CN110648901B - 一种半导体二极管制造加工用酸洗方法 - Google Patents
一种半导体二极管制造加工用酸洗方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110648901B CN110648901B CN201910941089.4A CN201910941089A CN110648901B CN 110648901 B CN110648901 B CN 110648901B CN 201910941089 A CN201910941089 A CN 201910941089A CN 110648901 B CN110648901 B CN 110648901B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pickling
- plate
- diode
- moving
- telescopic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000005554 pickling Methods 0.000 title claims abstract description 144
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 45
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 42
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 30
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 16
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 15
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 claims description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 6
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 claims description 6
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 10
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
- B08B1/20—Cleaning of moving articles, e.g. of moving webs or of objects on a conveyor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B13/00—Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
本发明涉及一种半导体二极管制造加工用酸洗方法，主要包括以下步骤：溶液配制、送料、酸洗、出料清洗与烘干，上述步骤中使用到的酸洗槽设备包括酸洗槽、移动机构、分隔板与辅助机构，酸洗槽内从左往右均匀安装有移动机构，移动机构数量为三，相邻移动机构之间布置有分隔板，分隔板安装在酸洗槽内壁上，且酸洗槽上端安装有辅助机构。本发明使用三种酸洗溶液对二极管表面进行清洁，且在酸洗过程中可通过移动机构带动二极管进行上下运动，从而改变二极管位置，扩大二极管与酸洗溶液的接触面积，由于本发明采用浸没方式对二极管进行清洗，在清洗过程中，酸洗溶液不会四处飞溅，相比于喷淋法工作环境及清洗质量均得到了提升。
Description
技术领域
本发明涉及半导体二极管制造技术领域，具体的说是一种半导体二极管制造加工用酸洗方法。
背景技术
二极管在制造过程中需要经过酸洗，即利用各种酸和水，对芯片P-N结周围边缘表面进行化学腐蚀，以改善机械损伤，祛除表面吸附的杂质，降低表面电场，使P-N结的击穿首先从体内发生，以获得于理论值接近的反向击穿电压和极小的表面漏电流。
酸洗效果的好坏对二极管的成品质量起到重要的影响作用，而在现有的二极管酸洗过程中存在以下问题：
(1)酸洗设备包括酸洗槽与酸洗板，酸洗时将二极管放置在酸洗板上，通过喷淋法对二极管进行酸洗，由于二极管在酸洗过程中位置基本固定，因此二极管下端集二极管相互重叠部分均难以与酸洗溶液充分接触，导致酸洗均匀度差；
