CN110736567A - 测温芯片的温度测量方法、测温芯片及可读存储介质 - Google Patents
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Abstract
一种测温芯片的温度测量方法、测温芯片及可读存储介质，所述测温芯片的温度测量方法包括：测量并获取测温芯片对应的第一温度，所述第一温度为所述测温芯片自身的实际温度；检测所述测温芯片接收到的电磁场能量，根据所述电磁场能量计算所述测温芯片对应的第二温度；基于所述第一温度和所述第二温度，获取所述测温芯片对应的目标测量物的温度。应用上述方案，可以提高测温芯片的温度测量精度。
Description
技术领域
本发明实施例涉及射频应用技术领域，尤其涉及一种测温芯片的温度测量方法、测温芯片及可读存储介质。
背景技术
随着射频识别(Radio Frequency Identification，RFID)技术的广泛应用，基本的信息读取已经无法满足日益丰富的应用需求，大数据的实现获得越来越多的重视。物联网的实现不仅要获取目标对象的基本信息，还需要更多实时的特征信息，例如位置信息，时间信息，个体信息等。其中，温度信息就是一项重要的信息，尤其是在冷链物流中至关重要。
在RFID测温芯片中，通过温度传感器实现测温功能。将RFID测温芯片放置在目标对象上或者目标环境中，由于热对流、热传导和热辐射的热传递作用，RFID测温芯片会达到和目标对象上或者目标环境相似的温度。当收到读卡器(Reader)发送测量温度的命令后，RFID测温芯片(RFID TAG)从读卡器发射的电磁场获取能量从而启动工作，解析收到的命令，测量芯片本身的温度，然后将测量结果反馈至读卡器。
在现有的芯片测温方法中，直接测量芯片本身的温度作为目标对象或者目标环境的温度。由于芯片在测温过程中消耗能量会产生自加热效应，导致芯片本身的温度与目标对象或者目标环境的温度不完全一致，会导致测温结果出现误差，降低测温精度。
发明内容
本发明实施例解决的技术问题是如何提高测温芯片的温度测量精度。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种测温芯片的温度测量方法，所述方法包括：测量并获取测温芯片对应的第一温度，所述第一温度为所述测温芯片自身的实际温度；检测所述测温芯片接收到的电磁场能量，根据所述电磁场能量计算所述测温芯片对应的第二温度；基于所述第一温度和所述第二温度，获取所述测温芯片对应的目标测量物的温度。
可选地，所述测量并获取测温芯片对应的第一温度包括：采用模拟-数字转换器提取双极型晶体管基极-发射极电压差的采样值；基于所述采样值，计算获取所述测温芯片对应的第一温度。
可选地，在基于所述采样值，计算获取所述测温芯片对应的第一温度之前，还包括：对所述采样值进行数字化操作。
可选地，所述基于所述采样值，计算获取所述测温芯片对应的第一温度包括：根据如下公式，计算获取所述测温芯片对应的第一温度：
其中，k为玻尔兹曼常数，T为所述测温芯片对应的第一温度，q为库伦常数，n为双极型晶体管1的集电极电流与双极型晶体管2的集电极电流之比，ΔVbe为所述采样值。
可选地，所述基于所述采样值，计算获取所述测温芯片对应的第一温度还包括：基于绝对温度和摄氏温度之间的转换关系，将所述测温芯片对应的第一温度转换为摄氏温度。
可选地，所述检测所述测温芯片接收到的电磁场能量，根据所述电磁场能量计算所述测温芯片对应的第二温度包括：测量所述测温芯片接收的电磁场信号；基于所接收的电磁场信号，计算电磁场信号的平均功率；根据所述电磁场信号的平均功率，计算所述测温芯片对应的第二温度。
可选地，所述测量所述测温芯片接收的电磁场信号包括：利用模拟-数字转换器对接收到的电磁场信号进行采样，获取电磁场信号的幅度值。
可选地，所述基于所接收的电磁场信号，计算电磁场信号的平均功率包括：根据如下公式计算电磁场信号的平均功率：
