CN110635005A - GaN基发光二极管外延结构及其制备方法 - Google Patents

GaN基发光二极管外延结构及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110635005A
CN110635005A CN201910802909.1A CN201910802909A CN110635005A CN 110635005 A CN110635005 A CN 110635005A CN 201910802909 A CN201910802909 A CN 201910802909A CN 110635005 A CN110635005 A CN 110635005A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
light emitting
type
inalgan
gan
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910802909.1A
Other languages
English (en)
Inventor
游正璋
卢国军
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yingrui Photoelectric Technology (shanghai) Co Ltd
Enraytek Optoelectronics Co Ltd
Original Assignee
Yingrui Photoelectric Technology (shanghai) Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yingrui Photoelectric Technology (shanghai) Co Ltd filed Critical Yingrui Photoelectric Technology (shanghai) Co Ltd
Priority to CN201910802909.1A priority Critical patent/CN110635005A/zh
Publication of CN110635005A publication Critical patent/CN110635005A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
    • H01L33/145—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure with a current-blocking structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • H01L33/325—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen characterised by the doping materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

本申请涉及一种GaN基发光二极管外延结构及其制备方法，该外延结构包括：衬底；N型外延层，位于衬底上；发光层，位于N型外延层上；电子阻挡层，位于发光层上；及P型外延层，包括P型主体结构和超晶格结构，超晶格结构包括交替叠设的InAlGaN层和InGaN层，其中，InAlGaN层具有P型掺杂，InGaN层未掺杂。上述外延结构，其P型外延层中由于设有超晶格结构，能够提升空穴的传输能力，且选用InAlGaN层和InGaN层，既能提高对电子的阻挡能力，避免电子进入P型外延层消耗空穴，还能释放应力，使结构更加稳定。

