CN110662334A - 极紫外光辐射源装置 - Google Patents

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张汉龙
陈立锐
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Abstract

一种极紫外光辐射源装置包含收集器镜、为产生锡滴的靶材滴产生器、可旋转残屑收集元件、为产生感应耦合电浆的一或多个线圈、为提供用于感应耦合电浆的来源气体的气体入口、以及至少包围收集器镜与可旋转残屑收集元件的腔室。配置气体入口与前述一或多个线圈以致感应耦合电浆与收集器镜间隔设置。

Description

极紫外光辐射源装置
技术领域
本揭露实施例关于一种辐射源装置，特别关于一种极紫外光辐射源装置。
背景技术
本揭露关于用于半导体制程的图案形成方法、以及用于微影的装置。
半导体集成电路产业已经历指数成长。在集成电路材料与设计上的技术进展已产生许多集成电路世代，其中各世代具有比前一世代更小且更复杂的电路。在集成电路进化的过程中，当几何尺寸(即可用制程创造的最小部件(或线))减少，功能密度(即每一晶片面积的互连元件的数量)通常就增加。这种按比例缩小的程序通常透过增加生产效率及降低相关成本来提供益处。此按比例缩小也已经增加处理及制造集成电路的复杂度。
举例来说，执行更高解析度微影制程的需求成长。一种微影技术是极紫外光微影(extreme ultraviolet lithography，EUVL)。极紫外光微影采用其使用光线在极紫外光区内的扫描机，光线具有大约1-100nm的波长。一些极紫外光扫描机提供4x缩小投影列印，这与一些光学扫描机相似，除了极紫外光扫描机使用反射而不是折射光学，也就是使用镜子而非透镜。极紫外光光源的一种型式为激光产生电浆(laser-produced plasma，LPP)。激光产生电浆技术通过将高能量激光光束聚焦在小锡滴靶材上以形成高度离子化电浆来产生极紫外光光线，其中高度离子化电浆射出具有最大发射峰值为13.5nm的极紫外光辐射。接着，通过激光产生电浆收集器镜收集极紫外光光线，并通过光学使其朝微影目标反射，微影目标例如为晶圆。激光产生电浆收集器镜由于粒子、离子、辐射的撞击以及最严重的锡沉积而遭受损坏与劣化。
发明内容
依据本揭露的一方面，一种极紫外光辐射源装置的特征在于包含收集器镜、为产生锡滴的靶材滴产生器、可旋转残屑收集元件、为产生感应耦合电浆的一或多个线圈、为提供用于感应耦合电浆的来源气体的气体入口、以及至少包围收集器镜与可旋转残屑收集元件的腔室。配置气体入口与前述一或多个线圈以致感应耦合电浆与收集器镜间隔设置。
附图说明
本揭露由以下参照所附附图所做的详细说明可得最佳理解。需强调的是，依照业界的标准实务，多种特征并非按比例绘制且仅用于举例说明目的。事实上，多个特征的尺寸可任意增加或减少以使讨论清楚。
图1是依据本揭露一些实施例所建构的具有激光产生电浆极紫外光辐射源的极紫外光微影系统的示意图；
图2A是依据本揭露一些实施例的用于极紫外光辐射源的残屑收集机构的前视示意图；
图2B是依据本揭露一些实施例的用于极紫外光辐射源的残屑收集机构的侧视示意图；
图2C是依据本揭露一些实施例的用于极紫外光辐射源的叶片的局部图片；
图3是依据本揭露一实施例的极紫外光辐射源的示意图；
图4是依据本揭露一实施例的极紫外光辐射源的示意图；
图5是依据本揭露一实施例的极紫外光辐射源的示意图；
