CN110634773A - 湿法刻蚀设备及其控制方法、存储介质 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种湿法刻蚀设备及其控制方法、存储介质。湿法刻蚀设备包括至少一刻蚀腔，每一刻蚀腔具有前端入口和后端出口，当所述刻蚀腔具有两个或以上时，所述蚀刻腔之间首尾相接设置；每一刻蚀腔包括常开喷淋单元；其中一蚀刻腔还包括辅助喷淋单元；当具有待图案化处理膜层的基片通过这一刻蚀腔，所述常开喷淋单元用以对所述基片喷射喷淋液；所述辅助喷淋单元用以对所述基片增加喷射预设量的喷淋液，解决了平坦层进行图案化处理时的Mura。湿法刻蚀设备的控制方法包括步骤：获取待图案化处理膜层，开启辅助喷淋单元。存储介质存储有计算机程序，所述控制器运行所述计算机程序，以执行上述湿法刻蚀设备的控制方法的步骤。

Description

湿法刻蚀设备及其控制方法、存储介质

技术领域

本发明涉及微电子加工设备技术领域，尤其涉及一种湿法刻蚀设备及其控制方法、存储介质。

背景技术

在液晶显示器阵列基板制造工艺中，需通过湿法刻蚀将阵列基板的膜层进行图案化处理。阵列基板的膜层在进行图案化处理之前需进行涂布、曝光及显影的生产工艺，玻璃基片完成清洗(Cleaner)，涂布上光阻后(Coater)，经过烘烤(Pre-bake)，再通过曝光机(Exposure)，利用MASK在玻璃基片上对光阻定义图形；然后再经过显影制程(Developer)显示图形。

如图1所示，为现有的一种湿法刻蚀设备90的布局示意图，用于进行显影制程。请参照图1，表面覆盖待图案化处理膜层的基片在覆盖光阻后由入口单元91(Ent CV)通过刻蚀腔92(Developer)。在刻蚀腔92中，喷淋单元通过喷淋显影液将基片上不需要保留的薄膜刻蚀，即未被光阻定义图形覆盖的薄膜去除。而后，基片经由水洗单元93(Rinsing)进行清洗，去除基片表面残留的显影液。然后，经由风刀单元94(AK)进行干燥，经干燥后的基片被传送至紫外线照射单元95(IUV)，使用紫外线照射基片用于改善光阻透光率。最后，基片由出口单元96(Exit CV)被传送出湿法刻蚀设备90。

目前，阵列基板制程中由于阵列基板的平坦层的特性不同于其他膜层，平坦层所使用的光阻及显影工艺与其他膜层存在差异，在平坦层进行图案化处理时会因为喷淋的显影液用量不足导致显影不均现象和出光不均现象，即条纹Mura。

发明内容

鉴于上述技术问题，本发明提供了一种湿法刻蚀设备及其控制方法、存储介质，解决了平坦层进行图案化处理时出现显影不均现象和出光不均现象；并进一步提高了显影液的利用率，节省了生产成本。

为了解决上述问题，本发明提供一种湿法刻蚀设备，包括至少一刻蚀腔，每一刻蚀腔具有前端入口和后端出口，当所述刻蚀腔具有两个或以上时，所述蚀刻腔之间首尾相接设置。每一刻蚀腔包括常开喷淋单元，所述常开喷淋单元设于对应的所述刻蚀腔的中并位于其所述前端入口位置；其中一蚀刻腔还包括辅助喷淋单元，所述辅助喷淋单元设于这一刻蚀腔中并位于其后端出口位置；当具有待图案化处理膜层的基片通过这一刻蚀腔，所述常开喷淋单元用以对所述基片喷射喷淋液；所述辅助喷淋单元用以对所述基片增加喷射预设量的喷淋液。

进一步地，当所述基片中的待图案化处理膜层为平坦层，且通过具有所述辅助喷淋单元的刻蚀腔时，所述辅助喷淋单元开启，当所述基片中的待图案化处理膜层为非平坦层时，所述辅助喷淋单元关闭。

