CN110767983A - 一种超高频圆极化rfid标签天线 - Google Patents

一种超高频圆极化rfid标签天线 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种超高频圆极化RFID标签天线，包括介质基板、RFID芯片、辐射层和接地层，辐射层设置在介质基板的上表面，介质基板为圆柱形，接地层设置在介质基板的下表面，RFID芯片设置在介质基板的下表面，RFID芯片与接地层连接，辐射层包括附着在介质基板上表面的第一圆形金属层和开设在第一圆形金属层上的辐射槽结构，第一圆形金属层的中心轴线与介质基板的中心轴线重合；优点是结构简单，低剖面，且加工成本较低，利于市场推广。

Description

一种超高频圆极化RFID标签天线
技术领域
本发明涉及一种RFID标签天线，尤其是涉及一种超高频圆极化RFID标签天线。
背景技术
随着射频识别技术(Radio Frequency identification,RFID)的飞速发展，RFID标签天线设计也成了RFID技术中一个最具挑战性的话题。
RFID标签天线的极化是RFID标签天线传输时辐射波的极化，一般分为线极化(Linear Polarized,LP)和椭圆极化(Elliptical Polarized)。圆极化(CircularPolarized,CP)是椭圆极化的特殊情况。通常情况下，RFID标签天线的摆放位置是不固定的，因此一般的RFID阅读器天线都是圆极化的。如果RFID标签天线与RFID阅读器天线都是圆极化的，极化效率相当于1。相对于线性极化(LP)RFID标签天线，圆极化RFID标签天线能接收到的能量可以提高3dB，阅读距离可(最佳)增加41％。因此，对圆极化RFID标签天线的研究具有非常重要的意义及重要应用。与线极化RFID标签天线相比，圆极化RFID标签天线发展潜力更大、应用更广，对圆极化RFID标签天线的研究会大大加快RFID设备的普及速度。
目前，应用较为广泛的基于偶极子和微带型的RFID标签天线一般都是线性极化(Linear polarized,LP)的，而无论RFID系统应用在何种环境中，通常的RFID阅读器天线都是圆极化(Circular polarized,CP)的。因此，RFID阅读器天线和RFID标签天线之间存在极化不匹配，最终将导致RFID阅读器天线仅有一半的传输功率会被线性极化的RFID标签天线所接收。
随着对圆极化RFID标签天线的广泛研究，出现了一种超高频圆极化RFID标签天线，该超高频圆极化RFID标签天线采用双层结构，由一层介质基板加一层射频泡沫组成，整体厚度在5mm左右，剖面高，整体结构较为复杂，且这种超高频圆极化RFID标签天线加工成本较高，不利于市场推广，实用性较低。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种结构简单，低剖面，且加工成本较低，利于市场推广的超高频圆极化RFID标签天线。