其中Pavg为所述电磁场信号的平均功率，A为所述电磁场信号的幅度值，R为所述测温芯片的内阻。
可选地，所述根据所述电磁场信号的平均功率，计算所述测温芯片对应的第二温度包括：根据如下公式计算所述测温芯片对应的第二温度：
ΔT＝Pavg*Rjc；
其中ΔT为所述测温芯片对应的第二温度，Rjc为所述测温芯片的热阻，Pavg为所述电磁场信号的平均功率。
可选地，所述基于所述第一温度和所述第二温度，获取所述测温芯片对应的目标测量物的温度包括：基于如下公式，计算并生成所述测温芯片对应的目标测量物的温度：
Tamb＝Tchip-ΔT；
其中Tchip表示所述第一温度，Tamb表示所述测温芯片对应的目标测量物的温度，ΔT表示所述第二温度。
本发明实施例提供一种测温芯片，其特征在于，包括：第一获取单元，适于测量并获取测温芯片对应的第一温度，所述第一温度为所述测温芯片自身的实际温度；第二获取单元，适于检测所述测温芯片接收到的电磁场能量，根据所述电磁场能量计算所述测温芯片对应的第二温度；第三获取单元，适于基于所述第一温度和所述第二温度，获取所述测温芯片对应的目标测量物的温度。
可选地，所述第一获取单元，适于采用模拟-数字转换器提取双极型晶体管基极-发射极电压差的采样值；基于所述采样值，计算获取所述测温芯片对应的第一温度。
可选地，所述测温芯片还包括：处理单元，适于对所述采样值进行数字化操作。
可选地，所述第一获取单元，适于根据如下公式，计算获取所述测温芯片对应的第一温度：
其中，k为玻尔兹曼常数，T为所述测温芯片对应的第一温度，q为库伦常数，n为双极型晶体管1的集电极电流与双极型晶体管2的集电极电流之比，ΔVbe为所述采样值。
可选地，所述第一获取单元，还适于基于绝对温度和摄氏温度之间的转换关系，将所述测温芯片对应的第一温度转换为摄氏温度。
可选地，所述第二获取单元包括：测量子单元，适于测量所述测温芯片接收的电磁场信号；第一计算子单元，适于基于所接收的电磁场信号，计算电磁场信号的平均功率；第二计算子单元，适于根据所述电磁场信号的平均功率，计算所述测温芯片对应的第二温度。
可选地，所述测量子单元，适于利用模拟-数字转换器对接收到的电磁场信号进行采样，获取电磁场信号的幅度值。
可选地，所述第一计算子单元，适于根据如下公式计算电磁场信号的平均功率：
其中Pavg为所述电磁场信号的平均功率，A为所述电磁场信号的幅度值，R为所述测温芯片的内阻。
可选地，所述第二计算子单元，适于根据如下公式计算所述测温芯片对应的第二温度：
ΔT＝Pavg*Rjc；
其中ΔT为所述测温芯片对应的第二温度，Rjc为所述测温芯片的热阻，Pavg为所述电磁场信号的平均功率。
可选地，所述第三获取单元，适于基于如下公式，计算并生成所述测温芯片对应的目标测量物的温度：
Tamb＝Tchip-ΔT；
其中Tchip表示所述第一温度，Tamb表示所述测温芯片对应的目标测量物的温度，ΔT表示所述第二温度。
本发明实施例提供一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质为非易失性存储介质或非瞬态存储介质，其上存储有计算机指令，所述计算机指令运行时执行上述任一种所述方法的步骤。
本发明实施例提供一种测温芯片，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有可在所述处理器上运行的计算机指令，所述处理器运行所述计算机指令时执行上述任一种所述方法的步骤。
与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：
本发明实施例通过测量并获取测温芯片对应的第一温度，检测测温芯片接收到的电磁场能量，根据所述电磁场能量计算测温芯片对应的第二温度，然后基于第一温度和第二温度，获取测温芯片对应的目标测量物的温度。由于第二温度考虑了测温芯片在测量过程中接收电磁场能量产生的自加热效应，使得基于第一温度和第二温度获取的目标测量物的温度更接近真实的目标测量物的温度。故应用上述温度测量方法，可以提高测温芯片的温度测量精度。