进一步地，所述辅助喷淋单元的预设量为28L/Min-50L/Min。

进一步地，所述湿法刻蚀设备还包括第一重量传感器和第二重量传感器。具体地讲，所述第一重量传感器安装于所述常开喷淋单元和所述辅助喷淋单元之间，用于测量所述基片前端抵达所述第一重量传感器时以及所述基片末端离开所述第一重量传感器时的重量参数；所述第二重量传感器安装于所述辅助喷淋单元和所述出口之间，用于测量所述基片前端抵达所述第二重量传感器时以及所述基片末端离开所述第二重量传感器时的重量参数。

进一步地，所述第一重量传感器与所述辅助喷淋单元的水平距离S为4.0m-5.0m。

进一步地，所述湿法刻蚀设备还包括控制器，所述控制器的信号输入端与所述第一重量传感器及所述第二重量传感的信号输出端连接，所述控制器的信号输出端与所述辅助喷淋单元连接，所述控制器控制所述辅助喷淋单元的开启或关闭。

进一步地，所述控制器还包括时钟单元、信号读取单元和处理单元。具体地讲，所述时钟单元用于统计第i块所述基片前端抵达所述第一重量传感器时的重量参数的开始时间t10i、第i块所述基片末端离开所述第一重量传感器的重量参数的结束时间t11i、第i块所述基片前端抵达所述第二重量传感器时的重量参数的开始时间t20i、第i块所述基片离开所述第二重量传感器的重量参数的结束时间t21i、第i块所述基片通过所述第一重量传感器或所述第二重量传感器的持续时间Ti以及第i块所述基片从所述第一重量传感器传输至所述第二重量传感器的传输时间ti，其中i为自然数；所述信号读取单元，用于读取所述第一重量传感器及所述第二重量传感器的信号，识别第i块所述基片前端抵达所述第一重量传感器时的重量参数、第i块所述基片末端离开所述第一重量传感器的重量参数、第i块所述基片通过所述第二重量传感器时的重量参数、第i块所述基片离开所述第二重量传感器的重量参数并反馈至所述时钟单元；所述处理单元用于根据所述基片的传输速度V及所述时钟单元的统计时间计算第i块所述基片在所述第一重量传感器上的传输距离Li＝V×Ti、第i块所述基片的长度Ni＝V×(t11i-t10i)、第i块所述基片在所述第二重量传感器上的传输距离Mi＝V×(t21i-t20i)、第i块所述基片末端离开所述第一重量传感器后两者之间的间隔距离Ki＝V×ti、所述基片通过所述第一重量传感器的总长度∑Li、所述基片通过所述第二重量传感器的总长度∑Mi以及通过所述第一重量传感器的所述基片的长度Ni与所述间隔距离Ki之和∑(Ni+Ki)，其中i为自然数；所述基片从所述入口进入并向所述出口一侧传输，当所述基片未通过所述辅助喷淋单元时，且当第i块所述基片在所述第一重量传感器上的传输距离Li≥S-3.0m时，或者当所述基片的长度Ni与所述间隔距离Ki之和∑(Ni+Ki)≥S-3.0m时，所述控制器控制所述辅助喷淋单元开启；当所述基片通过所述第一重量传感器的总长度∑Li等于所述基片通过所述第二重量传感器的总长度∑Mi时，所述控制器控制所述辅助喷淋单元关闭。

本发明还提供一种上述湿法刻蚀设备的控制方法，其包括以下步骤：

获取待图案化处理膜层步骤，通过工艺流程节点或图像识别方式获取被刻蚀的基片表面覆盖待图案化处理膜层的类型；以及

控制辅助喷淋单元步骤，当所述基片中的待图案化处理膜层为平坦层，且通过具有所述辅助喷淋单元的刻蚀腔时，所述辅助喷淋单元开启，当所述基片中的待图案化处理膜层为非平坦层时，所述辅助喷淋单元关闭。

进一步地，在所述获取待图案化处理膜层步骤和所述控制辅助喷淋单元步骤之间还包括：

阈值录入步骤，录入所述辅助喷淋单元开启功能的预设功能参数阈值，包括开启所述辅助喷淋单元的最小前置距离H＝3.0m以及所述基片通过所述第一重量传感器的最小长度阈值Lmin＝S-H，其中所述最小前置距离H为被刻蚀的所述基片距离所述开启所述辅助喷淋单元的最小距离，S表示所述第一重量传感器与所述辅助喷淋单元的水平距离，4.0m≤S≤5.0m；

