CN110718440A - 原子层刻蚀设备及刻蚀方法 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供了一种原子层刻蚀设备及刻蚀方法。该原子层刻蚀设备包括：工艺腔室、上射频组件及辅助等离子体产生装置；上射频组件用于向工艺腔室内施加射频功率，以将进入所述工艺腔室内的工艺气体激发为等离子体；辅助等离子体产生装置用于向工艺腔室内输送电子，以使等离子体稳定在感性耦合放电模式。本申请实施例实现了工艺腔室可以快速进入感性耦合放电模式，缩减了等离子体进入感性耦合放电模式时间，缩减原子层每个操作周期时间，从而提高原子层刻蚀效率以及工艺良率。

Description

原子层刻蚀设备及刻蚀方法

技术领域

本申请涉及原子层刻蚀技术领域，具体而言，本申请涉及一种原子层刻蚀设备及刻蚀方法。

背景技术

目前，在原子层刻蚀工艺中，需要分别通入化学活性气体(如氯气)和惰性气体(如氩气)，放电方式通常采用感性耦合放电方式。原子层刻蚀工艺中一个操作周期一般包括四个步骤：(1)吸附步骤，基片表面暴露于反应气体，工艺气体通入工艺腔室中且经电离后形成弱等离子体，工艺气体吸附活性粒子并形成吸附层；(2)去除步骤，去除反应剩余的工艺气体；(3)刻蚀步骤，吸附层暴露于惰性气体，经电离后等离子体，被惰性离子轰击基片表面进而产生溅射，同时移除基片顶层原子；(4)清除步骤：清除刻蚀产物，完成一个操作周期。

但是在现有技术中，原子层刻蚀一般采用射频电源将射频功率施加在感应线圈上，反应腔体将产生感应磁场，根据法拉第感应定律，磁场又将产生感应电场，电子被加速不断与原子或分子碰撞电离形成等离子体，因此射频功率的吸收是通过线圈与等离子体之间的耦合来实现的。对于低线圈电流情况，等离子体放电处于容性耦合放电模式，随着线圈电流增加，当吸收功率达到最大值之后，电子密度逐渐增加，处于感性耦合放电模式，电子密度快速超过10¹⁶m^-3。在实际刻蚀中要求等离子体工作在感性耦合放电模式，但是从等离子体启辉到通过匹配到达等离子体稳定状态即感性耦合放电模式，通常需要5～15 秒的时间，这很难实现原子层刻蚀工艺要求，在原子层刻蚀工艺一个操作周期中，要求吸附和刻蚀步骤只有2～12秒的工艺时间，而若等离子体启辉时间过长，需要在每一个操作周期都消耗大量的时间，使得刻蚀效率过低，另外由每个步骤中剩余气体去除不完全，还对工艺质造成严重影响。

发明内容

本申请针对现有方式的缺点，提出一种原子层刻蚀设备及刻蚀方法，用以解决现有技术存在的刻蚀效率及剩余气体去除不完全的技术问题。

第一个方面，本申请实施例提供了一种原子层刻蚀设备，包括：工艺腔室、上射频组件及辅助等离子体产生装置；所述上射频组件用于向所述工艺腔室内施加射频功率，以将进入所述工艺腔室内的工艺气体激发为等离子体；所述辅助等离子体产生装置用于向所述工艺腔室内输送电子，以使所述等离子体稳定在感性耦合放电模式。

于本申请的一实施例中，所述辅助等离子体产生装置包括发生器及传输器，所述发生器通过所述传输器与所述工艺腔室连接。

于本申请的一实施例中，所述辅助等离子体产生装置还包括镇流器，所述镇流器与所述发生器电连接，用于调整所述发生器的电流。

于本申请的一实施例中，所述发生器为紫外线灯。

于本申请的一实施例中，所述发生器为电子枪，所述传输器真空传输介质；所述电子枪用于产生电子束并且通过所述真空传输介质传输至所述工艺腔室内。

于本申请的一实施例中，所述原子层刻蚀设备还包括监测装置，所述监测装置设置于所述工艺腔室内，用于监测所述工艺腔室内等离子体的放电模式。

于本申请的一实施例中，所述原子层刻蚀设备还包括下射频组件，所述工艺腔室内设置有用于承载基片的基座；所述下射频组件包括下射频电源及下匹配器，所述下射频电源通过所述下匹配器与所述基座连接，用于在所述基座上形成偏压电场。