进一步，将接收到的电磁场信号的最大电压幅度值作为模拟输入量，利用ADC对电磁场信号进行数字化采样，获取电磁场信号的幅度值，可以方便后续的数字模块计算，提高测温芯片的温度测量效率。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种测温芯片的温度测量方法的流程图；
图2是本发明实施例提供的一种测温芯片的结构示意图。
具体实施方式
在现有的芯片测温方法中，直接测量芯片本身的温度作为目标对象或者目标环境的温度。由于芯片在测温过程中消耗能量会产生自加热效应，导致芯片本身的温度与目标对象或者目标环境的温度不完全一致，会导致测温结果出现误差，降低测温精度。
本发明实施例通过测量并获取测温芯片对应的第一温度，检测测温芯片接收到的电磁场能量，根据所述电磁场能量计算测温芯片对应的第二温度，然后基于第一温度和第二温度，获取测温芯片对应的目标测量物的温度。由于第二温度考虑了测温芯片在测量过程中接收电磁场能量产生的自加热效应，使得基于第一温度和第二温度获取的目标测量物的温度更接近真实的目标测量物的温度。故应用上述温度测量方法，可以提高测温芯片的温度测量精度。
为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
参见图1，本发明实施例提供了一种测温芯片的温度测量方法，可以包括如下步骤：
步骤S101，测量并获取测温芯片对应的第一温度，所述第一温度为所述测温芯片自身的实际温度。
在具体实施中，RFID测温芯片可以通过温度传感器测量自身的实际温度。将RFID测温芯片放置在对应的目标测量物，例如目标对象上或者目标环境中，由于热对流、热传导和热辐射的热传递作用，RFID测温芯片会达到和目标对象上或者目标环境相似的温度。当收到读卡器(Reader)发送测量温度的命令后，RFID测温芯片(RFID TAG)从读卡器发射的电磁场获取能量从而启动工作，解析收到的命令，测量测温芯片自身的实际温度，然后将测量结果反馈至读卡器。
在本发明一实施例中，所述测量并获取测温芯片对应的第一温度包括：采用模拟-数字转换器(ADC)提取双极型晶体管基极-发射极电压差的采样值，然后基于所述采样值，计算获取所述测温芯片对应的第一温度。
在具体实施中，ADC的理论基础为香农-奈奎斯特采样定理，即采样频率大于2倍的被采样信号最大频率时，采样结果就可以不失真地恢复被采样的模拟信号。故可以利用ADC对双极型晶体管基地-发射极电压差进行采样，并把采样结果同参考电压比较，得到经过比例化和数字化的双极型晶体管基地-发射极电压差的计量结果，即采样值。
在具体实施中，基于采样频率，ADC可以分为奈奎斯特ADC和过采样ADC。为了获得高精度的计量结果，可以采用过采样ADC，即sigma-delta过采样ADC。
在具体实施中，通过sigma-delta过采样ADC的采样值为高频率的单bit数据码流，需要经过数字电路实现降频、抽取和滤波等数字化操作，得到高精度的多位数据。
在本发明一实施例中，在基于所述采样值，计算获取所述测温芯片对应的第一温度之前，还包括：对所述采样值进行数字化操作。
在具体实施中，所述数字化操作可以包括：降频、抽取、滤波等操作，本发明实施例不做限制。
在具体实施中，双极型晶体管的基极-发射极电压的物理表达式如公式(1)所示：
其中，k为玻尔兹曼常数，T为所述测温芯片对应的第一温度(绝对温度)，q为库伦常数，Ic为集电极电流，Is为双极型晶体管饱和电流。
在具体实施中，由公式(1)可以推出计算获取所述测温芯片对应的第一温度的公式(2)如下：
其中，k为玻尔兹曼常数，T为所述测温芯片对应的第一温度，q为库伦常数，n为双极型晶体管1的集电极电流与双极型晶体管2的集电极电流之比，ΔVbe为所述采样值。