数据获取步骤，在所述基片从所述入口进入并向所述出口一侧传输过程中，获取所述基片的传输速度V，获取第i块所述基片前端抵达所述第一重量传感器时的重量参数的开始时间t10i，获取第i块所述基片末端离开所述第一重量传感器的重量参数的结束时间t11i，获取第i块所述基片前端抵达所述第二重量传感器时的重量参数的开始时间t20i，获取第i块所述基片离开所述第二重量传感器的重量参数的结束时间t21i，获取第i块所述基片通过所述第一重量传感器或所述第二重量传感器的持续时间Ti以及获取第i块所述基片从所述第一重量传感器传输至所述第二重量传感器的传输时间ti，其中i为自然数；

计算并存储步骤，计算并存储第i块所述基片在所述第一重量传感器上的传输距离Li＝V×Ti、第i块所述基片的长度Ni＝V×(t11i-t10i)、第i块所述基片在所述第二重量传感器上的传输距离Mi＝V×(t21i-t20i)、第i块所述基片末端离开所述第一重量传感器后两者之间的间隔距离Ki＝V×ti、所述基片通过所述第一重量传感器的总长度∑Li、所述基片通过所述第二重量传感器的总长度∑Mi以及通过所述第一重量传感器的所述基片的长度Ni与所述间隔距离Ki之和∑(Ni+Ki)，其中i为自然数；以及

预判断步骤，当Li≥Lmin时或者当∑(Ni+Ki)≥Lmin时，预判断满足开启所述辅助喷淋单元的条件；当∑Mi＝∑Li时，预判断满足关闭所述辅助喷淋单元的条件。

本发明再提供一种存储介质，存储有计算机程序，处理器运行所述计算机程序，以执行上述湿法刻蚀设备的控制方法的步骤。

本发明的有益效果在于，提供一种湿法刻蚀设备，通过增加所述辅助喷淋单元解决了平坦层进行图案化处理时出现显影不均现象和出光不均现象；并进一步通过对所述辅助喷淋单元开启和关闭的时间进行有效控制，提高了显影液的利用率，节省了生产成本。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有的一种湿法刻蚀设备的布局示意图；

图2为本发明实施例中一种湿法刻蚀设备的布局示意图；

图3为本发明所述刻蚀腔的结构示意图；

图4为本发明所述刻蚀腔的俯视布局示意图；

图5为本发明所述湿法刻蚀设备的控制方法的流程图。

图中部件标识如下：

1、入口单元，2、2A、2B、2C、刻蚀腔，3、水洗单元，4、风刀单元，

5、曝光单元，6、出口单元，10、基片，21、常开喷淋单元，

22、辅助喷淋单元，23、第一重量传感器，24、第二重量传感器，

25、控制器，26、传送装置，100、湿法刻蚀设备，201、前端入口，

202、后端出口，210、凹槽，251、时钟单元，252、信号读取单元，

253、处理单元。

具体实施方式

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如图2所示，本发明提供一种湿法刻蚀设备100的俯视布局示意图，用于进行显影制程。表面覆盖待图案化处理膜层的基片在覆盖光阻后由入口单元1(Ent CV)进入刻蚀腔2(Developer)。在所述刻蚀腔2中，通过喷淋显影液将基片上不需要保留的薄膜刻蚀，即未被光阻定义图形覆盖的薄膜去除。而后，所述基片经由水洗单元3(Rinsing)进行清洗，去除所述基片表面残留的显影液。然后，经由风刀单元4(AK)进行干燥，经干燥后的所述基片被传送至曝光单元5(IUV)，使用紫外线照射所述基片用于除去所述光阻。最后，所述基片由出口单元6(Exit CV)被传送出所述湿法刻蚀设备100。

如图2所示，本实施例所述湿法刻蚀设备100包括至少一刻蚀腔2，所述刻蚀腔2包括刻蚀腔2A、刻蚀腔2B以及刻蚀腔2C，每一刻蚀腔2具有前端入口201和后端出口202，当所述刻蚀腔2具有两个或以上时，所述蚀刻腔2之间首尾相接设置。每一刻蚀腔2包括常开喷淋单元21，所述常开喷淋单元21设于对应的所述刻蚀腔2的中并位于其所述前端入口201位置，所述常开喷淋单元的喷淋流量范围为5L/Min-45L/Min，优选设定其喷淋流量为18L/min。

由于阵列基板的平坦层的特性不同于其他膜层，平坦层所使用的光阻及显影工艺与其他膜层存在差异，在所述平坦层进行图案化处理时会因为喷淋的显影液用量不足导致显影不均现象和出光不均现象，即条纹Mura。因此，被刻蚀的基片表面覆盖待图案化处理膜层的类型分为平坦层、非平坦层；并同时在所述刻蚀腔2B中还包括辅助喷淋单元22，如图3所示，所述辅助喷淋单元22设于这一刻蚀腔中并位于其后端出口202位置。在非平坦层图案化处理时仅开启所述常开喷淋单元21即可满足工艺要求，在平坦层图案化处理时需同时开启所述常开喷淋单元21和所述辅助喷淋单元22。换句话讲，当具有待图案化处理膜层的基片10通过这一刻蚀腔2，所述常开喷淋单元21用以对所述基片10喷射喷淋液；所述辅助喷淋单元22用以对所述基片10增加喷射预设量的喷淋液，这样可以增加喷淋液用量从而能够防止所述平坦层进行图案化处理时由于显影液用量不足导致的显影不均现象和出光不均现象。所述辅助喷淋单元22的预设量为28L/Min-50L/Min，优选设定其喷淋流量为32L/min。

当所述基片10中的待图案化处理膜层为平坦层，且通过具有所述辅助喷淋单元22的刻蚀腔2时，所述辅助喷淋单元22开启，当所述基片10中的待图案化处理膜层为非平坦层时，所述辅助喷淋单元22关闭。

本实施例中虽然在对平坦层进行图案化处理时，加开所述辅助喷淋单元22，能够避免在平坦层上出现条纹Mura，但与此同时也大量的增加了单位时间内喷淋液的流量，此时同时开启所述常开喷淋单元21和所述辅助喷淋单元22时的显影液流程总量很大。在对平坦层进行图案化处理更换为对其他膜层进行图案化处理过程中，以及在对平坦层进行图案化处理的基片10通过所述刻蚀腔2间隔周期较长时，所述辅助喷淋单元22一直在喷淋显影液，并且显影液耗用量较高，显影液大量浪费，造成生产成本很高。

为了进一步地节约显影液用量，如图3、图4所示，所述湿法刻蚀设备100还包括第一重量传感器23和第二重量传感器24。

所述第一重量传感器23安装于所述常开喷淋单元21和所述辅助喷淋单元22之间；当被刻蚀的基片10通过所述第一重量传感器23时，所述第一重量传感器23用于测量到所述基片10前端抵达所述第一重量传感器23时的重量参数以及所述基片10末端离开所述第一重量传感器23的重量参数。具体地讲，所述第一重量传感器23设于所述刻蚀腔2的侧壁上。所述第一重量传感器23设有凹槽，所述基片10从所述凹槽位置通过。

所述第二重量传感器24安装于所述辅助喷淋单元22和所述后端出口202之间；当被刻蚀的基片10通过所述第二重量传感器24时，所述第二重量传感器24用于测量所述基片10前端抵达所述第二重量传感器24时的重量参数以及所述基片10离末端开所述第二重量传感器24的重量参数。本实施例中所述第二重量传感器24也设于所述刻蚀腔2的侧壁上，优选与所述第一重量传感器23位于同一侧。可以理解的是，所述第二重量传感器24与所述第一重量传感器23的类型一致。