(2)酸洗时常常会使用到多种酸洗溶液，在采用喷淋法进行酸洗时，酸洗溶液因与酸洗板及二极管发生碰撞而四处飞溅，导致不同酸洗溶液相互混杂，影响了酸洗溶液的有效浓度，使得清洁效果降低。
为了解决上述问题，本发明提供了一种半导体二极管制造加工用酸洗方法。
发明内容
为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案来实现：一种半导体二极管制造加工用酸洗方法，主要包括以下步骤：
S1溶液配制：分别配制体积比为9：9：12：4的HNO3、HF、CH3COOH、H2SO4一次酸洗液、体积比为1:0.8:3:0.2的H3PO4、H2O2、H2O、CH3COOH二次酸洗液以及成分比为250g：1.25L：12.5L的CrO3、H2SO4、H2O三次酸洗液，以备之后进行酸洗工作；
S2送料：将待酸洗的二极管分批次均匀放入酸洗设备内，并避免送料速度过快，以免二极管之间相互碰撞造成损伤；
S3酸洗:使用酸洗设备对二极管进行酸洗，以改善二极管机械损伤，去除表面吸附的杂质；
S4出料清洗：将酸洗后的二极管从酸洗设备内取出，并通过清水对二极管进行冲洗，去除二极管表面残留的酸洗溶液；
S5烘干:使用热风式烘干机对二极管进行烘干处理；
上述S1-S5中使用到的酸洗槽设备包括酸洗槽、移动机构、分隔板与辅助机构，酸洗槽内从左往右均匀安装有移动机构，移动机构数量为三，相邻移动机构之间布置有分隔板，分隔板安装在酸洗槽内壁上，且酸洗槽上端安装有辅助机构，酸洗槽左侧壁上开设有进料口，酸洗槽右侧壁上开设有出料口，酸洗槽下端开设有下水口；
所述酸洗槽左右内壁与分隔板作用内壁上均从前往后均匀开设有移动槽，移动槽内从上往下开设有伸缩槽，通过分隔板可将酸洗槽内部空间分为三等份，以便在分隔出的空间内分别倒入不同的酸洗溶液，且分隔板顶端高度小于酸洗槽顶端高度，以便使二极管穿过分隔板顶端与顶板下端之间的空隙，从而移动至位于不同酸洗溶液内的移动机构上。
所述移动机构包括驱动电机、驱动杆、驱动齿轮、移动齿条、酸洗架与导引架，驱动电机通过电机座安装在酸洗槽外壁上，驱动电机输出轴通过联轴器与驱动杆一端相连接，驱动杆另一端通过轴承安装在酸洗槽内壁上，驱动杆中部安装有驱动齿轮，驱动齿轮左右两侧对称啮合有移动齿条，移动齿条上端安装有酸洗架，酸洗架之间连接有导引架，导引架安装在酸洗槽内壁上；通过驱动电机带动驱动杆上的驱动齿轮进行转动，驱动齿轮转动时左右两侧的移动齿条进行方向相反的上下直线往复运动，可带动二极管在酸洗溶液内进行上下运动，以增大二极管与酸洗溶液的接触面积，从而提高酸洗效果，当移动齿条上升至最高点时，便可通过辅助机构将酸洗架上的二极管向右推动，当二极管落入驱动齿条右侧的酸洗架内时，便可使其在同一酸洗液内进行二次酸洗，当二极管穿过分隔板与顶板之间的空隙后，便可落入位于另一酸洗溶液内的酸洗架上，以对其进行下一阶段的酸洗，经过多次酸洗后，二极管表面清洁度得到明显提高，导引架在二极管从驱动齿条左侧酸洗架落入驱动齿条右侧的酸洗架内的过程中，起到了导引作用，避免二极管直接落入酸洗溶液内。
所述辅助机构包括顶板、电动滑块、安装块与辅助刷，顶板安装在酸洗槽上端，顶板为口字型结构，顶板侧壁上开设有滑动槽，滑动槽内通过滑动配合方式安装有电动滑块，电动滑块下端从左往右均匀安装有安装块，安装块位置与导引架位置一一对应，安装块下端安装有辅助刷，辅助刷下端面上均匀设置有刷毛；在辅助机构的作用下，电动滑块带动安装块在滑动槽内进行左右往复直线运动，当移动齿条上升至最高处时，刷毛便对二极管产生向右的推力，使得二极管从左往右依次移动至位于不同酸洗溶液内的移动机构上，达到充分酸洗的目的。
优选的，所述酸洗架包括升降板、缓冲弹簧、伸缩杆、支撑板与缓冲海绵，升降板安装在移动齿条上端，升降板上端布置有支撑板，升降板与支撑板之间通过缓冲弹簧与伸缩杆相连接，升降板上端粘贴有缓冲海绵，升降板、支撑板与缓冲海绵上均开设有浸液通孔，且支撑板外侧壁上从前往后均匀开设有安装槽，安装槽位置与移动槽位置一一对应；在酸洗架上下运动过程中，缓冲弹簧与缓冲海绵起到了一定的缓冲减震作用，能够防止二极管因磕碰而受到损害的情况发生。