第二个方面，本申请实施例提供了一种原子层刻蚀方法，应用于如第一个方面提供的原子层刻蚀设备，包括如下步骤：

吸附步骤，向工艺腔室内通入第一工艺气体，开启上射频组件及辅助等离子体产生装置，根据工艺腔室内等离子体的放电模式控制辅助等离子体产生装置的工作状态，以使等离子体稳定在感性耦合放电模式。

去除步骤，关闭辅助等离子体产生装置，去除第一工艺气体。

刻蚀步骤，向工艺腔室内通入第二工艺气体，开启上射频组件及辅助等离子体产生装置，根据等离子体的放电模式控制辅助等离子体产生装置的工作状态。

清除步骤，清除第二工艺气体及刻蚀产物。

于本申请的一实施例中，监测并判断等离子体是否稳定在感性耦合放电模式；若是，则关闭辅助等离子体产生装置；否则，调整辅助等离子体产生装置的功率，以使等离子体稳定在感性耦合放电模式。

于本申请的一实施例中，所述第一工艺气体为活性气体，所述第二工艺气体为惰性气体。

本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果是：

本申请实施例通过设置有辅助等离子体产生装置，可以在上射频组件工作的基础上，使得工艺腔室可以快速进入感性耦合放电模式，缩减了等离子体进入感性耦合放电模式时间，缩减原子层每个操作周期时间，从而提高原子层刻蚀效率以及工艺良率。进一步的，由于采用上述设计，可以避免现有技术中需要在去除步骤中维持等离子体启辉状态，可以在操作周期的每个步骤后更加彻底的去除剩余工艺气体，真正实现原子层刻蚀工艺要求的各步骤之间反应分离，有助于对工艺损伤和均匀性的实现精确控制。

本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

附图说明

本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为本申请实施例提供的一种原子层刻蚀设备的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的一种发生器与工艺腔室配合的结构示意图；

图3为本申请实施例提供的一种原子层刻蚀方法的流程示意图。

具体实施方式

下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。

下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。

第一个方面，本申请实施例提供了一种原子层刻蚀设备，该原子层刻蚀设备的结构示意图如图1所示，包括：工艺腔室1、上射频组件2及辅助等离子体产生装置3；上射频组件2用于向工艺腔室1 内施加射频功率，以将进入工艺腔室内的工艺气体激发为等离子体；辅助等离子体产生装置3用于向工艺腔室1内输送电子，以使等离子体稳定在感性耦合放电模式。

如图1所示，工艺腔室1可以是采用铝合金或者不锈材质制成的可以维持在真空状态下的反应腔体。工艺腔室1在实际应用时，其可以至少通入两种工艺气体，例如可以分别为活性气体和惰性气体，本申请实施例并不以此为限。上射频组件2具体可以采用耦合放电模式的组件，上射频组件2可以设置于工艺腔室1的外侧，并且向工艺腔室1内施加射频功率，以将进入工艺腔室1内的工艺气体激发为等离子体，并且使工艺腔室1处于容性耦合放电模式。辅助等离子体产生装置3可以向工艺腔室1内输入电子，从而可以将工艺气体激发为等离子体，以提高工艺腔室1进入感性耦合放电模式的速度，从而使得等离子体可以处于在感性耦合放电模式下，以便于进行原子层刻蚀工艺。

本申请实施例通过设置有辅助等离子体产生装置，可以在上射频组件工作的基础上，使得工艺腔室可以快速进入感性耦合放电模式，缩减了等离子体进入感性耦合放电模式时间，缩减原子层每个操作周期时间，从而提高原子层刻蚀效率以及工艺良率。进一步的，由于采用上述设计，可以避免现有技术中需要在去除步骤中维持等离子体启辉状态，可以在操作周期的每个步骤后更加彻底的去除剩余工艺气体，真正实现原子层刻蚀工艺要求的各步骤之间反应分离，有助于对工艺损伤和均匀性的实现精确控制。

需要说明的是，本申请实施例并不限定工艺腔室1及在上射频组件2的具体实施方式，例如工艺腔室1也可以采用其它抗腐蚀的材料制成。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，辅助等离子体产生装置3包括发生器 31及传输器32，发生器31通过传输器32与工艺腔室1连接。如图 1所示，发生器31可以设置于工艺腔室1外侧，其可以采用多种类型的电子发生器31，本申请实施例并不以此为限。传输器32可以设置于发生器31及工艺腔室1之间，其可以将发生器31产生的电子或者电子束传输至工艺腔室1内部。传输器32具体可以采用与发生器 31配合的真空传输系统，但是本申请实施并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。采用上述设计，可以使得本申请实施例结构简单，应用也比较便捷，而且可以有效降低应用成本。