图6是依据本揭露一实施例的极紫外光辐射源的示意图；
图7是依据本揭露一实施例的极紫外光辐射源的示意图。
【符号说明】
100：极紫外光辐射源/极紫外光辐射源装置
10A、10B：射频电源
105：腔室
110：收集器镜
115：靶材滴产生器
120：滴捕抓器
130：第一缓冲气体供应
135：第二缓冲气体供应
140、22：气体出口
15A、15B：线圈
150：残屑收集机构
151：截头圆锥形支持架
152：叶片
153：第一端支持
154：第二端支持
155：下游圆锥体
160：出口端口
200：曝光机台
20、21：气体入口
300：激发激光源/激发激光源装置
310：激光产生器
320：激光导引光学
330：聚焦装置
A1：光学轴
BF：基层
DP：靶材滴
DP1、DP2：阻尼器
EUV：极紫外光辐射
LR1：激光
LR2：激发激光
MF：主层
PL：电浆
PP1、PP2：基座板
ZE：激发区
具体实施方式
以下揭露提供许多不同的实施例或例子以实施所给标的的不同特征。部件及配置的具体例子描述如下以简明本叙述。当然，这些仅是例子而非作为限制。举例来说，在描述中，第一特征形成于第二特征上或之上可包含第一特征与第二特征以直接接触形成的实施例，亦可包含额外特征形成于第一及第二特征之间的实施例，使得第一特征与第二特征可非直接接触。此外，本揭露可在多个例子中重复参考符号及/或字母。此重复是为了简明目的，而非在本质上规定多个讨论的实施例及/或配置之间的关系。
此外，可在此使用空间关系的用语，例如“在…之下(beneath)”、“在…下面(below)”、“较低(lower)”、“在…上面(above)”、“较高(upper)”、或之类的用语，来简明描述以描述如附图所绘示的一元件或特征与另一(另一些)元件或特征的关系。空间关系的用语，除了附图所描绘的定向之外，亦用以包含元件在使用或操作中的不同的定向。装置/元件可另外定向(旋转90度或其他定向)，因此在此使用的空间关系叙述可同样地照此解释。此外，用语“由…制成(made of)”可指“包含”或“由…组成”。
本揭露总体上来说是关于极紫外光微影系统与方法。更特别来说，它是关于减少激光产生电浆的极紫外光辐射源中的收集器镜上的污染的装置与方法。收集器镜，亦称为激光产生电浆收集器镜或极紫外光收集器镜，是激光产生电浆的极紫外光辐射源的重要部件。它收集并反射极紫外光辐射且有助于整个极紫外光转换效率。然而，它由于粒子、离子、辐射的撞击以及残屑沉积而遭受损坏与恶化。特别来说，锡残屑是极紫外光收集器镜的其中一个污染源。极紫外光收集器镜的生命期，即反射率衰减至其本身的一半的持续时间，是极紫外光扫描机的其中一个最重要因子。收集器镜衰减的主要原因是在极紫外光线产生程序所必然造成的收集器镜表面上的残余金属污染(锡残屑)。
本揭露其中一目的是针对减少残屑沉积在激光产生电浆收集器镜上，借此增加其可使用的生命期。更具体来说，本揭露是针对通过使用氯基的电浆清洁而自消灭在极紫外光收集器镜上的金属涂层与堆积。本揭露的技术使收集器镜维持在所需状态一段较长时间，借此降低更换收集器镜的频率。换言之，极紫外光扫描机将维持最高的曝光能量与生产量，并且需要较低频率的维护，借此减少更换收集器镜所需为时一周的停机时间。