在具体实施中，由于公式(2)计算的T为绝对温度，故可以基于绝对温度和摄氏温度之间的转换关系，将所述测温芯片对应的第一温度转换为摄氏温度。
在具体实施中，可以基于公式(3)进行绝对温度和摄氏温度的转换：
t(k)＝t(c)+273.15 (3)
其中t(c)为摄氏温度，t(k)为绝对温度。
步骤S102，检测所述测温芯片接收到的电磁场能量，根据所述电磁场能量计算所述测温芯片对应的第二温度。
在具体实施中，由于测温芯片在测温过程中消耗能量会产生自加热效应，导致芯片本身的温度与目标对象或者目标环境的温度不完全一致。测温芯片在测温过程中由于消耗能量导致的温度抬升有两部分：第一部分是RFID测温芯片(Tag芯片)基本工作消耗的能量，主要是温度测量时温度传感器消耗的能量。
在不同电源模式下，例如，无源模式或者有源模式，温度传感器测量温度消耗的能量是固定的，不随电源模式而改变，因此可以认为是一种固定的温度抬升。
在实际设计中，为避免功耗过大引入的测温影响，温度传感器一般采用低功耗设计，所引起的芯片温度抬升基本可以忽略，故该部分温度抬升可以忽略不计。第二部分是RFID测温芯片在电磁场里获取电磁场能量而引起的温度抬升。在电磁场里的RFID测温芯片获得场能量的大小取决于RFID测温芯片天线接收到的电磁场场强的大小，这与RFID测温芯片到Reader的距离有关。电磁场场强越大，表明RFID测温芯片获得的能量越大。RFID测温芯片获得的电磁场能量大于芯片正常工作的能量时，多余的能量直接损耗，作用在RFID测温芯片本身的热阻上，导致RFID测温芯片的温度抬升。RFID测温芯片在处于在电磁场里不同的位置就有不同的电磁场强度，获得的多余的电磁场能量随着不同的电磁场强度而变化，所以RFID测温芯片的温度抬升也随之而变化。这个基于不同的电磁场强度引起的温度抬升是一个电磁场场强的函数，对温度传感器测量结果的影响同样是一个电磁场场强的函数。本发明实施例重点对该部分温度抬升进行校准。
在具体实施中，可以测量所述测温芯片接收的电磁场信号；然后基于所接收的电磁场信号，计算电磁场信号的平均功率；再根据所述电磁场信号的平均功率，计算所述测温芯片对应的第二温度。
在本发明一实施例中，根据公式(4)计算电磁场信号的平均功率：
其中Pavg为所述电磁场信号的平均功率，A为所述电磁场信号的幅度值，R为所述测温芯片的内阻。
在具体实施中，RFID测温芯片在电磁场接收到的电磁场信号如公式(5)所示：
V＝Asin(ωt) (5)
其中，V为电磁场能量信号电压，A为电磁场信号的幅度值，ω为信号频率，t为时间。
在具体实施中，可以把接收到的电磁场信号的最大电压幅度值作为模拟输入量，利用ADC对电磁场信号的幅度值进行数字化采样，再通过数字(Digital)模块计算电磁场场强导致的芯片温度抬升。
在本发明一实施例中，所述测量所述测温芯片接收的电磁场信号包括：利用模拟-数字转换器对接收到的电磁场信号(即模拟的电磁场信号的幅度值)进行采样，获取电磁场信号的幅度值(即数字的电磁场信号的幅度值)。
对接收到的电磁场信号的最大电压幅值提出了电压采样和保持电路，等效于计量了RFID测温芯片收到的电磁场能量的平均功率。
在具体实施中，虽然电磁场是一个瞬变的能量场，但是它对RFID测温芯片的温度的抬升是一个累积的过程，可以使用RFID测温芯片接收到的平均功率来衡量。
在本发明一实施例中，根据公式(6)计算所述测温芯片对应的第二温度：
ΔT＝Pavg*Rjc (6)
其中ΔT为所述测温芯片对应的第二温度，Rjc为所述测温芯片的热阻，Pavg为所述电磁场信号的平均功率。
在具体实施中，对于每一个RFID测温芯片，其热阻为一个可测量的、确定的数值，可以通过计量得到。
步骤S103，基于所述第一温度和所述第二温度，获取所述测温芯片对应的目标测量物的温度。