本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为：一种超高频圆极化RFID标签天线，包括介质基板、RFID芯片、辐射层和接地层，所述的辐射层设置在所述的介质基板的上表面，所述的介质基板为圆柱形，所述的接地层设置在所述的介质基板的下表面，所述的RFID芯片设置在所述的介质基板的下表面，所述的RFID芯片与所述的接地层连接，所述的辐射层包括附着在所述的介质基板上表面的第一圆形金属层和开设在所述的第一圆形金属层上的辐射槽结构，所述的第一圆形金属层的中心轴线与所述的介质基板的中心轴线重合；将所述的第一圆形金属层的半径记为r，将所述的介质基板的半径记为R，r和R满足条件：R大于65mm，小于68mm；r大于45mm，小于47mm。所述的辐射槽结构通过在所述的第一圆形金属层上开槽实现，所述的辐射槽结构包括依次连通的第一矩形槽、第一等腰梯形槽、第二矩形槽、第二等腰梯形槽、第三矩形槽和直角梯形槽，所述的介质基板的上表面在所述的第一矩形槽、所述的第一等腰梯形槽、所述的第二矩形槽、所述的第二等腰梯形槽、所述的第三矩形槽和所述的直角梯形槽处暴露出来；所述的第一等腰梯形槽位于所述的第二等腰梯形槽的后侧，所述的第一等腰梯形槽的上底所在平面位于其下底所在平面的后侧，所述的第二等腰梯形槽的上底所在平面位于其下底所在平面的前侧，所述的第一等腰梯形槽的上底所在平面平行于所述的第二等腰梯形槽的上底所在平面，所述的第一等腰梯形槽位于所述的第一圆形金属层圆心的后侧，所述的第二等腰梯形槽位于所述的第一圆形金属层圆心的前侧，所述的直角梯形槽的下底所在平面位于其上底所在平面的前侧，所述的直角梯形槽的下底平行于所述的第一等腰梯形槽的上底，所述的直角梯形槽的直角腰位于其斜腰的左侧，所述的直角梯形槽的下底所在平面位于所述的第二等腰梯形槽的下底所在平面的后侧，所述的直角梯形槽的上底所在平面位于所述的第一等腰梯形槽的下底所在平面的前侧；所述的第一矩形槽的后端面与所述的第一等腰梯形槽的下底连通且所述的第一矩形槽的右端面与所述的第一等腰梯形槽的下底的右端面位于同一平面，所述的第二矩形槽的后端面与所述的第一等腰梯形槽的下底连通且所述的第二矩形槽的左端面与所述的第一等腰梯形槽的下底的左端面位于同一平面，所述的第二矩形槽的前端面与所述的第二等腰梯形槽的下底连通且所述的第二矩形槽的左端面与所述的第二等腰梯形槽的下底的左端面位于同一平面，所述的第三矩形槽的前端面与所述的第三等腰梯形槽的下底连通且所述的第三矩形槽的右端面与所述的第二等腰梯形槽的下底的右端面位于同一平面，所述的第三矩形槽的后端面与所述的直角梯形槽的下底连通且所述的第三矩形槽的右端面与所述的直角梯形槽的下底的右端位于同一平面，当经由所述的第一圆形金属层的中心轴线做一个垂直于所述的第一圆形金属层且平行于所述的第二矩形槽的右端面所在平面的垂直平面时，所述的第二矩形槽位于该垂直平面的左侧，所述的第一矩形槽、所述的第三矩形槽和所述的直接梯形槽分别位于该垂直平面的右侧，所述的第二矩形槽的右端面所在平面与该垂直平面之间的距离大于4mm，小于4.5mm。当做沿左右方向作所述的第二矩形槽的对称平面使其前后对称时，该对称平面经过所述的第一圆形金属层的中心轴线；所述的第一矩形槽沿前后方向的长度为8.5～9mm，所述的第一矩形槽沿左右方向的长度为6～7mm，所述的第二矩形槽沿前后方向的长度为68～70mm，所述的第二矩形槽沿左右方向的长度为6～7mm，所述的第三矩形槽沿前后方向的长度为28～29.5mm，所述的第三矩形槽沿左右方向的长度为6～7mm，所述的第一等腰梯形槽的下底沿左右方向的长度为21～22mm，所述的第一等腰梯形槽的上底沿左右方向的长度为9～10.2mm，所述的第一等腰梯形槽的下底与其上底之间的距离为6mm，所述的第二等腰梯形槽的下底沿左右方向的长度为41mm，所述的第二等腰梯形槽的上底沿左右方向的长度为29mm，所述的第二等腰梯形槽的下底与其上底之间的距离为5.5～7.5mm，所述的直角梯形槽的下底沿左右方向的长度为19～21.5mm，所述的直角梯形槽的上底沿左右方向的长度为13～14mm，所述的直角梯形槽的下底与其上底之间的距离为5.5～7.5mm。
