TWI815228B - 用於到達角分析之雙頻帶貼片天線 - Google Patents
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Abstract
本發明揭示一種雙模天線陣列(300)，其接收用於到達角(AoA)分析之射頻(RF)發信號(104)，且包含一基板(302)、安置於一第一側處之一接地平面(402)及安置於一第二側處之一對輻射元件(308-1、308-2)。該對之各輻射元件包含配置成一經修改矩形形狀之導電材料，該經修改矩形形狀具有在一第一側處之一第一狹槽(318)、在一第二側處之一第二狹槽(320)、在一第三側處之一第三狹槽(322)及在一第四側處之一第四狹槽(324)。該天線陣列進一步包含鄰近於該對輻射元件安置之一給饋探針(310)，及一對給饋線(314-1、314-2)，各給饋線在一第一端處導電地連接至該給饋探針且在一第二端處連接至一對應輻射元件之一第一給饋點(341)及一第二給饋點(342)之各者。
Description
無線系統經常採用基於經接收射頻(RF)信號分析之技術以判定一個無線裝置相對於另一無線裝置之位置。此位置資訊可對波束成形技術，對裝置鑑認或使用者鑑認或其他安全考量及類似者係有用的。此等技術通常依靠兩種分析：飛行時間(ToF)分析及到達角(AoA)分析。ToF分析利用在傳輸一RF信號與接收一回覆RF信號之間的經過時間之一量測以判定起始裝置與回應裝置之間的距離。AoA分析估計接收一傳入RF信號所依之方向以判定傳輸裝置相對於接收裝置之角位置。在已知距離及角位置之情況下，可確定一個無線裝置相對於另一無線裝置之位置。
基於超寬頻帶(UWB)之RF技術通常非常適用於在無線裝置之間具有相對較緊密接近度(即，在個人區域網路(PAN)範圍內)之無線系統中提供AoA分析。UWB發信號相對高效，此係因為其通常依靠相對較短持續時間之脈衝信號，且因為此發信號係在一相對較寬頻寬(例如，500兆赫(MHz))上傳輸，UWB發信號可與其他無線裝置共用頻譜。在利用UWB發信號用於AoA分析之一典型方法中，傳輸裝置在相對於彼此正交偏振之一或多個分開的頻帶(例如，一個UWB頻帶在水平方向上偏振且一個UWB頻帶在垂直方向上偏振)中採用UWB發信號。接收裝置採用一AoA天線陣列以在所利用之各頻帶中同時接收UWB發信號，且自一或多個經接收RF信號判定一或多個AoA參數。
為圖解說明，圖1描繪使用具有偏移達一距離「d」之兩個相同矩形貼片天線101、102之一天線陣列100之一典型的基於飛行時間差(TDOF)之AoA分析。在矩形貼片天線101、102之各者處接收以相對於天線陣列100之視軸(在此情況中為Z軸)之一非零角度θ到達之一傳入RF信號104。然而，由於RF信號104係以所繪示之非零角度接收，因此RF信號104行進到達貼片天線101之距離大於到達貼片天線102所行進之距離，其中此距離等於k*d*sin(θ)，其中k表示RF信號104在對應介質中之波數。因而，在於貼片天線102處接收到RF信號104時與在貼片天線101處接收到RF信號104時之間存在一時間偏移。此時間偏移在如在天線101、102處接收之RF信號104之不同表示之間引入一AoA相依之相位差，且因此此相位差可用於估計RF信號104之AoA。
如藉由圖2之標繪圖200所繪示，一AoA天線陣列之AoA相依之相位差理想地表示為k*d*sin(θ)，此將允許實施此一AoA天線陣列之一系統基於兩個經接收信號之間的特定相位差及表達式k*d*sin(θ)來判定傳入RF信號之到達角θ。對於準確到達角計算，兩個AoA信號之間的相位差理想地將僅來自路徑差異。當兩個AoA天線具有相同相位型樣(此消除兩個經量測AoA信號之間的任何結構相關相位差)時且當兩個AoA天線具有一致振幅型樣(使得天線適用於所有角度且在一或多個角度下不具有一空值)時，可實質上滿足此條件。
理論上，貼片天線非常適於滿足上文識別之條件。其等通常具有實質上一致振幅型樣及相位型樣。然而，實際上，由於歸因於兩個天線之間的給饋結構之失配引起之天線之間的不對稱性等原因，習知AoA天線陣列並未展現此理想相位關係。此外，使用者裝置之日益小型化已導致通常無法切實適應習知基於UWB之AoA天線陣列之相對較大尺寸之裝置外觀尺寸，此係由於以下一或兩者：歸因於其等採用之習知矩形貼片天線之尺寸引起之其等相對較大佈局規劃面積，或歸因於利用三維天線結構或實施習知貼片天線形狀所需之相對較厚基板之一或兩者引起之其等相對較厚輪廓。
提供一種經組態以接收用於到達角(AoA)分析之射頻(RF)發信號之雙模天線陣列，該天線陣列包括：一基板；一接地平面，其安置於該基板之一第一側處；及一對輻射元件，其等安置於該基板之與該第一側相對且分離達一橫向距離之一第二側處，該對之各輻射元件包括：配置成一矩形形狀之導電材料，該矩形形狀具有在一第一側處之一第一狹槽、在與該第一側相對之一第二側處之一第二狹槽、在一第三側處之一第三狹槽及在與該第三側相對之一第四側處之一第四狹槽，使得藉由配置該等第一、第二、第三及第四狹槽，獲得一經修改矩形形狀。該等第一、第二、第三及/或第四側可基本上線性地延伸。