优选的，所述导引架包括伸缩板、导引板与复位弹簧，伸缩板位置与支撑板位置一一对应，伸缩板为上下可伸缩结构，伸缩板上下两端通过复位弹簧相连接，伸缩板外侧壁上开设有连接槽，连接槽与支撑板内侧壁通过滑动配合方式相连接，伸缩板上端之间通过导引板相连接，导引板上端面为圆弧型结构；位于驱动齿轮左侧的移动齿条上升至最高处时，支撑板位于导引板上端，此时辅助机构对该支撑板上的二级管产生向右推力，使得二级管能够沿导引板落入位于驱动齿轮右侧的酸洗架上，在移动齿条带动酸洗架上下运动时，支撑板在连接槽内进行上下运动，支撑板向下运动至其下端与连接槽下端相紧贴时，若支撑板继续向下运动，伸缩板下端便也同时随之向下运动，当支撑板向上运动时，在复位弹簧的弹力作用下，伸缩板下端逐渐恢复至原位。
优选的，所述移动齿条内外两侧对称设置有凸齿，且移动齿轮前后两侧壁之间的距离小于支撑板前后两侧壁之间的距离，移动齿条下降过程中，其外侧凸齿能够与搅拌辊中部设置的转动齿轮相啮合，从而带动其进行转动，其内侧凸齿能够与驱动齿轮相啮合，以便随之转动进行上下移动。避免移动齿条对搅拌辊的转动造成阻碍，
优选的，所述移动机构下端布置有搅拌辊，搅拌辊位置与移动齿条位置一一对应，搅拌辊通过轴承安装在酸洗槽内壁上，搅拌辊中部设置有转动齿轮，搅拌辊前后两侧均沿其周向方向均匀设置有搅拌叶片；移动齿条下降过程中可带动转动齿轮进行转动，搅拌叶片便可对酸洗溶液进行搅拌，以提高酸洗溶液不同位置处的均匀度。
优选的，所述伸缩槽内安装有伸缩弹簧，伸缩弹簧顶端安装有承托板，承托板内侧通过轴承安装有碰撞球，碰撞球内侧伸出移动槽。
优选的，所述安装槽内安装有挤压球，挤压球外侧伸入移动槽内；酸洗架上下移动过程中，挤压球能够与碰撞球产生碰撞，在伸缩弹簧的弹力作用下，碰撞球逐渐缩回移动槽内，此时酸洗架可继续进行上下运动，在此过程中，由于挤压球与碰撞球之间的碰撞，支撑板会产生一定震动，从而使得缓冲海绵上的二极管位置发生一定改变，进而改变了酸洗溶液与二极管的接触位置，有利于对二极管进行全面酸洗。
优选的，所述导引板顶端高度大于分隔板顶端高度，且移动齿条上升至最高点时，支撑板上端面高度大于导引板顶端高度。
本发明的有益效果是：
1.本发明提供的一种半导体二极管制造加工用酸洗方法，使用三种酸洗溶液对二极管表面进行清洁，且在酸洗过程中可通过移动机构带动二极管进行上下运动，从而改变二极管位置，扩大二极管与酸洗溶液的接触面积，以提高清洁效果，且由于本发明采用浸没方式对二极管进行清洗，在清洗过程中，酸洗溶液不会四处飞溅，相比于喷淋法工作环境及清洗质量均得到了提升；
2.本发明设计的移动机构，可带动二极管在酸洗溶液内进行上下运动，以增大二极管与酸洗溶液的接触面积，从而提高酸洗效果，且可对二极管进行多次清洗，经过多次酸洗后，二极管表面清洁度得到明显提高；
3.本发明设计的辅助机构，当移动齿条上升至最高处时，刷毛便对二极管产生向右的推力，使得二极管从左往右依次移动至位于不同酸洗溶液内的移动机构上，达到充分酸洗的目的。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明的工作步骤图；
图2是本发明酸洗设备的主视图；
图3是本发明酸洗设备的内部结构示意图；
图4是本发明图3的S向局部放大图；
图5是本发明图3的N向局部放大图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的实施例进行详细说明，但是本发明可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。
如图1到图5所示，一种半导体二极管制造加工用酸洗方法，主要包括以下步骤：
S1溶液配制：分别配制体积比为9：9：12：4的HNO3、HF、CH3COOH、H2SO4一次酸洗液、体积比为1:0.8:3:0.2的H3PO4、H2O2、H2O、CH3COOH二次酸洗液以及成分比为250g：1.25L：12.5L的CrO3、H2SO4、H2O三次酸洗液，以备之后进行酸洗工作；
S2送料：将待酸洗的二极管分批次均匀放入酸洗设备内，并避免送料速度过快，以免二极管之间相互碰撞造成损伤；
S3:使用酸洗设备对二极管进行酸洗，以改善二极管机械损伤，去除表面吸附的杂质；
S4出料清洗：将酸洗后的二极管从酸洗设备内取出，并通过清水对二极管进行冲洗，去除二极管表面残留的酸洗溶液；
S5烘干:使用热风式烘干机对二极管进行烘干处理；
上述S1-S5中使用到的酸洗槽1设备包括酸洗槽1、移动机构2、分隔板3与辅助机构4，酸洗槽1内从左往右均匀安装有移动机构2，移动机构2数量为三，相邻移动机构2之间布置有分隔板3，分隔板3安装在酸洗槽1内壁上，且酸洗槽1上端安装有辅助机构4，酸洗槽1左侧壁上开设有进料口，酸洗槽1右侧壁上开设有出料口，酸洗槽1下端开设有下水口；