所述的接地层包括第二圆形金属层、馈电单元和阻抗匹配单元，所述的第二圆形金属层附着在所述的介质基板的下表面，所述的第二圆形金属层的中心轴线与所述的介质基板的中心轴线重合；所述的第二圆形金属层的半径与所述的介质基板的半径相等；所述的馈电单元包括开设在所述的第二圆形金属上的第四矩形槽，所述的第四矩形槽的左端面所在平面平行于所述的第二矩形槽的左端面所在平面，所述的第四矩形槽的左端面所在平面到所述的第二圆形金属层的中心轴线的距离与其右端面所在平面到所述的第二圆形金属层的中心轴线的距离相等，所述的第四矩形槽的前端面所在平面到所述的第二圆形金属层的中心轴线的距离与其后端面所在平面到所述的第二圆形金属层的中心轴线的距离相等；所述的阻抗匹配单元包括框型槽，所述的框型槽位于所述的第四矩形槽的左侧，所述的框型槽由第五矩形槽、第六矩形槽、第七矩形槽和第八矩形槽依次首尾连接形成，所述的介质基板的下表面在所述的第五矩形槽、、所述的第六矩形槽、所述的第七矩形槽和所述的第八矩形槽处暴露出来；所述的第五矩形槽的后端面与所述的第六矩形槽的前端面连接，所述的第五矩形槽的右端面与所述的第六矩形槽的右端面位于同一平面，所述的第五矩形槽的前端面与所述的第八矩形槽的后端面连接，所述的第五矩形槽的右端面与所述的第八矩形槽的右端面位于同一平面，所述的第七矩形槽的后端面与所述的第六矩形槽的前端面连接，所述的第七矩形槽的左端面与所述的第六矩形槽的左端面位于同一平面，所述的第七矩形槽的前端面与所述的第八矩形槽的后端面连接，所述的第七矩形槽的左端面与所述的第八矩形槽的左端面位于同一平面，所述的第四矩形槽沿左右方向的长度为6.5～8mm，所述的第四矩形槽沿前后方向的长度为75～76.8mm，所述的第五矩形槽沿左右方向的长度为1～1.5mm，所述的第五矩形槽沿前后方向的长度为63～64mm，所述的第六矩形槽沿左右方向的长度为40～41mm，所述的第六矩形槽沿前后方向的长度为1～1.5mm，所述的第七矩形槽沿左右方向的长度为1～1.5mm，所述的第七矩形槽沿前后方向的长度为63～64mm，所述的第八矩形槽沿左右方向的长度为40～41mm，所述的第八矩形槽沿前后方向的长度为1～1.5mm。所述的第五矩形槽的右端面所在平面与所述的第四矩形槽的左端面所在平面之间的距离为1.8～2.3mm，所述的第六矩形槽的后端面所在平面与所述的第四矩形槽的后端面所在平面之间的距离为2～2.3mm，所述的第八矩形槽的前端面所在平面与所述的第四矩形槽的前端面所在平面之间的距离为8～8.6mm；所述的RFID芯片设置在所述的第五矩形槽的中心处，所述的RFID芯片的分别与位于所述的第四矩形槽左侧的接地层和位于所述的第四矩形槽右侧的接地层连接。
所述的第一圆形金属层的厚度为0.035mm，所述的第二圆形金属层的厚度为0.035mm，所述的介质基板的厚度为1.524mm，所述的介质基板的材料为Rogers RT/duroid5880，所述的第一圆形金属层的材料为铜箔，所述的第二圆形金属层的材料为铜箔。
RFID芯片采用Alien厂商生产的H3芯片。
