CN110867719B - 控制调q电路、电路板、调q系统及消减寄生振荡的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明一种控制调Q的电路、印制电路板、激光调Q系统及消减寄生振荡的方法,包括:方波信号发生器、调制和消寄模块、直流偏置模块、射频信号发生器、滤波匹配阻抗模块、射频调制功放模块;方波信号发生器用于产生方波信号;射频信号发生器用于产生射频信号;调制和消寄模块用于将方波信号转换为调制信号;射频调制功放模块利用调制信号对射频信号进行调幅调制,并将调幅调制后的射频信号输出以控制激光调Q;其中调制和消寄模块通过第一电感和第一电容消减射频信号产生的寄生振荡。本发明实施例的控制激光调Q电路,解决了射频信号产生的寄生振荡,避免射频信号的恒稳辐值输出,极大的减小了泵浦光插入损耗,提高了激光器电光转换效率低。
Description
技术领域
本发明涉及激光技术领域,特别是一种控制调Q的电路、印制电路板、一种激光调Q系统以及一种消减寄生振荡的方法。
背景技术
脉冲激光器关键的要求是脉宽窄,峰峰值大,其中调Q是核心技术。调Q是利用射频信号连续线性变化来控制压电晶体。传统压电晶体调Q的方式,因为射频信号功率大,存在寄生振荡,进而导致压控晶体的插入损耗增大,对于泵浦光调Q效果差。
发明内容
鉴于上述问题,本发明提供一种控制调Q的电路、印制电路板、一种激光调Q系统以及一种消减寄生振荡的方法,解决了上述问题。
本发明实施例提供了一种控制激光调Q的电路,所述电路包括:方波信号发生器、调制和消寄模块、直流偏置模块、射频信号发生器、滤波匹配阻抗模块以及射频调制功放模块;
所述方波信号发生器与所述调制和消寄模块连接,用于产生方波信号;
所述射频信号发生器与所述滤波匹配阻抗模块连接,用于产生射频信号;
所述滤波匹配阻抗模块分别与所述直流偏置模块和所述射频调制功放模块连接,用于对所述射频信号进行滤波和阻抗匹配;
所述调制和消寄模块与所述直流偏置模块连接,用于将所述方波信号转换为调制信号;
所述直流偏置模块分别与所述滤波匹配阻抗模块和所述射频调制功放模块连接,用于控制经过滤波和阻抗匹配后的射频信号的频率;
所述射频调制功放模块分别与所述滤波匹配阻抗模块和所述直流偏置模块连接,用于利用所述调制信号对经过滤波和阻抗匹配后的射频信号进行调幅调制,并将调幅调制后的射频信号输出,以控制激光调Q;
其中,所述调制和消寄模块包括:第一电感和第一电容,所述第一电感的第一端与所述第一电容的第一端连接,并均通过所述调制和消寄模块中的第一电阻和第二电容与所述方波信号发生器的输出端连接,所述第一电感的第二端与所述直流偏置模块连接;
所述第一电容的第二端接地。
可选地,所述调制和消寄模块还包括:第一电阻、第二电阻、第二电容、第三电容;
所述第一电阻的第一端与所述方波信号发生器的输出端连接;
所述第一电阻的第二端分别与所述第二电阻的第一端、所述第二电容的第一端以及所述第三电容的第一端连接;
所述第二电阻的第二端分别与所述第二电容的第二端、所述第一电感的第一端以及所述第一电容的第一端连接;
所述第一电容的第二端接地;
所述第三电容的第二端接地;
所述第一电感的第二端与所述直流偏置模块中的电阻连接;
其中,所述第一电感、第一电容、第二电容、第三电容、第一电阻以及第二电阻共同作用,将所述方波信号转换为所述调制信号。
可选地,所述调幅调制后的射频信号通过压电晶体控制激光调Q;
所述调幅调制后的射频信号为连续线性变化的信号,在所述调幅调制后的射频信号为高幅值信号的情况下,所述压电晶体断开,所述高幅值信号的幅值大于等于所述压电晶体保持断开状态所需的临界值;
在所述调幅调制后的射频信号为低幅值信号的情况下,所述压电晶体导通,所述低幅值信号的幅值小于等于所述压电晶体保持导通状态所需的临界值。
可选地,所述直流偏置模块包括:第三电阻、第四电阻以及第五电阻;
所述第三电阻的第一端与所述第一电感的第二端连接;