所述酸洗槽1左右内壁与分隔板3作用内壁上均从前往后均匀开设有移动槽，移动槽内从上往下开设有伸缩槽，通过分隔板3可将酸洗槽1内部空间分为三等份，以便在分隔出的空间内分别倒入不同的酸洗溶液，且分隔板3顶端高度小于酸洗槽1顶端高度，以便使二极管穿过分隔板3顶端与顶板41下端之间的空隙，从而移动至位于不同酸洗溶液内的移动机构2上。
所述移动机构2包括驱动电机21、驱动杆22、驱动齿轮23、移动齿条24、酸洗架25与导引架26，驱动电机21通过电机座安装在酸洗槽1外壁上，驱动电机21输出轴通过联轴器与驱动杆22一端相连接，驱动杆22另一端通过轴承安装在酸洗槽1内壁上，驱动杆22中部安装有驱动齿轮23，驱动齿轮23左右两侧对称啮合有移动齿条24，移动齿条24上端安装有酸洗架25，酸洗架25之间连接有导引架26，导引架26安装在酸洗槽1内壁上；通过驱动电机21带动驱动杆22上的驱动齿轮23进行转动，驱动齿轮23转动时左右两侧的移动齿条24进行方向相反的上下直线往复运动，可带动二极管在酸洗溶液内进行上下运动，以增大二极管与酸洗溶液的接触面积，从而提高酸洗效果，当移动齿条24上升至最高点时，便可通过辅助机构4将酸洗架25上的二极管向右推动，当二极管落入驱动齿条右侧的酸洗架25内时，便可使其在同一酸洗液内进行二次酸洗，当二极管穿过分隔板3与顶板41之间的空隙后，便可落入位于另一酸洗溶液内的酸洗架25上，以对其进行下一阶段的酸洗，经过多次酸洗后，二极管表面清洁度得到明显提高，导引架26在二极管从驱动齿条左侧酸洗架25落入驱动齿条右侧的酸洗架25内的过程中，起到了导引作用，避免二极管直接落入酸洗溶液内。
所述移动机构2下端布置有搅拌辊，搅拌辊位置与移动齿条24位置一一对应，搅拌辊通过轴承安装在酸洗槽1内壁上，搅拌辊中部设置有转动齿轮，搅拌辊前后两侧均沿其周向方向均匀设置有搅拌叶片；移动齿条24下降过程中可带动转动齿轮进行转动，搅拌叶片便可对酸洗溶液进行搅拌，以提高酸洗溶液不同位置处的均匀度。
所述安装槽内安装有挤压球254a，挤压球254a外侧伸入移动槽内；酸洗架25上下移动过程中，挤压球254a能够与碰撞球1c产生碰撞，在伸缩弹簧1a的弹力作用下，碰撞球1c逐渐缩回移动槽内，此时酸洗架25可继续进行上下运动，在此过程中，由于挤压球254a与碰撞球1c之间的碰撞，支撑板254会产生一定震动，从而使得缓冲海绵255上的二极管位置发生一定改变，进而改变了酸洗溶液与二极管的接触位置，有利于对二极管进行全面酸洗。
所述导引板262顶端高度大于分隔板3顶端高度，且移动齿条24上升至最高点时，支撑板254上端面高度大于导引板262顶端高度。
所述酸洗架25包括升降板251、缓冲弹簧252、伸缩杆253、支撑板254与缓冲海绵255，升降板251安装在移动齿条24上端，升降板251上端布置有支撑板254，升降板251与支撑板254之间通过缓冲弹簧252与伸缩杆253相连接，升降板251上端粘贴有缓冲海绵255，升降板251、支撑板254与缓冲海绵255上均开设有浸液通孔，且支撑板254外侧壁上从前往后均匀开设有安装槽，安装槽位置与移动槽位置一一对应；在酸洗架25上下运动过程中，缓冲弹簧252与缓冲海绵255起到了一定的缓冲减震作用，能够防止二极管因磕碰而受到损害的情况发生。
所述导引架26包括伸缩板261、导引板262与复位弹簧263，伸缩板261位置与支撑板254位置一一对应，伸缩板261为上下可伸缩结构，伸缩板261上下两端通过复位弹簧263相连接，伸缩板261外侧壁上开设有连接槽，连接槽与支撑板254内侧壁通过滑动配合方式相连接，伸缩板261上端之间通过导引板262相连接，导引板262上端面为圆弧型结构；位于驱动齿轮23左侧的移动齿条24上升至最高处时，支撑板254位于导引板262上端，此时辅助机构4对该支撑板254上的二级管产生向右推力，使得二级管能够沿导引板262落入位于驱动齿轮23右侧的酸洗架25上，在移动齿条24带动酸洗架25上下运动时，支撑板254在连接槽内进行上下运动，支撑板254向下运动至其下端与连接槽下端相紧贴时，若支撑板254继续向下运动，伸缩板261下端便也同时随之向下运动，当支撑板254向上运动时，在复位弹簧263的弹力作用下，伸缩板261下端逐渐恢复至原位。
所述移动齿条24内外两侧对称设置有凸齿，且移动齿轮前后两侧壁之间的距离小于支撑板254前后两侧壁之间的距离，移动齿条24下降过程中，其外侧凸齿能够与搅拌辊中部设置的转动齿轮相啮合，从而带动其进行转动，其内侧凸齿能够与驱动齿轮23相啮合，以便随之转动进行上下移动。