Description

GaN基发光二极管外延结构及其制备方法
技术领域
本发明涉及发光二极管领域，尤其涉及一种GaN基发光二极管外延结构及其制备方法。
背景技术
氮化镓是现今半导体照明中蓝光发光二极管的核心材料，氮化镓基发光二极管的外延结构包括多层结构，其中核心层次为N型外延层、发光层和P型外延层，通过将N型外延层中的电子和P型外延层中的空穴输送至发光层，电子和空穴在发光层进行复合发光。然而，以氮化镓单层作为P型外延层，空穴的迁移率较低，其传输能力较弱，注入发光层的空穴数目有限，致使整个发光二极管的发光效率很低。因此，有必要设计一种能提升空穴传输能力的P型外延层，以提高发光二极管的发光效率。
发明内容
基于此，本申请针对氮化镓基发光二极管发光效率低的问题，提出一种GaN基发光二极管外延结构及其制备方法。
一种GaN基发光二极管外延结构，包括：
衬底；
N型外延层，位于所述衬底上；
发光层，位于所述N型外延层上；
电子阻挡层，位于所述发光层上；及
P型外延层，包括P型主体结构和超晶格结构，所述超晶格结构包括交替叠设的InAlGaN层和InGaN层，其中，所述InAlGaN层具有P型掺杂，所述InGaN层未掺杂。
上述GaN基发光二极管外延结构，其P型外延层包括P型主体结构和超晶格结构，其中，超晶格结构包括叠设InAlGaN层和InGaN层，且InAlGaN层具有P型掺杂，InGaN层未掺杂。InAlGaN层和InGaN层一方面会在两者的交界面处产生较强的二维电子气，能够提升P型外延层中空穴的横向扩展能力，避免P型外延层中出现电流拥挤，从而提升空穴的传输能力；另一方面，选用InAlGaN层和InGaN层既能够提升P型外延层的势垒高度，能够阻挡电子进入P型外延层，从而使得更多的空穴注入发光层，还能较好地释放应力，从而提升发光二极管的发光效率。同时，使用未掺杂的InGaN，可以减少空穴迁移过程中的碰撞，而由于InAlGaN层由于具有铝组分，其阻抗相对较大，进行P型掺杂，能够降低阻抗，从而降低驱动电压。
在其中一个实施例中，所述超晶格结构包括叠设的二至五组所述InAlGaN层和InGaN层。
在其中一个实施例中，所述P型主体结构层的厚度范围为45nm～55nm，各所述InAlGaN层的厚度范围为0.5nm～2nm，各所述InGaN层的厚度范围为0.5nm～2nm。
在其中一个实施例中，所述InAlGaN层的厚度与所述InGaN层的厚度一致。
在其中一个实施例中，所述P型主体结构具有镁掺杂且掺杂浓度范围为1e20cm-3～1e21cm-3，所述InAlGaN层具有镁掺杂且掺杂浓度范围为1e20cm-3～1e21cm-3。
在其中一个实施例中，所述InAlGaN层中铟的摩尔分数范围为3％～7％，铝的摩尔分数范围为8％～12％。
在其中一个实施例中，所述InGaN层中铟的摩尔分数范围为3％～7％。
在其中一个实施例中，所述InGaN层中铟的摩尔分数小于所述InAlGaN层中铟的摩尔分数。
在其中一个实施例中，所述超晶格结构叠设于所述P型主体结构上。
一种GaN基发光二极管外延结构的制备方法，包括：
提供衬底；
在所述衬底上生长N型外延层；
在所述N型外延层上生长发光层；
在所述发光层上生长电子阻挡层；及
在所述电子阻挡层上生长P型外延层，生长所述P型外延层的步骤包括：在所述电子阻挡层上生长P型主体结构和超晶格结构，生长超晶格的步骤包括交替生长P型掺杂的InAlGaN层和未掺杂的InGaN层。
附图说明
图1为本申请一实施例中GaN基发光二极管外延结构的结构示意图；
图2为本申请另一实施例中GaN基发光二极管外延结构的结构示意图；
图3为本申请一实施例GaN基发光二极管外延结构的制备方法步骤流程图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的首选实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
本申请涉及一种GaN基发光二极管外延结构，如图1所示，GaN基发光二极管外延结构包括衬底110和依次叠设于衬底110上的N型外延层130、发光层150、电子阻挡层160和P型外延层170，其中，P型外延层170包括P型主体结构171和超晶格结构172，其中，超晶格结构172包括交替叠设的InAlGaN层7a和InGaN层7b，InAlGaN层7a具有P型掺杂，InGaN层7b未掺杂。
上述GaN基发光二极管外延结构，其P型外延层包括P型主体结构和超晶格结构，其中，P型主体结构主要是负责提供足够的空穴，超晶格结构主要是改善P型外延层空穴的传输能力。在超晶格结构中，包括交替叠设的InAlGaN层和InGaN层，在InAlGaN层和InGaN层的交界面会形成二维电子气，能提升P型半导体层中空穴的横向扩展能力，避免电流拥挤，从而提高空穴的传输能力，使得更多的空穴进入发光层，提高发光二极管的发光效率。同时，选用InAlGaN层和InGaN层形成超晶格结构，可以提高P型外延层的势垒，阻挡电子进入P型外延层消耗空穴，而且InAlGaN和InGaN还能释放应力，使结构更加稳定。同时，InGaN层未掺杂，能减少空穴在迁移过程中的碰撞，而InAlGaN层由于铝组分的存在，其阻抗相对较高，掺入一定的P型杂质，能够降低阻抗，从而减小驱动电压。
在一实施例中，上述超晶格结构172具有二至五组叠设的上述InAlGaN层和InGaN层。在本实施例中，P型外延层中的超晶格结构呈周期结构，有利于逐渐释放应力并调整能带弯曲，从而进一步增强空穴的传输能力。
在一实施例中，P型外延层170中各层结构的厚度具有一定要求，其中，P型主体结构171的厚度范围为45nm～55nm，超晶格结构172中的各InAlGaN层7a的厚度范围为0.5nm～2nm，各InGaN层7b的厚度范围为0.5nm～2nm。在一实施例中，InAlGaN层7a和InGaN层7b的厚度一致。
在一实施例中，P型外延层170中各层的掺杂浓度具有一定要求，其中，P型主体结构171中具有镁掺杂且掺杂浓度范围为1e20cm-3～1e21cm-3，超晶格结构172中的各InAlGaN层7a具有镁掺杂且掺杂浓度范围为1e20cm-3～1e21cm-3。在一实施例中，对于各InAlGaN层7a和各InGaN层7b中的铟组分和铝组分的含量具有一定要求。其中，InAlGaN层7a中铟的摩尔分数范围为3％～7％，铝的摩尔分数范围为8％～12％。其中，InGaN层中铟的摩尔分数范围为3％～7％，。在一实施例中，InGaN层7b中铟的摩尔分数小于InAlGaN层7a中铟的摩尔分数，在InAlGaN层提高铟组分的含量，是由于铝的势垒较高，利用铟能够调整能带弯曲，提高空穴的传输能力。
在一实施例中，P型主体结构171为GaN层，P型GaN层主要是用于提供空穴。在一实施例中，如图1所示，超晶格结构172叠设于P型主体结构171上。在其他实施例中，超晶格结构172也可以位于P型主体结构171的下方或者穿插于P型主体结构171的中间。
可选的，衬底110可以是Al2O3、GaN、AlN、AlGaN、AlInGaN、Si、SiC中任一种材料形成的单层结构或多种材料形成的复合结构。在一实施例中，如图1所示，在衬底110和N型外延层130之间还形成有缓冲层120，缓冲层120的厚度为10nm～30nm。其中，缓冲层120的材料可以是GaN，AlGaN、AlInGaN中任一种材料形成的单层结构或或这几种材料形成的复合结构。
可选的，如图2所示，N型外延层130具体包括非掺杂层131、第一N型掺杂层132，电子流扩散层133和第二N型掺杂层134，其中，非掺杂层131、第一N型掺杂层和第二N型掺杂层可以是GaN，AlGaN、AlInGaN中任一种材料形成的单层结构或或这几种材料形成的复合结构，其中，非掺杂层131的厚度可为1um～3um，第一N型掺杂层132的厚度可为2um～4um，第一N型掺杂层132具有硅掺杂且硅的掺杂浓度可为1.0E19cm-3～3E19cm-3，第二N型掺杂层134的厚度可为10nm～500nm，第二N型掺杂层134具有硅掺杂且掺杂浓度可为2E18cm-3-7E18cm-3。其中，电子流扩散层133可以是AlGaN、InGaN、GaN、AlInGaN、AlN、InN中任一种材料形成的单层结构或或这几种材料形成的复合结构，其厚度为10nm～3000nm，电子流扩散层133具有硅掺杂且掺杂浓度为2E17cm-3～5E19cm-3。
可选的，如图2所示，在N型外延层130和发光层150之间设置有应力调节层140，应力调节层140为多周期的InAlGaN层，将应力调节层140表示为(InAlGaN)n，1≤n≤6，应力调节层140的总厚度不超过20nm。
可选的，发光层150为周期交叠的势阱层和势垒层，其中，各势阱层的厚度为1nm～4nm，各势垒层的厚度为4nm～6nm，发光层150的周期数为3～15，势阱层和势垒层的材料均可选InAlGaN。
可选的，电子阻挡层160可从下至上分为四层结构，临近发光层150的为未掺杂的GaN层，GaN层上叠设有三层InAlGaN层，第一层InAlGaN层具有P型掺杂，第二层InAlGaN层具有硅掺杂，第三层InAlGaN层未掺杂。
本申请还涉及一种GaN基发光二极管外延结构的制备方法，如图3所示，该制备方法包括：
步骤S310：提供衬底。
在一实施例中，衬底110可以是Al2O3、GaN、AlN、AlGaN、AlInGaN、Si、SiC中任一种材料形成的单层结构或多种材料形成的复合结构。
步骤S320：在所述衬底上生长N型外延层。
在一实施例中，通过步骤S320生长出的N型外延层130的结构与参数与上文GaN基发光二极管外延结构中的N型外延层130的结构和参数相同，在此不再赘述。其中，非掺杂层131生长温度为1000℃～1200℃，反应腔压力为100Torr～500Torr。其中，第一N型掺杂层132的生长温度为1000℃～1150℃，反应腔压力为100Torr～300Torr。其中，电子流扩散层133的生长温度为1000℃～1150℃，反应腔压力为100Torr～300Torr。其中，第二N型掺杂层134的生长温度为1000℃～1150℃，反应腔压力为100Torr～300Torr。
步骤S330：在所述N型外延层上生长发光层。
在一实施例中，通过步骤S330生长出的发光层150的结构与参数与上文GaN基发光二极管外延结构中的发光层150的结构和参数相同，在此不再赘述。其中，发光层150的生长温度为700℃～900℃。
在一实施例中，在生长发光层150之前，还包括在N型外延层130上生长应力调节层140的步骤，应力调节层140的结构与参数与上文GaN基发光二极管外延结构中的应力调节层140的结构和参数相同，在此不再赘述。其中，应力调节层140的生长温度为700℃～900℃。
步骤S340：在所述发光层上生长电子阻挡层。
在一实施例中，生长电子阻挡层的步骤包括：在发光层上生长一层GaN层且不进行掺杂，在GaN层上形成第一层InAlGaN层并进行P型掺杂，在第一层InAlGaN层上形成第二层InAlGaN层并进行硅掺杂，在第二层InAlGaN层上形成第三层InAlGaN层且不掺杂。
步骤S350：在所述电子阻挡层上生长P型外延层，生长所述P型外延层的步骤包括：在所述电子阻挡层上生长P型主体结构和超晶格结构，生长超晶格的步骤包括交替生长P型掺杂的InAlGaN层和未掺杂的InGaN层。
在一实施例中，通过步骤S350生长出的P型外延层170的结构与参数与上文GaN基发光二极管外延结构中的P型外延层170的结构和参数相同，在此不再赘述。其中，P型外延层的生长温度为700℃～900℃。
在本申请中，通过上述制备方法形成的GaN基发光二极管外延结构，其P型外延层包括用于提供空穴的P型主体结构和用于改善空穴传输能力的超晶格结构。其中，超晶格结构中的InAlGaN层和InGaN层能够在InAlGaN层和InGaN层的交界面产生较强的二维电子气，提升P型外延层中空穴的横向扩展能力，避免电流拥挤，从而提高空穴的传输能力，且选用InAlGaN层和InGaN层，能够提升P型外延层的势垒高度，阻挡电子进入P型层中消耗空穴，使得更多空穴进入发光层，从而提高发光二极管的发光效率。同时，InGaN未掺杂，能够减小空穴迁移过程中的碰撞，而InAlGaN层进行P型掺杂，主要能够降低InAlGaN层的阻抗，从而减小驱动电压。
以上实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种GaN基发光二极管外延结构，其特征在于，包括：
衬底；
N型外延层，位于所述衬底上；
发光层，位于所述N型外延层上；
电子阻挡层，位于所述发光层上；及
P型外延层，包括P型主体结构和超晶格结构，所述超晶格结构包括交替叠设的InAlGaN层和InGaN层，其中，所述InAlGaN层具有P型掺杂，所述InGaN层未掺杂。
2.如权利要求1所述的GaN基发光二极管外延结构，其特征在于，所述超晶格结构包括叠设的二至五组所述InAlGaN层和InGaN层。
3.如权利要求1所述的GaN基发光二极管外延结构，其特征在于，所述P型主体结构层的厚度范围为45nm～55nm，各所述InAlGaN层的厚度范围为0.5nm～2nm，各所述InGaN层的厚度范围为0.5nm～2nm。
4.如权利要求1所述的GaN基发光二极管外延结构，其特征在于，所述InAlGaN层的厚度与所述InGaN层的厚度一致。
5.如权利要求1所述的GaN基发光二极管外延结构，其特征在于，所述P型主体结构具有镁掺杂且掺杂浓度范围为1e20cm-3～1e21cm-3，所述InAlGaN层具有镁掺杂且掺杂浓度范围为1e20cm-3～1e21cm-3。
6.如权利要求1所述的GaN基发光二极管外延结构，其特征在于，所述InAlGaN层中铟的摩尔分数范围为3％～7％，铝的摩尔分数范围为8％～12％。
7.如权利要求1所述的GaN基发光二极管外延结构，其特征在于，所述InGaN层中铟的摩尔分数范围为3％～7％。
8.如权利要求1所述的GaN基发光二极管外延结构，其特征在于，所述InGaN层中铟的摩尔分数小于所述InAlGaN层中铟的摩尔分数。
9.如权利要求1所述的GaN基发光二极管外延结构，其特征在于，所述超晶格结构叠设于所述P型主体结构上。
10.一种GaN基发光二极管外延结构的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上生长N型外延层；
在所述N型外延层上生长发光层；
在所述发光层上生长电子阻挡层；及
在所述电子阻挡层上生长P型外延层，生长所述P型外延层的步骤包括：在所述电子阻挡层上生长P型主体结构和超晶格结构，生长超晶格的步骤包括交替生长P型掺杂的InAlGaN层和未掺杂的InGaN层。
CN201910802909.1A 2019-08-28 2019-08-28 GaN基发光二极管外延结构及其制备方法 Pending CN110635005A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910802909.1A CN110635005A (zh) 2019-08-28 2019-08-28 GaN基发光二极管外延结构及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910802909.1A CN110635005A (zh) 2019-08-28 2019-08-28 GaN基发光二极管外延结构及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110635005A true CN110635005A (zh) 2019-12-31