該第一狹槽及該第二狹槽可各具有一深度，使得在該第一側及該第二側之各者處之該經修改矩形形狀之一周邊之一長度至少等於該經接收RF發信號中之一第一頻帶之一中心頻率之一半波長；及/或該第三狹槽及該第四狹槽各具有一深度，使得在該第三側及該第四側之各者處之該經修改矩形形狀之該周邊之一長度至少等於該經接收RF發信號中之一第二頻帶之一中心頻率之一半波長，其中(例如)該第二頻帶相對於該第一頻帶正交地偏振。
此外，該雙模天線陣列可包括：一給饋探針，其安置於該基板之該第二側處且鄰近於該對輻射元件；一第一微帶型給饋線，其在一第一端處導電地連接至該給饋探針且在一第二端處連接至該對之一第一輻射元件在該第一輻射元件之一第一給饋點及一第二給饋點之各者處；及/或一第二微帶型給饋線，其在一第一端處導電地連接至該給饋探針且在一第二端處導電地連接至該對之一第二輻射元件在該第二輻射元件之一第三給饋點及一第四給饋點之各者處，其中該等第三及第四給饋點(例如)具有該第二輻射元件上之分別對應於該第一輻射元件之該等第一及第二給饋點之位置的F位置。
此外，該給饋探針與該第一給饋點之間的該第一微帶型給饋線之一長度可實質上等於該給饋探針與該第三給饋點之間的該第二給饋線之一長度；及/或該給饋探針與該第二給饋點之間的該第一微帶型給饋線之一長度可實質上等於該給饋探針與該第四給饋點之間的該第二給饋線之一長度。
該等第一、第二、第三及第四給饋點可具有實質上相等阻抗。
該給饋探針可安置於該第一輻射元件與該第二輻射元件之間。
該給饋探針可鄰近於該第一輻射元件及該第二輻射元件之共線側安置。
該第一微帶型給饋線可使用導電通孔導電地耦合至該第一給饋點及該第二給饋點；及/或該第二微帶型給饋線可使用導電通孔導電地耦合至該第三給饋點及該第四給饋點。
例如，該橫向距離不大於該第一頻帶之該中心頻率及該第二頻帶之該中心頻率之更高者之波長的一半。
此外，該第一側及該第二側之各者之一長度在該基板之一材料中可小於該第一頻帶之該中心頻率之該波長；及/或該第三側及該第四側之各者之一長度在該基板之一材料中可小於該第二頻帶之該中心頻率之該波長。該第一側及該第二側之長度可由該第三側與該第四側之間的距離界定，而該第三側及該第四側之長度可由該第一側與該第二側之間的距離界定。
該第一頻帶之該中心頻率可為6.5吉赫(GHz)；及/或該第二頻帶之該中心頻率可為8 GHz；及/或該第一側及該第二側之各者之該長度可小於13.3毫米(mm)；及/或該第三側及該第四側之各者之該長度可小於10.8 mm。
此外，該第一頻帶之該中心頻率可為6.5吉赫(GHz)；及/或該第二頻帶之該中心頻率可為8 GHz；及/或該第一狹槽及該第二狹槽之各者之深度係近似1.05毫米(mm)及/或該第一狹槽及該第二狹槽之各者之寬度係近似1.0 mm；及/或該第三狹槽及該第四狹槽之各者之深度係近似3.45 mm及/或該第三狹槽及該第四狹槽之各者之寬度係近似1.0 mm；及/或該第一側及該第二側之各者之長度係近似10.1 mm；及/或該第三側及該第四側之各者之長度係近似8.2 mm。
例如，該第一側與該相對第二側之間的該基板之厚度不大於0.4 mm。
在另一態樣中，提供一種特定言之如上文所描述之經組態以接收用於到達角(AoA)分析之射頻(RF)發信號之雙模天線陣列，該天線陣列包括：一給饋探針，其安置於一基板之一第一表面處；第一及第二輻射元件，其等安置於鄰近於該給饋探針之該基板之該第一表面處；及一給饋結構，其將該等第一及第二輻射元件電耦合至該給饋探針，該給饋結構包括：一第一微帶型給饋線，其在一第一端處連接至該給饋探針且在一第二端處連接至該第一輻射元件之第一及第二給饋點；及一第二微帶型給饋線，其在一第一端處連接至該給饋探針且在一第二端處連接至該第二輻射元件之第三及第四給饋點；且該第一輻射元件上之該等第一及第二給饋點之位置分別與該第二輻射元件上之第三及第四給饋點之位置相同(例如，在如上文所描述之配置成該輻射元件之一矩形形狀之導電材料上)。給饋點之該等位置可相對於該等輻射元件之對應參考點(例如，該等輻射元件，特定言之該矩形形狀之周邊之一邊角或另一點)界定。
該第一微帶型給饋線及該第二微帶型給饋線可具有實質上相等長度。
此外，該給饋探針與該第一給饋點之間的該第一微帶型給饋線之一長度可實質上等於該給饋探針與該第三給饋點之間的該第二給饋線之一長度；及/或該給饋探針與該第二給饋點之間的該第一微帶型給饋線之一長度可實質上等於該給饋探針與該第四給饋點之間的該第二給饋線之一長度。
此外，該等第一、第二、第三及第四給饋點可具有實質上相等阻抗。
該給饋探針可安置於該第一輻射元件與該第二輻射元件之間。
該給饋探針可鄰近於該第一輻射元件及該第二輻射元件之共線側安置。
該第一微帶型給饋線可使用導電通孔導電地耦合至該第一給饋點及該第二給饋點；及/或該第二微帶型給饋線可使用導電通孔導電地耦合至該第三給饋點及該第四給饋點。
此外，提供一種包括如上文所描述之一雙模天線陣列之電子裝置。
該電子裝置可包括：一RF接收器，其導電地耦合至該給饋探針且經組態以處理在該雙頻帶天線陣列處接收之該RF發信號；及/或一基頻帶處理器，其耦合至該RF接收器且經組態以自在該雙頻帶天線陣列處接收且藉由該RF接收器處理之該RF發信號判定一或多個AoA參數。