所述伸缩槽内安装有伸缩弹簧1a，伸缩弹簧1a顶端安装有承托板1b，承托板1b内侧通过轴承安装有碰撞球1c，碰撞球1c内侧伸出移动槽。
所述辅助机构4包括顶板41、电动滑块42、安装块43与辅助刷44，顶板41安装在酸洗槽1上端，顶板41为口字型结构，顶板41侧壁上开设有滑动槽，滑动槽内通过滑动配合方式安装有电动滑块42，电动滑块42下端从左往右均匀安装有安装块43，安装块43位置与导引架26位置一一对应，安装块43下端安装有辅助刷44，辅助刷44下端面上均匀设置有刷毛；在辅助机构4的作用下，电动滑块42带动安装块43在滑动槽内进行左右往复直线运动，当移动齿条24上升至最高处时，刷毛便对二极管产生向右的推力，使得二极管从左往右依次移动至位于不同酸洗溶液内的移动机构2上，达到充分酸洗的目的。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中的描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (8)
1.一种半导体二极管制造加工用酸洗方法，主要包括以下步骤：
S1溶液配制：分别配制体积比为9：9：12：4的HNO3、HF、CH3COOH、H2SO4一次酸洗液、 体积比为1:0.8:3:0.2的H3PO4、H2O2、H2O、CH3COOH二次酸洗液以及成分比为250g：1.25L：12.5L 的CrO3、H2SO4、H2O三次酸洗液，以备之后进行酸洗工作；
S2送料：将待酸洗的二极管分批次均匀放入酸洗设备内，并避免送料速度过快，以免二极管之间相互碰撞造成损伤；
S3酸洗:使用酸洗设备对二极管进行酸洗，以改善二极管机械损伤，去除表面吸附的杂质；
S4出料清洗：将酸洗后的二极管从酸洗设备内取出，并通过清水对二极管进行冲洗，去除二极管表面残留的酸洗溶液；
S5烘干:使用热风式烘干机对二极管进行烘干处理；
上述S1-S5中使用到的酸洗槽(1)设备包括酸洗槽(1)、移动机构(2)、分隔板(3)与辅助机构(4)，其特征在于：酸洗槽(1)内从左往右均匀安装有移动机构(2)，移动机构(2)数量为三，相邻移动机构(2)之间布置有分隔板(3)，分隔板(3)安装在酸洗槽(1)内壁上，且酸洗槽(1)上端安装有辅助机构(4)，酸洗槽(1)左侧壁上开设有进料口，酸洗槽(1)右侧壁上开设有出料口，酸洗槽(1)下端开设有下水口；
所述酸洗槽(1)左右内壁与分隔板(3)作用内壁上均从前往后均匀开设有移动槽，移动槽内从上往下开设有伸缩槽；
所述移动机构(2)包括驱动电机(21)、驱动杆(22)、驱动齿轮(23)、移动齿条(24)、酸洗架(25)与导引架(26)，驱动电机(21)通过电机座安装在酸洗槽(1)外壁上，驱动电机(21)输出轴通过联轴器与驱动杆(22)一端相连接，驱动杆(22)另一端通过轴承安装在酸洗槽(1)内壁上，驱动杆(22)中部安装有驱动齿轮(23)，驱动齿轮(23)左右两侧对称啮合有移动齿条(24)，移动齿条(24)上端安装有酸洗架(25)，酸洗架(25)之间连接有导引架(26)，导引架(26)安装在酸洗槽(1)内壁上；
所述辅助机构(4)包括顶板(41)、电动滑块(42)、安装块(43)与辅助刷(44)，顶板(41)安装在酸洗槽(1)上端，顶板(41)为口字型结构，顶板(41)侧壁上开设有滑动槽，滑动槽内通过滑动配合方式安装有电动滑块(42)，电动滑块(42)下端从左往右均匀安装有安装块(43)，安装块(43)位置与导引架(26)位置一一对应，安装块(43)下端安装有辅助刷(44)，辅助刷(44)下端面上均匀设置有刷毛；
驱动齿轮（23）转动时左右两侧的移动齿条（24）进行方向相反的上下直线往复运动，可带动二极管在酸洗溶液内进行上下运动。
2.根据权利要求1所述的一种半导体二极管制造加工用酸洗方法，其特征在于：所述酸洗架(25)包括升降板(251)、缓冲弹簧(252)、伸缩杆(253)、支撑板(254)与缓冲海绵(255)，升降板(251)安装在移动齿条(24)上端，升降板(251)上端布置有支撑板(254)，升降板(251)与支撑板(254)之间通过缓冲弹簧(252)与伸缩杆(253)相连接，升降板(251)上端粘贴有缓冲海绵(255)，升降板(251)、支撑板(254)与缓冲海绵(255)上均开设有浸液通孔，且支撑板(254)外侧壁上从前往后均匀开设有安装槽，安装槽位置与移动槽位置一一对应。