Family

ID=68969386

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910802909.1A Pending CN110635005A (zh) 2019-08-28 2019-08-28 GaN基发光二极管外延结构及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110635005A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117691019A (zh) * 2024-02-02 2024-03-12 江西兆驰半导体有限公司 一种P型GaN层发光二极管外延片及制备方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1431722A (zh) * 2003-02-18 2003-07-23 华南师范大学 Ⅲ族氮化物半导体蓝色发光器件
CN101689586A (zh) * 2007-06-15 2010-03-31 罗姆股份有限公司 氮化物半导体发光元件和氮化物半导体的制造方法
CN102005515A (zh) * 2009-08-28 2011-04-06 上海蓝宝光电材料有限公司 具有低温中间层的氮化镓系发光二极管
CN104716236A (zh) * 2013-12-16 2015-06-17 山东华光光电子有限公司 一种提高发光效率的GaN基LED外延结构及生长方法
CN105428477A (zh) * 2015-12-26 2016-03-23 中国电子科技集团公司第十三研究所 GaN基LED外延片及其制备方法
CN105789392A (zh) * 2016-04-28 2016-07-20 聚灿光电科技股份有限公司 GaN基LED外延结构及其制造方法
CN106952987A (zh) * 2017-03-17 2017-07-14 武汉大学 紫外发光二极管外延结构及其制备方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1431722A (zh) * 2003-02-18 2003-07-23 华南师范大学 Ⅲ族氮化物半导体蓝色发光器件
CN101689586A (zh) * 2007-06-15 2010-03-31 罗姆股份有限公司 氮化物半导体发光元件和氮化物半导体的制造方法
CN102005515A (zh) * 2009-08-28 2011-04-06 上海蓝宝光电材料有限公司 具有低温中间层的氮化镓系发光二极管
CN104716236A (zh) * 2013-12-16 2015-06-17 山东华光光电子有限公司 一种提高发光效率的GaN基LED外延结构及生长方法
CN105428477A (zh) * 2015-12-26 2016-03-23 中国电子科技集团公司第十三研究所 GaN基LED外延片及其制备方法
CN105789392A (zh) * 2016-04-28 2016-07-20 聚灿光电科技股份有限公司 GaN基LED外延结构及其制造方法
CN106952987A (zh) * 2017-03-17 2017-07-14 武汉大学 紫外发光二极管外延结构及其制备方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117691019A (zh) * 2024-02-02 2024-03-12 江西兆驰半导体有限公司 一种P型GaN层发光二极管外延片及制备方法
CN117691019B (zh) * 2024-02-02 2024-04-30 江西兆驰半导体有限公司 一种P型GaN层发光二极管外延片及制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI466316B (zh) 氮化物半導體發光裝置
JP5048497B2 (ja) 窒化物半導体発光素子及びその製造方法
US7429756B2 (en) Nitride semiconductor light emitting device
US7772588B1 (en) Light emitting device with improved internal quantum efficiency
CN115347098A (zh) 低工作电压发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
TWI445204B (zh) 具有漸變含量之電洞穿隧層之發光元件
CN101640236A (zh) 组合式电子阻挡层发光元件
US20070069234A1 (en) Nitride semiconductor device
CN109192825B (zh) 一种发光二极管外延片及其制造方法
CN110581205A (zh) GaN基发光二极管外延结构及其制备方法
CN110635004A (zh) GaN基发光二极管外延结构
TW201327904A (zh) 利用應變緩衝層實現優秀的發光效率的氮化物類發光器件
US8759815B2 (en) Nitride based semiconductor light emitting device
JP2010045338A (ja) 発光ダイオード
CN109004074A (zh) Led外延结构及其制备方法
TWI566431B (zh) 組合式電子阻擋層發光元件
KR101928479B1 (ko) 3족 질화물 반도체 발광소자
CN110581204A (zh) GaN基发光二极管外延结构及其制备方法
CN102544290A (zh) 氮化物半导体发光二极管元件
CN110635005A (zh) GaN基发光二极管外延结构及其制备方法
CN218827205U (zh) 发光二极管外延片及发光二极管
CN208507715U (zh) Led外延结构
TWI415301B (zh) 氮化物系半導體發光結構
JP7481618B2 (ja) 窒化物半導体素子の製造方法
CN109166950B (zh) 发光二极管的半导体芯片及其量子阱层和制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
AD01 Patent right deemed abandoned

Effective date of abandoning: 20220701

AD01 Patent right deemed abandoned