此外，提供一種操作電子裝置之方法，其包括在該對之一第一輻射元件處接收RF發信號之一第一RF信號之一第一表示及在該對之一第二輻射元件處接收該RF發信號之該第一RF信號之一第二表示；及基於該第一RF信號之該第一表示與該第二表示之間的一相位差來判定一第一AoA參數。
該方法可包括在該第一輻射元件處接收該RF發信號之一第二RF信號之一第一表示及在該第二輻射元件處接收該RF發信號之該第二RF信號之一第二表示；及基於該第二RF信號之該第一表示與該第二表示之間的一相位差來判定一第二AoA參數。
經組態以操作高頻率、高頻寬發信號且在其等相位差中展現足夠線性度之許多習知AoA天線陣列通常具有使其等無法整合於許多緊湊型電子裝置中之尺寸。相比而言，本文中描述採用具有一輻射貼片形狀之雙天線之一雙頻帶AoA天線陣列之實施例，該輻射貼片形狀促進在各種電子裝置之任一者中之緊湊實施。此外，在一些實施例中，雙頻帶AoA天線進一步採用對稱給饋結構，該等對稱給饋結構維持天線陣列之天線之間的實質對稱性，且從而促進天線陣列之天線之間的一更線性的AoA相依之相位差型樣。
圖3及圖4一起繪示根據一些實施例之經組態用於促進傳入RF信號之AoA分析之一雙模天線陣列300。圖3描繪雙模天線陣列300在X-Y平面中之一俯視圖且圖4描繪雙模天線陣列300在X-Z平面中之沿著線A-A之一橫截面視圖。應注意，在圖4之橫截面視圖中，天線陣列300之一些組件沿著Z軸之尺寸被誇大以有利於其等之描繪及理解。如所展示，雙模天線陣列300 (在下文中，為簡潔起見，「天線陣列300」)包括具有一第一主要表面304及一相對第二主要表面306之一介電質基板302。介電質基板302可實施為(例如)一剛性或可撓性印刷電路板(PBC)，且可由各種介電質材料或介電質材料之組合之任一者組成，諸如液晶聚合物(LCP)、聚四氟乙烯(PTFE)、各種陶瓷、各種低損耗塑膠、玻璃增強環氧樹脂層壓板(例如，FR-4)及類似者。
天線陣列300進一步包含安置於基板302之主要表面306處之一接地平面402 (圖4)，以及一對輻射元件308 (在本文中個別地識別為輻射元件308-1及輻射元件308-2)，及安置於相對主要表面304處之一給饋探針310。一給饋結構312包含將給饋探針310分別電耦合至輻射元件308-1及308-2之微帶型給饋線314-1及314-2。接地平面402、輻射元件308、給饋探針310及給饋結構312係由一或多個導電材料組成，諸如銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、鋁(Al)或其等之合金，且各組件可由相同或不同導電材料或其等之組合組成。此等結構可以各種方式(包含透過沈積、蝕刻、黏附一膜或箔，或其等之組合)之任一者安置於基板302之對應表面處。
如下文更詳細描述，輻射元件308-1、308-2經組態以作為一對接收器天線操作以接收RF發信號，且自在輻射元件308-1處接收之RF發信號之一表示與在輻射元件308-2處接收之RF發信號之一表示之間的相位差，判定RF發信號相對於天線陣列300之一視軸或其他參考軸之一到達角(AoA)。因此，為促進在此方面之有效操作，在一些實施例中，輻射元件308-1、308-2橫向分離(沿著X軸)達一距離316 (中心至中心)，該距離316不大於天線陣列300經組態以支援之最高中心頻率之空氣中之波長λ的一半(即，距離316 ＜= λ)。例如，對於8 GHz之一最高頻率中心，輻射元件308-1、308-2之間的中心至中心距離可設定為18 mm，其接近但不超過一8 GHz RF信號之18.75 mm半波長。藉由將距離316組態為接近半波長而不超過半波長距離，輻射元件308-1、308-2可更容易及準確地量測±180度之間的相位差(且因此增加穩健性)，同時減輕或消除較高頻率下相位纏繞之可能性。
如下文又更詳細描述，在至少一些實施例中，輻射元件308-1、308-2經組態以支援雙模操作且因此提供偏振分集，使得輻射元件308-1、308-2可經實施以有效地接收具有一第一中心頻率及一第一偏振之第一RF發信號及接收具有一第二中心頻率及正交於該第一偏振之一第二偏振之第二RF發信號。為藉由實例進行繪示，天線陣列300可經組態以支援UWB通道5 (中心頻率6.5 GHz，500 MHz頻寬，垂直偏振)及UWB通道9 (8 GHz之中心頻率，500 MHz頻寬，水平偏振)兩者之操作。為易於描述，下文頻繁地引用此實例性UWB通道5/通道9組態，但將理解，此組態僅為一項實例且天線陣列300可經組態以支援正交偏振之UWB通道之不同組合，以及使用本文中提供之指南支援與UWB無關之其他高頻帶/通道中之雙模操作。因此，除非另有說明，否則對UWB或對上文所描述之特定UWB通道5/通道9實施方案之引用應被理解為同樣適用於其他頻帶/通道或完全適用於其他RF技術。
為有效地操作以支援經接收RF發信號之一基於TDOF之AoA分析，在至少一項實施例中，輻射元件308-1、308-2經組態為實質上相同的，即，具有近似相等尺寸及組合物，且給饋結構312經組態為關於給饋探針310及輻射元件308-1、308-2實質上對稱。依據用於設計及製造天線陣列300之程序之實際限制實施此對稱性，減輕否則將在接收一傳入RF信號時在輻射元件308-1、308-2之間引起之任何相位型樣差異，且因此針對傳入RF信號之TDOF表示引起AoA與相位差型樣之間的一更線性及可逆的關係。