所述第三电阻的第二端分别与所述第四电阻的第一端和所述第五电阻的第一端连接;
所述第四电阻的第二端接地;
所述第五电阻的第二端分别与所述滤波匹配阻抗模块中的电容和所述射频调制功放模块中的射频调制管连接;
其中,通过调节所述第三电阻和所述第四电阻的分压比,控制经过滤波和阻抗匹配后的射频信号的频率,防止经过滤波和阻抗匹配后的射频信号失真。
本发明实施例还提供一种印制电路板,所述印制电路板的顶层上布设有如以上任一所述的电路。
可选地,所述印制电路板的顶层上布设的所述射频信号发生器的铜箔被隔离。
可选地,所述印制电路板的顶层上,所述射频信号发生器远离所述射频调制管,以防止所述射频信号产生高频辐射振荡。
可选地,所述印制电路板的顶层上布设的所述射频信号发生器和所述射频调制管均采用单点接地,防止所述射频信号对所述方波信号、所述调制信号的干扰。
本发明实施例还提供一种激光调Q系统,所述系统包括:压电晶体和如以上任一所述的印制电路板,所述控制激光调Q的电路的输出端与所述压电晶体连接,所述控制激光调Q的电路输出的调幅调制后的射频信号用于控制激光调Q。
本发明实施例还提供一种消减寄生振荡的方法,所述方法应用于控制激光调Q的电路,所述控制激光调Q的电路为以上任一所述的控制激光调Q的电路,或者为以上任一所述的印制电路板上的控制激光调Q的电路,或者为激光调Q系统中的控制激光调Q的电路,所述方法包括:
通过所述方波信号发生器产生方波信号,并传输至所述调制和消寄模块;
通过所述射频信号发生器产生射频信号,并传输至所述滤波匹配阻抗模块;
所述方波信号经过所述调制和消寄模块转换为调制信号,并传输至所述直流偏置模块;
所述调制信号通过所述直流偏置模块传输至所述射频调制功放模块;
所述射频信号经过所述滤波匹配阻抗模块进行滤波和阻抗匹配,并传输至所述射频调制功放模块;
通过所述直流偏置模块控制经过滤波和阻抗匹配后的射频信号的频率;
通过所述射频调制功放模块利用所述调制信号对经过滤波和阻抗匹配后的射频信号进行调幅调制,并将调幅调制后的射频信号输出,以控制激光调Q;
所述调制和消寄模块中的第一电感和第一电容并联连接,以产生陷波特性,所述射频信号产生的寄生振荡进入所述第一电感和所述第一电容并联连接的电路时,所述陷波特性吸收所述射频信号从而消减寄生振荡。
采用本发明提供的控制激光调Q的电路,由方波信号发生器产生方波信号,由射频信号发生器产生射频信号,利用滤波匹配阻抗模块对射频信号进行滤波和阻抗匹配,通过调制和消寄模块将方波信号转换为调制信号,采用直流偏置模块控制经过滤波和阻抗匹配后的射频信号的频率,最后射频调制功放模块利用调制信号对经过滤波和阻抗匹配后的射频信号进行调幅调制,并将调幅调制后的射频信号输出以控制激光调Q。本发明的方案中,在调制和消寄模块中增加第一电感和第一电容,调制和消寄模块通过第一电感和第一电容消减射频信号产生的寄生振荡,从而避免了射频信号的恒稳辐值输出,就不会导致压电晶体对泵浦光一直处于断开状态,极大的减小了泵浦光插入损耗,提高了激光器电光转换效率低,同时由于避免了射频信号的恒稳辐值输出,一并解决了射频调制功放模块中射频调制管可能会一直处于高功耗的状态,不会使得射频管高温发热,工作不稳定。
附图说明
通过阅读下文优选实施方式的详细描述,各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的,而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中,用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中:
图1是本发明实施例的控制激光调Q的电路的示意图;
图2是本发明实施例的印制电路板的示意图;
图3是本发明实施例的激光调Q系统的示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明,仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例,并不用于限定本发明。
发明人发现,目前的通过射频信号进行激光调Q存在以下弊端:
目前激光调Q的过程中,压电晶体在有高辐值射频信号时相当于断开,压电晶体在有小辐值射频信号时相当于导通,由于射频信号受方波信号的调制,在调制过程中,射频信号较大概率会出现寄生振荡,而寄生振荡会使得射频信号产生恒稳幅值的信号,这个恒稳幅值的信号使得压电晶体无法瞬间导通,导致压电晶体的插入损耗较大,自然地对激光调Q的效果就较差。
针对上述问题,发明人经过深入研究,结合大量的实际测试和仿真实验,创造性的在现有电路的基础上进行了改进,以消减寄生振荡,并在印制电路板的布设上,经过大量的研究、测试,巧妙的布局,消除了寄生振荡,并且同时解决了多个问题。以下对本发明的方案进行具体解释和说明。
参照图1,示出了本发明实施例的控制激光调Q的电路的示意图,该电路包括:方波信号发生器10(图1中CP1)、调制和消寄模块20、直流偏置模块30、滤波匹配阻抗模块40、射频信号发生器50(图1中Y1)以及射频调制功放模块60。
方波信号发生器10与调制和消寄模块20连接,方波信号发生器10用于产生方波信号,该方波信号高低电平的方式输出;射频信号发生器50与滤波匹配阻抗模块40连接,射频信号发生器50用于产生射频信号;滤波匹配阻抗模块40分别与直流偏置模块30和射频调制功放模块60连接,滤波匹配阻抗模块40用于对射频信号进行滤波和阻抗匹配,以使得射频信号更加稳定,质量更好;调制和消寄模块20与直流偏置模块30连接,调制和消寄模块20用于将方波信号转换为调制信号,该调制信号类似于正弦波信号的连续线性变化的信号;直流偏置模块30分别与滤波匹配阻抗模块40和射频调制功放模块60连接,直流偏置模块30用于控制经过滤波和阻抗匹配后的射频信号的频率,通过直流偏置模块的调节,可以改变经过滤波和阻抗匹配后的射频信号的频率;射频调制功放模块60分别与滤波匹配阻抗模块40和直流偏置模块30连接,用于利用调制信号对经过滤波和阻抗匹配后的射频信号进行调幅调制,经过调幅调制后的射频信号也为连续线性变化的信号,之后将调幅调制后的射频信号输出,以控制激光调Q。
其中,调制和消寄模块20包括:第一电感201和第一电容202,调制和消寄模块20通过第一电感201和第一电容202消减射频信号产生的寄生振荡,第一电感201和第一电容202与其他元件的连接方式下文具体描述,先不做赘述。之所以要消减寄生振荡是由于射频信号的频率很高,高频的射频信号产生的寄生振荡会影响到方波信号转换的调幅信号,使得该调幅信号无法对射频信号进行正常调制,造成射频信号不受控于方波信号,所以要消减寄生振荡。
可选地,本发明实施例中的调制和消寄模块具体包括:第一电感201、第一电容202、第一电阻203、第二电阻204、第二电容205以及第三电容206。
第一电阻203的第一端与方波信号发生器10的输出端连接;第一电阻203的第二端分别与第二电阻204的第一端、第二电容205的第一端以及第三电容206的第一端连接;第二电阻204的第二端分别与第二电容205的第二端、第一电感201的第一端以及第一电容202的第一端连接;第一电容202的第二端接地;第三电容206的第二端接地;第一电感201的第二端与直流偏置模块30中的电阻连接。
其中,方波信号经过第一电阻203、第二电容205、第二电阻204、第三电容206、第一电容202以及第一电感201的作用后,使得方波信号转换为类似正弦波的连续线性变化的调制信号,同时,第一电容202以及第一电感201还可以消减射频信号产生的寄生振荡,以免影响到调制信号的质量,导致射频信号不能受控于调制信号。第一电容202和第一电感201消减射频信号产生的寄生振荡的具体原理是:
第一电感201和第一电容202并联连接,两者形成陷波特性,射频信号产生的寄生振荡进入第一电感201和第一电容202并联连接的电路时,第一电感201与第一电容202并联后形成的陷波特性可以吸收高频的射频信号,从而消减寄生振荡,以达到调幅信号对射频信号进行正常调制的目的。
在本发明一实施方式中,发明人既需要考虑增加的元器件不能影响方波信号转换为调制信号的功能以及信号的质量不能变化,又要考虑如何去消减射频信号产生的寄生振荡,还需要克服在增加元器件后可能引起的对已有器件正常工作的干扰,以及会不会产生寄生回路,增加的元器件会不会对后续对应的印制电路板的生产、制作,受限于印制电路自身的一些特点,会不会造成别的问题等。发明人经过全面的、综合性的思索、研究以及实地测试,其中采用增加一个电感和一个电容的方式,在达到消减射频信号产生的寄生振荡的同时,还保证了整个控制调Q电路的完美运行,实现了对调Q的完美控制。
可选地,本发明实施例中直流偏置模块30包括:第三电阻301、第四电阻302以及第五电阻303。第三电阻301的第一端与第一电感的第二端连接,第三电阻301的第二端分别与第四电阻302的第一端和第五电阻303的第一端连接,第四电阻302的第二端接地,第五电阻303的第二端分别与滤波匹配阻抗模块40和射频调制功放模块60连接。
其中,方波信号转换的调制信号通过直流偏置模块30后输出到射频调制功放模块60,而通过调节第三电阻301和第四电阻302的分压比,可以控制经过滤波和阻抗匹配后的射频信号的频率,同时还可以防止经过滤波和阻抗匹配后的射频信号发生失真现象。
可选地,本发明实施例中滤波匹配阻抗模块40包括:第四电容401、第二电感402、第五电容403、第六电阻404、第六电容405、第七电阻406以及第七电容407。第四电容401的第一端分别与第五电阻303的第二端和射频调制功放模块60连接,第四电容401的第二端分别与第二电感402的第一端、第五电容403的第一端以及第六电阻404的第一端连接,第二电感402的第二端接地,第五电容403的第二端接地,第六电阻404的第二端与第六电容405的第一端连接,第六电容405的第二端与射频信号发生器50的输出引脚3连接,射频信号发生器50产生的射频信号由引脚3输出。
射频信号发生器50一共有4个引脚,其中引脚3是射频信号的输出引脚,引脚1为备用引脚,引脚2为接地引脚,引脚4为工作电源引脚,第七电容407的第一端与第七电阻406的第二端连接,第七电容407的第二端与引脚4连接,第七电阻406的第一端与外部工作电源连接,一般情况下,射频信号发生器50采用3.3V工作电压,本发明实施例中,射频信号发生器50就采用3.3V,因此第七电阻406的第一端与外接3.3V工作电源连接。
射频信号发生器50产生的射频信号经过第四电容401、第二电感402、第五电容403、第六电阻404以及第六电容405的共同作用后,达到对射频信号滤波和阻抗匹配的效果,使得射频信号更加稳定,质量更好。
可选地,本发明实施例中射频调制功放模块60包括:NMOS管601(射频调制管)、第八电容602、第三电感603、第九电容604、第四电感605、第十电容606、第十一电容607以及第八电阻608。NMOS管601的栅极分别与第四电容401的第一端和第五电阻303的第二端连接,NMOS管601的源极接地,NMOS管601的漏极分别与第八电容602的第一端和第三电感603的第一端连接,第三电感603的第二端分别与外接直流电压源和第九电容604的第一端连接。由于在调幅调制过程中,需要对调制信号叠加直流,因此射频调制功放模块60需要有外接直流电压源。
第九电容604的第二端接地,第八电容602的第二端与第四电感605的第一端连接,第四电感605的第二端分别与第十电容606的第一端、第十一电容607的第一端以及第八电阻608的第一端连接,第十电容606的第二端接地,第十一电容607的第二端接地,第八电阻608的第二端即为整个控制激光调Q电路的输出端,其输出的调幅调制后的射频信号经过端子J2输出,以控制激光调Q,另外,为了对调幅调制后的射频信号进行监视,得到实时的调幅调制后的射频信号波形,通过端子J1连接到示波器,相关工作人员可以通过示波器观察到调幅调制后的射频信号,并在需要调整时对整个控制激光调Q电路进行调节,以达到符合需求的射频信号。
本发明实施例中,调幅调制后的射频信号为连续线性变化的信号,在调幅调制后的射频信号为高幅值信号的情况下,其控制的压电晶体处于断开状态,其中,高幅值信号的幅值大于等于压电晶体保持断开状态所需的临界值,该临界值符合激光调Q的一般性数值。
而在调幅调制后的射频信号为低幅值信号的情况下,其控制的压电晶体处于导通状态,其中,低幅值信号的幅值小于等于压电晶体保持导通状态所需的临界值,该临界值符合激光调Q的一般性数值。
假设射频信号发生器50产生100MHz射频信号,方波信号发生器10产生30KHz方波信号,那么经过调幅调制后的射频信号就为幅值25V~0V连续线性变化的信号,假设压电晶体保持断开状态的临界值为24V,压电晶体保持导通状态的临界值为1V,那么压电晶体在调幅调制后的射频信号辐值为25V时,泵源光断开,泵源光积聚能量;压电晶体在调幅调制后的射频信号辐值为1V时(或者0V),泵源光导通,泵源光瞬间能量释放达到调Q目的。
基于上述控制激光调Q电路,本发明实施例还提供了一种印制电路板,参照图2,示出了本发明实施例的印制电路板的示意图,该印制电路板的顶层上布设有如以上任一所述的控制激光调Q电路,图2中CP1即为方波信号发生器10、L1即为第一电感201、C2即为第一电容202、R4即为第一电阻203,R7即为第二电阻204、C1即为第二电容205、C3即为第三电容206、R1即为第三电阻301、R2即为第四电阻302、R3即为第五电阻303、C8即为第四电容401、L4即为第二电感402、C9即为第五电容403、R5即为第六电阻404、C10即为第六电容405、R6即为第七电阻406、C12即为第七电容407、Q1(射频调制管)即为NMOS管601、C5即为第八电容602、L2即为第三电感603、C4即为第九电容604、L3即为第四电感605、C6即为第十电容606、C7即为第十一电容607、R8即为第八电阻608、Y1即为射频信号发生器50,图2所示中还有未在本发明实施例控制激光调Q电路中使用的元器件,因为与本发明的核心技术没有关系,因此不做说明。
参照图2,在该印制电路板的顶层上布设的射频信号发生器的铜箔被隔离,采用割铜皮的方式(如图2中圆圈100所示)实现铜箔被隔离,这样做就避免了射频信号发生器50产生的射频信号形成环路,并且,铜箔被隔离的射频信号发生器结合调制和消寄模块20,进一步消减了射频信号产生的寄生振荡。
另外,发明人结合控制激光调Q电路以及印制电路板自身的特性,在布局上,将射频信号发生器50远离射频调制管,这样就防止了射频信号的高频辐射振荡产生,而L1、R7、C6阻高频通低频,有效阻止射频信号的高频串入调制输入端。同时,印制电路板的顶层上布设的射频信号发生器50和射频调制管均采用单点接地,这样就防止了射频信号对方波信号、调制信号的干扰。经过实际的测量,本发明实施例最终可以完全消除射频信号产生的寄生振荡,完美的实现了对泵浦光调Q的效果。
综上所述,本发明实施例的控制激光调Q电路以及印制电路板,解决了射频信号产生的寄生振荡,避免射频信号的恒稳辐值输出,导致压电晶体对泵浦光一直处于点开状态,极大的减小了泵浦光插入损耗,提高了激光器电光转换效率低,并且由于消除了射频信号产生的寄生振荡,一并解决了射频调制管一直处于高功耗状态,造成射频管高温发热、工作不稳定的问题。
本发明实施例的射频信号受方波信号调制,保证了射频信号幅值的连续线性变化,其对压电晶体调Q控制稳定,同时利用射频信号的高频特性,使得在射频信号为低幅度时,若压电晶体在射频信号的前一周期低幅值未导通,那么压电晶体在射频信号的下一周期低幅值也会导通,若压电晶体在射频信号的前一周期高幅值时未断开,那么压电晶体在射频信号的下一周期高幅值也会断开。并且通过调节第三电阻301和第四电阻302的分压比,可以控制射频信号的频率,同时还可以防止射频信号发生失真现象,提高射频信号对压电晶体控制的稳定性,使得泵浦光调Q效率高,峰峰值高。
本发明实施例的印制电路板可操作性强并且生产简单,而且此调Q盒子不需要繁琐的调试,只需使用示波器监控J1输出的波形,无需复杂芯片IC,采购国产IC就行,间接的缩减了成本。
本发明实施例还提供了一种激光调Q系统,参照图3,示出了本发明实施例的激光调Q系统的示意图,该系统包括:压电晶体和以上任一所述的印制电路板,其中,控制激光调Q的电路的输出端与压电晶体连接,控制激光调Q的电路输出的调幅调制后的射频信号用于控制激光调Q。
本发明实施例还提供了一种消减寄生振荡的方法,该方法应用于控制激光调Q的电路,控制激光调Q的电路为以上任一所述的控制激光调Q的电路,或者为以上任一所述的印制电路板上的控制激光调Q的电路,或者为激光调Q系统中的控制激光调Q的电路,消减寄生振荡的方法包括:
步骤101:通过方波信号发生器产生方波信号,并传输至调制和消寄模块;
步骤102:通过射频信号发生器产生射频信号,并传输至滤波匹配阻抗模块;
步骤103:方波信号经过调制和消寄模块转换为调制信号,并传输至直流偏置模块;
步骤104:调制信号通过直流偏置模块传输至射频调制功放模块;
步骤105:射频信号经过滤波匹配阻抗模块进行滤波和阻抗匹配,并传输至射频调制功放模块;
步骤106:通过直流偏置模块控制经过滤波和阻抗匹配后的射频信号的频率;
步骤107:通过射频调制功放模块利用调制信号对经过滤波和阻抗匹配后的射频信号进行调幅调制,并将调幅调制后的射频信号输出,以控制激光调Q;
调制和消寄模块中的第一电感和第一电容并联连接,以产生陷波特性,射频信号产生的寄生振荡进入第一电感和第一电容并联连接的电路时,陷波特性吸收射频信号从而消减寄生振荡。
尽管已描述了本发明实施例的优选实施例,但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念,则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以,所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明实施例范围的所有变更和修改。
最后,还需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。
上面结合附图对本发明的实施例进行了描述,进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (10)
1.一种控制激光调Q的电路,其特征在于,包括:方波信号发生器、调制和消寄模块、直流偏置模块、射频信号发生器、滤波匹配阻抗模块以及射频调制功放模块;
所述方波信号发生器与所述调制和消寄模块连接,用于产生方波信号;
所述射频信号发生器与所述滤波匹配阻抗模块连接,用于产生射频信号;
所述滤波匹配阻抗模块分别与所述直流偏置模块和所述射频调制功放模块连接,用于对所述射频信号进行滤波和阻抗匹配;
所述调制和消寄模块与所述直流偏置模块连接,用于将所述方波信号转换为调制信号;
所述直流偏置模块分别与所述滤波匹配阻抗模块和所述射频调制功放模块连接,用于控制经过滤波和阻抗匹配后的射频信号的频率;
所述射频调制功放模块分别与所述滤波匹配阻抗模块和所述直流偏置模块连接,用于利用所述调制信号对经过滤波和阻抗匹配后的射频信号进行调幅调制,并将调幅调制后的射频信号输出,以控制激光调Q;
其中,所述调制和消寄模块包括:第一电感和第一电容,所述第一电感的第一端与所述第一电容的第一端连接,并均通过所述调制和消寄模块中的第一电阻和第二电容与所述方波信号发生器的输出端连接,所述第一电感的第二端与所述直流偏置模块连接;
所述第一电容的第二端接地。
2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述调制和消寄模块还包括:第二电阻和第三电容;
