CN110794706A

CN110794706A - 开关柜的测温方法、装置、计算机设备和存储介质

Info

Publication number: CN110794706A
Application number: CN201910953297.6A
Authority: CN
Inventors: 刘晓; 罗远荣; 王少华; 段宜廷; 洪海生; 杨强; 张裕汉
Original assignee: Guangzhou Power Supply Bureau Co Ltd
Current assignee: Guangzhou Power Supply Bureau of Guangdong Power Grid Co Ltd
Priority date: 2019-10-09
Filing date: 2019-10-09
Publication date: 2020-02-14
Anticipated expiration: 2039-10-09
Also published as: CN110794706B

Abstract

本申请涉及一种开关柜的测温方法、装置、计算机设备和存储介质。其中，开关柜的测温方法包括建立开关柜的三维模型；对三维模型进行网格剖分，得到包含开关柜的散热路径的第一网格、及包含开关柜的母排外表面的第二网格；根据第一网格和第二网格，对热量流动的传热特性和流动特性进行仿真并得到仿真结果。根据开关柜的热源，建立开关柜的温度场控制模型；采用温度场控制模型对仿真结果进行温度场分析，得到开关柜的温度分布特性。通过对开关柜三维模型的建立，从而可以对开关柜的整体模型做全面的分析计算，提高了开关柜温度场分析结果的精度。对热量流动的传热特性和流动特性进行仿真，将影响散热的因素也纳入考虑范围内，进一步提高了准确度。

Description

开关柜的测温方法、装置、计算机设备和存储介质

技术领域

本申请涉及电力安全技术领域，特别是涉及一种开关柜的测温方法、装置、计算机设备和存储介质。

背景技术

高压开关柜作为电力系统中重要的终端执行元件，其安全运行决定着电力系统供电的安全性和可靠性。在实际运行中，发热问题是影响开关柜安全运行的关键因素，近年来由于过热问题引起开关柜故障的案例越来越多，已经引起了生产运营单位和研究机构的广泛关注。高压开关柜主要采用封闭式结构，散热性能较差，当工作在高电压、大电流条件下就会产生温升，严重时将会严重影响开关柜的运行状态。

在实现过程中，发明人发现传统技术中至少存在如下问题：传统测温方法获得的开关柜温度数据的精度低。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种温度数据获取精度高的开关柜的测温方法、装置、计算机设备和存储介质。