与现有技术相比，本发明的优点在于通过附着在介质基板上表面的第一圆形金属层和开设在第一圆形金属层上的辐射槽结构来实现辐射层，第一圆形金属层的中心轴线与介质基板的中心轴线重合；将第一圆形金属层的半径记为r，将介质基板的半径记为R，r和R满足条件：R大于65mm，小于68mm；r大于45mm，小于47mm。辐射槽结构通过在第一圆形金属层上开槽实现，辐射槽结构包括依次连通的第一矩形槽、第一等腰梯形槽、第二矩形槽、第二等腰梯形槽、第三矩形槽和直角梯形槽，介质基板的上表面在第一矩形槽、第一等腰梯形槽、第二矩形槽、第二等腰梯形槽、第三矩形槽和直角梯形槽处暴露出来；第一等腰梯形槽位于第二等腰梯形槽的后侧，第一等腰梯形槽的上底所在平面位于其下底所在平面的后侧，第二等腰梯形槽的上底所在平面位于其下底所在平面的前侧，第一等腰梯形槽的上底所在平面平行于第二等腰梯形槽的上底所在平面，第一等腰梯形槽位于第一圆形金属层圆心的后侧，第二等腰梯形槽位于第一圆形金属层圆心的前侧，直角梯形槽的下底所在平面位于其上底所在平面的前侧，直角梯形槽的下底平行于第一等腰梯形槽的上底，直角梯形槽的直角腰位于其斜腰的左侧，直角梯形槽的下底所在平面位于第二等腰梯形槽的下底所在平面的后侧，直角梯形槽的上底所在平面位于第一等腰梯形槽的下底所在平面的前侧；第一矩形槽的后端面与第一等腰梯形槽的下底连通且第一矩形槽的右端面与第一等腰梯形槽的下底的右端面位于同一平面，第二矩形槽的后端面与第一等腰梯形槽的下底连通且第二矩形槽的左端面与第一等腰梯形槽的下底的左端面位于同一平面，第二矩形槽的前端面与第二等腰梯形槽的下底连通且第二矩形槽的左端面与第二等腰梯形槽的下底的左端面位于同一平面，第三矩形槽的前端面与第三等腰梯形槽的下底连通且第三矩形槽的右端面与第二等腰梯形槽的下底的右端面位于同一平面，第三矩形槽的后端面与直角梯形槽的下底连通且第三矩形槽的右端面与直角梯形槽的下底的右端位于同一平面，当经由第一圆形金属层的中心轴线做一个垂直于第一圆形金属层且平行于第二矩形槽的右端面所在平面的垂直平面时，第二矩形槽位于该垂直平面的左侧，第一矩形槽、第三矩形槽和直接梯形槽分别位于该垂直平面的右侧，第二矩形槽的右端面所在平面与该垂直平面之间的距离大于4mm，小于4.5mm。当做沿左右方向作第二矩形槽的对称平面使其前后对称时，该对称平面经过第一圆形金属层的中心轴线；第一矩形槽沿前后方向的长度为8.5～9mm，第一矩形槽沿左右方向的长度为6～7mm，第二矩形槽沿前后方向的长度为68～70mm，第二矩形槽沿左右方向的长度为6～7mm，第三矩形槽沿前后方向的长度为28～29.5mm，第三矩形槽沿左右方向的长度为6～7mm，第一等腰梯形槽的下底沿左右方向的长度为21～22mm，第一等腰梯形槽的上底沿左右方向的长度为9～10.2mm，第一等腰梯形槽的下底与其上底之间的距离为6mm，第二等腰梯形槽的下底沿左右方向的长度为41mm，第二等腰梯形槽的上底沿左右方向的长度为29mm，第二等腰梯形槽的下底与其上底之间的距离为5.5～7.5mm，直角梯形槽的下底沿左右方向的长度为19～21.5mm，直角梯形槽的上底沿左右方向的长度为13～14mm，直角梯形槽的下底与其上底之间的距离为5.5～7.5mm，由此本发明采用一层较薄的介质基板来取代现有技术中采取泡沫加介质基板的多层结构，实现低剖面设计，同时，采用在第一圆形金属层和开设在第一圆形金属层上的辐射槽结构来实现辐射层，结构简单，加工成本较低，利于市场推广。
附图说明
图1为本发明的超高频圆极化RFID标签天线的俯视图；
图2为本发明的超高频圆极化RFID标签天线的仰视图。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本发明作进一步详细描述。