為針對正交偏振之RF信號有效地提供雙模操作，輻射元件308-1、308-2採用一大體上矩形貼片形狀以便針對一垂直偏振之RF信號提供一半波長電流路徑，同時亦針對一水平偏振之RF信號提供一半波長電流路徑。然而，在一些實施方案中，對各輻射元件使用一未修改之矩形區域將導致各輻射元件之一相對較大佈局規劃面積，且因此導致對於許多緊湊型電子裝置(諸如智慧型手錶、感應鑰匙、蜂巢式電話、車輛之RF模組等)中之可實踐實施方案而言太大之天線陣列300之一整體佈局規劃面積。因此，在一些實施例中，實施輻射元件308-1、308-2之導電層各經形成以具有一經修改矩形貼片形狀，其中導電材料之所得大體上矩形區域之各側具有延伸朝向輻射元件之中心且實質上無導電材料之至少一個狹槽。為進行繪示，在圖3中描繪之實施例中，輻射元件308-1係由配置成一經修改矩形形狀之銅或其他導電材料組成，在側319上具有一狹槽318-1，在相對側321上具有一狹槽320-1，在側323上具有一狹槽322-1，且在相對側325上具有一狹槽324-1。狹槽318-1及320-1在Y方向上自對應貼片側321、323延伸朝向經修改矩形形狀之中心，而狹槽322-1及324-1自對應貼片側323、325延伸朝向經修改矩形形狀之中心。在一些實施例中，相對狹槽在其等對應側上居中且為對稱目的而具有實質上相同尺寸(深度及寬度)，但在其他實施例中，相對狹槽可具有不同尺寸，可相對於相對側之中心偏移，或其等之一組合。與將輻射元件308實施為在尺寸及組合物上實質上相同一致地，輻射元件308-2同樣在其對應側處具有擁有分別對應於狹槽318-1、320-1、322-2及324-1之位置及尺寸之位置及尺寸的狹槽318-2、320-2、322-2及324-2。
在一貼片輻射元件之一另外矩形形狀之一側中存在一狹槽增加該貼片輻射元件之該側處之周邊之有效長度，且因此增加該側之電流路徑「長度」以大於該側之直線長度，以用於針對在平行於該側之一方向上偏振之一經接收RF信號之諧振。此繼而容許針對下伏基板302之組合物將矩形形狀之該側之整體或直線尺寸減小至低於經接收RF信號之半波長，同時仍提供一半波長電流路徑。為進行繪示，UWB通道5中之具有6.5 GHz之一中心頻率且具有平行於圖3中所描繪之定向中之Y軸之一偏振定向330的RF信號在一LCP基板中具有13.3 mm之一半波長，且因此將需要一規則矩形貼片輻射元件之相對側在Y方向上至少13.3 mm長，以便提供一半波長電流路徑。類似地，UWB通道9中之具有8 GHz之一中心頻率且具有平行於此所繪示定向中之X軸之一偏振定向332的RF信號在一LCP基板中具有10.8 mm之一半波長，且因此將需要規則矩形貼片輻射元件之相對側在X方向上至少10.8 mm長，以便提供一半波長電流路徑。即，一未修改之矩形輻射元件將需要在Y方向上為13.3 mm長且在X方向上為10.8 mm寬，以便在使用一LCP基板時提供針對UWB通道5及UWB通道9兩者之雙模諧振。
然而，若(例如)天線陣列300將採用相同LCP基板及輻射元件308-1、308-2，該等輻射元件308-1、308-2具有各具有1.05 mm之一深度(尺寸334)及1.0 mm之一寬度(尺寸335)之狹槽318-1、318-2、320-1及320-2，及各具有3.45 mm之一深度(尺寸336)及1.0 mm之一寬度(尺寸337)之狹槽322-1、322-2、324-1及324-2，則各輻射元件308-1、308-2之在Y方向上之總長度(尺寸338)及在X方向上之總長度(尺寸339)可分別減小至8.2 mm及10.1 mm，同時繼續提供一有效周邊長度，且因此至少在Y方向上13.3 mm且在X方向上10.8 mm之有效電流路徑長度。即，輻射元件308-1、308-2中之狹槽之存在及尺寸容許輻射元件308-1、308-2在下伏基板材料中具有小於預期諧振頻率之對應半波長之總尺寸(338、339)，同時提供有效側周邊長度且因此對應電流路徑長度(至少等於預期諧振頻率之半波長)，且因此容許輻射元件308-1、308-2以雙模天線陣列300經設計以支援之通道之經識別中心頻率有效地諧振。即，藉由引入具有上文識別之尺寸之狹槽，在此實例中，輻射元件308之總尺寸可自13.3 mm x 10.8 mm (如使用一未修改之矩形形狀所需)減小至10.3 mm x 8.2 mm (使用具有上文所描述之狹槽之一經修改矩形形狀)。因而，憑藉輻射元件308-1、308-2需要之較小佈局規劃面積，天線陣列300之整體佈局規劃面積同樣可減小，且因此容許所得天線陣列300更容易地在一更小或更緊湊電子裝置中實施。