为了实现上述目的，本发明实施例提供了一种开关柜的测温方法，包括步骤：

建立开关柜的三维模型；三维模型包括母线室模型、架空进线室模型、断路器室模型和仪表室模型；

对三维模型进行网格剖分，得到包含开关柜的散热路径的第一网格、及包含开关柜的母排外表面的第二网格；

根据第一网格和第二网格，对热量流动的传热特性和流动特性进行仿真并得到仿真结果；

采用温度场控制模型对仿真结果进行温度场分析，得到开关柜的温度分布特性；温度场控制模型为依据所述开关柜的热源进行建模得到。

在其中一个实施例中，还包括：

对开关柜进行温升试验，并得到温升试验结果；

基于温升试验结果，获取仿真结果的误差值；

若误差值大于预设阈值，则返回建立开关柜的三维模型步骤。

在其中一个实施例中，对开关柜进行温升试验，并得到温升试验结果的步骤包括：

对开关柜输出额定电压直至开关柜进入热稳定状态；

将处于热稳定状态的开关柜内、预设位置处的温度，确认为温升试验结果。

在其中一个实施例中，预设位置包括断路器所在位置及触头所在位置。

在其中一个实施例中，建立开关柜的三维模型的步骤包括：

建立开关柜的初始模型；初始模型包括初始断路器室模型和初始仪表室模型

对初始断路器室模型和初始仪表室模型进行简化处理，并去除初始模型中的外壳及隔板安装孔，得到开关柜的三维模型。

在其中一个实施例中，对三维模型进行网格剖分，得到包含开关柜的散热路径的第一网格、及包含开关柜的母排外表面的第二网格的步骤包括：

获取开关柜的热源，并处理热源的位置，得到散热路径；

根据散热路径，得到第一网格；

根据开关柜母排外表面所在的位置，得到第二网格。

本发明实施例还提供了一种开关柜的测温装置，包括：

模型建立模块，用于建立开关柜的三维模型；三维模型包括母线室模型、架空进线室模型、断路器室模型和仪表室模型；

预处理模块，用于对对三维模型进行网格剖分，得到包含开关柜的散热路径的第一网格、及包含开关柜的母排外表面的第二网格；

仿真模块，用于根据第一网格和第二网格，对热量流动的传热特性和流动特性进行仿真并得到仿真结果；

温度场控制模型建立模块，用于根据开关柜的热源，建立开关柜的温度场控制模型；

温度分布特性获取模块，用于采用温度场方程对仿真结果进行温度场分析，得到开关柜的温度分布特性。

在其中一个实施例中，还包括：

温升模块，用于对开关柜进行温升试验，并得到温升试验结果；

误差值获取模块，用于基于温升试验结果，获取仿真结果的误差值；

判断模块，用于若误差值大于预设阈值，则返回建立开关柜的三维模型步骤。

本发明实施例还提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器存储有计算机程序，处理器执行计算机程序时实现上述方法的步骤。

本发明实时例还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述方法的步骤。

上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点和有益效果：

本申请提供的开关柜的测温方法，包括建立开关柜的三维模型；对三维模型进行网格剖分，得到包含开关柜的散热路径的第一网格、及包含开关柜的母排外表面的第二网格；根据第一网格和第二网格，对热量流动的传热特性和流动特性进行仿真并得到仿真结果。根据开关柜的热源，建立开关柜的温度场控制模型；采用温度场控制模型对仿真结果进行温度场分析，得到开关柜的温度分布特性。通过对开关柜三维模型的建立，从而可以对开关柜的整体模型做全面的分析计算，相较于传统技术中对开关柜模型作极大的简化，提高了开关柜温度场分析结果的精度。通过包含开关柜的散热路径的第一网格、及包含开关柜的母排外表面的第二网格，对热量流动的传热特性和流动特性进行仿真，将开关柜的风机作用等影响散热的因素也纳入考虑范围内，进一步提高了温度分布特性的准确度。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为一个实施例中开关柜的测温方法的第一示意性流程示意图；

图2为一个实施例中开关柜的测温方法的第二示意性流程示意图；

图3为一个实施例中对开关柜进行温升试验，并得到温升试验结果的步骤的流程示意图；

图4为一个实施例中建立开关柜的三维模型的步骤的流程示意图；

图5为一个实施例中对三维模型进行网格剖分，得到包含开关柜的散热路径的第一网格、及包含开关柜的母排外表面的第二网格的步骤的流程示意图；

图6为一个实施例中开关柜的测温装置的结构框图；.

图7为一个实施例中计算机设备的内部结构图。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

在一个实施例中，如图1所示，提供了一种开关柜的测温方法，包括步骤：

S110，建立开关柜的三维模型；三维模型包括母线室模型、架空进线室模型、断路器室模型和仪表室模型；

其中，三维模型为开关柜的机械模型。

具体地，可以通过本领域任意一种技术手段建立开关柜的三维模型。在一个具体示例中，通过计算机辅助软件构建开关柜的三维模型，例如SolidWorks等。开关柜包括母线室、架空进线室、断路器室及仪表室。相应地，三维模型包括母线室模型、架空进线室模型、断路器室模型和仪表室模型。

S120，对三维模型进行网格剖分，得到包含开关柜的散热路径的第一网格、及包含开关柜的母排外表面的第二网格；

具体地，可以通过任意一种网关划分方法对三维模型进行划分，例如：自由网格划分、映射网格划分和混合网格划分。网格划分首先定义单元属性，其次在三维模型上定义网格属性和划分网格。以自由网格划分为例，在三维模型的平面或曲面生成三角形或四边形网格，在体上生成四面体网格。需要说明的是，可以利用ANSYSIcepak中的SMARTSIZE命令来控制网格的大小和疏密分布以及选择分网算法。

对三维模型进行网格剖分后，得到包含三维模型各部分的网格，可以在其中提取得到包含开关柜的散热路径的第一网格、及包含开关柜的母排外表面的第二网格。

S130，根据第一网格和第二网格，对热量流动的传热特性和流动特性进行仿真并得到仿真结果；

仿真结果包括各时刻下，开关柜各内部位置的温度。

S140，采用温度场控制模型对仿真结果进行温度场分析，得到开关柜的温度分布特性；温度场控制模型为依据所述开关柜的热源进行建模得到。

其中，温度场控制模型包括热传导模型、热对流模型及热辐射模型。热源为产生热量的元器件。

根据产生热量的元器件，建立热传导模型、热对流模型及热辐射模型。

上述开关柜的测温方法，包括建立开关柜的三维模型；对三维模型进行网格剖分，得到包含开关柜的散热路径的第一网格、及包含开关柜的母排外表面的第二网格；根据第一网格和第二网格，对热量流动的传热特性和流动特性进行仿真并得到仿真结果。根据开关柜的热源，建立开关柜的温度场控制模型；采用温度场控制模型对仿真结果进行温度场分析，得到开关柜的温度分布特性。通过对开关柜三维模型的建立，从而可以对开关柜的整体模型做全面的分析计算，相较于传统技术中对开关柜模型作极大的简化，提高了开关柜温度场分析结果的精度。通过包含开关柜的散热路径的第一网格、及包含开关柜的母排外表面的第二网格，对热量流动的传热特性和流动特性进行仿真，将开关柜的风机作用等影响散热的因素也纳入考虑范围内，进一步提高了温度分布特性的准确度。

在一个实施例中，如图2所示，提供了一种开关柜的测温方法，包括步骤：

S210，建立开关柜的三维模型；三维模型包括母线室模型、架空进线室模型、断路器室模型和仪表室模型；

S220，对三维模型进行网格剖分，得到包含开关柜的散热路径的第一网格、及包含开关柜的母排外表面的第二网格；

S230，根据第一网格和第二网格，对热量流动的传热特性和流动特性进行仿真并得到仿真结果。

S240，采用温度场控制模型对仿真结果进行温度场分析，得到开关柜的温度分布特性；温度场控制模型为依据所述开关柜的热源进行建模得到。

还包括：

S250，对开关柜进行温升试验，并得到温升试验结果；

其中，温升试验为通过接入电压，获取开关柜内部温度的试验，温升试验结果包括各时刻开关柜内部的温度。

S260，基于温升试验结果，获取仿真结果的误差值；

需要说明的是，根据温升试验结果，可以得到仿真结果的误差值。在一个具体示例中，仿真结果的误差值为t时刻的温度误差值，其中t可以为任意值。

S270，若误差值大于预设阈值，则返回建立开关柜的三维模型步骤。

具体地，若误差值大于预设阈值，表明存在故障，则则返回建立开关柜的三维模型步骤。

本实施例的开关柜的测温方法，通过与温升试验结果的比对，进一步提高了开关柜的测温方法的准确性。

在一个实施例中，如图3所示，对开关柜进行温升试验，并得到温升试验结果的步骤包括：

S310，对开关柜输出额定电压直至开关柜进入热稳定状态；

其中，热稳定状态为开关柜在一定条件下运行，在一段时间内温度在预设区间波动。

S320，将处于热稳定状态的开关柜内、预设位置处的温度，确认为温升试验结果。

具体地，将开关柜进入热稳定状态时刻的预设位置处的温度、确认为温升试验结果。预设位置设于开关柜的内部，在一个具体的示例中，预设位置包括断路器所在位置及触头所在位置。