实施例：如图1和图2所示，一种超高频圆极化RFID标签天线，包括介质基板1、RFID芯片2、辐射层和接地层，辐射层设置在介质基板1的上表面，介质基板1为圆柱形，接地层设置在介质基板1的下表面，RFID芯片2设置在介质基板1的下表面，RFID芯片2与接地层连接，辐射层包括附着在介质基板1上表面的第一圆形金属层3和开设在第一圆形金属层3上的辐射槽结构，第一圆形金属层3的中心轴线与介质基板1的中心轴线重合；将第一圆形金属层3的半径记为r，将介质基板1的半径记为R，r和R满足条件：R大于65mm，小于68mm；r大于45mm，小于47mm。辐射槽结构通过在第一圆形金属层3上开槽实现，辐射槽结构包括依次连通的第一矩形槽4、第一等腰梯形槽5、第二矩形槽6、第二等腰梯形槽7、第三矩形槽8和直角梯形槽9，介质基板1的上表面在第一矩形槽4、第一等腰梯形槽5、第二矩形槽6、第二等腰梯形槽7、第三矩形槽8和直角梯形槽9处暴露出来；
第一等腰梯形槽5位于第二等腰梯形槽7的后侧，第一等腰梯形槽5的上底所在平面位于其下底所在平面的后侧，第二等腰梯形槽7的上底所在平面位于其下底所在平面的前侧，第一等腰梯形槽5的上底所在平面平行于第二等腰梯形槽7的上底所在平面，第一等腰梯形槽5位于第一圆形金属层3圆心的后侧，第二等腰梯形槽7位于第一圆形金属层3圆心的前侧，直角梯形槽9的下底所在平面位于其上底所在平面的前侧，直角梯形槽9的下底平行于第一等腰梯形槽5的上底，直角梯形槽9的直角腰位于其斜腰的左侧，直角梯形槽9的下底所在平面位于第二等腰梯形槽7的下底所在平面的后侧，直角梯形槽9的上底所在平面位于第一等腰梯形槽5的下底所在平面的前侧；
第一矩形槽4的后端面与第一等腰梯形槽5的下底连通且第一矩形槽4的右端面与第一等腰梯形槽5的下底的右端面位于同一平面，第二矩形槽6的后端面与第一等腰梯形槽5的下底连通且第二矩形槽6的左端面与第一等腰梯形槽5的下底的左端面位于同一平面，第二矩形槽6的前端面与第二等腰梯形槽7的下底连通且第二矩形槽6的左端面与第二等腰梯形槽7的下底的左端面位于同一平面，第三矩形槽8的前端面与第三等腰梯形槽的下底连通且第三矩形槽8的右端面与第二等腰梯形槽7的下底的右端面位于同一平面，第三矩形槽8的后端面与直角梯形槽9的下底连通且第三矩形槽8的右端面与直角梯形槽9的下底的右端位于同一平面，当经由第一圆形金属层3的中心轴线做一个垂直于第一圆形金属层3且平行于第二矩形槽6的右端面所在平面的垂直平面时，第二矩形槽6位于该垂直平面的左侧，第一矩形槽4、第三矩形槽8和直接梯形槽分别位于该垂直平面的右侧，第二矩形槽6的右端面所在平面与该垂直平面之间的距离大于4mm，小于4.5mm。当做沿左右方向作第二矩形槽6的对称平面使其前后对称时，该对称平面经过第一圆形金属层3的中心轴线；
第一矩形槽4沿前后方向的长度为8.5～9mm，第一矩形槽4沿左右方向的长度为6～7mm，第二矩形槽6沿前后方向的长度为68～70mm，第二矩形槽6沿左右方向的长度为6～7mm，第三矩形槽8沿前后方向的长度为28～29.5mm，第三矩形槽8沿左右方向的长度为6～7mm，第一等腰梯形槽5的下底沿左右方向的长度为21～22mm，第一等腰梯形槽5的上底沿左右方向的长度为9～10.2mm，第一等腰梯形槽5的下底与其上底之间的距离为6mm，第二等腰梯形槽7的下底沿左右方向的长度为41mm，第二等腰梯形槽7的上底沿左右方向的长度为29mm，第二等腰梯形槽7的下底与其上底之间的距离为5.5～7.5mm，直角梯形槽9的下底沿左右方向的长度为19～21.5mm，直角梯形槽9的上底沿左右方向的长度为13～14mm，直角梯形槽9的下底与其上底之间的距离为5.5～7.5mm。