本实施例中，所述第一重量传感器23与所述辅助喷淋单元22的水平距离S为4.0m-5.0m，优选为4.5m。

如图4所示，为所述刻蚀腔2的俯视布局示意图，本实施例中，所述湿法刻蚀设备100还包括控制器25，所述控制器25的信号输入端与所述第一重量传感器23及所述第二重量传感24的信号输出端连接，所述控制器25的信号输出端与所述辅助喷淋单元22连接，所述控制器25控制所述辅助喷淋单元22的开启或关闭。

本实施例中，所述基片10从所述前端入口201通过并向所述后端出口202一侧传输，当所述基片10在未进入所述辅助喷淋单元22之前且当所述基片10朝向所述后端出口202一端与所述辅助喷淋单元22朝向所述前端入口201一端的水平距离至少为3.0m时所述辅助喷淋单元22开启，当所述基片10通过所述第二重量传感器24的总长度等于所述基片10通过所述第一重量传感器23的总长度时，所述辅助喷淋单元22关闭。所述基片10在所述辅助喷淋单元22前至少3.0m的位置，即所述基片10通过所述第一重量传感器23的距离为1.0m-2.0m时才被开启的目的是为了保证所述辅助喷淋单元22开启形成均匀的液体垂暮，在制程过程中，该液体垂暮不能分叉，否则对所述基片10的制程显影有不利影响。所以在所述基片10即将到达所述辅助喷淋单元22前至少3.0m的位置，即所述基片10通过所述第一重量传感器23的距离为1.0m-2.0m时开启所述辅助喷淋单元22以形成均匀的液体垂暮。

如图4所示，所述湿法刻蚀设备100还包括激光传感器(未图示)，所述激光传感器设置在所述前端入口201附近，所述激光传感器与所述辅助喷淋单元22之间的距离为5.5m-6.5m，优选为6m，所述激光传感器能够测量所述前端入口201位置是否存在所述基片10；所述激光传感器的信号输出端与所述控制器25的信号输入端连接，当所述前端入口201位置存在所述基片10时，所述激光传感器传输信号至所述控制器25，所述控制器25控制所述湿法刻蚀设备100的传送装置26对所述基片10以速度V从所述前端入口201通过并向所述后端出口202一侧传输。

所述控制器25还包括时钟单元251、信号读取单元252和处理单元253。

所述时钟单元251用于统计第i块所述基片10前端抵达所述第一重量传感器23时的重量参数的开始时间t10i、第i块所述基片10末端离开所述第一重量传感器23的重量参数的结束时间t11i、第i块所述基片10前端抵达所述第二重量传感器24时的重量参数的开始时间t20i、第i块所述基片10离开所述第二重量传感器24的重量参数的结束时间t21i、第i块所述基片10通过所述第一重量传感器23或所述第二重量传感器24的持续时间Ti以及第i块所述基片10从所述第一重量传感器23传输至所述第二重量传感器24的传输时间ti，其中i为自然数。

所述信号读取单元252用于读取所述第一重量传感器23及所述第二重量传感器24的信号，识别第i块所述基片10前端抵达所述第一重量传感器23时的重量参数、第i块所述基片10末端离开所述第一重量传感器23的重量参数、第i块所述基片10通过所述第二重量传感器24时的重量参数、第i块所述基片10离开所述第二重量传感器24的重量参数并反馈至所述时钟单元251。

所述处理单元253用于根据所述基片10的传输速度V及所述时钟单元251的统计时间计算第i块所述基片10在所述第一重量传感器23上的传输距离Li＝V×Ti、第i块所述基片10的长度Ni＝V×(t11i-t10i)、第i块所述基片10在所述第二重量传感器24上的传输距离Mi＝V×(t21i-t20i)、第i块所述基片10末端离开所述第一重量传感器23后两者之间的间隔距离Ki＝V×ti、所述基片10通过所述第一重量传感器23的总长度∑Li、所述基片10通过所述第二重量传感器24的总长度∑Mi以及通过所述第一重量传感器23的所述基片10的长度Ni与所述间隔距离Ki之和∑(Ni+Ki)，其中i为自然数。

所述基片10从所述前端入口201进入并向所述后端出口202一侧传输，当所述基片10未通过所述辅助喷淋单元22时，且当第i块所述基片10在所述第一重量传感器23上的传输距离Li≥S-3.0m时，或者当所述基片10的长度Ni与所述间隔距离Ki之和∑(Ni+Ki)≥S-3.0m时，所述控制器25控制所述辅助喷淋单元22开启，其中S表示所述第一重量传感器23与所述辅助喷淋单元22的水平距离，4.0m≤S≤5.0m；当所述基片10通过所述第一重量传感器23的总长度∑Li等于所述基片10通过所述第二重量传感器24的总长度∑Mi时，所述控制器25控制所述辅助喷淋单元22关闭。

本实施例通过对所述辅助喷淋单元22开启和关闭的时间进行有效控制，提高了显影液的利用率，节省了生产成本。

如图5所示，本发明还提供一种上述湿法刻蚀设备100的控制方法，其包括以下步骤：

S10、获取待图案化处理膜层步骤，通过工艺流程节点或图像识别方式获取被刻蚀的基片10表面覆盖待图案化处理膜层的类型；具体的，每一种所述待图案化处理膜层的颜色都会有差异，通过图像识别所述待图案化处理膜层的颜色即可判断所述待图案化处理膜层的类型；以及

S20、控制辅助喷淋单元22步骤，当所述基片10中的待图案化处理膜层为平坦层，且通过具有所述辅助喷淋单元22的刻蚀腔时，所述辅助喷淋单元22开启，当所述基片10中的待图案化处理膜层为非平坦层时，所述辅助喷淋单元22关闭。

如图5所示，本实施例中，在所述获取待图案化处理膜层步骤和所述控制辅助喷淋单元22步骤之间还包括：

S11、阈值录入步骤，录入所述辅助喷淋单元22开启功能的预设功能参数阈值，包括开启所述辅助喷淋单元22的最小前置距离H＝3.0m以及所述基片10通过所述第一重量传感器23的最小长度阈值Lmin＝S-H，其中所述最小前置距离H为被刻蚀的所述基片10距离所述开启所述辅助喷淋单元22的最小距离，S表示所述第一重量传感器23与所述辅助喷淋单元22的水平距离，4.0m≤S≤5.0m；

S12、数据获取步骤，在所述的基片10从前端入口201通过并向所述后端出口202一侧传输过程中，获取第i块所述基片10前端抵达所述第一重量传感器23时的重量参数的开始时间t10i，获取第i块所述基片10末端离开所述第一重量传感器23的重量参数的结束时间t11i，获取第i块所述基片10前端抵达所述第二重量传感器24时的重量参数的开始时间t20i，获取第i块所述基片10离开所述第二重量传感器24的重量参数的结束时间t21i，获取第i块所述基片10通过所述第一重量传感器23或所述第二重量传感器24的持续时间Ti，以及获取第i块所述基片10从所述第一重量传感器23传输至所述第二重量传感器24的传输时间ti，其中i为自然数；

S13、计算并存储步骤，计算并存储第i块所述基片10在所述第一重量传感器23上的传输距离Li＝V×Ti、第i块所述基片10的长度Ni＝V×(t11i-t10i)、第i块所述基片10在所述第二重量传感器24上的传输距离Mi＝V×(t21i-t20i)、第i块所述基片10末端离开所述第一重量传感器23后两者之间的间隔距离Ki＝V×ti、所述基片10通过所述第一重量传感器23的总长度∑Li、所述基片10通过所述第二重量传感器24的总长度∑Mi以及通过所述第一重量传感器23的所述基片10的长度Ni与所述间隔距离Ki之和∑(Ni+Ki)，其中i为自然数；以及

S14、预判断步骤，当Li≥Lmin时或者当∑(Ni+Ki)≥Lmin时，预判断满足开启所述辅助喷淋单元22的条件；当∑Mi＝∑Li时，预判断满足关闭所述辅助喷淋单元22的条件。

其中，设置Ki的目的是在所述基片10的长度Li很小时进行判定。

本发明再提供一种存储介质，存储有计算机程序，处理器运行所述计算机程序，以执行上述湿法刻蚀设备100的控制方法的步骤。

本发明的有益效果在于，提供一种湿法刻蚀设备100，通过增加所述辅助喷淋单元解决了平坦层进行图案化处理时出现显影不均现象和出光不均现象；并进一步通过对所述辅助喷淋单元开启和关闭的时间进行有效控制，提高了显影液的利用率，节省了生产成本。