本实施例通过将开关柜处于热稳定状态时刻的各预设位置处的温度、确认为温升试验结果，避免了输入电压的波动等因素的影响，使得计算得到的误差值更加准确。

在一个实施例中，如图4所示，建立开关柜的三维模型的步骤包括：

S410，建立开关柜的初始模型；初始模型包括初始断路器室模型和初始仪表室模型。

其中，开关柜包括断路器室和仪表室。相应地，开关柜的初始模型包括初始断路器室模型和初始仪表室模型。

S420，对初始断路器室模型和初始仪表室模型进行简化处理，并去除初始模型中的外壳及隔板安装孔，得到开关柜的三维模型。

具体地，对初始断路器模型和初始仪表室模型可以采用任意一种简化处理，并去除初始模型中的外壳及隔板安装孔，得到开关柜的三维模型。

本实施例提供的建立开关柜的三维模型，通过对初始断路器室模型和初始仪表室模型进行简化处理，并去除初始模型中的外壳及隔板安装孔，使得接下来的网格剖分及仿真处理效率更高。

在一个实施例中，如图5所示，对三维模型进行网格剖分，得到包含开关柜的散热路径的第一网格、及包含开关柜的母排外表面的第二网格的步骤包括：

S510，获取开关柜的热源，并处理热源的位置，得到散热路径；

具体地，开关柜的热源包括载流导体和电接触部分的焦耳损耗；导体产生的焦耳热主要以热传导的方式在固体间传递，同时通过热对流和辐射换热传递到柜体内空气中，通过对热源的位置进行处理，得到散热路径。

S520，根据散热路径，得到第一网格；

根据得到的散热路径，提取包含散热路径的第一网格。

S530，根据开关柜母排外表面所在的位置，得到第二网格。

应该理解的是，虽然图1至5流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图1至5中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些子步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

为了使本申请的开关柜的测温方法更加清楚，特以具体实现步骤为例进一步阐述本申请提供的开关柜的测温方法。

S1，分析开关柜内的热量来自于回路载流导体的焦耳产热，导体产生的焦耳热主要以热传导的方式在固体间传递，同时通过热对流和辐射换热传递到柜体内空气中，确定温度场方程(即温度场模型)。

S2，建立三维模型；开关柜包含四个独立的隔离室，分别为母线室、架空进线室、断路器室和仪表室；三维模型包括母线室模型、架空进线室模型、断路器室模型和仪表室模型。断路器模型和仪表室模型采用简化模型，同时取出三维模型中的外壳及隔板上的安装孔。

S3，对开关柜的热源进行分析，开关柜发热的热源主要包括载流导体和电接触部分的焦耳损耗，具体的在S3中明电接触部分的产热对于开关柜温升有重要影响，电接触部分的发热量将单独计算，整个载流回路发热功率为P＝I²R，式中，I为流过载流导体的电流；R为载流导体电阻；载流导体的电阻由定义式计算，电接触部分的接触电阻受接触表面状况、接触压力等诸多因素的影响，使接触电阻计算的经验公式R_C＝K_c/(F_k/9.8)m，式中R_C为接触电阻；K_c为接触材料系数；F_k为接触压力；m为与接触形式有关的系数。开关柜内电接触部分包括母排搭接处、母排与静触头连接处和动触头梅花触指；其中母排搭接处及母排与静触头连接处通过高强螺栓进行连接，均为面接触。

S4，进行仿真计算；将Solidworks建好后的三维模型导入ANSYSIce-pak后进行模型进行网格剖分处理，通过精细控制散热路径和母排表面的网格尺寸和数量，来准确仿真热流的传热特性和流动特性并得到仿真结果；其中，在仿真过程中，将母排搭接处的发热量换算成体密度加载在母排上，母排与静触头连接处及动触头梅花触指处的电接触发热量加载在接触面上。

S5，对计算结果进行分析，分析的内容包括温度场分析，得到开关柜的温度分布特性。

S6，进行温升试验对比，依次来验证获得的数据准确性。

在温升试验中，断路器及触头部分是开关柜温度较高的部位，因此测点主要布置在断路器处，温度通过温度传感器测得，共选取了9个温度测点，分别为后出线连接处、电流互感器处、进线与静触头连接处、下静触头、下动触头、上动触头、上静触头、母线与静触头连接处、上分支母线。