在具体实施中，可以基于公式(7)，计算并生成所述测温芯片对应的目标测量物的温度：
Tamb＝Tchip-ΔT (7)
其中Tchip表示所述第一温度，Tamb表示所述测温芯片对应的目标测量物的温度，ΔT表示所述第二温度。
通过针对接收到的电磁场信号的最大电压幅值提出了新颖的电压采样和保持电路，等效于计量了RFID测温芯片收到的电磁场能量的平均功率。
基于测温芯片热阻、电磁场平均功率和测温芯片的温度的抬升的物理关系，可以把数字化的电磁场信号的最大电压幅值的多位数据转化为测温芯片的温度的抬升多位数据，即第二温度。
应用上述方案，通过测量并获取测温芯片对应的第一温度，检测测温芯片接收到的电磁场能量，根据所述电磁场能量计算测温芯片对应的第二温度，然后基于第一温度和第二温度，获取测温芯片对应的目标测量物的温度。由于第二温度考虑了测温芯片在测量过程中接收电磁场能量产生的自加热效应，使得基于第一温度和第二温度获取的测温芯片对应的目标测量物的温度，更接近真实的目标测量物的温度。故应用上述温度测量方法，可以提高测温芯片的温度测量精度。
此外，使用了数字化的芯片温度计量技术，同时使用了因电磁场能量对芯片的温度抬升的数字化计量技术，在数字信号领域完成抵消电磁场能量引起的系统误差的自校准过程，通过数字化处理补偿因电磁场能量对芯片的温度抬升的影响，使得最终测温结果更接近于目标对象和目标环境的温度，实现了能够对电磁场能量影响进行补偿的自校准的高精度无源芯片测温技术。
为使本领域技术人员更好的理解和实施本发明，本发明实施例还提供了一种能够实现上述测温芯片的温度测量方法的测温芯片，如图2所示。
参见图2，所述测温芯片20包括：第一获取单元21、第二获取单元22和第三获取单元23，其中：
所述第一获取单元21，适于测量并获取测温芯片对应的第一温度，所述第一温度为所述测温芯片自身的实际温度。
所述第二获取单元22，适于检测所述测温芯片接收到的电磁场能量，根据所述电磁场能量计算所述测温芯片对应的第二温度。
所述第三获取单元23，适于基于所述第一温度和所述第二温度，获取所述测温芯片对应的目标测量物的温度。
在具体实施中，所述第一获取单元21，适于采用模拟-数字转换器提取双极型晶体管基极-发射极电压差的采样值；基于所述采样值，计算获取所述测温芯片对应的第一温度。
在本发明一实施例中，所述测温芯片20还包括：处理单元(未示出)，适于对所述采样值进行数字化操作。
在具体实施中，所述第一获取单元21，适于根据如下公式，计算获取所述测温芯片对应的第一温度：
其中，k为玻尔兹曼常数，T为所述测温芯片对应的第一温度，q为库伦常数，n为双极型晶体管1的集电极电流与双极型晶体管2的集电极电流之比，ΔVbe为所述采样值。
在本发明一实施例中，所述第一获取单元21，还适于基于绝对温度和摄氏温度之间的转换关系，将所述测温芯片对应的第一温度转换为摄氏温度。
在具体实施中，所述第二获取单元22包括：测量子单元221、第一计算子单元222和第二计算子单元223，其中：
所述测量子单元221，适于测量所述测温芯片接收的电磁场信号。
所述第一计算子单元222，适于基于所接收的电磁场信号，计算电磁场信号的平均功率。
所述第二计算子单元223，适于根据所述电磁场信号的平均功率，计算所述测温芯片对应的第二温度。
在本发明一实施例中，所述测量子单元221，适于利用模拟-数字转换器对接收到的电磁场信号进行采样，获取电磁场信号的幅度值。
在本发明一实施例中，所述第一计算子单元222，适于根据如下公式计算电磁场信号的平均功率：
其中Pavg为所述电磁场信号的平均功率，A为所述电磁场信号的幅度值，R为所述测温芯片的内阻。
在本发明一实施例中，所述第二计算子单元223，适于根据如下公式计算所述测温芯片对应的第二温度：
ΔT＝Pavg*Rjc；
其中ΔT为所述测温芯片对应的第二温度，Rjc为所述测温芯片的热阻，Pavg为所述电磁场信号的平均功率。