本实施例中，接地层包括第二圆形金属层10、馈电单元和阻抗匹配单元，第二圆形金属层10附着在介质基板1的下表面，第二圆形金属层10的中心轴线与介质基板1的中心轴线重合；第二圆形金属层10的半径与介质基板1的半径相等；
馈电单元包括开设在第二圆形金属上的第四矩形槽11，第四矩形槽11的左端面所在平面平行于第二矩形槽6的左端面所在平面，第四矩形槽11的左端面所在平面到第二圆形金属层10的中心轴线的距离与其右端面所在平面到第二圆形金属层10的中心轴线的距离相等，第四矩形槽11的前端面所在平面到第二圆形金属层10的中心轴线的距离与其后端面所在平面到第二圆形金属层10的中心轴线的距离相等；
阻抗匹配单元包括框型槽，框型槽位于第四矩形槽11的左侧，框型槽由第五矩形槽12、第六矩形槽13、第七矩形槽14和第八矩形槽15依次首尾连接形成，介质基板1的下表面在第五矩形槽12、、第六矩形槽13、第七矩形槽14和第八矩形槽15处暴露出来；
第五矩形槽12的后端面与第六矩形槽13的前端面连接，第五矩形槽12的右端面与第六矩形槽13的右端面位于同一平面，第五矩形槽12的前端面与第八矩形槽15的后端面连接，第五矩形槽12的右端面与第八矩形槽15的右端面位于同一平面，第七矩形槽14的后端面与第六矩形槽13的前端面连接，第七矩形槽14的左端面与第六矩形槽13的左端面位于同一平面，第七矩形槽14的前端面与第八矩形槽15的后端面连接，第七矩形槽14的左端面与第八矩形槽15的左端面位于同一平面，第四矩形槽11沿左右方向的长度为6.5～8mm，第四矩形槽11沿前后方向的长度为75～76.8mm，第五矩形槽12沿左右方向的长度为1～1.5mm，第五矩形槽12沿前后方向的长度为63～64mm，第六矩形槽13沿左右方向的长度为40～41mm，第六矩形槽13沿前后方向的长度为1～1.5mm，第七矩形槽14沿左右方向的长度为1～1.5mm，第七矩形槽14沿前后方向的长度为63～64mm，第八矩形槽15沿左右方向的长度为40～41mm，第八矩形槽15沿前后方向的长度为1～1.5mm。第五矩形槽12的右端面所在平面与第四矩形槽11的左端面所在平面之间的距离为1.8～2.3mm，第六矩形槽13的后端面所在平面与第四矩形槽11的后端面所在平面之间的距离为2～2.3mm，第八矩形槽15的前端面所在平面与第四矩形槽11的前端面所在平面之间的距离为8～8.6mm；
RFID芯片2设置在第五矩形槽12的中心处，RFID芯片2的分别与位于第四矩形槽11左侧的接地层和位于第四矩形槽11右侧的接地层连接。
本实施例中，第一圆形金属层3的厚度为0.035mm，第二圆形金属层10的厚度为0.035mm，介质基板1的厚度为1.524mm，介质基板1的材料为Rogers RT/duroid 5880，第一圆形金属层3的材料为铜箔，第二圆形金属层10的材料为铜箔。
本实施例中，RFID芯片2采用Alien厂商生产的H3芯片。

Claims (4)

