CN110578125B - 导电连接件、工艺腔室和半导体处理设备 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种导电连接件、工艺腔室和半导体处理设备。包括：第一安装部；第二安装部，其与所述第一安装部相对间隔设置；弯折连接部，其自所述第一安装部的末端弯折延伸并与所述第二安装部连接；并且，所述弯折连接部可在所述第一安装部和所述第二安装部之间沿竖直方向伸缩。在将工艺组件组装至工艺腔室时，先在竖直方向保持安装件与介质窗之间紧密接触实现真空密封，之后将第一安装部与安装件保持紧密接触，这样，在第二安装部与接地件紧密接触地过程中，弯折连接部可以沿竖直方向发生拉伸变形，实现了第二安装部与接地件的紧密接触，从而实现了真空密封、良好接地的双重要求。

Description

导电连接件、工艺腔室和半导体处理设备
技术领域
本发明涉及半导体设备技术领域，具体涉及一种导电连接件、一种包括该导电连接件的工艺腔室以及一种半导体处理设备。
背景技术
物理气相沉积又称为溅射，是电子元件制造过程中应用最为普遍的工艺之一。其主要是荷能粒子(例如氩离子)轰击固体表面，引起表面各种粒子，如原子、分子或团束从该物体表面逸出再沉积在晶圆表面形成薄膜的过程。
一般地，物理气相沉积设备的工艺腔室包括接地的工艺组件，以将工艺腔室接地，作为产生等离子体的射频能量的回路，如果接地不良将会导致工艺腔室内部所产生等离子体的不均衡，进而又会影响基片表面粒子沉积的均匀性。
如图1所示，为现有技术一中工艺腔室的结构示意图，工艺腔室200包括工艺组件210和介质窗220，工艺组件210包括安装件211和接地件212，安装件211和接地件212之间采用螺钉连接且加入诱电线圈213以保证各接触面更良好接地。
但是，如图1所示，安装件211作为接触面需要与接地件212良好接地，同时该安装件211又作为介质窗220的密封面又要保证真空密封，这就需要工艺组件210各零件的高度尺寸限定在极小的公差范围内，无疑增大了加工、装配的难度，同时增加了工艺腔室200真空泄露、工艺组件210接地不良的风险，进而增大了工艺的不确定性。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种导电连接件、一种工艺腔室以及一种半导体处理设备。
为了实现上述目的，本发明的第一方面，提供了一种导电连接件，用于将工艺组件接地，包括：
第一安装部；
第二安装部，其与所述第一安装部相对间隔设置；
弯折连接部，其自所述第一安装部的末端弯折延伸并与所述第二安装部连接；并且，
所述弯折连接部可在所述第一安装部和所述第二安装部之间沿竖直方向伸缩。
可选地，所述导电连接件呈Z型结构。
可选地，所述弯折连接部包括：
第一弯折连接部，其自所述第一安装部的末端弯折延伸；
第二弯折连接部，其自所述第一弯折连接部的末端弯折延伸并与所述第二安装部连接；其中，
所述第一弯折连接部的弯折方向与所述第二弯折连接部的弯折方向相反，并且，所述第一弯折连接部的末端在所述第二安装部上的正投影落在所述第二安装部内。
可选地，所述导电连接件呈W型结构。
可选地，还包括：
至少一个紧固件，其用于将所述导电连接件固定于所述工艺组件，并在固定的过程中可以调节所述弯折连接部的伸缩量。
可选地，所述紧固件的数量为两个，分别为第一紧固件和第二紧固件；
所述第一紧固件位于所述第一安装部的朝向所述第二安装部的一侧；
所述第二紧固件位于所述第二安装部的背离所述第一安装部的一侧。
本发明的第二方面，提供了一种工艺腔室，包括工艺组件以及用于将所述工艺组件接地的导电连接件，所述导电连接件包括前文记载的所述的导电连接件。
可选地，所述工艺组件包括安装件和接地件；
所述导电连接件位于所述安装件和所述接地件之间；并且，
所述第一安装部与所述安装件连接；
所述第二安装部与所述接地件连接。
可选地，当所述导电连接件包括第一紧固件和第二紧固件时；
所述第一安装部通过所述第一紧固件与所述安装件连接；
所述第二安装部通过所述第二紧固件与所述接地件连接。
本发明的第三方面，提供了一种半导体处理设备，包括前文记载的所述的工艺腔室。