在具体实施中，所述第三获取单元23，适于基于如下公式，计算并生成所述测温芯片对应的目标测量物的温度：
Tamb＝Tchip-ΔT；
其中Tchip表示所述第一温度，Tamb表示所述测温芯片对应的目标测量物的温度，ΔT表示所述第二温度。
在具体实施中，所述测温芯片20的工作流程及原理可以参考上述实施例中提供的方法中的描述，此处不再赘述。
本发明实施例提供一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质为非易失性存储介质或非瞬态存储介质，其上存储有计算机指令，所述计算机指令运行时执行上述任一种所述方法对应的步骤，此处不再赘述。
本发明实施例提供一种测温芯片，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有能够在所述处理器上运行的计算机指令，所述处理器运行所述计算机指令时执行上述任一种所述方法对应的步骤，此处不再赘述。
本领域普通技术人员可以理解上述实施例的各种方法中的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件来完成，该程序可以存储于一计算机可读存储介质中，存储介质可以包括：ROM、RAM、磁盘或光盘等。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (22)
1.一种测温芯片的温度测量方法，其特征在于，包括：
测量并获取测温芯片对应的第一温度，所述第一温度为所述测温芯片自身的实际温度；
检测所述测温芯片接收到的电磁场能量，根据所述电磁场能量计算所述测温芯片对应的第二温度；
基于所述第一温度和所述第二温度，获取所述测温芯片对应的目标测量物的温度。
2.根据权利要求1所述的测温芯片的温度测量方法，其特征在于，所述测量并获取测温芯片对应的第一温度包括：
采用模拟-数字转换器提取双极型晶体管基极-发射极电压差的采样值；
基于所述采样值，计算获取所述测温芯片对应的第一温度。
3.根据权利要求2所述的测温芯片的温度测量方法，其特征在于，在基于所述采样值，计算获取所述测温芯片对应的第一温度之前，还包括：
对所述采样值进行数字化操作。
4.根据权利要求2所述的测温芯片的温度测量方法，其特征在于，所述基于所述采样值，计算获取所述测温芯片对应的第一温度包括：
根据如下公式，计算获取所述测温芯片对应的第一温度：
其中，k为玻尔兹曼常数，T为所述测温芯片对应的第一温度，q为库伦常数，n为双极型晶体管1的集电极电流与双极型晶体管2的集电极电流之比，ΔVbe为所述采样值。
5.根据权利要求4所述的测温芯片的温度测量方法，其特征在于，所述基于所述采样值，计算获取所述测温芯片对应的第一温度还包括：
基于绝对温度和摄氏温度之间的转换关系，将所述测温芯片对应的第一温度转换为摄氏温度。
6.根据权利要求1所述的测温芯片的温度测量方法，其特征在于，所述检测所述测温芯片接收到的电磁场能量，根据所述电磁场能量计算所述测温芯片对应的第二温度包括：
测量所述测温芯片接收的电磁场信号；
基于所接收的电磁场信号，计算电磁场信号的平均功率；
根据所述电磁场信号的平均功率，计算所述测温芯片对应的第二温度。
7.根据权利要求6所述的测温芯片的温度测量方法，其特征在于，所述测量所述测温芯片接收的电磁场信号包括：
利用模拟-数字转换器对接收到的电磁场信号进行采样，获取电磁场信号的幅度值。
8.根据权利要求6所述的测温芯片的温度测量方法，其特征在于，所述基于所接收的电磁场信号，计算电磁场信号的平均功率包括：
根据如下公式计算电磁场信号的平均功率：
其中Pavg为所述电磁场信号的平均功率，A为所述电磁场信号的幅度值，R为所述测温芯片的内阻。
9.根据权利要求6所述的测温芯片的温度测量方法，其特征在于，所述根据所述电磁场信号的平均功率，计算所述测温芯片对应的第二温度包括：
根据如下公式计算所述测温芯片对应的第二温度：
ΔT＝Pavg*Rjc；
其中ΔT为所述测温芯片对应的第二温度，Rjc为所述测温芯片的热阻，Pavg为所述电磁场信号的平均功率。
10.根据权利要求1所述的测温芯片的温度测量方法，其特征在于，所述基于所述第一温度和所述第二温度，获取所述测温芯片对应的目标测量物的温度包括：
基于如下公式，计算并生成所述测温芯片对应的目标测量物的温度：
Tamb＝Tchip-ΔT；
其中Tchip表示所述第一温度，Tamb表示所述测温芯片对应的目标测量物的温度，ΔT表示所述第二温度。
11.一种测温芯片，其特征在于，包括：
第一获取单元，适于测量并获取测温芯片对应的第一温度，所述第一温度为所述测温芯片自身的实际温度；
第二获取单元，适于检测所述测温芯片接收到的电磁场能量，根据所述电磁场能量计算所述测温芯片对应的第二温度；
第三获取单元，适于基于所述第一温度和所述第二温度，获取所述测温芯片对应的目标测量物的温度。
12.根据权利要求11所述的测温芯片，其特征在于，所述第一获取单元，适于采用模拟-数字转换器提取双极型晶体管基极-发射极电压差的采样值；基于所述采样值，计算获取所述测温芯片对应的第一温度。
13.根据权利要求12所述的测温芯片，其特征在于，还包括：
处理单元，适于对所述采样值进行数字化操作。
14.根据权利要求12所述的测温芯片，其特征在于，所述第一获取单元，适于根据如下公式，计算获取所述测温芯片对应的第一温度：
其中，k为玻尔兹曼常数，T为所述测温芯片对应的第一温度，q为库伦常数，n为双极型晶体管1的集电极电流与双极型晶体管2的集电极电流之比，ΔVbe为所述采样值。
15.根据权利要求14所述的测温芯片，其特征在于，所述第一获取单元，还适于基于绝对温度和摄氏温度之间的转换关系，将所述测温芯片对应的第一温度转换为摄氏温度。
16.根据权利要求11所述的测温芯片，其特征在于，所述第二获取单元包括：测量子单元，适于测量所述测温芯片接收的电磁场信号；
第一计算子单元，适于基于所接收的电磁场信号，计算电磁场信号的平均功率；
第二计算子单元，适于根据所述电磁场信号的平均功率，计算所述测温芯片对应的第二温度。
17.根据权利要求16所述的测温芯片，其特征在于，所述测量子单元，适于利用模拟-数字转换器对接收到的电磁场信号进行采样，获取电磁场信号的幅度值。
18.根据权利要求16所述的测温芯片，其特征在于，所述第一计算子单元，适于根据如下公式计算电磁场信号的平均功率：
其中Pavg为所述电磁场信号的平均功率，A为所述电磁场信号的幅度值，R为所述测温芯片的内阻。
19.根据权利要求16所述的测温芯片，其特征在于，所述第二计算子单元，适于根据如下公式计算所述测温芯片对应的第二温度：
ΔT＝Pavg*Rjc；
其中ΔT为所述测温芯片对应的第二温度，Rjc为所述测温芯片的热阻，Pavg为所述电磁场信号的平均功率。
20.根据权利要求11所述的测温芯片，其特征在于，所述第三获取单元，适于基于如下公式，计算并生成所述测温芯片对应的目标测量物的温度：
Tamb＝Tchip-ΔT；
其中Tchip表示所述第一温度，Tamb表示所述测温芯片对应的目标测量物的温度，ΔT表示所述第二温度。
21.一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质为非易失性存储介质或非瞬态存储介质，其上存储有计算机指令，其特征在于，所述计算机指令运行时执行权利要求1至10中任一项所述方法的步骤。
22.一种测温芯片，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有可在所述处理器上运行的计算机指令，其特征在于，所述处理器运行所述计算机指令时执行权利要求1至10中任一项所述方法的步骤。
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