從上文將瞭解，相對狹槽之深度之增加允許實施相對狹槽之輻射元件308之側之總長度成比例地減小。然而，亦將瞭解，輻射元件308之一側之總長度之減小愈大，輻射元件308之諧振對於在對應方向上偏振之目標RF信號通常效率愈低。因此，在實際實施方案中，輻射元件308-1、308-2及其等含有之狹槽之尺寸之選擇可涉及識別佈局規劃面積與總天線效率之間的一合適權衡。為進行繪示，在一些例項中，最大佈局規劃面積可為固定的，且各輻射元件308之最大總尺寸同樣固定(特別是給定在輻射元件308-1、308-2之間維持之近半波長間隔(距離316))，且因此鑑於此等固定總尺寸選擇狹槽之尺寸。在其他例項中，可指定各模式之一最小效率，且(例如)透過反覆模擬及評估程序基於此等參數選擇總尺寸及狹槽尺寸。
如同許多貼片天線一樣，歸因於在中心點處呈現之一不足阻抗，輻射元件308-1、308-2之中心未被用作將輻射元件308-1、308-2連接至給饋探針310之給饋點。實情係，在一貼片天線中之給饋點位置之候選者係呈現適於與其他組件阻抗匹配之一阻抗之彼等點，此通常意謂近似一50歐姆(Ω)阻抗。歸因於在四側之各者處實施相對狹槽所引起之圍繞X軸及Y軸對稱之四瓣形狀，各輻射元件308-1、308-2具有提供合適阻抗之四個候選給饋點(繪示為候選給饋點341、342、343及344)。
在一典型習知給饋方法中，各輻射元件308上之同一單個給饋點將經由一對應微帶型給饋線連接至給饋探針310。例如，一第一微帶型給饋線將使輻射元件308-1之給饋點341連接至給饋探針310，且第二微帶型給饋線將使輻射元件308-2之給饋點341連接至給饋探針310。然而，在此實例性實施例中，由於輻射元件308-1、308-2之間的給饋探針310之位置，輻射元件308-2之給饋點341比輻射元件308-1之給饋點341更靠近給饋探針310。因此，第一微帶型線將實質上長於第二微帶型線，且如由一習知給饋方法所需之在緊靠天線之傳輸線長度上之此差異或不對稱性改變輻射元件308-1、308-2相對於彼此之行為，且因此通常在兩個天線之間的一傳入Rf信號之經接收表示中引入非線性相位型樣差異及頻移。
因此，為減少或消除給饋結構中之此不對稱性且因此減輕非線性相位型樣差異及頻移，在至少一項實施例中，天線陣列300之給饋結構312經組態以藉由實施各連接至一額外給饋點之微帶型給饋線314-1、314-2來提供關於輻射元件308-1、308-2之對稱性，且因此導致各給饋線314-1、314-2在一端處連接至給饋探針310且在另一端處連接至兩個給饋點。例如，在圖3及圖4之所繪示實施例中，微帶型給饋線314-1在一端處透過延伸穿過一介電質層406 (例如，環氧樹脂)之一導電通孔404 (圖4)連接至給饋探針310且在另一端處分別使用導電通孔408及410連接至輻射元件308-1之給饋點341及342。同樣地，微帶型給饋線314-2在一端處透過一導電通孔412連接至給饋探針310且在另一端處分別使用導電通孔414及416連接至輻射元件308-2之給饋點341及342。使用此方法，微帶型給饋線314-1、314-2可具有實質上相等長度，且藉此提供所要對稱性，且對於各給饋線使用一第二給饋點連接亦確保電流分佈保持實質上不變，且因此避免對各輻射元件308之操作之負面影響。此外，在其中給饋探針310定位於兩個輻射元件308-1、308-2之間的所繪示實施方案中，結果係來自輻射元件308-1、308-2之所得經接收信號表示具有一180度相位差，此可由接收器組件利用天線陣列300容易地校準及調整。
儘管圖3及圖4繪示其中微帶型給饋線314-1、314-2連接至對應輻射元件308-1、308-2中之給饋點341、342之一項實例，但微帶型給饋線314-1、314-2代替性地可在Y方向上移位且連接至各輻射元件108上之給饋點343及344。此外，只要在各輻射元件308上使用相同兩個對應給饋點且微帶型給饋線314之長度近似相等且因此維持對稱性，而非安置於兩個輻射元件308之間，給饋探針310便可代替性地鄰近於輻射元件308-1、308-2之對應外邊緣(即，鄰近於輻射元件308-1、308-2之共線之邊緣)安置。為進行繪示，圖5繪示天線陣列300之一替代實施例，其中一給饋探針510平行於輻射元件308-1、308-2之「頂部」共線邊緣安置(「頂部」係相對於圖5之視圖定向)。一給饋結構512包含微帶型給饋線514-1及514-2。微帶型給饋線514-1在一端處連接至給饋探針510且在第二端處連接至輻射元件308-1之給饋點342及344 (藉由導電通孔)。微帶型給饋線514-2同樣在一端處連接至給饋探針510且在第二端處連接至輻射元件308-2之給饋點342及344。在此方法中，微帶型給饋線514-1及514-2可具有實質上相等長度，且憑藉此等相等傳輸線長度及雙給饋點連接，在此組態中之輻射元件308-1、308-2展現實質上相似回應且因此維持實質上相似相位型樣及最小或無頻移。
圖6繪示描繪根據一些實施例之藉由圖3及圖4之天線陣列300之一實例性實施方案之模擬展現之相位型樣差異的標繪圖。在此實例中，天線陣列300係使用以下相關參數來模擬：
表1：模擬參數
| 參數： | 值： |
| 第一模式 | UWB通道9 (8 GHz，500 MHz頻寬) |
| 第二模式 | UWB通道5 (6.5 GHz，500 MHz頻寬) |
| 基板材料 | LCP |
| 基板厚度 | 0.4 mm (Z方向) |
| 橫向位移(距離316) | 15 mm中心至中心 |