1.一种超高频圆极化RFID标签天线，包括介质基板、RFID芯片、辐射层和接地层，所述的辐射层设置在所述的介质基板的上表面，所述的介质基板为圆柱形，所述的接地层设置在所述的介质基板的下表面，所述的RFID芯片设置在所述的介质基板的下表面，所述的RFID芯片与所述的接地层连接，其特征在于所述的辐射层包括附着在所述的介质基板上表面的第一圆形金属层和开设在所述的第一圆形金属层上的辐射槽结构，所述的第一圆形金属层的中心轴线与所述的介质基板的中心轴线重合；将所述的第一圆形金属层的半径记为r，将所述的介质基板的半径记为R，r和R满足条件：R大于65mm，小于68mm；r大于45mm，小于47mm。所述的辐射槽结构通过在所述的第一圆形金属层上开槽实现，所述的辐射槽结构包括依次连通的第一矩形槽、第一等腰梯形槽、第二矩形槽、第二等腰梯形槽、第三矩形槽和直角梯形槽，所述的介质基板的上表面在所述的第一矩形槽、所述的第一等腰梯形槽、所述的第二矩形槽、所述的第二等腰梯形槽、所述的第三矩形槽和所述的直角梯形槽处暴露出来；
所述的第一等腰梯形槽位于所述的第二等腰梯形槽的后侧，所述的第一等腰梯形槽的上底所在平面位于其下底所在平面的后侧，所述的第二等腰梯形槽的上底所在平面位于其下底所在平面的前侧，所述的第一等腰梯形槽的上底所在平面平行于所述的第二等腰梯形槽的上底所在平面，所述的第一等腰梯形槽位于所述的第一圆形金属层圆心的后侧，所述的第二等腰梯形槽位于所述的第一圆形金属层圆心的前侧，所述的直角梯形槽的下底所在平面位于其上底所在平面的前侧，所述的直角梯形槽的下底平行于所述的第一等腰梯形槽的上底，所述的直角梯形槽的直角腰位于其斜腰的左侧，所述的直角梯形槽的下底所在平面位于所述的第二等腰梯形槽的下底所在平面的后侧，所述的直角梯形槽的上底所在平面位于所述的第一等腰梯形槽的下底所在平面的前侧；
所述的第一矩形槽的后端面与所述的第一等腰梯形槽的下底连通且所述的第一矩形槽的右端面与所述的第一等腰梯形槽的下底的右端面位于同一平面，所述的第二矩形槽的后端面与所述的第一等腰梯形槽的下底连通且所述的第二矩形槽的左端面与所述的第一等腰梯形槽的下底的左端面位于同一平面，所述的第二矩形槽的前端面与所述的第二等腰梯形槽的下底连通且所述的第二矩形槽的左端面与所述的第二等腰梯形槽的下底的左端面位于同一平面，所述的第三矩形槽的前端面与所述的第三等腰梯形槽的下底连通且所述的第三矩形槽的右端面与所述的第二等腰梯形槽的下底的右端面位于同一平面，所述的第三矩形槽的后端面与所述的直角梯形槽的下底连通且所述的第三矩形槽的右端面与所述的直角梯形槽的下底的右端位于同一平面，当经由所述的第一圆形金属层的中心轴线做一个垂直于所述的第一圆形金属层且平行于所述的第二矩形槽的右端面所在平面的垂直平面时，所述的第二矩形槽位于该垂直平面的左侧，所述的第一矩形槽、所述的第三矩形槽和所述的直接梯形槽分别位于该垂直平面的右侧，所述的第二矩形槽的右端面所在平面与该垂直平面之间的距离大于4mm，小于4.5mm。当做沿左右方向作所述的第二矩形槽的对称平面使其前后对称时，该对称平面经过所述的第一圆形金属层的中心轴线；所述的第一矩形槽沿前后方向的长度为8.5～9mm，所述的第一矩形槽沿左右方向的长度为6～7mm，所述的第二矩形槽沿前后方向的长度为68～70mm，所述的第二矩形槽沿左右方向的长度为6～7mm，所述的第三矩形槽沿前后方向的长度为28～29.5mm，所述的第三矩形槽沿左右方向的长度为6～7mm，所述的第一等腰梯形槽的下底沿左右方向的长度为21～22mm，所述的第一等腰梯形槽的上底沿左右方向的长度为9～10.2mm，所述的第一等腰梯形槽的下底与其上底之间的距离为6mm，所述的第二等腰梯形槽的下底沿左右方向的长度为41mm，所述的第二等腰梯形槽的上底沿左右方向的长度为29mm，所述的第二等腰梯形槽的下底与其上底之间的距离为5.5～7.5mm，所述的直角梯形槽的下底沿左右方向的长度为19～21.5mm，所述的直角梯形槽的上底沿左右方向的长度为13～14mm，所述的直角梯形槽的下底与其上底之间的距离为5.5～7.5mm。