需要说明的是，本申请实施例并不限定发生器31及传输器32 的具体实施方式，例如发生器31可也可以直接设置于工艺腔室1，且不需传输器32同样可以实现上述功能。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，辅助等离子体产生装置3还包括镇流器，镇流器与发生器31电连接，用于调整发生器31的电流。可选地，发生器31为紫外线灯。

如图1所示，当发生器31为紫外线灯时，辅助等离子体产生装置3还可以包括镇流器(图中未示出)。具体来说，紫外线灯在使用时灯管两端灯丝发出大量的电子，通过内部传输器32输送到工艺腔室1中，电子在高压交变电场的作用下来回运动，当它撞击到工艺气体原子如果能量足够，便会产生冲击电离，这样被撞出的电子和气体离子在电场作用下加入运动撞出更多的离子从而形成等离子体。由于施加在紫外线灯两端电极的交变电场作用下，紫外线灯的灯管中的带电电荷来回移动形成电流，为避免电流过大，可通过镇流器限制电流增加使其维持在一个平衡状态，从而提高稳定性。采用上述设计，由于设置了紫外线灯，因此可以有效缩减等离子体进入感性耦合放电模式的时间，从而可以有效缩减原子层刻蚀工艺的操作周期时间，进而提高工艺良率。另外，由于采用了紫外线灯还可以有效降低成本，从而提高经济效益。进一步的，在实际应用时，当吸附步骤中功率足够时，可以仅采用紫外线灯来产生等离子体，这样在一个操作周期工艺中就可以就只有刻蚀步骤需要感应耦合放电模式，从而有效地降低了原子层刻蚀工艺的实现难度。

需要说明的是，并非本申请所有实施例都必须包含镇流器，在一些其它实施例中也可以不包括镇流器，只要可以实现类似功能即可。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，发生器31为电子枪，传输器32为真空传输介质；电子枪用于产生电子束并且通过真空传输介质传输至工艺腔室1内。可选地，真空传输介质的类型为连续真空或者不连续真空。

如图2所示，发生器31具体可以采用电子枪，电子枪具体来说可以用于产生电子束的产生，其一般是通过热阴极发射电子，经过高压电源加速电子，从而得到所需要能量的电子束。然后通过轴向上聚焦线圈磁场的作用来实现电子束的聚焦，之后可以通过传输器32对电子束进行传输。传输器32具体来说可以采用真空传输介质，以将电子束传输至工艺腔室1中，但是针对于脉冲电子束，可以通过不连续真空系统来传输至工艺腔室1内；而连续电子束则可以通过连续真空系统传输至工艺腔室1内，即通过多级差分真空，使得气压在电子束传输途径中连续升高，最终引出到电子束等离子体产生的高气压区域。采用上述设计，通过电子束等离子体因其特有能量馈入方式，明显提高了等离子体的产生效率，提升了能量利用率。鉴于电子束等离子体中存在外界注入电子的特性，可有效缩短容性耦合放电模式至感性耦合放电模式的转换时间，缩减原子层刻蚀工艺的一个操作周期时间。进一步的，在实际应用时，当吸附步骤中功率足够时，可以仅电子枪来产生等离子体，这样在一个操作周期工艺中就可以就只有刻蚀步骤需要感应耦合放电模式，从而有效地降低了原子层刻蚀工艺的实现难度。

于本申请的一实施例中，如图1所示，原子层刻蚀设备还包括监测装置4，监测装置4设置于工艺腔室1内，用于监测工艺腔室1 内等离子体的放电模式。监测装置4可以对工艺腔室1的放电模式进行监测，例如当监测到工艺腔室1处于感性耦合放电模式时，监测装置4可以将监测结果发送到控制装置7，控制装置7可以控制本申请实施例用于执行原子层刻蚀工艺。可选地，监测装置4可以通过监控工艺腔室1内的等离子体强度，确认是否进入感性耦合放电模式。采用上述设计，可以有效提高本申请实施例的自动化水平，并且可以提高本申请实施例的工艺良率。

于本申请的一实施例中，上射频组件2包括介质窗21、线圈22、上射频电源23及上匹配器24；介质窗21设置于工艺腔室1的顶部，线圈22设在介质窗21上，上射频电源23通过上匹配器24与线圈 22连接。可选地，还包括下射频组件5，工艺腔室1内设置有用于承载基片的基座6；下射频组件5包括下射频电源51及下匹配器52，下射频电源51通过下匹配器52与基座6连接，用于在基座6上形成偏压电场。

如图1所示，上射频组件2可以包括介质窗21、线圈22、上射频电源23及上匹配器24。其中上射频电源23可以用于提供射频功率，上射频电源23的频率通常可以使用2MHz或者13.56MHz，但是本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。上射频电源23可以通过上匹配器24将射频功率施加到线圈22，然后可以经由介质窗21耦合到工艺腔室1中，从而产生等离子体。可选地，介质窗21可以采用石英等高介电常数的材料制成，但是本申请实施例并不以此为限。下射频电源51同样可以通过下匹配器52将射频功率加载到基座6上，以形成偏压电场。需要说明的是，本申请实施例并不限定上射频组件2及下射频组件5的具体实施方式，以上实施例仅作为说明本申请的原理，因此本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

基于同一发明构思，第二个方面，本申请实施例提供了一种原子层刻蚀方法，应用于如第一个方面提供的原子层刻蚀设备，该方法的流程示意图如图3所示，包括如下步骤：

S301：吸附步骤，向工艺腔室1内通入第一工艺气体，开启上射频组件2及辅助等离子体产生装置3，根据工艺腔室1内等离子体的放电模式控制辅助等离子体产生装置3的工作状态，以使等离子体稳定在感性耦合放电模式。

S302：去除步骤，关闭辅助等离子体产生装置，去除第一工艺气体。

S303：刻蚀步骤，向工艺腔室1内通入第二工艺气体，开启上射频组件2及辅助等离子体产生装置3，根据等离子体的放电模式控制辅助等离子体产生装置3的工作状态。

S304：清除步骤，清除第二工艺气体及刻蚀产物。

可选地，监测并判断等离子体是否稳定在感性耦合放电模式；若是，则关闭辅助等离子体产生装置3；否则，调整辅助等离子体产生装置3的功率，以使等离子体稳定在感性耦合放电模式。

可选地，第一工艺气体为活性气体，第二工艺气体为惰性气体。

以下将合图1至图3，对本申请实施例的刻蚀方法说明如下。在实际应用时，可以采用一控制装置7用来控制原子层刻蚀工艺的整个流程。以氮化镓刻蚀为例一个操作周期可以包括四个步骤：

S301：吸附步骤，在该步骤中可以将基片表面暴露于第一工艺气体中，例如可以采用氯气，第一工艺气体可以进入到工艺腔室1 中，经电离后形成弱等离子体，氯离子或自由基吸附活性粒子形成吸附层。

S302：去除步骤，去除第一工艺气体，在该步骤中可将工艺腔室1内的未参与反应的第一工艺气体去除，并且将工艺腔室1抽真空。

S303：刻蚀步骤，该步骤中可以将吸附层暴露于第二工艺气体中，例如可以采用氩气等惰性气体，经电离后形成等离子体，被氩离子轰击基片表面进而产生溅射，同时移除基片顶层原子。

S304：清除步骤，该步骤可以将工艺腔室1内刻蚀产物进行清除，并且可以将第二工艺气体去除，以及可以将工艺腔室1抽真空，以完成当前的操作周期。

上述原子层刻蚀工艺中有两个等离子体产生阶段，分别为步骤 S301及步骤S303。本申请实施例为提高射频耦合效率，在启辉过程中采用上射频组件2激发等离子体，然后根据等离子体的放电模式，即通过监测装置4对等离子体进行监测，当监测到等离子体为容性耦合放电模式时，由控制装置7调整辅助等离子体产生装置3的工作状态，例如开启辅助等离子体产生装置3或者将其运行功率调大，以使工艺腔室1快速进入并稳定在感性耦合放电模式。

辅助等离子体产生装置3，例如采用紫外线灯，当紫外线灯工作时会使灯管两端灯丝发出大量的电子，通过内部传输器32输送到工艺腔室1中，电子在高压交变电场作用下来回运动，当它撞击到气体原子如果能量足够，便会产生冲击电离，这样被撞出的电子和气体离子在电场作用下加入运动撞出更多的离子，形成等离子体。同时等离子体中的粒子也会来回移动会发生撞击产生更多的离子，等离子体阻抗Rcap会迅速降低，其中Rcap包括电子的容性加热(欧姆加热和随机加热)。上射频组件2放电中容性耦合放电模式至感性耦合放电模式的转换效率ξ可以近似表示为：

