电阻R3，三极管Q2的发射极接公共地，MOS管电路包括MOS管Q1，该MOS管Q1为P沟道增强型MOS管，且所述MOS管Q1的漏极接外部电源电压VBAT，MOS管Q1的源极接外部电源BAT，MOS管Q1的栅极接三极管Q2的集电极，结合其他部分的电路连接关系，实际应用过程中，可避免MCU程序跑飞而意外关机，也可以实现MCU任意状态的软硬件复位，产品电源不受影响。
[附图说明]
图1是传统的一种单键开关机与复位电路的电路连接结构示意图。
图2是本发明一种单键开关机与复位电路的电路连接结构示意图。
[具体实施方式]
为使本发明的目的，技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，并不用于限定此发明。
请参阅图1和图2，本发明一种单键开关机与复位电路1包括三极管电路、与所述三极管电路相连接的MOS管电路以及与所述三极管电路、MOS管电路相连接的7404非门电路；所述三级管电路包括三极管Q2以及与所述三级管Q2相连接的电阻R4、电阻R5以及电容C1；所述三极管Q2的基极与7404非门电路一端相连接，且在该7404非门电路与三级管Q2基极的连接线路上串接有一电阻R3；所述三极管Q2的发射极接公共地；所述MOS管电路包括MOS管Q1，该MOS管Q1为P沟道增强型MOS管；且所述MOS管Q1的漏极接外部电源电压VBAT，MOS管Q1的源极接外部电源BAT，MOS管Q1的栅极接三极管Q2的集电极；所述MOS管Q1的源极与栅极之间还并联连接有一第一电阻电路，该第一电阻电路中串联连接有一电阻R1；所述三极管Q2的基极通过一第二电阻电路连接MOS管Q1的漏极，该电阻R5串接于所述第二电阻电路中；所述三极管Q2的基极与发射极之间还并联连接有一第三电阻电路和第一电容电路；该电阻R4串接于所述第三电阻电路中；该电容C1串接于所述第一电容电路中；所述MOS管Q1的栅极还连接有一二极管电路；该二极管电路中串接有一二极管D1以及控制按钮SW1，所述二极管电路相对于MOS管Q1栅极的另一端接公共地；还包括与所述二极管电路的二极管D1和控制按钮SW1连线部位相连接的另一复位电路；该复位电路中串联连接有一二极管D2，且复位电路一端连接外部芯片的MCU-RESET触点；所述7404非门电路相对于三极管Q2基极的另一端连接外部芯片的POWER-HOLD触点。
本申请通过同时设置三极管电路、与所述三极管电路相连接的MOS管电路以及与所述三极管电路、MOS管电路相连接的7404非门电路，三级管电路包括三极管Q2以及与所述三级管Q2相连接的电阻R4、电阻R5以及电容C1，三极管Q2的基极与7404非门电路一端相连接，且在该7404非门电路与三级管Q2基极的连接线路上串接有一电阻R3，三极管Q2的发射极接公共地，MOS管电路包括MOS管Q1，该MOS管Q1为P沟道增强型MOS管，且所述MOS管Q1的漏极接外部电源电压VBAT，MOS管Q1的源极接外部电源BAT，MOS管Q1的栅极接三极管Q2的集电极，结合其他部分的电路连接关系，实际应用过程中，可避免MCU程序跑飞而意外关机，也可以实现MCU任意状态的软硬件复位，产品电源不受影响。
此电路由于开机时POWER_HOLD为低电平，从而不会因MCU被干扰复位而导致意外关机。原理如下：
当按下SW1按键Q1 PMOS的栅极为低，Q1导通，VBAT有电压。VBAT通过DCDC变换得到MCU供电的电压VCC。同时MCU工作，此时不需要给POWER_HOLD高电平信号。Q2的基极通过R5给C1充电后，通过R5、R4分压得到一个0.7V左右的电压，Q2导通，从而Q1保持导通的状态。POWER_HOLD输出高电平实现关机功能。
优选地，所述复位电路上还连接有一第四电阻电路；该第四电阻电路中串接有一电阻R2；且所述第四电阻电路一端接外部电源电压VCC。
在Q2的基极加一电阻R5和电容C1，R5另一端接到VBAT，C1的另一端接到地。POWER_HOLD开机保持信号通过7404非门电路通过R3接到Q2的基极。
与现有技术相比，本发明一种单键开关机与复位电路1通过同时设置三极管电路、与所述三极管电路相连接的MOS管电路以及与所述三极管电路、MOS管电路相连接的7404非门电路，三级管电路包括三极管Q2以及与所述三级管Q2相连接的电阻R4、电阻R5以及电容C1，三极管Q2的基极与7404非门电路一端相连接，且在该7404非门电路与三级管Q2基极的连接线路上串接有一电阻R3，三极管Q2的发射极接公共地，MOS管电路包括MOS管Q1，该MOS管Q1为P沟道增强型MOS管，且所述MOS管Q1的漏极接外部电源电压VBAT，MOS管Q1的源极接外部电源BAT，MOS管Q1的栅极接三极管Q2的集电极，结合其他部分的电路连接关系，实际应用过程中，可避免MCU程序跑飞而意外关机，也可以实现MCU任意状态的软硬件复位，产品电源不受影响。
以上所述的本发明实施方式，并不构成对本发明保护范围的限定。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的权利要求保护范围之内。

Claims (2)

1.一种单键开关机与复位电路，其特征在于：包括三极管电路、与所述三极管电路相连接的MOS管电路以及与所述三极管电路、MOS管电路相连接的7404非门电路；所述三级管电路包括三极管Q2以及与所述三级管Q2相连接的电阻R4、电阻R5以及电容C1；所述三极管Q2的基极与7404非门电路一端相连接，且在该7404非门电路与三级管Q2基极的连接线路上串接有一电阻R3；所述三极管Q2的发射极接公共地；所述MOS管电路包括MOS管Q1，该MOS管Q1为P沟道增强型MOS管；且所述MOS管Q1的漏极接外部电源电压VBAT，MOS管Q1的源极接外部电源BAT，MOS管Q1的栅极接三极管Q2的集电极；所述MOS管Q1的源极与栅极之间还并联连接有一第一电阻电路，该第一电阻电路中串联连接有一电阻R1；所述三极管Q2的基极通过一第二电阻电路连接MOS管Q1的漏极，该电阻R5串接于所述第二电阻电路中；所述三极管Q2的基极与发射极之间还并联连接有一第三电阻电路和第一电容电路；该电阻R4串接于所述第三电阻电路中；该电容C1串接于所述第一电容电路中；所述MOS管Q1的栅极还连接有一二极管电路；该二极管电路中串接有一二极管D1以及控制按钮SW1，所述二极管电路相对于MOS管Q1栅极的另一端接公共地；还包括与所述二极管电路的二极管D1和控制按钮SW1连线部位相连接的另一复位电路；该复位电路中串联连接有一二极管D2，且复位电路一端连接外部芯片的MCU-RESET触点；所述7404非门电路相对于三极管Q2基极的另一端连接外部芯片的POWER-HOLD触点。
2.如权利要求1所述的一种单键开关机与复位电路，其特征在于：所述复位电路上还连接有一第四电阻电路；该第四电阻电路中串接有一电阻R2；且所述第四电阻电路一端接外部电源电压VCC。
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