CN110752178A - 一种便于转移的MicroLED芯片及其制作方法、转移方法 - Google Patents
一种便于转移的MicroLED芯片及其制作方法、转移方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110752178A CN110752178A CN201911094377.7A CN201911094377A CN110752178A CN 110752178 A CN110752178 A CN 110752178A CN 201911094377 A CN201911094377 A CN 201911094377A CN 110752178 A CN110752178 A CN 110752178A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- core particles
- transfer
- sheet
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 115
- 239000007771 core particle Substances 0.000 claims abstract description 82
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 8
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 8
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims description 6
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000007480 spreading Effects 0.000 claims description 6
- 238000003892 spreading Methods 0.000 claims description 6
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 claims description 4
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 claims description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims description 3
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 3
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004606 Fillers/Extenders Substances 0.000 claims 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 7
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 6
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 3
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明公开了一种便于转移的MicroLED芯片及其制作方法、转移方法，所述芯片包括载体基板、扩展片和多个芯粒，所述芯粒包括衬底、设置在衬底正面的外延层、以及与外延层导电连接的电极，所述扩展片结合在衬底的背面，以增加芯粒的与吸嘴的接触面积，所述载体基板上设有连接点，所述芯粒的电极结合在连接点上，从而将芯粒固定在载体基板上，所述连接点由具有粘附性的导电金属制成。本发明通过在衬底地背面设置一层扩展片，以增加吸嘴与芯粒的接触面积，使得吸嘴可以稳稳地吸住芯粒，从而提高转移效率。
Description
技术领域
本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种便于转移的MicroLED芯片及其制作方法、转移方法。
背景技术
Micro LED是一种未来具有非常潜力的产品。不过由于尺寸小，一般小于50μm，需要分选机移转的次数就非常多，称作为巨量移转。
在巨量转移的过程中，芯片结合在蓝膜上，转移设备的摆臂首先移动芯片的上方，然后摆臂上的吸嘴下压到芯片上将芯片吸住，然后摆臂移动到电路基板上方，并将芯片放置在电路基本上，从而完成一次转移。
由于芯片的尺寸很小，而吸嘴的口径往往大于芯片的尺寸，因此吸嘴难以将芯片完全吸住，使得转移效率低下。