根据上述公式(1)，等离子体阻抗Rcap会迅速降低时，容性- 感性耦合放电模式转换效率会得到提升，通过匹配到达时间缩短，等离子体将迅速进入等离子体稳定状态，从而缩短了步骤S301和步骤 S303的工序时间，并且不需要在步骤S302附段仍维持等离子体启辉状态，可更加彻底的去除剩余工艺气体，实现原子层刻蚀工艺要求的各步之间反应分离。进一步的，因步骤S301中所需的等离子体密度低，为弱等离子体状态，所需离子能量一般低于10eV，当紫外线灯功率足够时，可仅用紫外线灯来产生等离子体，这样在一个操作周期工艺中就只有步骤S303需要感应耦合放电模式，从而有效地降低了原子层刻蚀工艺实现难度。

应用本申请实施例，至少能够实现如下有益效果：

本申请实施例通过设置有辅助等离子体产生装置，可以在上射频组件工作的基础上，使得工艺腔室可以快速进入感性耦合放电模式，缩减了等离子体进入感性耦合放电模式时间，缩减原子层每个操作周期时间，从而提高原子层刻蚀效率以及工艺良率。进一步的，由于采用上述设计，可以避免现有技术中需要在去除步骤中维持等离子体启辉状态，可以在操作周期的每个步骤后更加彻底的去除剩余工艺气体，真正实现原子层刻蚀工艺要求的各步骤之间反应分离，有助于对工艺损伤和均匀性的实现精确控制。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种原子层刻蚀设备，其特征在于，包括：工艺腔室、上射频组件及辅助等离子体产生装置；

所述上射频组件用于向所述工艺腔室内施加射频功率，以将进入所述工艺腔室内的工艺气体激发为等离子体；

所述辅助等离子体产生装置用于向所述工艺腔室内输送电子，以使所述等离子体稳定在感性耦合放电模式。

2.如权利要求1所述的原子层刻蚀设备，其特征在于，所述辅助等离子体产生装置包括发生器及传输器，所述发生器通过所述传输器与所述工艺腔室连接。

3.如权利要求2所述的原子层刻蚀设备，其特征在于，所述辅助等离子体产生装置还包括镇流器，所述镇流器与所述发生器电连接，用于调整所述发生器的电流。

4.如权利要求3所述的原子层刻蚀设备，其特征在于，所述发生器为紫外线灯。

5.如权利要求2所述的原子层刻蚀设备，其特征在于，所述发生器为电子枪，所述传输器真空传输介质；所述电子枪用于产生电子束并且通过所述真空传输介质传输至所述工艺腔室内。

6.如权利要求1所述的原子层刻蚀设备，其特征在于，所述原子层刻蚀设备还包括监测装置，所述监测装置设置于所述工艺腔室内，用于监测所述工艺腔室内等离子体的放电模式。

7.如权利要求1至6的任一所述的原子层刻蚀设备，其特征在于，所述原子层刻蚀设备还包括下射频组件，所述工艺腔室内设置有用于承载基片的基座；所述下射频组件包括下射频电源及下匹配器，所述下射频电源通过所述下匹配器与所述基座连接，用于在所述基座上形成偏压电场。

8.一种原子层刻蚀方法，应用于如权利要求1至7的任一所述的原子层刻蚀设备，其特征在于，包括如下步骤：

吸附步骤，向工艺腔室内通入第一工艺气体，开启上射频组件及辅助等离子体产生装置，根据工艺腔室内等离子体的放电模式控制辅助等离子体产生装置的工作状态，以使等离子体稳定在感性耦合放电模式；

去除步骤，关闭辅助等离子体产生装置，去除第一工艺气体；

刻蚀步骤，向工艺腔室内通入第二工艺气体，开启上射频组件及辅助等离子体产生装置，根据等离子体的放电模式控制辅助等离子体产生装置的工作状态；

清除步骤，清除第二工艺气体及刻蚀产物。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述根据等离子体的放电模式控制辅助等离子体产生装置的工作状态，包括：

监测并判断等离子体是否稳定在感性耦合放电模式；若是，则关闭辅助等离子体产生装置；若否，则调整辅助等离子体产生装置的功率，以使等离子体稳定在感性耦合放电模式。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一工艺气体为活性气体，所述第二工艺气体为惰性气体。

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