3.根据权利要求1所述的一种半导体二极管制造加工用酸洗方法，其特征在于：所述导引架(26)包括伸缩板(261)、导引板(262)与复位弹簧(263)，伸缩板(261)位置与支撑板(254)位置一一对应，伸缩板(261)为上下可伸缩结构，伸缩板(261)上下两端通过复位弹簧(263)相连接，伸缩板(261)外侧壁上开设有连接槽，连接槽与支撑板(254)内侧壁通过滑动配合方式相连接，伸缩板(261)上端之间通过导引板(262)相连接，导引板(262)上端面为圆弧型结构。
4.根据权利要求1所述的一种半导体二极管制造加工用酸洗方法，其特征在于：所述移动齿条(24)内外两侧对称设置有凸齿，且移动齿轮前后两侧壁之间的距离小于支撑板(254)前后两侧壁之间的距离。
5.根据权利要求1所述的一种半导体二极管制造加工用酸洗方法，其特征在于：所述移动机构(2)下端布置有搅拌辊，搅拌辊位置与移动齿条(24)位置一一对应，搅拌辊通过轴承安装在酸洗槽(1)内壁上，搅拌辊中部设置有转动齿轮，搅拌辊前后两侧均沿其周向方向均匀设置有搅拌叶片。
6.根据权利要求1所述的一种半导体二极管制造加工用酸洗方法，其特征在于：所述伸缩槽内安装有伸缩弹簧(1a)，伸缩弹簧(1a)顶端安装有承托板(1b)，承托板(1b)内侧通过轴承安装有碰撞球(1c)，碰撞球(1c)内侧伸出移动槽。
7.根据权利要求2所述的一种半导体二极管制造加工用酸洗方法，其特征在于：所述安装槽内安装有挤压球(254a)，挤压球(254a)外侧伸入移动槽内。
8.根据权利要求3所述的一种半导体二极管制造加工用酸洗方法，其特征在于：所述导引板(262)顶端高度大于分隔板(3)顶端高度，且移动齿条(24)上升至最高点时，支撑板(254)上端面高度大于导引板(262)顶端高度。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910941089.4A CN110648901B (zh) | 2019-09-30 | 2019-09-30 | 一种半导体二极管制造加工用酸洗方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910941089.4A CN110648901B (zh) | 2019-09-30 | 2019-09-30 | 一种半导体二极管制造加工用酸洗方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110648901A CN110648901A (zh) | 2020-01-03 |
| CN110648901B true CN110648901B (zh) | 2020-08-28 |
Family
ID=69012047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910941089.4A Expired - Fee Related CN110648901B (zh) | 2019-09-30 | 2019-09-30 | 一种半导体二极管制造加工用酸洗方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110648901B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112962105A (zh) * | 2021-02-03 | 2021-06-15 | 张宁 | 一种工业固体废弃物再利用预处理工艺 |
| CN114774938B (zh) * | 2022-04-25 | 2023-07-21 | 大连海洋大学 | 一种船舶工程船板多方位同步加工的生产设备及方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101017772A (zh) * | 2007-02-27 | 2007-08-15 | 江苏佳讯电子有限公司 | 半导体管芯总成去杂质离子的清洗方法 |
| CN104475390A (zh) * | 2014-07-24 | 2015-04-01 | 如皋市易达电子有限责任公司 | 一种二极管芯片酸洗工艺及设备 |
| CN106128981A (zh) * | 2016-08-29 | 2016-11-16 | 天津汉德威药业有限公司 | 一种轴向二极管酸洗装置 |
-
2019
- 2019-09-30 CN CN201910941089.4A patent/CN110648901B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101017772A (zh) * | 2007-02-27 | 2007-08-15 | 江苏佳讯电子有限公司 | 半导体管芯总成去杂质离子的清洗方法 |