图1为极紫外光微影系统的示意与概略图。极紫外光微影系统包含用以产生极紫外光光线的极紫外光辐射源装置100、例如扫描机的曝光机台200以及激发激光源装置300。如图1所示，在一些实施例中，极紫外光辐射源装置100与曝光机台200安装在无尘室的主层MF上，而激发激光源装置300安装在主层下方的基层BF中。极紫外光辐射源装置100与曝光机台200分别经由阻尼器DP1与DP2安置在基座板PP1与PP2之上。极紫外光辐射源装置100与曝光机台200通过耦合机构相互耦合，耦合机构可包含聚焦单元。
微影系统为一种极紫外光微影系统，其设计来以极紫外光光线(或极紫外光辐射)曝光光阻层。光阻层为对极紫外光光线敏感的材料。极紫外光微影系统使用极紫外光辐射源装置100以产生极紫外光光线，例如具有波长范围介于约1nm到约100nm之间的极紫外光光线。在一特别例子中，极紫外光辐射源100产生具有中心波长约13.5nm的极紫外光光线。在本实施例中，极紫外光辐射源100使用激光产生电浆的机制来产生极紫外光辐射。
曝光机台200包含多个例如为凸/凹/平面镜的反射光学部件、包含遮罩台的遮罩保持机构、以及晶圆承托机构。利用反射光学部件将极紫外光辐射源100所产生的极紫外光辐射EUV导引至固定于遮罩台上的遮罩。在一些实施例中，遮罩台包含静电固定件(electrostatic chuck，e-chuck)以固定遮罩。因为气体分子吸收极紫外光光线，用于极紫外光微影图案化的微影系统保持在真空或低压环境中以避免极紫外光强度损失。
在本揭露中，用语“遮罩(mask)”、“光罩(photomask)”、及“图罩(reticle)”可互换使用。在本实施例中，遮罩为反射遮罩。遮罩的一种示例性结构包含具合适材料的基板，合适材料例如为低热膨胀材料或熔凝石英。在多个例子中，此材料包含掺杂二氧化钛的二氧化硅、或其他具低热膨胀的合适材料。遮罩包含沉积在基板上的多个反射多层(multiplelayers，ML)。多层包含多个膜对，例如钼-硅膜对(例如在各膜对中，一钼层位于一硅层的上方或下方)。替代地，多层可包含钼-铍膜对、或其他配置可高度反射极紫外光光线的合适材料。遮罩可还包含覆盖层，例如钌，其设于多层上以提供保护作用。遮罩还包含吸收层，例如氮化钽硼层，其沉积于多层之上。图案化吸收层以定义集成电路层。替代地，另一反射层可沉积于多层之上并图案化以定义集成电路层，借此形成极紫外光相移(phase shift)遮罩。
曝光机台200包含为使遮罩的图案成像于半导体基板上的投影光学模组，其中半导体基板固定于曝光机台200的基板台并有光阻涂布于其上。投影光学模组通常包含反射式光学仪器。从遮罩所导向的极紫外光辐射(极紫外光光线)带着定义于遮罩上的图案的影像并由投影光学模组收集，借此形成影像于光阻上。
在本实施例中，半导体基板为半导体晶圆，例如硅晶圆或其他欲图案化的晶圆类别。在本实施例中，半导体基板涂布对极紫外光光线敏感的光阻层。将包含那些叙述于上的多个部件整合一起并且这些部件可运作来执行微影曝光制程。
微影系统可还包含其他模组或与其他模组整合(或耦合)。
如图1所示，极紫外光辐射源100包含由腔室105围住的靶材滴产生器115与激光产生电浆收集器镜110。靶材滴产生器115产生复数靶材滴DP。在一些实施例中，靶材滴DP为锡滴。在一些实施例中，各锡滴具有约30微米的直径。在一些实施例中，锡滴DP以每毫秒约50滴(50kHz)的速率产生并且以每秒约70米的速度导入激发区ZE。其他材料亦可用于靶材滴，例如含液体材料的锡，例如含锡或锂的共晶合金。
由激发激光源装置300所产生的激发激光LR2为脉冲激光。在一些实施例中，激发激光包含预热激光与主激光。预热激光脉冲用以加热(或预热)靶材滴以产生低密度靶材羽流(plume)，其随后由主激光脉冲加热(或再加热)，以产生增加的极紫外光光线出射。