除非上下文有明确的相反提示，否则本文中所述的所有方法的步骤都可以按任何适当次序加以执行。本发明的改变并不限于描述的步骤顺序。除非另外主张，否则使用本文中所提供的任何以及所有实例或示例性语言(例如，“例如”)都仅仅为了更好地说明本发明的概念，而并非对本发明的概念的范围加以限制。在不脱离精神和范围的情况下，所属领域的技术人员将易于明白多种修改和适应。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种湿法刻蚀设备，其特征在于，包括：

至少一刻蚀腔，每一刻蚀腔具有前端入口和后端出口，当所述刻蚀腔具有两个或以上时，所述蚀刻腔之间首尾相接设置；

每一刻蚀腔包括：

常开喷淋单元，设于对应的所述刻蚀腔的中并位于其所述前端入口位置；

其中一蚀刻腔还包括

辅助喷淋单元，设于这一刻蚀腔中并位于其后端出口位置；

当具有待图案化处理膜层的基片通过这一刻蚀腔，所述常开喷淋单元用以对所述基片喷射喷淋液；所述辅助喷淋单元用以对所述基片增加喷射预设量的喷淋液。

2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀设备，其特征在于，当所述基片中的待图案化处理膜层为平坦层，且通过具有所述辅助喷淋单元的刻蚀腔时，所述辅助喷淋单元开启，当所述基片中的待图案化处理膜层为非平坦层时，所述辅助喷淋单元关闭。

3.根据权利要求1所述的湿法刻蚀设备，其特征在于，所述辅助喷淋单元的预设量为28L/Min-50 L/Min。

4.根据权利要求1所述的湿法刻蚀设备，其特征在于，还包括：

第一重量传感器，安装于所述常开喷淋单元和所述辅助喷淋单元之间，用于测量所述基片前端抵达所述第一重量传感器时以及所述基片末端离开所述第一重量传感器时的重量参数；以及

第二重量传感器，安装于所述辅助喷淋单元和所述出口之间，用于测量所述基片前端抵达所述第二重量传感器时以及所述基片末端离开所述第二重量传感器时的重量参数。

5.根据权利要求4所述的湿法刻蚀设备，其特征在于，所述第一重量传感器与所述辅助喷淋单元的水平距离S为4.0m-5.0m。

6.根据权利要求4所述的湿法刻蚀设备，其特征在于，还包括：

控制器，所述控制器的信号输入端与所述第一重量传感器及所述第二重量传感器的信号输出端连接，所述控制器的信号输出端与所述辅助喷淋单元连接；所述控制器控制所述辅助喷淋单元的开启或关闭。

7.根据权利要求6所述的湿法刻蚀设备，其特征在于，所述控制器还包括：

时钟单元，用于统计第i块所述基片前端抵达所述第一重量传感器时的重量参数的开始时间t10i、第i块所述基片末端离开所述第一重量传感器的重量参数的结束时间t11i、第i块所述基片通过所述第二重量传感器时的重量参数的开始时间t20i、第i块所述基片离开所述第二重量传感器的重量参数的结束时间t21i、第i块所述基片通过所述第一重量传感器或所述第二重量传感器的持续时间Ti以及第i块所述基片从所述第一重量传感器传输至所述第二重量传感器的传输时间ti，其中i为自然数；

信号读取单元，用于读取所述第一重量传感器及所述第二重量传感器的信号，识别第i块所述基片前端抵达所述第一重量传感器时的重量参数、第i块所述基片末端离开所述第一重量传感器的重量参数、第i块所述基片通过所述第二重量传感器时的重量参数、第i块所述基片离开所述第二重量传感器的重量参数并反馈至所述时钟单元；