此外，由于芯片本身轻薄且小，蓝膜一般由塑胶片与胶体组成，胶体具有一定的厚度，吸嘴在下压是容易使芯片陷入胶体中，难以将芯片取出，影响转移效率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种便于转移的MicroLED芯片及其制作方法、转移方法，转移效率高。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种便于转移的MicroLED芯片，包括载体基板、扩展片和多个芯粒，所述芯粒包括衬底、设置在衬底正面的外延层、以及与外延层导电连接的电极，所述扩展片结合在衬底的背面，以增加芯粒的与吸嘴的接触面积，所述载体基板上设有连接点，所述芯粒的电极结合在连接点上，从而将芯粒固定在载体基板上，所述连接点由具有粘附性的导电金属制成。
作为上述方案的改进，所述扩展片由透明材料制成，所述透明材料为玻璃、石英、碳化硅或三氧化二铝；
所述扩展片的厚度为10～100μm。
作为上述方案的改进，所述扩展片设有切口，所述切口位于衬底的两侧，所述切口的切割深度为扩展片厚度的0.3～0.5倍。
作为上述方案的改进，所述载体基板的材料为玻璃、石英、不锈钢、塑胶或铁氟龙；
所述连接点由金、锡、铜、铝和铟中的一种或几种金属制成；
作为上述方案的改进，所述连接点的尺寸为电极尺寸的0.25～0.5倍；
所述连接点的厚度为5～30μm。
相应地，本发明还提供了一种如上述所述的便于转移的MicroLED芯片的制作方法，包括以下步骤：
提供一具有连接点的载体基板，所述连接点由具有粘附性的导电金属制成；
在连接点上涂覆胶水，并将芯粒的电极对准载体基板上的连接点，以将电极粘接在连接点上；
将扩展片结合在芯片衬底的背面上。
作为上述方案的改进，将扩展片结合在芯片衬底的背面上包括以下步骤：
在衬底的背面或扩张片上涂覆透明硅胶；
将扩展片粘贴在衬底的背面上；
对透明硅胶进行150～190℃的烘烤，以将扩展片结合在衬底的背面上。
作为上述方案的改进，将扩展片结合在芯片衬底的背面上包括以下步骤：
在衬底的背面或扩张片上涂覆透SiO2、Al2O3或ITO；
通过高压对融的方式将扩展片结合在衬底的背面上。
相应地，本发明还提供了一种MicroLED芯片的转移方法，包括以下步骤：
转移设备的摆臂移动上述所述的MicroLED芯片的上方，摆臂上的吸嘴下压到扩展片，吸嘴在吸住芯粒的同时，并将连接芯粒和载体基板的连接点压断，使得芯粒与材料基板分离；
摆臂将芯粒转移到分选机上，利用分选机的下压力将多余的扩展片压断；
摆臂将芯粒转移到电路基板上，完成转移。
相应地，本发明还提供了一种MicroLED芯片的转移方法，包括以下步骤：
转移设备的摆臂移动上述所述的MicroLED芯片的上方，摆臂上的吸嘴下压到扩展片，吸嘴在吸住芯粒的同时，并将连接芯粒和载体基板的连接点压断，使得芯粒与材料基板分离；
摆臂将芯粒转移到电路基板上，并将芯粒进行共晶，对扩展片进行碾压，使得多余的扩展片断裂，将多余的扩展片移除，完成转移。
实施本发明，具有如下有益效果：
本发明提供了一种便于转移的MicroLED芯片，包括载体基板、扩展片和多个芯粒，所述芯粒包括衬底、设置在衬底正面的外延层、以及与外延层导电连接的电极，所述扩展片结合在衬底的背面，以增加芯粒的与吸嘴的接触面积，所述载体基板上设有连接点，所述芯粒的电极结合在连接点上，从而将芯粒固定在载体基板上，所述连接点由具有粘附性的导电金属制成。
本发明通过在衬底地背面设置一层扩展片，以增加吸嘴与芯粒的接触面积，使得吸嘴可以稳稳地吸住芯粒，从而提高转移效率。
本发明通过连接点将芯粒结合在载体基板上，载体基板作为芯粒的临时基板，起到支撑的作用，在转移的时候，通过吸嘴的下压力就可以将连接点压断，从而将芯粒与载体基板分离，有效提高芯粒的转移效率。
本发明在扩扩展片上设置切口，便于去除多余的扩展片，进而提高转移效率。
附图说明
图1是本发明MicroLED芯片的结构示意图；
图2是吸嘴吸附在扩展片上的示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述。
参见图1，本发明提供的一种便于转移的MicroLED芯片，包括载体基板10、扩展片20和多个芯粒30，所述芯粒包括衬底31、设置在衬底31正面的外延层31、以及与外延层32导电连接的电极33，所述扩展片20结合在衬底31的背面，以增加芯粒30的与吸嘴的接触面积，所述载体基板10上设有连接点11，所述芯粒30的电极33结合在连接点11上，从而将芯粒30固定在载体基板10上，所述连接点由具有粘附性的导电金属制成。
本发明通过连接点将芯粒结合在载体基板上，载体基板作为芯粒的临时基板，起到支撑的作用，在转移的时候，通过吸嘴的下压力就可以将连接点压断，从而将芯粒与载体基板分离，有效提高芯粒的转移效率。本发明的载体基板的材料优选为玻璃、石英、不锈钢、塑胶或铁氟龙。
为了保证芯粒能够容易地结合在载体基板上，在转移的时候，也可以很轻易地被压断，优选的，所述连接点由金、锡、铜、铝和铟中的一种或几种金属制成。
进一步地，所述连接点的尺寸为电极尺寸的0.25～0.5倍。优选的，所述连接点的尺寸为3～20μm。若连接点的尺寸过小，连接点容易断裂，芯粒不能很好地结合在载体基板上；若连接点的尺寸过大，则芯粒与载体基板不容易分离，影响转移。优选的，所述连接点的尺寸为电极尺寸的0.25、0.3、0.35、0.4、0.45或0.5倍。
再进一步地，所述连接点的厚度为5～30μm。优选的，所述连接点的厚度为5、10、15、20、25或30μm。
参见图2，本发明通过在衬底31地背面设置一层扩展片20，以增加吸嘴40与30芯粒的接触面积，使得吸嘴可以稳稳地吸住芯粒，从而提高转移效率。
为了保证吸嘴能够吸住在芯粒的中心位置，所述扩展片由透明材料制成，这样吸嘴能够对准芯粒的中心位置。优选的，所述透明材料为玻璃、石英、碳化硅或三氧化二铝。
优选的，所述扩展片的厚度为10～100μm。若扩展片的厚度小于10μm，则厚度太薄，吸嘴在吸住扩展片的时候，扩展片容易碎裂；若扩展片的厚度大于100μm，则厚度太厚，在转移后，难以除去多余的扩展片。
由于扩展片的尺寸大于衬底的尺寸，为了避免扩展片对芯粒后续封装的影响，在芯粒完成转移后，需要对扩展片多余的部分去除，即扩展片超出衬底的部分去除。为了保证多余的扩展片能够被去除，所述扩展片设有切口，所述切口位于衬底的两侧。
优选的，所述切口的切割深度为扩展片厚度的0.3～0.5倍。具体的，所述切口的切割深度为扩展片厚度的0.3、0.35、0.4、0.45或0.5倍。
本发明切口的形状优选为V形。但在本发明的其他实施例中，所述切口的形状还可以为圆形、正方形、矩型、长方形、三角形、多边型或只是一条裂缝。
具体的，本发明采用波长为325nm或245nm的紫外激光对扩展片进行划片，以形成切口。紫外激光可以直接使固体挥发成气体，从而使得扩展片容易形成所需形状的切口。此外，本发明还可以通过切割或化学腐蚀的方法在扩展片上获得本发明所需的切口。
相应地，本发明还提供了一种便于转移的MicroLED芯片的制作方法，包括以下步骤：
提供一具有连接点的载体基板，所述连接点由具有粘附性的导电金属制成；
在连接点上涂覆胶水，并将芯粒的电极对准载体基板上的连接点，以将电极粘接在连接点上；
将扩展片结合在芯片衬底的背面上。
本发明采用载体基板来取代蓝膜，不仅给芯粒提供良好的支撑，本发明的载体基板通过连接点将芯粒结合在载体基板上，还便于芯粒与载体基板的分离，提高转移效率。
本发明的载体基板的材料优选为玻璃、石英、不锈钢、塑胶或铁氟龙。
为了保证芯粒能够容易地结合在载体基板上，在转移的时候，也可以很轻易地被压断，优选的，所述连接点由金、锡、铜、铝和铟中的一种或几种金属制成。
进一步地，所述连接点的尺寸为电极尺寸的0.25～0.5倍。优选的，所述连接点的尺寸为3～20μm。若连接点的尺寸过小，连接点容易断裂，芯粒不能很好地结合在载体基板上；若连接点的尺寸过大，则芯粒与载体基板不容易分离，影响转移。优选的，所述连接点的尺寸为电极尺寸的0.25、0.3、0.35、0.4、0.45或0.5倍。
再进一步地，所述连接点的厚度为5～30μm。优选的，所述连接点的厚度为5、10、15、20、25或30μm。
本发明通过在衬底地背面设置一层扩展片，以增加吸嘴与芯粒的接触面积，使得吸嘴可以稳稳地吸住芯粒，从而提高转移效率。
为了保证吸嘴能够吸住在芯粒的中心位置，所述扩展片由透明材料制成，这样吸嘴能够对准芯粒的中心位置。优选的，所述透明材料为玻璃、石英、碳化硅或三氧化二铝。
优选的，所述扩展片的厚度为10～100μm。若扩展片的厚度小于10μm，则厚度太薄，吸嘴在吸住扩展片的时候，扩展片容易碎裂；若扩展片的厚度大于100μm，则厚度太厚，在转移后，难以除去多余的扩展片。
由于扩展片的尺寸大于衬底的尺寸，为了避免扩展片对芯粒后续封装的影响，在芯粒完成转移后，需要对扩展片多余的部分去除，即扩展片超出衬底的部分去除。为了保证多余的扩展片能够被去除，所述扩展片设有切口，所述切口位于衬底的两侧。
优选的，所述切口的切割深度为扩展片厚度的0.3～0.5倍。具体的，所述切口的切割深度为扩展片厚度的0.3、0.35、0.4、0.45或0.5倍。
本发明切口的形状优选为V形。但在本发明的其他实施例中，所述切口的形状还可以为圆形、正方形、矩型、长方形、三角形、多边型或只是一条裂缝。
具体的，本发明采用波长为325nm或245nm的紫外激光对扩展片进行划片，以形成切口。紫外激光可以直接使固体挥发成气体，从而使得扩展片容易形成所需形状的切口。此外，本发明还可以通过切割或化学腐蚀的方法在扩展片上获得本发明所需的切口。
本发明将扩展片结合在芯粒的衬底的背面上，包括以下步骤：
在衬底的背面或扩张片上涂覆透明硅胶；
将扩展片粘贴在衬底的背面上；
对透明硅胶进行150～190℃的烘烤，以将扩展片结合在衬底的背面上。
本发明来将扩展片结合在芯粒的衬底的背面上，包括以下步骤：
在衬底的背面或扩张片上涂覆透SiO2、Al2O3或ITO；
通过高压对融的方式将扩展片结合在衬底的背面上。
本发明采用上述方法将扩展片结合在衬底的背面上，方法简单，容易操作，介衬底与扩展片结合牢固，便于后续去除多余的扩展片。
相应地，本发明还提供了一种MicroLED芯片的转移方法，包括以下步骤：
转移设备的摆臂移动芯片的上方，摆臂上的吸嘴下压到扩展片，吸嘴在吸住芯粒的同时，并将连接芯粒和载体基板的连接点压断，使得芯粒与材料基板分离；
摆臂将芯粒转移到分选机上，利用分选机的下压力将多余的扩展片压断；
摆臂将芯粒转移到电路基板上，完成转移。
相应地，本发明还提供了一种MicroLED芯片的转移方法，包括以下步骤：
转移设备的摆臂移动芯片的上方，摆臂上的吸嘴下压到扩展片，吸嘴在吸住芯粒的同时，并将连接芯粒和载体基板的连接点压断，使得芯粒与材料基板分离；
摆臂将芯粒转移到电路基板上，并将芯粒进行共晶，对扩展片进行碾压，使得多余的扩展片断裂，将多余的扩展片移除，完成转移。
需要说明的是，本发明的电路基板为TFT CMOS基板。TFT是薄膜晶体管的缩写，CMOS为互补金属氧化物半导体，电压控制的一种放大器件，是组成CMOS数字集成电路的基本单元。
本发明的MicroLED芯片，在移转后，才能通电当背光源，或是显示器光源。
以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。
Claims (10)
1.一种便于转移的MicroLED芯片，其特征在于，包括载体基板、扩展片和多个芯粒，所述芯粒包括衬底、设置在衬底正面的外延层、以及与外延层导电连接的电极，所述扩展片结合在衬底的背面，以增加芯粒的与吸嘴的接触面积，所述载体基板上设有连接点，所述芯粒的电极结合在连接点上，从而将芯粒固定在载体基板上，所述连接点由具有粘附性的导电金属制成。
2.如权利要求1所述的便于转移的MicroLED芯片，其特征在于，所述扩展片由透明材料制成，所述透明材料为玻璃、石英、碳化硅或三氧化二铝；
所述扩展片的厚度为10～100μm。
3.如权利要求2所述的便于转移的MicroLED芯片，其特征在于，所述扩展片设有切口，所述切口位于衬底的两侧，所述切口的切割深度为扩展片厚度的0.3～0.5倍。
4.如权利要求1所述的便于转移的MicroLED芯片，其特征在于，所述载体基板的材料为玻璃、石英、不锈钢、塑胶或铁氟龙；
所述连接点由金、锡、铜、铝和铟中的一种或几种金属制成。
5.如权利要求4所述的便于转移的MicroLED芯片，其特征在于，所述连接点的尺寸为电极尺寸的0.25～0.5倍；
所述连接点的厚度为5～30μm。
6.一种如权利要求1～5任一项所述的便于转移的MicroLED芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一具有连接点的载体基板，所述连接点由具有粘附性的导电金属制成；
在连接点上涂覆胶水，并将芯粒的电极对准载体基板上的连接点，以将电极粘接在连接点上；
将扩展片结合在芯片衬底的背面上。
7.如权利要求6所述的便于转移的MicroLED芯片的制作方法，其特征在于，将扩展片结合在芯片衬底的背面上包括以下步骤：
在衬底的背面或扩张片上涂覆透明硅胶；
将扩展片粘贴在衬底的背面上；
对透明硅胶进行150～190℃的烘烤，以将扩展片结合在衬底的背面上。
8.如权利要求6所述的便于转移的MicroLED芯片的制作方法，其特征在于，将扩展片结合在芯片衬底的背面上包括以下步骤：
在衬底的背面或扩张片上涂覆透SiO2、Al2O3或ITO；
通过高压对融的方式将扩展片结合在衬底的背面上。
9.一种MicroLED芯片的转移方法，其特征在于，包括以下步骤：
转移设备的摆臂移动权利要求1～5任一项MicroLED芯片的上方，摆臂上的吸嘴下压到扩展片，吸嘴在吸住芯粒的同时，并将连接芯粒和载体基板的连接点压断，使得芯粒与材料基板分离；
摆臂将芯粒转移到分选机上，利用分选机的下压力将多余的扩展片压断；
摆臂将芯粒转移到电路基板上，完成转移。
10.一种MicroLED芯片的转移方法，其特征在于，包括以下步骤：
转移设备的摆臂移动权利要求1～5任一项MicroLED芯片的上方，摆臂上的吸嘴下压到扩展片，吸嘴在吸住芯粒的同时，并将连接芯粒和载体基板的连接点压断，使得芯粒与材料基板分离；
摆臂将芯粒转移到电路基板上，并将芯粒进行共晶，对扩展片进行碾压，使得多余的扩展片断裂，将多余的扩展片移除，完成转移。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911094377.7A CN110752178A (zh) | 2019-11-11 | 2019-11-11 | 一种便于转移的MicroLED芯片及其制作方法、转移方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911094377.7A CN110752178A (zh) | 2019-11-11 | 2019-11-11 | 一种便于转移的MicroLED芯片及其制作方法、转移方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110752178A true CN110752178A (zh) | 2020-02-04 |
Family
ID=69282886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911094377.7A Pending CN110752178A (zh) | 2019-11-11 | 2019-11-11 | 一种便于转移的MicroLED芯片及其制作方法、转移方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110752178A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113707582A (zh) * | 2020-05-22 | 2021-11-26 | 台湾爱司帝科技股份有限公司 | 芯片移转系统、芯片移转方法以及芯片移转模块 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107680983A (zh) * | 2017-10-30 | 2018-02-09 | 厦门乾照光电股份有限公司 | Micro LED阵列器件、拾取装置及相关制作方法、转运方法 |
| CN108122814A (zh) * | 2017-10-27 | 2018-06-05 | 江西乾照光电有限公司 | 一种led芯片中led芯粒的分选转移方法 |
| CN207705223U (zh) * | 2017-12-11 | 2018-08-07 | 上海九山电子科技有限公司 | 一种微型led芯片及其转移设备 |
| US20190081200A1 (en) * | 2017-09-13 | 2019-03-14 | PlayNitride Inc. | Method of manufacturing micro light-emitting element array, transfer carrier, and micro light-emitting element array |
| CN109545937A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-03-29 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种高亮度侧镀倒装led芯片及其制作方法 |
| US20190259728A1 (en) * | 2016-08-24 | 2019-08-22 | Center For Advanced Meta-Materials | Micro device transferring method, and micro device substrate manufactured by micro device transferring method |
| CN211320074U (zh) * | 2019-11-11 | 2020-08-21 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种便于转移的MicroLED芯片 |
-
2019
- 2019-11-11 CN CN201911094377.7A patent/CN110752178A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20190259728A1 (en) * | 2016-08-24 | 2019-08-22 | Center For Advanced Meta-Materials | Micro device transferring method, and micro device substrate manufactured by micro device transferring method |
| US20190081200A1 (en) * | 2017-09-13 | 2019-03-14 | PlayNitride Inc. | Method of manufacturing micro light-emitting element array, transfer carrier, and micro light-emitting element array |