在多个实施例中，预热激光脉冲具有约100微米或更小的光点尺寸，并且主激光脉冲具有约200-300微米的光点尺寸。
激光脉冲LR2由激发激光源300所产生。激发激光源300可包含激光产生器310、激光导引光学320以及聚焦装置330。在一些实施例中，激光产生器310包含二氧化碳或掺杂钕的钇铝石榴石(Nd:YAG)的激光源。由激光产生器310所产生的激光LR1由激光导引光学320导引并由聚焦装置330聚焦成为激发激光LR2，之后被引入极紫外光辐射源100。
导向激光LR2使其通过窗(或透镜)而进入激发区ZE。前述的窗使用实质上可让激光光束穿透的合适材料。脉冲激光的产生与靶材滴的产生同步。当靶材滴通过激发区时，预脉冲加热靶材滴且使其转换成低密度靶材羽流。控制预脉冲与主激光之间的延迟以使靶材羽流形成并膨胀至理想的大小与几何形状。当主脉冲加热靶材羽流时，会产生高温电浆。电浆发射极紫外光辐射EUV，其由收集器镜110收集。收集器镜110更反射并聚焦极紫外光辐射以用于微影曝光制程。在一些实施例中，滴捕抓器120安装于靶材滴产生器115的对面。滴捕抓器120用以捕抓过量的靶材滴。举例来说，一些靶材滴可有目的地为激光脉冲所略过。
设计收集器镜110而使其具有适当的涂布材料与形状，以作用如用于极紫外的收集、反射与聚焦的镜子。在一些实施例中，设计收集器镜110以使其具有椭圆几何形状。在一些实施例中，收集器镜110的涂布材料相似于极紫外光遮罩的反射多层。在一些例子中，收集器镜110的涂布材料包含多层(例如复数钼/硅膜对)并可还包含涂布于多层上的覆盖层(例如钌)以实质地反射极紫外光光线。在一些实施例中，收集器镜110可还包含设计来有效散射导向收集器镜110的激光光束的光栅结构。举例来说，将氮化硅层涂布于收集器镜110上并将之图案化成具有光栅图案。
在这样的极紫外光辐射源装置中，由激光应用所造成的电浆产生物理性的残屑，例如滴的离子、气体与分子，以及所需的极紫外辐射。必须要防止在收集器镜110上的材料堆积，也要防止物理性的残屑离开腔室105并进入曝光机台200。
如图1所示，在本实施例中，从第一缓冲气体供应130并经由收集器镜110的孔隙而供应缓冲气体，其中脉冲激光经由收集器镜110的孔隙而传送至锡滴。在一些实施例中，缓冲气体为氢气、氦气、氩气、氮气或另一惰性气体。在某些实施例中，使用氢气而使通过缓冲气体的离子化所产生的氢基可用于清洁目的。亦可经由朝向收集器镜110及/或在收集器镜110边缘周围的一或多个第二缓冲气体供应135提供缓冲气体。此外，腔室105包含一或多个气体出口140，使得缓冲气体可排放至腔室105外。
氢气对极紫外光辐射具有低吸收率。到达收集器镜110的涂布表面的氢气与金属滴起化学反应而形成混合物，例如金属混合物。当使用锡作为滴时，会形成甲锡烷(SnH4)，其为极紫外光产生制程的气态副产物。然后，气态甲锡烷经由出口140而排出。然而，将所有的气态甲锡烷从腔室排出以及防止甲锡烷进入曝光机台200是有困难的。
为捕捉甲锡烷或其他残屑，在腔室105中使用一或多个残屑收集机构150。
如图1所示，一或多个残屑收集机构150沿光学轴A1设置于极紫外光辐射源100的激发区ZE与出口端口160之间。图2A为残屑收集机构150的前视图，图2B是残屑收集机构150的侧视示意图。图2C是残屑收集机构150的局部图片。残屑收集机构150包含截头圆锥形支持架151、第一端支持153与第二端支持154，其可操作地支持多个在壳体里面旋转的叶片152(可旋转残屑收集元件)。第一端支持153具有比第二端支持154大的直径。通过转动叶片152来扫除缓慢锡原子及/或甲锡烷，残屑收集机构150可用来避免锡蒸汽涂布于收集器镜110的表面及/或腔室105内的其他元件/部分。在一些实施例中，下游圆锥体155设置于残屑收集机构150与出口端口160之间。