2.根据权利要求1所述的一种超高频圆极化RFID标签天线，其特征在于所述的接地层包括第二圆形金属层、馈电单元和阻抗匹配单元，所述的第二圆形金属层附着在所述的介质基板的下表面，所述的第二圆形金属层的中心轴线与所述的介质基板的中心轴线重合；所述的第二圆形金属层的半径与所述的介质基板的半径相等；
所述的馈电单元包括开设在所述的第二圆形金属上的第四矩形槽，所述的第四矩形槽的左端面所在平面平行于所述的第二矩形槽的左端面所在平面，所述的第四矩形槽的左端面所在平面到所述的第二圆形金属层的中心轴线的距离与其右端面所在平面到所述的第二圆形金属层的中心轴线的距离相等，所述的第四矩形槽的前端面所在平面到所述的第二圆形金属层的中心轴线的距离与其后端面所在平面到所述的第二圆形金属层的中心轴线的距离相等；
所述的阻抗匹配单元包括框型槽，所述的框型槽位于所述的第四矩形槽的左侧，所述的框型槽由第五矩形槽、第六矩形槽、第七矩形槽和第八矩形槽依次首尾连接形成，所述的介质基板的下表面在所述的第五矩形槽、、所述的第六矩形槽、所述的第七矩形槽和所述的第八矩形槽处暴露出来；
所述的第五矩形槽的后端面与所述的第六矩形槽的前端面连接，所述的第五矩形槽的右端面与所述的第六矩形槽的右端面位于同一平面，所述的第五矩形槽的前端面与所述的第八矩形槽的后端面连接，所述的第五矩形槽的右端面与所述的第八矩形槽的右端面位于同一平面，所述的第七矩形槽的后端面与所述的第六矩形槽的前端面连接，所述的第七矩形槽的左端面与所述的第六矩形槽的左端面位于同一平面，所述的第七矩形槽的前端面与所述的第八矩形槽的后端面连接，所述的第七矩形槽的左端面与所述的第八矩形槽的左端面位于同一平面，
所述的第四矩形槽沿左右方向的长度为6.5～8mm，所述的第四矩形槽沿前后方向的长度为75～76.8mm，所述的第五矩形槽沿左右方向的长度为1～1.5mm，所述的第五矩形槽沿前后方向的长度为63～64mm，所述的第六矩形槽沿左右方向的长度为40～41mm，所述的第六矩形槽沿前后方向的长度为1～1.5mm，所述的第七矩形槽沿左右方向的长度为1～1.5mm，所述的第七矩形槽沿前后方向的长度为63～64mm，所述的第八矩形槽沿左右方向的长度为40～41mm，所述的第八矩形槽沿前后方向的长度为1～1.5mm。
所述的第五矩形槽的右端面所在平面与所述的第四矩形槽的左端面所在平面之间的距离为1.8～2.3mm，所述的第六矩形槽的后端面所在平面与所述的第四矩形槽的后端面所在平面之间的距离为2～2.3mm，所述的第八矩形槽的前端面所在平面与所述的第四矩形槽的前端面所在平面之间的距离为8～8.6mm；
所述的RFID芯片设置在所述的第五矩形槽的中心处，所述的RFID芯片分别与位于所述的第四矩形槽左侧的接地层和位于所述的第四矩形槽右侧的接地层连接。
3.根据权利要求1或2所述的一种超高频圆极化RFID标签天线，其特征在于所述的第一圆形金属层的厚度为0.035mm，所述的第二圆形金属层的厚度为0.035mm，所述的介质基板的厚度为1.524mm，所述的介质基板的材料为Rogers RT/duroid 5880，所述的第一圆形金属层的材料为铜箔，所述的第二圆形金属层的材料为铜箔。
4.根据权利要求1所述的一种超高频圆极化RFID标签天线，其特征在于所述的RFID芯片采用Alien厂商生产的H3芯片。
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