| CN108122814A (zh) * | 2017-10-27 | 2018-06-05 | 江西乾照光电有限公司 | 一种led芯片中led芯粒的分选转移方法 |
| CN107680983A (zh) * | 2017-10-30 | 2018-02-09 | 厦门乾照光电股份有限公司 | Micro LED阵列器件、拾取装置及相关制作方法、转运方法 |
| CN207705223U (zh) * | 2017-12-11 | 2018-08-07 | 上海九山电子科技有限公司 | 一种微型led芯片及其转移设备 |
| CN109545937A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-03-29 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种高亮度侧镀倒装led芯片及其制作方法 |
| CN211320074U (zh) * | 2019-11-11 | 2020-08-21 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种便于转移的MicroLED芯片 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113707582A (zh) * | 2020-05-22 | 2021-11-26 | 台湾爱司帝科技股份有限公司 | 芯片移转系统、芯片移转方法以及芯片移转模块 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105518884B (zh) | 发光装置及其制造方法 | |
| KR101799656B1 (ko) | Ｌｅｄ 구조체 및 이의 이송방법 | |
| KR100959079B1 (ko) | 열방출이 개선된 전면발광형 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법 | |
| CN112967984B (zh) | 微芯片的巨量转移方法及显示背板 | |
| TW200531303A (en) | Flip-chip light-emitting device with micro reflector | |
| JP7029053B2 (ja) | 発光モジュール | |
| CN103579477B (zh) | 基于通孔技术的倒装发光二极管芯片封装方法 | |
| CN102354723B (zh) | 一种倒装半导体发光器件及其制造方法 | |
| KR101876008B1 (ko) | Ｌｅｄ 구조체 및 이의 전사방법 | |
| CN102104090B (zh) | 发光二极管芯片固晶方法、固晶的发光二极管及芯片结构 | |
| CN112292754A (zh) | 用于将微器件同时转移到目标对象的装置 | |
| CN101488544B (zh) | 发光元件及其制造方法 | |
| CN102903705A (zh) | 发光二极管封装结构及其制造方法 | |
| CN211320074U (zh) | 一种便于转移的MicroLED芯片 | |
| CN110752178A (zh) | 一种便于转移的MicroLED芯片及其制作方法、转移方法 | |
| CN113284819A (zh) | 一种巨量转移方法 | |
| WO2020258644A1 (zh) | 一种microled芯片的转移方法 | |
| TWI268003B (en) | Manufacturing method of LED | |
| JP4581664B2 (ja) | 半導体基板の製造方法、半導体素子の製造方法及び電気光学装置の製造方法 | |
| TWI228326B (en) | Structure of light emitting diode and manufacture method of the same | |
| CN112736175B (zh) | 微led芯片、生长基板、显示面板以及微led芯片的转移方法 | |
| TW543211B (en) | Manufacturing method of LED having transparent conduction adhesion layer | |
| CN112736184B (zh) | 一种高功率芯片封装散热结构及其制备方法 | |
| US20220085265A1 (en) | Micro led display and manufacturing method therefor | |
| CN117542927A (zh) | 一种芯片转移装置及芯片转移方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |