CN110724928A - 掩膜板 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种掩膜板,包括板体,所述板体上设置有至少一个开口区,围绕所述开口区设置有遮挡区,所述遮挡区正面的至少部分区域设置有配重凸起。上述方案,在遮挡区正面的至少部分区域设置配重凸起,在配重凸起的作用下,可以克服掩膜板的翘曲问题,因此解决了因翘曲而导致的阴影效应,使得形成的薄膜与掩膜板的开口区相吻合,克服了因形成的薄膜大于掩膜板的开口区,而对面板四周的其他区域造成不利影响的问题。
Description
技术领域
本发明一般涉及显示技术领域,具体涉及一种掩膜板。
背景技术
有机电致发光器件(Organic Light Emitting Diode;OLED)具有功耗低,轻便,亮度高,视野宽及高对比度和反应速度快等特点,被越来越广泛的应用于各种显示设备中。
目前,大尺寸OLED的封装主要方法有薄膜封装、涂胶封装、贴膜封装等。其中,薄膜封装多以无机薄膜为主,如SiNx、SiON等。无机薄膜一般可以采用等离子体增强化学的气相沉积法来形成。在沉积形成薄膜封装时,需要通过掩膜板来界定生长薄膜的区域,但是由于掩膜板存在翘曲的问题而产生阴影效应(Shadow Effect),使得所形成的薄膜的边界超出掩膜板的开口区,而进入到掩膜板的遮挡区,对面板四周的其他区域造成不利影响。
发明内容
本申请期望提供一种掩膜板,用于解决现有技术中因掩膜板的翘曲而产生的阴影效应,致使所形成的薄膜大于掩膜板的开口区,对面板四周的其他区域造成不利影响的问题。
第一方面,本发明提供一种掩膜板,包括板体,所述板体上设置有至少一个开口区,围绕所述开口区设置有遮挡区,所述遮挡区正面的至少部分区域设置有配重凸起。
进一步地,所述配重凸起为条状凸起,所述条状凸起围绕所述开口区连续设置。
进一步地,所述配重凸起面向所述开口区的侧面与所述开口区的开口平齐。
进一步地,所述开口区为矩形,所述配重凸起至少位于所述矩形的角部,且角部的所述配重凸起的重量大于其余位置的所述配重凸起。
进一步地,角部的所述配重凸起在所述掩膜板厚度方向上的高度大于其余位置的所述配重凸起。
进一步地,角部的所述配重凸起的高度为45-55μm,其余位置的所述配重凸起的高度为25-35μm。
进一步地,所述配重凸起自所述开口垂直于所述板体外周的方向的宽度为0.9-1.1mm。
进一步地,所述板体和/或所述配重凸起的材料为因瓦合金或不锈钢。
进一步地,所述配重凸起焊接固定于所述板体的正面。
进一步地,垂直于所述配重凸起长度延伸的方向上,所述配重凸起的截面为平底弧形、三角形、梯形或多边形。
上述方案,在遮挡区正面的至少部分区域设置配重凸起,在配重凸起的作用下,可以克服掩膜板的翘曲问题,因此解决了因翘曲而导致的阴影效应,使得形成的薄膜与掩膜板的开口区相吻合,克服了因形成的薄膜大于掩膜板的开口区,而对面板四周的其他区域造成不利影响的问题。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1为本发明实施例提供的掩膜板的主视图;
图2为图1的A-A剖面图;
图3为图1的B-B剖面图;
图4为本发明实施例提供的掩膜板的使用状态图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明,而非对该发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与发明相关的部分。
需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
掩膜板在使用时,其罩在其他部件之上,以进行对应的工艺过程,掩膜板朝向上述其他部件的一面为背面,与背面相背的一面为正面。例如但不限于,掩膜板罩在玻璃基板上进行薄膜封装层的成型,掩膜板面向玻璃基板的一面为背面,掩膜板背离玻璃基板的一面为正面。正面与背面之间的距离为该掩膜板的厚度。
图1为本发明实施例示出的一种掩膜板,该掩膜板例如但不限于应用于等离子体增强化学的气相沉积法形成薄膜封装层。该掩膜板包括板体1,板体1例如但不限于为金属薄板,该金属薄板的材料可以是金属单质,也可以是合金;板体1上设置有至少一个开口区3,一般可以设置多个开口区3以提高生产效率,开口区3用于界定薄膜生长的边界,该开口区3可以但不限于通过在板体1上冲压去一部分材料形成,经冲压后需要对开口区3进行去毛刺等工艺处理,以使开口区3光滑,若开口区3有毛刺,将掩膜板放置在基板上的过程中,存在将基板划伤的问题,基板划伤后,一部分成膜的材料会进入到划痕内,造成所成膜的表面具有一定的凸楞,使得最终形成的薄膜质量较差,进而影响到面板的成像质量,而对开口区3进行去毛刺后,其不会对进行成膜过程中的基板造成损伤,保证了成膜质量;围绕开口区3设置有遮挡区5,可以认为板体1除去开口区3之外的位置为遮挡区5,遮挡区5正面的至少部分区域设置有配重凸起2。
上述方案,在遮挡区5正面的至少部分区域设置配重凸起2,在配重凸起2的作用下,可以克服掩膜板的翘曲问题,因此解决了因翘曲而导致的阴影效应,使得形成的薄膜与掩膜板的开口区3相吻合,克服了因形成的薄膜大于掩膜板的开口区3,而对面板四周的其他区域造成不利影响的问题。
进一步地,为了更好的防止掩膜板发生翘曲,配重凸起2采用条状凸起,该条状凸起围绕开口区连续设置。例如但不限于围绕着开口区3设置一圈条状凸起,也可以设置两圈或多圈条状凸起。使用时,设置的这一圈条状凸起将掩膜板开口区3外的遮挡区5紧紧的压在用于成膜的基板上,使得开口区3外的遮挡区5与基板之间没有间隙,因此在成膜的过程中,不会有材料进入到遮挡区5的下方,因此克服了基板翘曲而存在的阴影效应。
进一步地,配重凸起2可以设置在遮挡区5任意需要的位置,作为一种优选的实现方式,配重凸起2面向开口区的侧面与开口区3的开口4平齐,这样可以尽最大限度的保证遮挡区位于开口区3一侧的边缘与成膜的基板紧紧的贴合在一起,使得防止成膜的材料进入到遮挡区的下方,因此克服了基板翘曲而存在的阴影效应。
进一步地,作为一种可实现方式,开口区3为矩形,那么掩膜板位于该矩形的角部是比较容易发生翘曲的位置,且翘曲的幅度是最大的,因此将配重凸起2至少设置在矩形的角部,且角部的配重凸起2的重量大于其余位置的配重凸起2,以对矩形的边角附近发生的翘曲进行有效的抑制。
进一步地,作为其中一种可实现方式,为了便于制作,配重凸起2的宽度可以保持一致,而通过高度的不同来改变不同位置配重凸起2的重量,为了使角部的配重凸起2大于其余部位,那么角部的配重凸起2在掩膜板厚度方向上的高度大于其余位置的配重凸起2。当然,也可以是改变配重凸起2的宽度而保持高度统一,或高度与宽度均改变的方式来调整不同部位配重凸起2的重量。参见图2及图3。其中,图2中也即A-A剖面中配重凸起2的高度H1及宽度W1均大于图3中也即B-B剖面中配重凸起2的高度H2及宽度W2。
进一步地,作为其中一种可实现方式,角部的配重凸起2的高度为45-55μm,例如但不限于50μm;其余位置的配重凸起2的高度为25-35μm,例如但不限于30μm。
进一步地,作为其中一种可实现方式,为了适应于窄边框面板的制作,配重凸起2自开口垂直于板体外周的方向的宽度为0.9-1.1mm,例如但不限于1mm,随着配重凸起2宽度的降低,两开口区之间的遮挡区5的宽度亦可以相对降低,其宽度只要可以用来设置配重凸起2即可。
进一步地,板体1和/或配重凸起2的材料可以但不限于为Invar(因瓦合金)或svs(不锈钢),即板体1为因瓦合金板或不锈钢板;和/或,配重凸起2为因瓦合金条或不锈钢条。Invar及svs常温下具有很低的热膨胀系数,采用低膨胀系数的材料,可以提高该掩膜板的使用精度。
进一步地,配重凸起2焊接固定于板体1的正面。
进一步地,垂直于配重凸起2长度延伸的方向上,配重凸起2的截面为平底弧形、三角形、梯形或多边形。这里所说的平底弧形是指,其中一边为线段,另一边为弧线,弧线的两端与线段的两端对应连接。
如图4所示,该掩膜板7在使用时,首先将基板8(例如玻璃基板)放置在基板承载台6上,然后将该掩膜板7罩在基板8上,通过化学气相沉积设备在开口区的基板上沉积生长薄膜,薄膜的材料例如可以为SiNx、SiON等。
以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解,本申请中所涉及的发明范围,并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案,同时也应涵盖在不脱离发明构思的情况下,由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。
Claims (10)
1.一种掩膜板,其特征在于,包括板体,所述板体上设置有至少一个开口区,围绕所述开口区设置有遮挡区,所述遮挡区正面的至少部分区域设置有配重凸起。
2.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述配重凸起为条状凸起,所述条状凸起围绕所述开口区连续设置。
3.根据权利要求2所述的掩膜板,其特征在于,所述配重凸起面向所述开口区的侧面与所述开口区的开口平齐。
4.根据权利要求1-3任一所述的掩膜板,其特征在于,所述开口区为矩形,所述配重凸起至少位于所述矩形的角部,且角部的所述配重凸起的重量大于其余位置的所述配重凸起。
5.根据权利要求4所述的掩膜板,其特征在于,角部的所述配重凸起在所述掩膜板厚度方向上的高度大于其余位置的所述配重凸起。
6.根据权利要求5所述的掩膜板,其特征在于,角部的所述配重凸起的高度为45-55μm,其余位置的所述配重凸起的高度为25-35μm。
7.根据权利要求4所述的掩膜板,其特征在于,所述配重凸起自所述开口垂直于所述板体外周的方向的宽度为0.9-1.1mm。
8.根据权利要求1-3任一所述的掩膜板,其特征在于,所述板体和/或所述配重凸起的材料为因瓦合金或不锈钢。
9.根据权利要求8所述的掩膜板,其特征在于,所述配重凸起焊接固定于所述板体的正面。
10.根据权利要求2或3所述的掩膜板,其特征在于,垂直于所述配重凸起长度延伸的方向上,所述配重凸起的截面为平底弧形、三角形、梯形或多边形。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112080721A (zh) * | 2020-09-16 | 2020-12-15 | 云谷(固安)科技有限公司 | 掩膜板及其制备方法、显示基板及显示装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1626103A2 (en) * | 2004-07-15 | 2006-02-15 | Samsung SDI Co., Ltd. | Mask frame assembly for depositing thin layer and organic light emitting display device manufactured using the mask frame assembly |
KR20080011572A (ko) * | 2006-07-31 | 2008-02-05 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 제조용 증착 장치 |
CN204361134U (zh) * | 2014-12-22 | 2015-05-27 | 信利(惠州)智能显示有限公司 | 一种oled蒸镀用掩膜板支撑架 |
CN105951042A (zh) * | 2016-07-01 | 2016-09-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板及其制作方法 |
US20160322572A1 (en) * | 2015-04-28 | 2016-11-03 | Au Optronics Corporation | Mask |
CN108004504A (zh) * | 2018-01-02 | 2018-05-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜板 |
CN108359933A (zh) * | 2018-03-23 | 2018-08-03 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 成膜组件及其承载组件、成膜方法 |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1626103A2 (en) * | 2004-07-15 | 2006-02-15 | Samsung SDI Co., Ltd. | Mask frame assembly for depositing thin layer and organic light emitting display device manufactured using the mask frame assembly |
KR20080011572A (ko) * | 2006-07-31 | 2008-02-05 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 제조용 증착 장치 |
CN204361134U (zh) * | 2014-12-22 | 2015-05-27 | 信利(惠州)智能显示有限公司 | 一种oled蒸镀用掩膜板支撑架 |
US20160322572A1 (en) * | 2015-04-28 | 2016-11-03 | Au Optronics Corporation | Mask |
CN105951042A (zh) * | 2016-07-01 | 2016-09-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板及其制作方法 |
CN108004504A (zh) * | 2018-01-02 | 2018-05-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜板 |
CN108359933A (zh) * | 2018-03-23 | 2018-08-03 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 成膜组件及其承载组件、成膜方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112080721A (zh) * | 2020-09-16 | 2020-12-15 | 云谷(固安)科技有限公司 | 掩膜板及其制备方法、显示基板及显示装置 |
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