CN110620323A - 一种钕掺杂1120nm单频光纤激光器 - Google Patents

一种钕掺杂1120nm单频光纤激光器 Download PDF

Info

Publication number
CN110620323A
CN110620323A CN201911056073.1A CN201911056073A CN110620323A CN 110620323 A CN110620323 A CN 110620323A CN 201911056073 A CN201911056073 A CN 201911056073A CN 110620323 A CN110620323 A CN 110620323A
Authority
CN
China
Prior art keywords
fiber
laser
pumping
doped
bragg grating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201911056073.1A
Other languages
English (en)
Inventor
彭明营
王亚飞
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
South China University of Technology SCUT
Original Assignee
South China University of Technology SCUT
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by South China University of Technology SCUT filed Critical South China University of Technology SCUT
Priority to CN201911056073.1A priority Critical patent/CN110620323A/zh
Publication of CN110620323A publication Critical patent/CN110620323A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06—Construction or shape of active medium
    • H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
    • H01S3/067—Fibre lasers
    • H01S3/06708—Constructional details of the fibre, e.g. compositions, cross-section, shape or tapering
    • H01S3/06716—Fibre compositions or doping with active elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06—Construction or shape of active medium
    • H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
    • H01S3/067—Fibre lasers
    • H01S3/0675—Resonators including a grating structure, e.g. distributed Bragg reflectors [DBR] or distributed feedback [DFB] fibre lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
    • H01S3/094003—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light the pumped medium being a fibre
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16—Solid materials
    • H01S3/1601—Solid materials characterised by an active (lasing) ion
    • H01S3/1603—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth
    • H01S3/1611—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth neodymium

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

本发明公开了一种钕掺杂1120 nm单频光纤激光器，所述激光器包括激光泵浦源、谐振腔、毛细血管封装材料、波分复用器、光隔离器和自动温度控制系统；所述增益光纤为Nd3+掺杂光纤；激光泵浦源采用正向泵浦或反向泵浦方式，正向泵浦方式中，激光泵浦源的泵浦光直接通过谐振腔耦合进增益光纤进行抽运；反向泵浦方式中，激光泵浦源的泵浦光通过波分复用器的泵浦端耦合进增益光纤进行抽运。利用稀土Nd3+离子掺杂有源光纤1120 nm处发射截面大的优点，采用Nd3+离子掺杂有源光纤作为增益光纤，显著缩短DBR短直腔腔长，增大纵模间隔，在泵浦光的连续抽运下实现1120 nm低阈值低噪声窄线宽的单频激光输出。

Description

一种钕掺杂1120nm单频光纤激光器
技术领域
本发明涉及光纤激光器技术领域，特别涉及一种钕掺杂1120nm单频光纤激光光器。
背景技术
1120nm波段单频光纤激光器，在众多领域内都有广泛应用；譬如，其可用来泵浦1178nm拉曼放大器，应用于激光导引星光学系统；可用作光纤激光器及放大器的泵浦源，实现高效Tm3+掺杂中红外光纤激光及特殊波长激光的功率放大，如1180nm；另外，结合倍频技术，该波段激光产生的560nm可见光波段单频激光还可应用于生物检测及显示领域。目前1120nm波段光纤激光器主要基于Yb3+离子掺杂有源光纤，尽管Yb3+离子掺杂光纤的受激发射谱可以扩展到1200nm,但由于其在波长大于1100nm范围内发射截面较小，使得光纤在该波段增益较低。所以，为了保证足够增益，目前报道的大部分1120nm光纤激光器都是基于数米长Yb3+离子掺杂的增益光纤，在如此长的腔长下，由于纵模间隔非常小，很难实现1120nm单频激光输出。如何实现低阈值，低噪声窄线宽的1120nm单频光纤激光仍是目前研究的重点及难点。
发明内容
为了克服现有技术中的缺点与不足，本发明目的旨在利用稀土Nd3+离子掺杂有源光纤1120nm处发射截面大的优点，基于Nd3+离子掺杂有源光纤，缩短分布布拉格反射式(DBR)短直腔腔长，增大纵模间隔，在泵浦光的连续抽运下实现1120nm低阈值低噪声窄线宽的单频激光输出。
本发明的目的通过如下技术方案之一实现。
本发明提供了一种钕掺杂1120nm单频光纤激光器，所述激光器包括激光泵浦源、谐振腔、波分复用器、光隔离器和自动温度控制系统；所述谐振腔包括依次相连的宽带光纤布拉格光栅、增益光纤和窄带光纤布拉格光栅，增益光纤作为激光增益介质；波分复用器的公共端和窄带光纤布拉格光栅的一端连接，谐振腔产生的激光经由波分复用器的信号端进入光隔离器，从光隔离器的输出端输出；谐振腔固定在自动温度控制系统内；所述增益光纤为Nd3+掺杂光纤；激光泵浦源采用正向泵浦或反向泵浦方式，正向泵浦方式中，激光泵浦源的泵浦光直接通过谐振腔耦合进增益光纤进行抽运；反向泵浦方式中，激光泵浦源的泵浦光通过波分复用器的泵浦端耦合进增益光纤进行抽运。
优选地，宽带光纤布拉格光栅、增益光纤和窄带光纤布拉格光栅两两之间通过研磨抛光各自端面后直接对接耦合。
优选地，宽带光纤布拉格光栅、增益光纤和窄带光纤布拉格光栅两两之间通过光纤熔接机熔接耦合。
优选地，窄带光纤布拉格光栅的中心反射波长为激光输出波长，3dB反射谱带宽为0.02-0.06nm，对信号波长的反射率为70-95％。
优选地，宽带光纤布拉格光栅的3dB反射谱大于0.1nm，对信号波长的反射率大于95％，对泵浦光波长透过率大于90％。
优选地，所述激光器包括一个激光泵浦源，激光泵浦源为单模半导体激光泵浦源。
优选地，所述单模半导体激光泵浦源为808nm半导体激光泵浦源。
优选地，增益光纤的长度为1-2cm。
优选地，所述激光器还包括毛细血管封装材料，谐振腔被封装在毛细血管材料中，毛细血管材料固定在自动温度控制系统内。
对于宽带光纤布拉格光栅、增益光纤和窄带光纤布拉格光栅两两之间通过光纤熔接机熔接耦合情况下，毛细血管可以保护熔接点，防止熔接点断裂。
对于宽带光纤布拉格光栅、增益光纤和窄带光纤布拉格光栅两两之间研磨抛光各自端面后直接对接耦合情况下，毛细血管材料起到支撑保护光纤的作用，实现光栅及增益光纤端面的抛光及直接对接耦合。
和现有技术相比，本发明具有以下技术效果和优点：
利用稀土Nd3+离子掺杂有源光纤1120nm处发射截面大的优点，采用Nd3+离子掺杂有源光纤作为增益光纤，显著缩短DBR短直腔腔长，增大纵模间隔，在泵浦光的连续抽运下实现1120nm低阈值低噪声窄线宽的单频激光输出。
附图说明
图1为本发明实施例1中反向泵浦时掺钕1120nm单频光纤激光的产生原理示意图；
图2为本发明实施例2中反向泵浦时掺钕1120nm单频光纤激光光谱图；
图3为本发明实施例中正向泵浦时掺钕1120nm单频光纤激光的产生原理示意图；
图中：1-单模半导体泵浦激光源；2-宽带光纤布拉格光栅；3-窄带光纤布拉格光栅；4-增益光纤；5-毛细血管封装材料；6-波分复用器；7-光隔离器；8-自动温度控制系统。
具体实施方式
下面结合实施例及附图，对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
实施例1
本实施例提供了一种钕掺杂1120nm单频光纤激光器，所述激光器包括激光泵浦源1、谐振腔、毛细血管封装材料5、波分复用器6、光隔离器7和自动温度控制系统8；所述谐振腔包括依次相连的宽带光纤布拉格光栅2、增益光纤4和窄带光纤布拉格光栅3，增益光纤4作为激光增益介质；波分复用器6的公共端和窄带光纤布拉格光栅3的一端连接，谐振腔产生的激光经由波分复用器6的信号端进入光隔离器7，从光隔离器7的输出端输出；谐振腔被封装在毛细血管材料5中，毛细血管材料5固定在自动温度控制系统8内；所述增益光纤4为Nd3+掺杂光纤；如图1所示，激光泵浦源1采用反向泵浦方式，激光泵浦源1的泵浦光通过波分复用器6的泵浦端耦合进增益光纤4进行抽运。
宽带光纤布拉格光栅2、增益光纤4和窄带光纤布拉格光栅3两两之间通过光纤熔接机熔接耦合。
窄带光纤布拉格光栅3的中心反射波长为激光输出波长1120nm，3dB反射谱带宽为0.06nm，对信号波长的反射率为95％。
宽带光纤布拉格光栅2的3dB反射谱为0.4nm，对信号波长的反射率为99％，对泵浦光波长透过率大于90％。
激光泵浦源1为单模半导体激光泵浦源。所述单模半导体激光泵浦源为808nm半导体激光泵浦源。增益光纤4的长度为1cm。
图2为本实施例中反向泵浦时掺钕1120nm单频光纤激光激光光谱，采用AQ6370C光纤光谱仪测试，光谱分辨率为0.1nm。
掺钕石英玻璃光纤1120nm低阈值单频光纤激光器，采用反向泵浦方式，将泵浦光耦合进入增益光纤中，掺钕石英增益光纤中的Nd3+离子在泵浦光的抽运下在4F3/2和4I11/2上下能级之间产生粒子数反转并产生受激发射，经过多次在谐振腔的来回振荡放大，最终产生1120nm波段的单频光纤激光。
根据DBR短直腔的选模原理，纵模间隔可由以下公式确定：ΔVq＝c/2nL，其中c为真空中的光速，n为纤芯折射率，L为谐振腔腔长；由该原理，缩短谐振腔腔长可增大纵模间隔；ΔVFWHM＝Δλ/λ2其中λ为激光波长，Δλ为窄带光纤布拉格光栅的3dB带宽；只要满足ΔVq>1/2ΔVFWHM即可使腔内单一纵模运转，从而实现单频光纤激光输出。本实施例中增益光纤长度,及窄带光纤布拉格光栅的3dB带宽可以保证腔内只存在单一纵模，且无模式竞争及跳模现象。
实施例2
本实施例提供了一种钕掺杂1120nm单频光纤激光器，所述激光器包括激光泵浦源1、谐振腔、毛细血管封装材料5、波分复用器6、光隔离器7和自动温度控制系统8；所述谐振腔包括依次相连的宽带光纤布拉格光栅2、增益光纤4和窄带光纤布拉格光栅3，增益光纤4作为激光增益介质；波分复用器6的公共端和窄带光纤布拉格光栅3的一端连接，谐振腔产生的激光经由波分复用器6的信号端进入光隔离器7，从光隔离器7的输出端输出；谐振腔被封装在毛细血管材料5中，毛细血管材料5固定在自动温度控制系统8内；所述增益光纤4为Nd3+掺杂光纤；如图3所示，激光泵浦源1采用正向泵浦方式，激光泵浦源1的泵浦光直接通过谐振腔耦合进增益光纤4进行抽运。
宽带光纤布拉格光栅2、增益光纤4和窄带光纤布拉格光栅3两两之间研磨抛光各自端面后直接对接耦合。
窄带光纤布拉格光栅3的中心反射波长为激光输出波长1120nm，3dB反射谱带宽为0.02nm，对信号波长的反射率为70％。
宽带光纤布拉格光栅2的3dB反射谱为0.3nm，对信号波长的反射率为95％，对泵浦光波长透过率大于90％。
激光泵浦源1为单模半导体激光泵浦源。所述单模半导体激光泵浦源为808nm半导体激光泵浦源。增益光纤4的长度为2cm。
所述的掺钕1120nm低阈值单频光纤激光器，采用正向泵浦方式，将泵浦光耦合进入增益光纤4中，掺钕石英玻璃光纤中的Nd3+离子在泵浦光的抽运下在4F3/2和4I11/2上下能级之间产生粒子数反转并产生受激发射，经过多次在谐振腔的来回振荡放大，最终产生1120nm波段的单频光纤激光。
根据DBR短直腔的选模原理，纵模间隔可由以下公式确定：ΔVq＝c/2nL，其中c为真空中的光速，n为纤芯折射率，L为谐振腔腔长；由该原理，缩短谐振腔腔长可增大纵模间隔；ΔVFWHM＝Δλ/λ2其中λ为激光波长，Δλ为窄带光纤布拉格光栅的3dB带宽；只要满足ΔVq>1/2ΔVFWHM即可使腔内单一纵模运转，从而实现单频光纤激光输出。本实施例中增益光纤长度,及窄带光纤布拉格光栅的3dB带宽可以保证腔内只存在单一纵模，且无模式竞争及跳模现象。
上述实施例为本发明较佳的实例方式，但本发明的实施方式不受所述实施例的限制，其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种钕掺杂1120 nm单频光纤激光器，其特征在于，所述激光器包括激光泵浦源（1）、谐振腔、波分复用器（6）、光隔离器（7）和自动温度控制系统（8）；所述谐振腔包括依次相连的宽带光纤布拉格光栅（2）、增益光纤（4）和窄带光纤布拉格光栅（3），增益光纤（4）作为激光增益介质；波分复用器（6）的公共端和窄带光纤布拉格光栅（3）的一端连接，谐振腔产生的激光经由波分复用器（6）的信号端进入光隔离器（7），从光隔离器（7）的输出端输出；谐振腔固定在自动温度控制系统（8）内；所述增益光纤（4）为Nd3+掺杂光纤；激光泵浦源（1）采用正向泵浦或反向泵浦方式，正向泵浦方式中，激光泵浦源（1）的泵浦光直接通过谐振腔耦合进增益光纤（4）进行抽运；反向泵浦方式中，激光泵浦源（1）的泵浦光通过波分复用器（6）的泵浦端耦合进增益光纤（4）进行抽运。
2.根据权利要求1所述的钕掺杂1120 nm单频光纤激光器，其特征在于，宽带光纤布拉格光栅（2）、增益光纤（4）和窄带光纤布拉格光栅（3）两两之间通过研磨抛光各自端面后直接对接耦合。
3.根据权利要求1所述的钕掺杂1120 nm单频光纤激光器，其特征在于，宽带光纤布拉格光栅（2）、增益光纤（4）和窄带光纤布拉格光栅（3）两两之间通过光纤熔接机熔接耦合。
4.根据权利要求1所述的钕掺杂1120 nm单频光纤激光器，其特征在于，窄带光纤布拉格光栅（3）的中心反射波长为激光输出波长，3dB反射谱带宽为0.02-0.06 nm，对信号波长的反射率为70-95%。
5.根据权利要求1所述的钕掺杂1120 nm单频光纤激光器，其特征在于，宽带光纤布拉格光栅（2）的3dB反射谱大于0.1 nm，对信号波长的反射率大于95%，对泵浦光波长透过率大于90%。
6.根据权利要求1所述的钕掺杂1120 nm单频光纤激光器，其特征在于，所述激光器包括一个激光泵浦源（1），激光泵浦源（1）为单模半导体激光泵浦源。
7.根据权利要求6所述的钕掺杂1120 nm单频光纤激光器，其特征在于，所述单模半导体激光泵浦源为808 nm半导体激光泵浦源。
8.根据权利要求1所述的钕掺杂1120 nm单频光纤激光器，其特征在于，增益光纤（4）的长度为1-2 cm。
9.根据权利要求1所述的钕掺杂1120 nm单频光纤激光器，其特征在于，所述激光器还包括毛细血管封装材料（5），谐振腔被封装在毛细血管材料（5）中，毛细血管材料（5）固定在自动温度控制系统（8）内。
CN201911056073.1A 2019-10-31 2019-10-31 一种钕掺杂1120nm单频光纤激光器 Pending CN110620323A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911056073.1A CN110620323A (zh) 2019-10-31 2019-10-31 一种钕掺杂1120nm单频光纤激光器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911056073.1A CN110620323A (zh) 2019-10-31 2019-10-31 一种钕掺杂1120nm单频光纤激光器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110620323A true CN110620323A (zh) 2019-12-27

Family

ID=68927220

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911056073.1A Pending CN110620323A (zh) 2019-10-31 2019-10-31 一种钕掺杂1120nm单频光纤激光器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110620323A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112751254A (zh) * 2021-01-07 2021-05-04 天津大学 一种基于光学双稳态的单频光纤激光振荡器
CN112769029A (zh) * 2021-01-22 2021-05-07 天津大学 多模半导体泵源包层泵浦的dbr短腔单频光纤激光器
CN113675709A (zh) * 2021-08-03 2021-11-19 天津大学 一种基于反转粒子数调控的光纤激光器
CN114498266A (zh) * 2022-01-20 2022-05-13 广东工业大学 一种基于GaSb单晶半导体复合光纤的1.7μm单频光纤激光器

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102769243A (zh) * 2012-07-30 2012-11-07 中国人民解放军国防科学技术大学 掺钕光纤激光器泵浦的高功率掺镱光纤激光器的方法
EP2535989A2 (en) * 2011-06-17 2012-12-19 JDS Uniphase Corporation Large mode area optical waveguide devices
US20170229838A1 (en) * 2016-02-04 2017-08-10 Lawrence Livermore National Security, Llc Nd3+ fiber laser and amplifier

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2535989A2 (en) * 2011-06-17 2012-12-19 JDS Uniphase Corporation Large mode area optical waveguide devices
CN102769243A (zh) * 2012-07-30 2012-11-07 中国人民解放军国防科学技术大学 掺钕光纤激光器泵浦的高功率掺镱光纤激光器的方法
US20170229838A1 (en) * 2016-02-04 2017-08-10 Lawrence Livermore National Security, Llc Nd3+ fiber laser and amplifier

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112751254A (zh) * 2021-01-07 2021-05-04 天津大学 一种基于光学双稳态的单频光纤激光振荡器
CN112751254B (zh) * 2021-01-07 2021-12-14 天津大学 一种基于光学双稳态的单频光纤激光振荡器
CN112769029A (zh) * 2021-01-22 2021-05-07 天津大学 多模半导体泵源包层泵浦的dbr短腔单频光纤激光器
CN113675709A (zh) * 2021-08-03 2021-11-19 天津大学 一种基于反转粒子数调控的光纤激光器
CN114498266A (zh) * 2022-01-20 2022-05-13 广东工业大学 一种基于GaSb单晶半导体复合光纤的1.7μm单频光纤激光器
CN114498266B (zh) * 2022-01-20 2022-12-30 广东工业大学 一种基于GaSb单晶半导体复合光纤的1.7μm单频光纤激光器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110620323A (zh) 一种钕掺杂1120nm单频光纤激光器
US6487233B2 (en) Fiber-coupled microsphere laser
US5991070A (en) Optical amplifier with oscillating pump energy
CN106532416B (zh) 高功率长波段全光纤单频激光器结构
CN113823990B (zh) 一种短增益纤振荡放大共泵浦高功率窄线宽激光器
CN113675720A (zh) 一种基于带内泵浦的高效率单频掺铥光纤激光器
Levoshkin et al. High-efficiency diode-pumped Q-switched Yb: Er: glass laser
CN111244735B (zh) 一种环形窄带光纤光栅随机激光器及产生随机激光的方法
Madasamy et al. Single-mode tapered waveguide laser in Er-doped glass with multimode-diode pumping
CN115360569A (zh) 基于倾斜平行刻写光纤光栅阵列的多波长随机光纤激光器
Dagenais et al. Wavelength stability characteristics of a high-power, amplified superfluorescent source
Poulsen et al. Highly optimized tunable Er/sup 3+/-doped single longitudinal mode fiber ring laser, experiment and model
CN106961066B (zh) 一种基于重叠光纤光栅的半开腔多波长随机光纤激光器
CN103746279A (zh) 一种双谐振腔全光纤单频激光器
US6940877B2 (en) High-power narrow-linewidth single-frequency laser
US6240108B1 (en) Cladding pumped fiber laser with reduced overlap between a laser mode and an ion-doped region
Sacks et al. Long-wavelength operation of double-clad Tm: silica-fiber lasers
CN114825007A (zh) 一种基于复合腔内驻波条件筛选方案的窄线宽光纤激光器
Minelly et al. High power diode pumped single-transverse-mode Yb fiber laser operating at 978 nm
JP2002532890A (ja) 偏光および波長の安定した超蛍光ソース
CN112769029A (zh) 多模半导体泵源包层泵浦的dbr短腔单频光纤激光器
JP2596620B2 (ja) 光ファイバ増幅器
US5383197A (en) Laser and an amplifier
CN112344971B (zh) 一种基于超连续谱光纤的长距离传感系统
Shay et al. Tunable fiber lasers

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20191227

RJ01 Rejection of invention patent application after publication