CN110798164A - 一种电子元器件的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种电子元器件的制造方法，涉及电子元器件技术领域。该电子元器件的制造方法，包括以下步骤：S1.将石英片使用清洗液进行清洗,然后使用真空电镀法在石英片蒸发上一定厚度的金属导电薄膜；S2.将振子固定安装在基座组件上；S3.将金属壳罩与基座组件焊接成一个密封整体，并在密封体内保留氮气；S4.对石英晶体元件进行密封性检查，剔除不良品；S5.测量石英晶体元件的谐振频率、谐振电阻、绝缘电阻、并电容与串并间隔。通过合理的制备方法，对晶振生产工艺进行了明显的优化，使得生产制造出的晶振良品率大大提高，同时也提高了晶振的生产效率，从而减少了企业的生产成本。
Description
技术领域
本发明涉及电子元器件技术领域，具体为一种电子元器件的制造方法。
背景技术
电子元器件是电子元件和电小型的机器、仪器的组成部分，其本身常由若干零件构成，可以在同类产品中通用；常指电器、无线电、仪表等工业的某些零件，如电容、晶体管、游丝、发条等子器件的总称，常见的电阻、电容器、电位器、电子管、散热器、机电元件、连接器、半导体分立器件、电声器件、激光器件、电子显示器件、光电器件等。
晶体谐振器是电子元器件中的一种，晶体谐振器就是指用石英材料做成的石英晶体谐振器,俗称晶振，主要起产生频率的作用,具有稳定,抗干扰性能良好的特点,广泛应用于各种电子产品中，但是现有的晶振生产工艺存在着一定的缺陷，生产制造出的晶振良品率不高，从而加大了企业的生产成本。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足，本发明提供了一种电子元器件的制造方法，解决了现有的晶振生产工艺存在着一定的缺陷，生产制造出的晶振良品率不高，从而加大了企业生产成本的问题。
(二)技术方案
为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种电子元器件的制造方法，包括以下步骤：
S1.将石英片使用清洗液进行清洗,然后使用真空电镀法在石英片蒸发上一定厚度的金属导电薄膜；
S2.将振子固定安装在基座组件上；
S3.将金属壳罩与基座组件焊接成一个密封整体，并在密封体内保留氮气；
S4.对石英晶体元件进行密封性检查，剔除不良品；
S5.测量石英晶体元件的谐振频率、谐振电阻、绝缘电阻、并电容与串并间隔。
优选的，所述步骤1中将石英片使用清洗液进行清洗,然后使用真空电镀法在石英片蒸发上一定厚度的金属导电薄膜，具体如下：
1)将石英片放入到镀膜设备中，除去镀膜设备中的银屑和灰尘，在钼舟里加上适量银丝；
2)调节镀膜设备的真空度，当真空度达到6KPa时，调节镀膜设备的电流，使得设备开始蒸发，在石英片上镀第一面；
3)石英片第一面镀好银后，将石英片翻转过来，待翻转完毕，调节镀膜设备的电流镀第二面。
优选的，所述步骤2中将振子固定安装在基座组件上，具体如下：
1)用工具蘸少许导电胶，在振子与簧片卡孔接触部位外侧点上适量导电胶；
2)把点好胶的谐振件连同插盘放入干燥装置，控制干燥装置中的温度在140-160℃，加热2小时以上，加热完毕之后冷却至室温取出。
优选的，所述步骤3中将金属壳罩与基座组件焊接成一个密封整体，并在密封体内保留氮气，具体如下：
1)经待焊接件放入到真空干燥箱并关好门，接通真空干燥箱电源，进行抽真空，当真空度达到-0.1Mpa时，进行真空烘烤；
2)设置真空干燥箱为100-120℃，加热时间为1小时，加热完毕之后，关掉电源，往箱体中充入氮气；
3)待真空干燥箱的温度冷却到30-40℃后，将待焊接件取出并放入到真空室中，接通真空室电源，进行抽真空，当真空度达到-0.1Mpa时，往室内充入氮气，当氮气量达到预先设定值，对待焊接件进行焊接。