此些叶片152从截头圆锥支持架151径向朝内凸出。叶片152为薄长平板。在一些实施例中，各叶片在平面图上具有三角形或梯形或不规则四边形的形状。此些叶片152对准而使其纵轴平行于光学轴A1，以致它们对于极紫外光辐射EUV造成最小可能的剖面面积。叶片152朝光学轴A1凸出，但未延伸到光学轴。在一些实施例中，残屑收集机构150的中央核心为中空。残屑收集机构150由驱动单元转动，驱动单元包含一或多个马达、一或多个皮带及/或一或多个传动装置、或任何转动机构。在一些实施例中，通过加热器在100℃至400℃下加热叶片152。
如上所述，在极紫外光辐射源的收集器镜、叶片及/或其他部位上的锡残屑污染是极紫外光扫描机曝光能量损失与生产量下降趋势的主要原因。收集器镜生命期例如维持约3个月，然后通常必需要花一周或更多的停机时间，来将收集器镜更换为新的收集器镜，借以维持高曝光能量与生产量。
在一些实施例中，由极紫外光曝光所造成的氢基通过形成甲锡烷而用于蚀刻锡残屑。然而，甲锡烷在热力学上是不稳定的并且造成锡再沉积于极紫外光辐射源的收集器镜或其他部位上。此外，伴随着更多的锡残屑，氢基的产生影响极紫外光的生成。
在本实施例中，通过利用感应耦合电浆产生例如氯基的卤素基来去除锡残屑及/或避免锡残屑沉积于极紫外光辐射源的收集器镜或其他部位上的方式，来去除金属污染。在一些实施例中，可使用具可调气流及针对不同种类的基/离子生成的气体种类的气体注入。在一些实施例中，使用含卤素的气体。在某些实施例中，使用含氯气体以产生氯基/离子，氯基/离子可通过透过生成四氯化锡的蚀刻而去除锡。含氯气体可为氯气、CHxCly(x+y＝4，且y不为零)、四氯化硅或二氯硅烷。在一些实施例中亦供应包含氩气、氦气、氙气及/或氢气的一或多个载气。此外，在一些实施例中，电浆位置的分布是可调的，借以控制锡蚀刻空间分布。在一些实施例中，使用多种提供感应耦合电浆源的电路来调整不同电路之间的电流比并改变电浆分布，电浆分布支配空间蚀刻率。在一些实施例中，提供感应耦合电浆的来源气体包含氦气、氩气、氙气、氯气、氢气、氧气、硅甲烷与四氯化硅的一或多者。
在其他实施例中，使用含硅气体及/或含锆气体借以形成二氧化锆及/或二氧化硅的钝化涂布层于激光腔室内的部分上。在一些实施例中，使用四叔丁醇锆(Zr(OC(CH3)3)4)来作为锆来源气体，并使用硅甲烷来作为硅来源气体。氧来源气体可为氧气。在一些实施例中亦提供包含氩气、氦气、氙气及/或氢气的一或多个载气。
图3显示依据本揭露实施例的极紫外光辐射源的真空腔室的示意图。如图3所示，提供一或多个额外的感应耦合电浆电路于下游圆锥体155的容器边界上或周围以产生电浆PL。在此配置中，由于电浆PL产生于远离收集器镜110的位置，因此可能避免电浆PL损坏收集器镜。在一些实施例中，电浆PL未直接蚀刻沉积于收集器镜110上的锡残屑。在一些实施例中，含氯气体从气体入口20导入。来源气体从靠近极紫外光出口端口160(参照图1)的位置导入。通过一或多个流体控制器来控制一或多个来源气体的气流量，就可能控制产生电浆PL的位置。在一些实施例中，电浆PL接触下游圆锥体155，而在其他实施例中电浆PL未接触下游圆锥体155。