处理单元，用于根据所述基片的传输速度V及所述时钟单元的统计时间计算第i块所述基片在所述第一重量传感器上的传输距离Li＝V×Ti、第i块所述基片的长度Ni＝V×(t11i-t10i)、第i块所述基片在所述第二重量传感器上的传输距离Mi＝V×(t21i-t20i)、第i块所述基片末端离开所述第一重量传感器后两者之间的间隔距离Ki＝V×ti、所述基片通过所述第一重量传感器的总长度∑Li、所述基片通过所述第二重量传感器的总长度∑Mi以及通过所述第一重量传感器的所述基片的长度Ni与所述间隔距离Ki之和∑(Ni+Ki)，其中i为自然数；

所述基片从所述入口进入并向所述出口一侧传输，当所述基片未通过所述辅助喷淋单元时，且当第i块所述基片在所述第一重量传感器上的传输距离Li≥S-3.0m时，或者当所述基片的长度Ni与所述间隔距离Ki之和∑(Ni+Ki)≥S-3.0m时，所述控制器控制所述辅助喷淋单元开启；当所述基片通过所述第一重量传感器的总长度∑Li等于所述基片通过所述第二重量传感器的总长度∑Mi时，所述控制器控制所述辅助喷淋单元关闭。

8.一种权利要求1-7中任一项所述的湿法刻蚀设备的控制方法，其特征在于，包括步骤：

获取待图案化处理膜层步骤，通过工艺流程节点或图像识别方式获取被刻蚀的基片表面覆盖的待图案化处理膜层的类型；以及

控制辅助喷淋单元步骤，当所述基片中的待图案化处理膜层为平坦层，且通过具有所述辅助喷淋单元的刻蚀腔时，所述辅助喷淋单元开启，当所述基片中的待图案化处理膜层为非平坦层时，所述辅助喷淋单元关闭。

9.根据权利要求8所述的湿法刻蚀设备的控制方法，其特征在于，在所述获取待图案化处理膜层步骤和所述控制辅助喷淋单元步骤之间还包括：

阈值录入步骤，录入所述辅助喷淋单元开启功能的预设功能参数阈值，包括开启所述辅助喷淋单元的最小前置距离H＝3.0m以及所述基片通过所述第一重量传感器的最小长度阈值Lmin＝S-H，其中所述最小前置距离H为被刻蚀的所述基片距离所述开启所述辅助喷淋单元的最小距离，S表示所述第一重量传感器与所述辅助喷淋单元的水平距离，4.0m≤S≤5.0m；

数据获取步骤，在所述基片从所述入口进入并向所述出口一侧传输过程中，获取所述基片的传输速度V，获取第i块所述基片前端抵达所述第一重量传感器时的重量参数的开始时间t10i，获取第i块所述基片末端离开所述第一重量传感器的重量参数的结束时间t11i，获取第i块所述基片前端抵达所述第二重量传感器时的重量参数的开始时间t20i，获取第i块所述基片离开所述第二重量传感器的重量参数的结束时间t21i，获取第i块所述基片通过所述第一重量传感器或所述第二重量传感器的持续时间Ti以及获取第i块所述基片从所述第一重量传感器传输至所述第二重量传感器的传输时间ti，其中i为自然数；

计算并存储步骤，计算并存储第i块所述基片在所述第一重量传感器上的传输距离Li＝V×Ti、第i块所述基片的长度Ni＝V×(t11i-t10i)、第i块所述基片在所述第二重量传感器上的传输距离Mi＝V×(t21i-t20i)、第i块所述基片末端离开所述第一重量传感器后两者之间的间隔距离Ki＝V×ti、所述基片通过所述第一重量传感器的总长度∑Li、所述基片通过所述第二重量传感器的总长度∑Mi以及通过所述第一重量传感器的所述基片的长度Ni与所述间隔距离Ki之和∑(Ni+Ki)，其中i为自然数；以及

预判断步骤，当Li≥Lmin时或者当∑(Ni+Ki)≥Lmin时，预判断满足开启所述辅助喷淋单元的条件；当∑Mi＝∑Li时，预判断满足关闭所述辅助喷淋单元的条件。

10.一种存储介质，存储有计算机程序，处理器运行所述计算机程序，以执行权利要求8-9中任一项所述的湿法刻蚀设备的控制方法的步骤。

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