在一个实施例中，如图6所示，提供了一种开关柜的测温装置，包括模型建立模块610、预处理模块620、仿真模块630、温度场控制模型建立模块640和温度分布特性获取模块650，其中：

模型建立模块610，用于建立开关柜的三维模型；三维模型包括母线室模型、架空进线室模型、断路器室模型和仪表室模型；

预处理模块620，用于对对三维模型进行网格剖分，得到包含开关柜的散热路径的第一网格、及包含开关柜的母排外表面的第二网格；

仿真模块630，用于根据第一网格和第二网格，对热量流动的传热特性和流动特性进行仿真并得到仿真结果；

温度场控制模型建立模块640，用于根据开关柜的热源，建立开关柜的温度场控制模型；

温度分布特性获取模块650，用于采用温度场方程对仿真结果进行温度场分析，得到开关柜的温度分布特性。

在其中一个实施例中，开关柜的测温装置还包括：

关于开关柜的测温装置的具体限定可以参见上文中对于开关柜的测温方法的限定，在此不再赘述。上述开关柜的测温装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。

在一个实施例中，提供了一种计算机设备，该计算机设备可以是终端，其内部结构图可以如图7所示。该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器、网络接口、显示屏和输入装置。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统和计算机程序。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的网络接口用于与外部的终端通过网络连接通信。该计算机程序被处理器执行时以实现一种开关柜的测温方法。该计算机设备的显示屏可以是液晶显示屏或者电子墨水显示屏，该计算机设备的输入装置可以是显示屏上覆盖的触摸层，也可以是计算机设备外壳上设置的按键、轨迹球或触控板，还可以是外接的键盘、触控板或鼠标等。

本领域技术人员可以理解，图7中示出的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图，并不构成对本申请方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。

在一个实施例中，提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器中存储有计算机程序，该处理器执行计算机程序时实现以下步骤：

根据第一网格和第二网格，对热量流动的传热特性和流动特性进行仿真并得到仿真结果。

根据开关柜的热源，建立开关柜的温度场控制模型；

采用温度场控制模型对仿真结果进行温度场分析，得到开关柜的温度分布特性。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：

对开关柜进行温升试验，并得到温升试验结果；

基于温升试验结果，获取仿真结果的误差值；

在一个实施例中，处理器执行对开关柜进行温升试验，并得到温升试验结果的步骤，包括：

对开关柜输出额定电压直至开关柜处于热稳定状态；

将开关柜处于热稳定状态时刻的各预设位置处的温度、确认为温升试验结果；预设位置设于开关柜内部。

在一个实施例中，处理器执行建立开关柜的三维模型的步骤包括：

在一个实施例中，处理器执行对三维模型进行网格剖分，得到包含开关柜的散热路径的第一网格、及包含开关柜的母排外表面的第二网格的步骤包括：

获取开关柜的热源，并处理热源的位置，得到散热路径；

根据散热路径，得到第一网格；

根据开关柜母排外表面所在的位置，得到第二网格。

在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：

根据开关柜的热源，建立开关柜的温度场控制模型；

在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：

对开关柜进行温升试验，并得到温升试验结果；

基于温升试验结果，获取仿真结果的误差值；

在一个实施例中，对开关柜进行温升试验，并得到温升试验结果的步骤被处理器执行时还实现以下步骤：

对开关柜输出额定电压直至开关柜处于热稳定状态；

在一个实施例中，建立开关柜的三维模型的步骤被处理器执行时还实现以下步骤：

在一个实施例中，对三维模型进行网格剖分，得到包含开关柜的散热路径的第一网格、及包含开关柜的母排外表面的第二网格的步骤被处理器执行时还实现以下步骤：

获取开关柜的热源，并处理热源的位置，得到散热路径；

根据散热路径，得到第一网格；

根据开关柜母排外表面所在的位置，得到第二网格。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和/或易失性存储器。非易失性存储器可包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)或闪存。易失性存储器可包括随机存取存储器(RAM)或者外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，RAM以多种形式可得，诸如静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)、双数据率SDRAM(DDRSDRAM)、增强型SDRAM(ESDRAM)、同步链路(Synchlink)DRAM(SLDRAM)、存储器总线(Rambus)直接RAM(RDRAM)、直接存储器总线动态RAM(DRDRAM)、以及存储器总线动态RAM(RDRAM)等。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims

1.一种开关柜的测温方法，其特征在于，包括步骤：

建立所述开关柜的三维模型；所述三维模型包括母线室模型、架空进线室模型、断路器室模型和仪表室模型；

对所述三维模型进行网格剖分，得到包含所述开关柜的散热路径的第一网格、及包含所述开关柜的母排外表面的第二网格；

根据所述第一网格和所述第二网格，对热量流动的传热特性和流动特性进行仿真并得到仿真结果；

采用温度场控制模型对所述仿真结果进行温度场分析，得到所述开关柜的温度分布特性；所述温度场控制模型为依据所述开关柜的热源进行建模得到。

2.根据权利要求1所述的开关柜的测温方法，其特征在于，还包括：

对所述开关柜进行温升试验，并得到温升试验结果；

基于所述温升试验结果，获取所述仿真结果的误差值；

若所述误差值大于预设阈值，则返回建立所述开关柜的三维模型步骤。

3.根据权利要求2所述的开关柜的测温方法，其特征在于，对所述开关柜进行温升试验，并得到温升试验结果的步骤包括：

对所述开关柜输出额定电压直至所述开关柜进入热稳定状态；

将处于热稳定状态的所述开关柜内、预设位置处的温度，确认为所述温升试验结果。

4.根据权利要求3所述的开关柜的测温方法，其特征在于，所述预设位置包括断路器所在位置及触头所在位置。

5.根据权利要求1所述的开关柜的测温方法，其特征在于，建立所述开关柜的三维模型的步骤包括：

建立所述开关柜的初始模型；所述初始模型包括初始断路器室模型和初始仪表室模型

对所述初始断路器室模型和初始仪表室模型进行简化处理，并去除所述初始模型中的外壳及隔板安装孔，得到所述开关柜的三维模型。

6.根据权利要求1所述的开关柜的测温方法，其特征在于，对所述三维模型进行网格剖分，得到包含所述开关柜的散热路径的第一网格、及包含所述开关柜的母排外表面的第二网格的步骤包括：

获取所述开关柜的热源，并处理所述热源的位置，得到所述散热路径；

根据所述散热路径，得到所述第一网格；

根据所述开关柜母排外表面所在的位置，得到所述第二网格。

7.一种开关柜的测温装置，其特征在于，包括：

模型建立模块，用于建立所述开关柜的三维模型；所述三维模型包括母线室模型、架空进线室模型、断路器室模型和仪表室模型；

预处理模块，用于对对所述三维模型进行网格剖分，得到包含所述开关柜的散热路径的第一网格、及包含所述开关柜的母排外表面的第二网格；

仿真模块，用于根据所述第一网格和所述第二网格，对热量流动的传热特性和流动特性进行仿真并得到仿真结果；

温度场控制模型建立模块，用于根据开关柜的热源，建立所述开关柜的温度场控制模型；

温度分布特性获取模块，用于采用所述温度场方程对所述仿真结果进行温度场分析，得到所述开关柜的温度分布特性。

8.根据权利要求7所述的开关柜的测温装置，其特征在于，还包括：

温升模块，用于对所述开关柜进行温升试验，并得到温升试验结果；

误差值获取模块，用于基于所述温升试验结果，获取所述仿真结果的误差值；

判断模块，用于若所述误差值大于预设阈值，则返回建立所述开关柜的三维模型步骤。

9.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至6中任一项所述方法的步骤。

10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至6中任一项所述的方法的步骤。