在一些实施例中，提供二射频电源10A与10B，其分别提供交流电力(交流电流)给线圈15A与15B。射频电源10A与10B可独立控制给线圈15A与15B的电流/功率。在一些实施例中，由二射频电源10A与10B所供应的交流电流的相位彼此相差180度。通过控制一或多个射频电源的电流值及/或相位，就可能控制产生电浆PL的位置。在其他实施例中，交流电流的相位为相同。在某些实施例中，只提供一个射频电源，而在其他实施例中提供具有不同电流相位或相同相位的三个或更多射频电源。在一些实施例中，射频电源的频率为13.56MHz，而在其他实施例中其频率为2.45GHz。
图4显示依据本揭露另一实施例的极紫外光辐射源的腔室的示意图。如图4所示，提供一或多个感应耦合电浆电路于残屑收集机构150的容器边界上或周围，借以产生电浆PL。在此配置中，由于电浆PL产生于远离收集器镜110的位置，因此可能避免电浆PL损坏收集器镜。在一些实施例中，含氯气体从气体入口21导入。来源气体从残屑收集机构150与收集器镜110之间的位置导入并从残屑收集机构150与下游圆锥体155之间的位置(气体出口22)及/或靠近极紫外光出口端口160的位置排出。因此，以来源气体所产生的电浆PL从收集器镜侧流至下游圆锥体侧，借此就可能避免电浆PL损坏收集器镜110。通过一或多个流体控制器控制一或多个来源气体的气流量，就可能控制产生电浆PL的位置。在一些实施例中，电浆PL接触残屑收集机构150，而在其他实施例中电浆PL未接触残屑收集机构150。
在一些实施例中，提供二射频电源10A与10B，其分别提供交流电力(交流电流)给线圈15A与15B。在一些实施例中，由二射频电源10A与10B所供应的交流电流的相位彼此相差180度。通过控制一或多个射频电源的电流值及/或相位，就可能控制产生电浆PL的位置。在其他实施例中，交流电流的相位为相同。在某些实施例中，只提供一个射频电源，而在其他实施例中提供具有不同电流相位或相同相位的三个或更多射频电源。
图5显示依据本揭露另一实施例的极紫外光辐射源的腔室的示意图。如图5所示，提供一或多个感应耦合电浆电路于收集器镜110上或周围以产生电浆PL。在此配置中，控制电浆PL的产生，如此电浆PL产生于足够远离收集器镜110的位置，借以避免电浆PL损坏收集器镜。在一些实施例中，电浆PL(发光部)未接触收集器镜110。在其他实施例中，由于基圑甚至在离开电浆PL后仍有活性，因而在电浆PL与收集器镜110之间设置一个比电浆发射区的尺寸更长的距离。
在一些实施例中，含氯气体从气体入口21导入。来源气体从残屑收集机构150与收集器镜110之间的位置导入并从残屑收集机构150与下游圆锥体155之间的位置(气体出口22)及/或靠近极紫外光出口端口160的位置排出。因此，以来源气体产生的电浆PL从收集器镜侧流至下游圆锥体侧，如此就可能避免电浆PL损坏收集器镜110。通过一或多个流体控制器控制一或多个来源气体的气流量，就可能控制产生电浆PL的位置。在一些实施例中，电浆PL接触残屑收集机构150，而在其他实施例中电浆PL未接触残屑收集机构150。
在一些实施例中，提供二射频电源10A与10B，其分别提供交流电力(交流电流)给线圈15A与15B。在一些实施例中，由二射频电源10A与10B所供应的交流电流的相位彼此相差180度。通过控制一或多个射频电源的电流值及/或相位，就可能控制产生电浆PL的位置。在其他实施例中，交流电流的相位为相同。在某些实施例中，只提供一个射频电源，而在其他实施例中提供具有不同电流相位或相同相位的三个或更多射频电源。