| 輻射元件308在X方向上之總長度(尺寸339) | 10.1 mm |
| 輻射元件308在Y方向上之總長度(尺寸338) | 8.2 mm |
| 狹槽318、320深度(尺寸334) | 1.05 mm |
| 狹槽318、320寬度(尺寸335) | 1.0 mm |
| 狹槽322、324深度(尺寸336) | 3.45 mm |
| 狹槽322、324寬度(尺寸337) | 1.0 mm |
標繪圖602繪示針對第一模式(UWB通道9)之所得相位型樣差異對到達角(θ)且標繪圖604繪示針對第二模式(UWB通道5)之相位型樣差異對到達角(θ)。如所演示，對於兩種模式針對跨整個500 MHz頻寬之在-60度與+60度之間的到達角(θ)，角度相依之相位型樣差異係實質上線性的。以下表2闡述自經模擬實施方案獲得之額外顯著操作行為：
表2：操作行為
| 行為 | 第一模式 | 第二模式 |
| 回波損耗 | ＞ 20 dB | ＞ 5 dB |
| 隔離 | ＞ 20 dB | ＞ 20 dB |
| 輻射效率 | -3 dB | -6.7 dB |
| 系統效率 | -2.8 dB | -7.9 dB |
| 10 dB BW [MHz] | 650 | 1000 |
圖7繪示根據一些實施例之採用雙模天線陣列300用於AoA計算之一系統700。系統700包含分離達不大於所採用之對應RF技術(在實例性實施例中，其係基於UWB之RF發信號)之一有效範圍之一距離的一傳輸裝置702及一接收裝置704。接收裝置704表示各種緊湊型電子裝置之任一者，諸如一智慧型手錶、一蜂巢式電話、一平板電腦、一汽車或其他車輛之一RF子系統、一安全系統之一RF子系統及類似者。接收裝置704包含天線陣列300、具有電耦合至天線陣列300之給饋探針310 (圖3)之一輸入之一RF接收器706，及具有耦合至RF接收器706之輸出之一或多個輸入之一基頻帶處理器708。傳輸裝置702包含經組態以在由天線陣列300支援之一或多個通道(例如，通道5及通道9)中傳輸UWB發信號之各種裝置之任一者，諸如一智慧型手錶、一蜂巢式電話、一感應鑰匙、一平板電腦及類似者。
在操作中，傳輸裝置702傳輸由接收裝置704之天線陣列300以相對於天線陣列300之視軸之一角度θ接收之一傳入RF信號710。因而，此角度θ表示自接收裝置704之角度來看之傳入RF信號710之AoA。由於此非零角度，在由輻射元件308-1表示之左天線處接收到RF信號710之一表示時與在由輻射元件308-2表示之右天線處接收到RF信號710之一表示時之間存在一延遲，且藉此在RF信號710之兩個經接收表示之間引入一相位差。因此，RF接收器706接收RF信號710之兩個時移/相移表示作為輸入，執行各種預處理操作之任一者(諸如各種濾波操作)，且將RF信號710之各經接收表示之一類比或數位表示提供至基頻帶處理器708。基頻帶處理器708判定此兩個經接收表示之間的相位差，且基於該經判定之相位差，判定傳入RF信號710之一或多個AoA估計712。例如，在一項實施例中，天線陣列300針對一給定模式之相位差行為可經量化且用於填入具有一相位差作為輸入且具有對應AoA估計值作為輸出之一查找表(LUT)。一應用程式處理器(未展示)接著可利用AoA估計結合自一分開的測距程序獲得之關於傳輸裝置之任何測距資訊來相對於接收裝置704定位傳輸裝置702。
在一些實施例中，上文所描述之技術之特定態樣可藉由一處理系統之一或多個處理器執行軟體來實施。軟體包括儲存或以其他方式有形地體現於一非暫時性電腦可讀儲存媒體上之一或多個可執行指令集。軟體可包含在藉由一或多個處理器執行時操縱該一或多個處理器以執行上文所描述之技術之一或多個態樣之指令及特定資料。非暫時性電腦可讀儲存媒體可包含(例如)：一磁碟或光碟儲存裝置、固態儲存裝置(諸如快閃記憶體)、一快取區、隨機存取記憶體(RAM)或一或若干其他非揮發性記憶體裝置及類似者。儲存於非暫時性電腦可讀儲存媒體上之可執行指令可呈源程式碼、組合語言程式碼、目標程式碼或藉由一或多個處理器解譯或可藉由一或多個處理器以其他方式執行之其他指令格式。
應注意，並非需要上文在概述中所描述之所有活動或元件，可能不需要一特定活動或裝置之一部分，且可執行一或多個進一步活動，或包含除所描述之元件以外之元件。又進一步，列舉活動之順序不一定為執行該等活動之順序。又，已參考特定實施例描述概念。然而，一般技術者瞭解到，可在不脫離如下文發明申請專利範圍中所闡述之本發明之範疇的情況下作出各種修改及改變。因此，本說明書及圖應被視為一闡釋性意義而非一限制性意義，且所有此等修改旨在包含於本發明之範疇內。
上文已關於特定實施例描述益處、其他優點及問題之解決方案。然而，該等益處、優點、問題之解決方案及可引起任何益處、優點或解決方案發生或變得更加明顯之(若干)任何特徵不應被解釋為任何或所有發明申請專利範圍之一關鍵、所需或重要特徵。此外，上文揭示之特定實施例僅為闡釋性的，此係因為所揭示之標的物可依受益於本文中之教示之熟習此項技術者明白之不同但等效方式修改及實踐。並不意欲受限於本文中所展示之構造或設計之細節，除了如下文發明申請專利範圍中所描述。因此，顯然上文所揭示之特定實施例可經更改或修改且所有此等變動被視為在所揭示之標的物之範疇內。因此，本文中尋求之保護係如下文發明申請專利範圍中所闡述。
100:天線陣列
101:矩形貼片天線/貼片天線/天線
102:矩形貼片天線/貼片天線/天線
104:射頻(RF)發信號/傳入射頻(RF)信號/射頻(RF)信號
200:標繪圖
300:雙模天線陣列/天線陣列
302:基板/介電質基板
304:第一主要表面/主要表面
306:第二主要表面/主要表面
308-1:輻射元件
308-2:輻射元件
310:給饋探針
312:給饋結構
314-1:給饋線/微帶型給饋線
314-2:給饋線/微帶型給饋線
316:距離
318:狹槽
318-1:狹槽
318-2:狹槽
319:側
320:狹槽
320-1:狹槽
320-2:狹槽
321:側/貼片側
322:狹槽
322-1:狹槽
322-2:狹槽
323:側/貼片側
324:狹槽
324-1:狹槽
324-2:狹槽
325:側/貼片側
330:偏振定向
332:偏振定向
334:尺寸
335:尺寸
336:尺寸
337:尺寸
338:尺寸
341:第一給饋點/候選給饋點/給饋點
342:第二給饋點/候選給饋點/給饋點
343:候選給饋點/給饋點
344:候選給饋點/給饋點
402:接地平面
404:導電通孔
406:介電質層
408:導電通孔
410:導電通孔
412:導電通孔
414:導電通孔
416:導電通孔
510:給饋探針
512:給饋結構
514-1:微帶型給饋線
514-2:微帶型給饋線
602:標繪圖
604:標繪圖
700:系統
702:傳輸裝置
704:接收裝置
706:射頻(RF)接收器
708:基頻帶處理器
710:傳入射頻(RF)信號/射頻(RF)信號
712:AoA估計
d:距離
θ:角度/到達角(AoA)
藉由參考隨附圖式，熟習此項技術者理解本發明，且明白其諸多特徵及優點。在不同圖式中使用相同元件符號指示相似或相同品項。
圖1係繪示用於計算一傳入射頻(RF)信號之到達角(AoA)之一典型飛行時間延遲(TDOF)方法之一方塊圖。
圖2係繪示一RF信號之經接收表示之相位差相對於該RF信號之AoA之間的一理想關係之一標繪圖。
圖3係繪示根據一些實施例之一雙模AoA天線陣列之一俯視圖之一圖式。
圖4係繪示根據一些實施例之圖3之雙模AoA天線陣列之一橫截面視圖的一圖式。
圖5係繪示根據一些實施例之利用一側相鄰給饋探針之雙模AoA天線之一替代實施方案之一俯視圖的一圖式。
圖6係繪示根據一些實施例之用於一雙模AoA天線陣列之一實例性經模擬實施方案之兩種模式之相位型樣差異的一圖式。
圖7係繪示根據一些實施例之具有利用一雙模AoA天線陣列用於執行一經接收RF信號之AoA分析之一電子裝置之一無線系統的一圖式。
300:雙模天線陣列/天線陣列
302:基板/介電質基板
304:第一主要表面/主要表面
308-1:輻射元件
308-2:輻射元件
310:給饋探針
312:給饋結構
314-1:給饋線/微帶型給饋線
314-2:給饋線/微帶型給饋線
316:距離
318-1:狹槽
318-2:狹槽
319:側
320-1:狹槽
320-2:狹槽
321:側/貼片側
322-1:狹槽
322-2:狹槽
323:側/貼片側
324-1:狹槽
324-2:狹槽
325:側/貼片側
330:偏振定向
332:偏振定向
334:尺寸
335:尺寸
336:尺寸
337:尺寸
338:尺寸
341:第一給饋點/候選給饋點/給饋點
342:第二給饋點/候選給饋點/給饋點
343:候選給饋點/給饋點
344:候選給饋點/給饋點
Claims (24)
- 一種經組態以接收用於到達角(AoA)分析之射頻(RF)發信號之雙模天線陣列，該天線陣列包括：一基板；一接地平面，其安置於該基板之一第一側處；及一對輻射元件，其等安置於該基板之與該第一側相對且分離達一橫向距離之一第二側處，該對之各輻射元件包括：配置成一經修改矩形形狀之導電材料，該經修改矩形形狀具有在一第一側處之一第一狹槽、在與該第一側相對之一第二側處之一第二狹槽、在一第三側處之一第三狹槽及在與該第三側相對之一第四側處之一第四狹槽，其中該第一狹槽及該第二狹槽各具有一深度，使得在該第一側及該第二側之各者處之該經修改矩形形狀之一周邊之一長度至少等於該經接收RF發信號中之一第一頻帶之一中心頻率之一半波長。
- 如請求項1之雙模天線陣列，其中：該第三狹槽及該第四狹槽各具有一深度，使得在該第三側及該第四側之各者處之該經修改矩形形狀之該周邊之一長度至少等於該經接收RF發信號中之一第二頻帶之一中心頻率之一半波長，該第二頻帶相對於該第一頻帶正交地偏振。
- 如請求項1或2之雙模天線陣列，其進一步包括： 一給饋探針，其安置於該基板之該第二側處且鄰近於該對輻射元件；一第一微帶型給饋線，其在一第一端處導電地連接至該給饋探針且在一第二端處連接至該對之一第一輻射元件在該第一輻射元件之一第一給饋點及一第二給饋點之各者處；及/或一第二微帶型給饋線，其在一第一端處導電地連接至該給饋探針且在一第二端處導電地連接至該對之一第二輻射元件在該第二輻射元件之一第三給饋點及一第四給饋點之各者處，該等第三及第四給饋點具有該第二輻射元件上之分別對應於該第一輻射元件之該等第一及第二給饋點之位置的位置。
- 如請求項3之雙模天線陣列，其中：該給饋探針與該第一給饋點之間的該第一微帶型給饋線之一長度實質上等於該給饋探針與該第三給饋點之間的該第二給饋線之一長度；及/或該給饋探針與該第二給饋點之間的該第一微帶型給饋線之一長度實質上等於該給饋探針與該第四給饋點之間的該第二給饋線之一長度。
- 如請求項3之雙模天線陣列，其中該等第一、第二、第三及第四給饋點具有實質上相等阻抗。
- 如請求項3之雙模天線陣列，其中該給饋探針安置於該第一輻射元件 與該第二輻射元件之間。
- 如請求項3之雙模天線陣列，其中該給饋探針鄰近於該第一輻射元件及該第二輻射元件之共線側安置。
- 如請求項3之雙模天線陣列，其中：該第一微帶型給饋線係使用導電通孔導電地耦合至該第一給饋點及該第二給饋點；及/或該第二微帶型給饋線係使用導電通孔導電地耦合至該第三給饋點及該第四給饋點。
- 如請求項1或2之雙模天線陣列，其中該橫向距離不大於該第一頻帶之該中心頻率及該第二頻帶之該中心頻率之更高者之波長的一半。
- 如請求項1或2之雙模天線陣列，其中：在該基板之一材料中，該第一側及該第二側之各者之一長度小於該第一頻帶之該中心頻率之該波長；及/或在該基板之一材料中，該第三側及該第四側之各者之一長度小於該第二頻帶之該中心頻率之該波長。
- 如請求項10之雙模天線陣列，其中：該第一頻帶之該中心頻率係6.5吉赫(GHz)；該第二頻帶之該中心頻率係8GHz； 該第一側及該第二側之各者之該長度小於13.3毫米(mm)；且該第三側及該第四側之各者之該長度小於10.8mm。
- 如請求項1或2之雙模天線陣列，其中：該第一頻帶之該中心頻率係6.5吉赫(GHz)；該第二頻帶之該中心頻率係8GHz；該第一狹槽及該第二狹槽之各者之該深度係近似1.05毫米(mm)且該第一狹槽及該第二狹槽之各者之該寬度係近似1.0mm；該第三狹槽及該第四狹槽之各者之該深度係近似3.45mm且該第三狹槽及該第四狹槽之各者之該寬度係近似1.0mm；該第一側及該第二側之各者之該長度係近似10.1mm；且該第三側及該第四側之各者之該長度係近似8.2mm。
- 如請求項12之雙模天線陣列，其中：該第一側與該相對第二側之間的該基板之一厚度不大於0.4mm。
- 一種特定言之如請求項1至13中任一項之雙模天線陣列，其經組態以接收用於到達角(AoA)分析之射頻(RF)發信號，該天線陣列包括：一給饋探針，其安置於一基板之一第一表面處；第一及第二輻射元件，其等安置於鄰近於該給饋探針之該基板之該第一表面處；及一給饋結構，其將該等第一及第二輻射元件電耦合至該給饋探針，該給饋結構包括： 一第一微帶型給饋線，其在一第一端處連接至該給饋探針且在一第二端處連接至該第一輻射元件之第一及第二給饋點；及一第二微帶型給饋線，其在一第一端處連接至該給饋探針且在一第二端處連接至該第二輻射元件之第三及第四給饋點；且該第一輻射元件上之該等第一及第二給饋點之位置分別與該第二輻射元件上之第三及第四給饋點之位置相同。
- 如請求項14之雙模天線陣列，其中該第一微帶型給饋線及該第二微帶型給饋線具有實質上相等長度。
- 如請求項14或15之雙模天線陣列，其中：該給饋探針與該第一給饋點之間的該第一微帶型給饋線之一長度實質上等於該給饋探針與該第三給饋點之間的該第二給饋線之一長度；及/或該給饋探針與該第二給饋點之間的該第一微帶型給饋線之一長度實質上等於該給饋探針與該第四給饋點之間的該第二給饋線之一長度。
- 如請求項14或15之雙模天線陣列，其中該等第一、第二、第三及第四給饋點具有實質上相等阻抗。
- 如請求項14或15之雙模天線陣列，其中該給饋探針安置於該第一輻射元件與該第二輻射元件之間。
- 如請求項14或15之雙模天線陣列，其中該給饋探針鄰近於該第一輻射元件及該第二輻射元件之共線側安置。
- 如請求項14或15之雙模天線陣列，其中：該第一微帶型給饋線係使用導電通孔導電地耦合至該第一給饋點及該第二給饋點；及/或該第二微帶型給饋線係使用導電通孔導電地耦合至該第三給饋點及該第四給饋點。
- 一種包括如請求項1至20中任一項之雙模天線陣列之電子裝置。
- 如請求項21之電子裝置，其進一步包括：一RF接收器，其導電地耦合至該給饋探針且經組態以處理在該雙頻帶天線陣列處接收之該RF發信號；及/或一基頻帶處理器，其耦合至該RF接收器且經組態以自在該雙頻帶天線陣列處接收且藉由該RF接收器處理之該RF發信號判定一或多個AoA參數。
- 一種操作如請求項21或22之電子裝置之方法，其包括：在一對之一第一輻射元件處接收RF發信號之一第一RF信號之一第一表示及在該對之一第二輻射元件處接收該RF發信號之該第一RF信號之一第二表示；及 基於該第一RF信號之該第一表示與該第二表示之間的一相位差來判定一第一AoA參數。
- 如請求項23之方法，其進一步包括：在該第一輻射元件處接收該RF發信號之一第二RF信號之一第一表示及在該第二輻射元件處接收該RF發信號之該第二RF信號之一第二表示；及基於該第二RF信號之該第一表示與該第二表示之間的一相位差來判定一第二AoA參數。
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