本发明的导电连接件、工艺腔室和半导体处理设备，在将工艺组件组装至工艺腔室时，先在竖直方向保持安装件与介质窗之间紧密接触实现真空密封，之后将第一安装部与安装件保持紧密接触，这样，在第二安装部与接地件紧密接触地过程中，弯折连接部可以沿竖直方向发生拉伸变形，也就同时实现了第二安装部与接地件的紧密接触，从而实现了真空密封、良好接地的双重要求，进而能够保证工艺腔室接地的均布，使得射频回路均匀，等离子体在工艺腔室内部均衡分布，可以使得晶圆表面均匀沉积金属离子，提高工艺良率，降低制作成本。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1为现有技术中工艺腔室的结构示意图；
图2为本发明一实施例中导电连接件的结构示意图；
图3为图2的侧视图；
图4为本发明另一实施例中导电连接件的结构示意图；
图5为图4的侧视图；
图6为本发明一实施例中工艺腔室的结构示意图。
附图标记说明
100：导电连接件；
110：第一安装部；
120：第二安装部；
130：弯折连接部；
131：第一弯折连接部；
132：第二弯折连接部；
140：紧固件；
141：第一紧固件；
142：第二紧固件；
200：工艺腔室；
210：工艺组件；
211：安装件；
212：接地件；
213：诱电线圈；
220：介质窗。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
如图2和图6所示，本发明的第一方面，涉及一种导电连接件100，该导电连接件100可以由高延展性、高导电性的金属材料制成，例如，其可以由铜材料或铝材料制作形成。该导电连接件100可以用于将工艺组件210接地。
其中，上述导电连接件100包括第一安装部110、第二安装部120和弯折连接部130。第二安装部120与第一安装部110相对间隔设置。弯折连接部130位于第一安装部110和第二安装部120之间，并且，该弯折连接部130自第一安装部110的末端弯折延伸并与第二安装部120连接。该弯折连接部130可在第一安装部110和第二安装部120之间沿竖直方向伸缩。
在实际应用时，以将上述结构的导电连接件100应用于工艺腔室200为例进行说明，如图6所示，工艺腔室200包括工艺组件210和该导电连接件100，工艺组件210一般相对间隔设置的安装件211和接地件212，导电连接件100便设置在安装件211和接地件212之间。
具体地，如图2和图6所示，在将工艺组件210组装至工艺腔室200时，先在竖直方向保持安装件211与工艺腔室200的介质窗220紧密接触实现真空密封，之后将第一安装部110与安装件211保持紧密接触，这样，在第二安装部120与接地件212紧密接触地过程中，弯折连接部130可以沿竖直方向发生拉伸变形，也就同时实现了第二安装部120与接地件212的紧密接触，从而实现了真空密封、良好接地的双重要求，进而能够保证工艺腔室200接地的均布，使得射频回路均匀，等离子体在工艺腔室200内部均衡分布，可以使得晶圆表面均匀沉积金属离子，提高工艺良率，降低制作成本。
可选地，如图2和图3所示，作为上述导电连接件100一种具体的结构，该导电连接件100可以呈Z型结构。
可选地，如图4和图5所示，作为上述导电连接件100的另一种具体结构，在该结构的导电连接件100中，其弯折连接部130包括第一弯折连接部131和第二弯折连接部132。第一弯折连接部131自第一安装部110的末端弯折延伸。第二弯折连接部132自第一弯折连接部131的末端弯折延伸并与第二安装部120连接。其中，第一弯折连接部131的弯折方向与第二弯折连接部132的弯折方向相反，并且，第一弯折连接部131的末端在第二安装部120上的正投影落在第二安装部120内。
具体地，如图5所示，上述导电连接件100可以呈W型结构。也就是说，如图5所示，第一弯折连接部131可以自第一安装部110的末端朝向右侧(图5中的右侧)弯折，相应地，第二弯折连接部132可以自第一弯折连接部131的末端朝向左侧(图5中的左侧)弯折。
上述两种结构的导电连接件100，在将其应用到工艺腔室200中时，无论呈Z型结构的导电连接件100，还是呈W型结构的导电连接件100，其弯折连接部130的可伸缩量均增加，从而可以在将第二安装部120紧固至接地件212上时，可以使得第二安装部120与接地件212紧密接触，进而实现了真空密封、良好接地的双重要求。
可选地，如图2和图4所示，上述导电连接件100还包括至少一个紧固件140，其用于将导电连接件100固定于工艺组件210，并在固定的过程中可以调节弯折连接部130的伸缩量。
具体地，如图3和图5所示，上述紧固件140的数量为两个，分别为第一紧固件141和第二紧固件142。第一紧固件141位于第一安装部110的朝向第二安装部120的一侧，第二紧固件142位于第二安装部120的背离第一安装部110的一侧。