优选的，所述步骤4中对石英晶体元件进行密封性检查，剔除不良品，具体如下：
1)将制备的石英晶体元件放入到高压装置中，并往该装置中注入适量的液体酒精，知道酒精液面漫过所有的石英晶体元件即可；
2)压缩高压装置中的气体，10-20min之后关闭压缩装置，待高压装置中压力恢复到常压之后，取出石英晶体元件并进行干燥处理；
3)用绝缘电阻测试仪对石英晶体元件进行测试，观察绝缘电阻测试仪的读数，判断石英晶体元件是否合格。
优选的，所述步骤5中测量石英晶体元件的谐振频率、谐振电阻、绝缘电阻、并电容与串并间隔，具体如下：
1)将被测石英晶体元件放在基准温度下，调整好频率计阻抗计，在阻抗计上测试被测石英晶体元件的谐振频率与谐振电阻；
2)用测量笔触碰被测石英晶体元件的外壳与引线间，测量石英晶体元件的绝缘电阻；
3)用仪表笔测量被测石英晶体元件的并电容；
4)在阻抗上分别测出被测石英晶体元件在多种负载电容情况下的频率，并计算出的频率差值，进行串并间隔的测试。
(三)有益效果
本发明提供了一种电子元器件的制造方法。具备以下有益效果：
该电子元器件的制造方法，通过合理的制备方法，对晶振生产工艺进行了明显的优化，使得生产制造出的晶振良品率大大提高，同时也提高了晶振的生产效率，从而减少了企业的生产成本。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例：
本发明实施例提供一种电子元器件的制造方法，包括以下步骤：
S1.将石英片使用清洗液进行清洗,然后使用真空电镀法在石英片蒸发上一定厚度的金属导电薄膜；
S2.将振子固定安装在基座组件上；
S3.将金属壳罩与基座组件焊接成一个密封整体，并在密封体内保留氮气；
S4.对石英晶体元件进行密封性检查，剔除不良品；
S5.测量石英晶体元件的谐振频率、谐振电阻、绝缘电阻、并电容与串并间隔。
其中步骤1中将石英片使用清洗液进行清洗,然后使用真空电镀法在石英片蒸发上一定厚度的金属导电薄膜，具体如下：
1)将石英片放入到镀膜设备中，除去镀膜设备中的银屑和灰尘，在钼舟里加上适量银丝；
2)调节镀膜设备的真空度，当真空度达到6KPa时，调节镀膜设备的电流，使得设备开始蒸发，在石英片上镀第一面；
3)石英片第一面镀好银后，将石英片翻转过来，待翻转完毕，调节镀膜设备的电流镀第二面。
其中步骤2中将振子固定安装在基座组件上，具体如下：
1)用工具蘸少许导电胶，在振子与簧片卡孔接触部位外侧点上适量导电胶；
2)把点好胶的谐振件连同插盘放入干燥装置，控制干燥装置中的温度在140-160℃，加热2小时以上，加热完毕之后冷却至室温取出。
其中步骤3中将金属壳罩与基座组件焊接成一个密封整体，并在密封体内保留氮气，具体如下：
1)经待焊接件放入到真空干燥箱并关好门，接通真空干燥箱电源，进行抽真空，当真空度达到-0.1Mpa时，进行真空烘烤；
2)设置真空干燥箱为100-120℃，加热时间为1小时，加热完毕之后，关掉电源，往箱体中充入氮气；
3)待真空干燥箱的温度冷却到30-40℃后，将待焊接件取出并放入到真空室中，接通真空室电源，进行抽真空，当真空度达到-0.1Mpa时，往室内充入氮气，当氮气量达到预先设定值，对待焊接件进行焊接。
其中步骤4中对石英晶体元件进行密封性检查，剔除不良品，具体如下：
1)将制备的石英晶体元件放入到高压装置中，并往该装置中注入适量的液体酒精，知道酒精液面漫过所有的石英晶体元件即可；
2)压缩高压装置中的气体，10-20min之后关闭压缩装置，待高压装置中压力恢复到常压之后，取出石英晶体元件并进行干燥处理；
3)用绝缘电阻测试仪对石英晶体元件进行测试，观察绝缘电阻测试仪的读数，判断石英晶体元件是否合格。
其中步骤5中测量石英晶体元件的谐振频率、谐振电阻、绝缘电阻、并电容与串并间隔，具体如下：