| CN104475390A (zh) * | 2014-07-24 | 2015-04-01 | 如皋市易达电子有限责任公司 | 一种二极管芯片酸洗工艺及设备 |
| CN106128981A (zh) * | 2016-08-29 | 2016-11-16 | 天津汉德威药业有限公司 | 一种轴向二极管酸洗装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110648901A (zh) | 2020-01-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110648901B (zh) | 一种半导体二极管制造加工用酸洗方法 | |
| CN111558580A (zh) | 一种自动化移取多臂旋转式超声清洗机 | |
| CN112547646A (zh) | 一种便于金属制品生产用的清洁装置 | |
| CN207735274U (zh) | 一种滚动轴承钢球表面清洗装置 | |
| CN117320299A (zh) | 一种电路板加工设备及其加工方法 | |
| CN108360004A (zh) | 一种电机转子硅钢片高效酸洗装置 | |
| CN116351792A (zh) | 一种管材内外自动化清洗设备及方法 | |
| CN215527743U (zh) | 一种用于perc电池的刻蚀设备 | |
| CN114887943B (zh) | 一种环形件清洗设备 | |
| CN110695757A (zh) | 一种工厂用机床工作台面清理装置 | |
| CN114632751B (zh) | 清洗系统 | |
| CN212967837U (zh) | 一种动力电池铝壳清洗系统 | |
| CN114267616A (zh) | 用于半导体晶片一体化循环冷却清洗的快冲快排槽 | |
| CN209465404U (zh) | 一种不锈钢法兰清洗装置 | |
| CN220590860U (zh) | 一种氧化皮清洗机 | |
| CN217122860U (zh) | 一种晶圆清洗抛光装置 | |
| CN220991992U (zh) | 一种硅片边缘清洁装置 | |
| CN212833962U (zh) | 一种热浸镀锌自动打灰装置 | |
| CN219851007U (zh) | 一种高压清洗装置 | |
| CN217963823U (zh) | 一种电解清洗下料装置 | |
| CN216323687U (zh) | 一种扩散后硅片连续清洗装置 | |
| CN217664951U (zh) | 一种铜基板加工用清洗烘干一体化装置 | |
| CN215667737U (zh) | 一种酸洗机高压喷洗组件 | |
| CN220216473U (zh) | 一种可自动涂抹润滑剂的粉末冶金齿轮整形装置 | |
| CN220371779U (zh) | 一种机械零件加工用清洗装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20200806 Address after: 211200 Kechuang building, Futian Road, Zhetang street, Lishui Economic Development Zone, Nanjing City, Jiangsu Province Applicant after: Nanjing Lishui hi tech Venture Capital Management Co.,Ltd. Address before: 312500 Room 251, 18 Yilang Building, Jiangnan Road, Nanming Street, Xinchang County, Shaoxing City, Zhejiang Province Applicant before: Yu Feng |
|
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20200828 Termination date: 20200930 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |