CN110867728A - 一种突波吸收器 - Google Patents

Abstract

一种突波吸收器，包括一个两端开口的玻璃管，玻璃管的两端封闭设有两个电极，两个电极之间形成一密闭的腔室，在腔室中充满气体，腔室中还设有一芯片，该芯片采用三氧化二铝制成，芯片为一中空圆柱状结构，芯片两端的通孔和所述电极位置对应。本发明中的芯片采用中空圆柱状结构，电流可直接从通孔中通过，相较传统技术中使用的立方体结构的芯片，本发明的突波吸收器通流截面更大，响应速度更快，放电电压更稳定。通过改变中空圆柱状芯片的厚度，以调整直流击穿电压，可广泛应用于显示器、天线电路、传感器以及通信系统、网络等领域。

Description

一种突波吸收器

技术领域

本发明涉及一种气体放电器件，特别涉及一种突波吸收器。

背景技术

突波吸收器是一种在电子电路中起防雷、防高压静电等作用的过压保护器件。

现有突波吸收器有一种使用的芯片为立方体结构，包括中间的P-N结和设于上下面的绝缘层。使用时，电流会优先从一端的电极上通过绝缘层和玻璃管之间的空隙流到另一端的电极，该种突波吸收器存在通流截面小，放电电压不稳定的问题。

所以，针对现有技术中存在的问题，有必要设计一种突波吸收器，以解决通流截面小，放电电压不稳定的问题。

发明内容

为克服上述现有技术中的不足，本发明目的在于提供一种突波吸收器。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供的技术方案是：一种突波吸收器，包括一个两端开口的玻璃管，所述玻璃管的两端封闭设有两个电极，所述两个电极之间形成一密闭的腔室，所述腔室中充满气体，所述腔室中设有一芯片，其特征在于：所述芯片采用三氧化二铝制成，所述芯片为一中空圆柱状结构，所述芯片两端的通孔和所述电极位置对应。

优选的技术方案为：所述腔室中充满纯的或混合的惰性气体。

优选的技术方案为：所述电极外侧设有镀锡铜包钢线。

由于上述技术方案运用，本发明具有的有益效果为：

本发明中的芯片采用中空圆柱体结构，并且芯片两端的通孔和电极位置对应，电流可直接从通孔中通过，相较传统技术中使用的立方体结构的芯片，其通流截面更大，放电电压更稳定。

本发明通过改变中空圆柱状芯片的厚度，以调整直流击穿电压，广泛应用于显示器、天线电路、传感器以及通信系统、网络等领域。

附图说明

图1为本发明主视图。

图2为本发明中芯片左视图。

图3为传统突波吸收器主视图。

以上附图中，1、玻璃管；2、电极；3、腔室；4、芯片；5、镀锡铜包钢线；6、绝缘层；7、P-N结。

具体实施方式

以下由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。

请参阅图1-图3。须知，在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“水平”、“竖直”、“悬垂”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。

在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接，可以是机械连接，也可以是电连接，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

如图1-图3所示，一种突波吸收器，包括玻璃管1和密封设于玻璃管1两端的电极2，两个电极2的外侧设有镀锡铜包钢线5，两个电极2之间形成密封的腔室3，在腔室3中充满纯的或混合的惰性气体，在腔室3中设有芯片4。芯片4采用三氧化二铝制成，为中空圆柱体结构，芯片4两端的通孔和电极2的位置对应。

如图3所示，传统的一种突波吸收器，其中的芯片为立方体结构，包括P-N结7和设于P-N结7两侧的绝缘层6，该种突波吸收器在使用时，电流会优先从绝缘层6和玻璃管1之间的缝隙穿过，存在通流截面小，放电电压不稳定的问题。

本发明可直接接入需要过压保护的高频或低频电路中使用，也可与其他过压保护器件或电路配合使用。工作时，加在电极2两端的电压会在芯片4的两端产生一个强电场，随着该电场的加强，芯片4两端端口附近会产生初始电子，初始电子在电场的作用下，与气体分子发生碰撞，并产生电子和正离子，即开始了沿芯片4中的通孔内壁表面的微隙进行放电，随着放电电流的增加，使得内壁表面微隙附近的气体电离区不断扩大，最后覆盖整个芯片4的通孔，这样放电电流就直接经由气体电离区（通孔中）从一个电极流到另一个电极，相较于传统技术，本发明中突波吸收器的通流截面更大，响应速度更快，放电电压更稳定。

并且，本发明中，可通过改变中空圆柱状芯片的厚度，来调整直流击穿电压，可广泛应用于显示器、天线电路、传感器以及通信系统、网络等领域。

所以，本发明具有以下优点：

1.本发明中的芯片采用中空圆柱体结构，电流可直接从通孔中通过，相较传统技术中使用的立方体结构的芯片，其通流截面更大，响应速度更快，放电电压更稳定。

2.本发明通过改变中空圆柱状芯片的厚度，以调整直流击穿电压，可广泛应用于显示器、天线电路、传感器以及通信系统、网络等领域。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神和技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (3)

1.一种突波吸收器，包括一个两端开口的玻璃管，所述玻璃管的两端封闭设有两个电极，所述两个电极之间形成一密闭的腔室，所述腔室中充满气体，所述腔室中设有一芯片，其特征在于：所述芯片采用三氧化二铝制成，所述芯片为一中空圆柱状结构，所述芯片两端的通孔和所述电极位置对应。

2.根据权利要求1所述的一种突波吸收器，其特征在于：所述腔室中充满纯的或混合的惰性气体。

3.根据权利要求1所述的一种突波吸收器，其特征在于：所述电极外侧设有镀锡铜包钢线。

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