1)将被测石英晶体元件放在基准温度下，调整好频率计阻抗计，在阻抗计上测试被测石英晶体元件的谐振频率与谐振电阻；
2)用测量笔触碰被测石英晶体元件的外壳与引线间，测量石英晶体元件的绝缘电阻；
3)用仪表笔测量被测石英晶体元件的并电容；
4)在阻抗上分别测出被测石英晶体元件在多种负载电容情况下的频率，并计算出的频率差值，进行串并间隔的测试。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (6)
1.一种电子元器件的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1.将石英片使用清洗液进行清洗,然后使用真空电镀法在石英片蒸发上一定厚度的金属导电薄膜；
S2.将振子固定安装在基座组件上；
S3.将金属壳罩与基座组件焊接成一个密封整体，并在密封体内保留氮气；
S4.对石英晶体元件进行密封性检查，剔除不良品；
S5.测量石英晶体元件的谐振频率、谐振电阻、绝缘电阻、并电容与串并间隔。
2.根据权利要求1所述的一种电子元器件的制造方法，其特征在于：所述步骤1中将石英片使用清洗液进行清洗,然后使用真空电镀法在石英片蒸发上一定厚度的金属导电薄膜，具体如下：
1)将石英片放入到镀膜设备中，除去镀膜设备中的银屑和灰尘，在钼舟里加上适量银丝；
2)调节镀膜设备的真空度，当真空度达到6KPa时，调节镀膜设备的电流，使得设备开始蒸发，在石英片上镀第一面；
3)石英片第一面镀好银后，将石英片翻转过来，待翻转完毕，调节镀膜设备的电流镀第二面。
3.根据权利要求1所述的一种电子元器件的制造方法，其特征在于：所述步骤2中将振子固定安装在基座组件上，具体如下：
1)用工具蘸少许导电胶，在振子与簧片卡孔接触部位外侧点上适量导电胶；
2)把点好胶的谐振件连同插盘放入干燥装置，控制干燥装置中的温度在140-160℃，加热2小时以上，加热完毕之后冷却至室温取出。
4.根据权利要求1所述的一种电子元器件的制造方法，其特征在于：所述步骤3中将金属壳罩与基座组件焊接成一个密封整体，并在密封体内保留氮气，具体如下：
1)经待焊接件放入到真空干燥箱并关好门，接通真空干燥箱电源，进行抽真空，当真空度达到-0.1Mpa时，进行真空烘烤；
2)设置真空干燥箱为100-120℃，加热时间为1小时，加热完毕之后，关掉电源，往箱体中充入氮气；
3)待真空干燥箱的温度冷却到30-40℃后，将待焊接件取出并放入到真空室中，接通真空室电源，进行抽真空，当真空度达到-0.1Mpa时，往室内充入氮气，当氮气量达到预先设定值，对待焊接件进行焊接。
5.根据权利要求1所述的一种电子元器件的制造方法，其特征在于：所述步骤4中对石英晶体元件进行密封性检查，剔除不良品，具体如下：
1)将制备的石英晶体元件放入到高压装置中，并往该装置中注入适量的液体酒精，知道酒精液面漫过所有的石英晶体元件即可；
2)压缩高压装置中的气体，10-20min之后关闭压缩装置，待高压装置中压力恢复到常压之后，取出石英晶体元件并进行干燥处理；
3)用绝缘电阻测试仪对石英晶体元件进行测试，观察绝缘电阻测试仪的读数，判断石英晶体元件是否合格。
6.根据权利要求1所述的一种电子元器件的制造方法，其特征在于：所述步骤5中测量石英晶体元件的谐振频率、谐振电阻、绝缘电阻、并电容与串并间隔，具体如下：
1)将被测石英晶体元件放在基准温度下，调整好频率计阻抗计，在阻抗计上测试被测石英晶体元件的谐振频率与谐振电阻；
2)用测量笔触碰被测石英晶体元件的外壳与引线间，测量石英晶体元件的绝缘电阻；
3)用仪表笔测量被测石英晶体元件的并电容；
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