这样，在将工艺组件210组装至工艺腔室200时，先在竖直方向保持安装件211与介质窗220之间紧密接触实现真空密封，之后将第一安装部110通过第一紧固件141紧固至安装件211上，使得两者保持紧密接触。之后，在拧紧第二紧固件142的过程中，弯折连接部130发生拉伸变形，可以使得第二安装部120与接地件212的紧密接触，从而实现了真空密封、良好接地的双重要求，进而能够保证工艺腔室200接地的均布，使得射频回路均匀，等离子体在工艺腔室200内部均衡分布，可以使得晶圆表面均匀沉积金属离子，提高工艺良率，降低制作成本。
本发明的第二方面，如图6所示，提供了一种工艺腔室200，包括工艺组件210以及前文记载的的导电连接件100。
具体地，如图6所示，上述工艺组件210还包括安装件211和接地件212。上述导电连接件100位于安装件211和接地件212之间，并且，第一安装部110与安装件211连接，例如，第一安装部110可以通过第一紧固件141与安装件211连接。第二安装部120与接地件212连接，例如，第二安装部120可以通过第二紧固件142与接地件212连接。
本实施例结构的工艺腔室200，具有前文记载的导电连接件100，在将工艺组件210组装至工艺腔室200时，先在竖直方向保持安装件211与介质窗220之间紧密接触实现真空密封，之后将第一安装部110与安装件211保持紧密接触，这样，在第二安装部120与接地件212紧密接触地过程中，弯折连接部130可以沿竖直方向发生拉伸变形，也就同时实现了第二安装部120与接地件212的紧密接触，从而实现了真空密封、良好接地的双重要求，进而能够保证工艺腔室200接地的均布，使得射频回路均匀，等离子体在工艺腔室200内部均衡分布，可以使得晶圆表面均匀沉积金属离子，提高工艺良率，降低制作成本。
本发明的第三方面，提供了一种半导体处理设备，包括前文记载的工艺腔室200。
本实施例结构的半导体处理设备，具有前文记载的工艺腔室200，该工艺腔室200又具有前文记载的导电连接件100，能够有效保证工艺腔室200接地的均布，使得射频回路均匀，等离子体在工艺腔室200内部均衡分布，可以使得晶圆表面均匀沉积金属离子，提高工艺良率，降低制作成本。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (5)

1.一种工艺腔室，包括介质窗、工艺组件以及用于将所述工艺组件接地的导电连接件，其特征在于，所述导电连接件包括：
第一安装部；
第二安装部，其与所述第一安装部相对间隔设置；
弯折连接部，其自所述第一安装部的末端弯折延伸并与所述第二安装部连接；并且，
所述弯折连接部可在所述第一安装部和所述第二安装部之间沿竖直方向伸缩 ；
所述导电连接件还包括：
两个紧固件，分别为第一紧固件和第二紧固件；其用于将所述导电连接件固定于所述工艺组件，并在固定的过程中可以调节所述弯折连接部的伸缩量；
所述第一紧固件位于所述第一安装部的朝向所述第二安装部的一侧；
所述第二紧固件位于所述第二安装部的背离所述第一安装部的一侧；
所述工艺组件包括安装件和接地件；
所述导电连接件位于所述安装件和所述接地件之间；并且，
所述第一安装部与所述安装件连接；
所述第二安装部与所述接地件连接；
以实现所述安装件与所述介质窗的真空密封，和所述安装件与所述接地件的良好接地。
2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述导电连接件呈Z型结构。
3.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述弯折连接部包括：
第一弯折连接部，其自所述第一安装部的末端弯折延伸；
第二弯折连接部，其自所述第一弯折连接部的末端弯折延伸并与所述第二安装部连接；其中，
所述第一弯折连接部的弯折方向与所述第二弯折连接部的弯折方向相反，并且，所述第一弯折连接部的末端在所述第二安装部上的正投影落在所述第二安装部内。
4.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述导电连接件呈W型结构。
5.一种半导体处理设备，其特征在于，包括权利要求1至4中任意一项所述的工艺腔室。
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