所述第一电阻的第一端与所述方波信号发生器的输出端连接;
所述第一电阻的第二端分别与所述第二电阻的第一端、所述第二电容的第一端以及所述第三电容的第一端连接;
所述第二电阻的第二端分别与所述第二电容的第二端、所述第一电感的第一端以及所述第一电容的第一端连接;
所述第三电容的第二端接地;
所述第一电感的第二端与所述直流偏置模块中的电阻连接;
其中,所述第一电感、第一电容、第二电容、第三电容、第一电阻以及第二电阻共同作用,将所述方波信号转换为所述调制信号。
3.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述调幅调制后的射频信号通过压电晶体控制激光调Q;
所述调幅调制后的射频信号为连续线性变化的信号,在所述调幅调制后的射频信号为高幅值信号的情况下,所述压电晶体断开,所述高幅值信号的幅值大于或等于所述压电晶体保持断开状态所需的临界值;
在所述调幅调制后的射频信号为低幅值信号的情况下,所述压电晶体导通,所述低幅值信号的幅值小于或等于所述压电晶体保持导通状态所需的临界值。
4.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述直流偏置模块包括:第三电阻、第四电阻以及第五电阻;
所述第三电阻的第一端与所述第一电感的第二端连接;
所述第三电阻的第二端分别与所述第四电阻的第一端和所述第五电阻的第一端连接;
所述第四电阻的第二端接地;
所述第五电阻的第二端分别与所述滤波匹配阻抗模块中的电容和所述射频调制功放模块中的射频调制管连接;
其中,通过调节所述第三电阻和所述第四电阻的分压比,控制经过滤波和阻抗匹配后的射频信号的频率,防止经过滤波和阻抗匹配后的射频信号失真。
5.一种印制电路板,其特征在于,所述印制电路板的顶层上布设有如权利要求1-4任一所述的电路。
6.根据权利要求5所述的印制电路板,其特征在于,所述印制电路板的顶层上布设的所述射频信号发生器的铜箔被隔离。
7.根据权利要求6所述的印制电路板,其特征在于,所述印制电路板的顶层上,所述射频信号发生器远离所述射频调制功放模块中的射频调制管,以防止所述射频信号产生高频辐射振荡。
8.根据权利要求6所述的印制电路板,其特征在于,所述印制电路板的顶层上布设的所述射频信号发生器和所述射频调制功放模块中的射频调制管均采用单点接地,防止所述射频信号对所述方波信号、所述调制信号的干扰。
9.一种激光调Q系统,其特征在于,所述系统包括:压电晶体和如权利要求5-8任一所述的印制电路板,所述控制激光调Q的电路的输出端与所述压电晶体连接,所述控制激光调Q的电路输出的调幅调制后的射频信号用于控制激光调Q。
10.一种消减寄生振荡的方法,其特征在于,所述方法应用于控制激光调Q的电路,所述控制激光调Q的电路为权利要求1-4任一所述的控制激光调Q的电路,或者为权利要求5-8任一所述的印制电路板上的控制激光调Q的电路,或者为权利要求9激光调Q系统中的控制激光调Q的电路,所述方法包括:
通过所述方波信号发生器产生方波信号,并传输至所述调制和消寄模块;
通过所述射频信号发生器产生射频信号,并传输至所述滤波匹配阻抗模块;
所述方波信号经过所述调制和消寄模块转换为调制信号,并传输至所述直流偏置模块;
所述调制信号通过所述直流偏置模块传输至所述射频调制功放模块;
所述射频信号经过所述滤波匹配阻抗模块进行滤波和阻抗匹配,并传输至所述射频调制功放模块;
通过所述直流偏置模块控制经过滤波和阻抗匹配后的射频信号的频率;
通过所述射频调制功放模块利用所述调制信号对经过滤波和阻抗匹配后的射频信号进行调幅调制,并将调幅调制后的射频信号输出,以控制激光调Q;
所述调制和消寄模块中的第一电感和第一电容并联连接,以产生陷波特性,所述射频信号产生的寄生振荡进入所述第一电感和所述第一电容并联连接的电路时,所述陷波特性吸收所述射频信号从而消减寄生振荡。
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