图6及图7显示依本揭露其他实施例的极紫外光辐射源的腔室的示意图。图6的配置是依照图3至图5所解释的三个配置的结合。在一些实施例中，结合图3至图5的其中二个配置。在一实施例中，结合图3与图4的配置，如图7所示。通过调整射频电源的相关讯号强度，如相位及/或气流量，就可能调整电浆的位置(最强电浆位置)。当结合图3至图5的配置时，二射频电源10A与10B在一些实施例中应用于图3至图5所示的线圈15A与15B，而各别射频电源10A与10B在其他实施例中应用于图3至图5所示的各别线圈15A与15B。在一些实施例中，当压力低于约1.0*10-6托时，利用氯电浆的锡蚀刻率高于约600nm/min。
在前述实施例中，产生电浆PL以去除锡残屑。在其他实施例中，形成钝化层于极紫外光辐射源的真空腔室内的多个部分上。举例来说，通过使用含锆气体及/或含硅气体，就可能将二氧化锆及/或二氧化硅沉积于真空腔室内的多个部分上，例如收集器镜及/或叶片。
在由激光脉冲产生极紫外光光线的曝光模式中，甲锡烷由锡与氢或氢基之间的反应所产生。在此曝光模式中，当导入含氯气体并且包含氯基的电浆产生时，亦产生四氯化锡。通过从腔室排出甲锡烷与四氯化锡，就可能减少在腔室内产生锡残屑。由于四氯化锡的热分解温度高于1250K，四氯化锡比甲锡烷(分解温度为300K～500K)更为稳定。因此，通过增加四氯化锡的量，就可能避免锡再沉积于腔室内的部分上。
在未产生极紫外光光线(因此未产生锡副产物)的空闲模式中，通过产生含氯基的电浆，可通过形成四氯化锡而清除沉积于腔室内的部分上的锡残屑或锡副产物。通过从腔室排出甲锡烷与四氯化锡，就可能减少在腔室内产生锡残屑。
在其他实施例中，在空闲模式中，在产生为去除锡残屑的电浆并且去除锡残屑之后，来源气体从含氯气体改变为含锆气体及或含硅气体。因此，由二氧化锆及/或二氧化硅所构成的钝化层形成于极紫外光辐射源的真空腔室内的部分的已清洁表面上。在一些实施例中，重复钝化层的沉积以及电浆的蚀刻。
在本揭露的实施例中，使用由含氯气体所产生的感应耦合电浆的电浆来去除在极紫外光光线产生期间所造成的锡残屑。由于四氯化锡具有比甲锡烷高的分解温度，就可能更有效地从极紫外光辐射源的真空腔室去除锡残屑。在其他实施例中，通过使用含锆气体及/或含硅气体，可形成钝化层于紫外光辐射源的真空腔室内的部分上，借以避免锡残屑的沉积及/或更容易去除沉积的锡残屑。因此，就可能延长收集器镜的生命期并减少以新的、干净的收集器镜更换已使用的收集器镜的频率。
将了解的是，在此并不必要讨论到所有的优点，所有实施例或例子不需要特定的优点，以及其他实施例或例子可提供不同的优点。
依据本揭露的一方面，极紫外光辐射源装置包含收集器镜、为产生锡滴的靶材滴产生器、可旋转残屑收集元件、为产生感应耦合电浆的一或多个线圈、为提供用于感应耦合电浆的来源气体的气体入口、以及至少包围收集器镜与可旋转残屑收集元件的腔室。配置气体入口与前述一或多个线圈，以致感应耦合电浆与收集器镜间隔设置。在一或多个前述及下述实施例中，来源气体包含氦气、氩气、氙气、氯气、氢气、氧气、硅甲烷、四氯化硅及二氯硅烷的一或多者。在一或多个前述及下述实施例中，来源气体为含氯气体。在一或多个前述及下述实施例中，极紫外光辐射源装置还包含提供于可旋转残屑收集元件与极紫外光出口端口之间的下游圆锥体。至少一线圈围绕或覆盖下游圆锥体。在一或多个前述及下述实施例中，从下游圆锥体与极紫外光出口端口之间的位置提供来源气体。在一或多个前述及下述实施例中，至少一线圈围绕或覆盖可旋转残屑收集元件。在一或多个前述及下述实施例中，从可旋转残屑收集元件与收集器镜之间的位置提供来源气体。在一或多个前述及下述实施例中，极紫外光辐射源装置还包含提供于可旋转残屑收集元件与极紫外光出口端口之间的下游圆锥体。来源气体从可旋转残屑收集元件与下游圆锥体之间的位置以及下游圆锥体与极紫外光出口端口之间的位置的至少一者排出。在一或多个前述及下述实施例中，极紫外光辐射源装置还包含交流电源以供应交流电给前述一或多个线圈。在一或多个前述及下述实施例中，提供二个或更多线圈，并且前述二个或更多线圈的各者的电流为独立可调。在一或多个前述及下述实施例中，流入前述二个或更多线圈的其一者的电流的相位与流入前述二个或更多线圈的另一者的电流的相位相差180度。在一或多个前述及下述实施例中，为提供来源气体的气体入口位于下游圆锥体与极紫外光出口端口之间的位置。在一或多个前述及下述实施例中，为提供来源气体的气体入口位于可旋转残屑收集元件与收集器镜之间的位置。在一或多个前述及下述实施例中，为排出来源气体的气体出口端口是提供于可旋转残屑收集元件与下游圆锥体之间的位置以及下游圆锥体与极紫外光出口端口之间的位置的至少一者。
依据本揭露另一方面，极紫外光辐射源装置包含收集器镜、为产生锡滴的靶材滴产生器、可旋转残屑收集元件、为产生感应耦合电浆的一或多个线圈、为提供用于感应耦合电浆的来源气体的气体入口、以及至少包围收集器镜与可旋转残屑收集元件的腔室。来源气体包含含硅气体与含锆气体的一或多者。在一或多个前述及下述实施例中，来源气体包含四叔丁醇锆。在一或多个前述及下述实施例中，至少一线圈围绕或覆盖收集器镜的背侧。在一或多个前述及下述实施例中，至少一线圈围绕或覆盖可旋转残屑收集元件。在一或多个前述及下述实施例中，极紫外光辐射源装置还包含提供于可旋转残屑收集元件与极紫外光出口端口之间的下游圆锥体。至少一线圈围绕或覆盖下游圆锥体。
依据本揭露的另一方面，在清洁极紫外光辐射源的腔室内的部分的方法中，供应含氯气体至腔室内，并且通过供应交流电给设置于腔室内的线圈而产生感应耦合电浆，借以经由形成四氯化锡而去除锡残屑。由于产生感应耦合电浆，而感应耦合电浆不会对收集器镜造成损坏。在一或多个前述及下述实施例中，感应耦合电浆产生于未产生极紫外光光线的期间。在一或多个前述及下述实施例中，独立控制各线圈的电流。在一或多个前述及下述实施例中，流入前述线圈的一者的电流的相位与流入前述线圈的另一者的电流的相位相差180度。
前面概述一些实施例或例子的特征，以使熟悉此技艺者可更好地理解本揭露的各方面。熟悉此技艺者应理解他们可轻易地使用本揭露作为基础来设计或改良其他制程与结构，以实现在此所介绍的实施例或例子的相同目的及/或达到相同优点。熟悉此技艺者亦应理解这种均等的构造并未偏离本揭露的精神及范围，且他们可在不偏离本揭露的精神及范围而在此作出许多改变、替换及变化。

Claims (1)

1.一种极紫外光辐射源装置，其特征在于，该极紫外光辐射源装置包含：
一收集器镜；
一靶材滴产生器，用以产生一锡滴；
一可旋转残屑收集元件；
一或多个线圈，用以产生一感应耦合电浆；
一气体入口，用以提供用于该感应耦合电浆的一来源气体；以及
一腔室，至少包围该收集器镜与该可旋转残屑收集元件，
其中配置该气体入口与该或该些线圈以致该感应耦合电浆与该收集器镜间隔设置。
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