CN110565162B - 一种多晶硅用具有保温结构的生产设备及其使用方法 - Google Patents
一种多晶硅用具有保温结构的生产设备及其使用方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110565162B CN110565162B CN201910897891.8A CN201910897891A CN110565162B CN 110565162 B CN110565162 B CN 110565162B CN 201910897891 A CN201910897891 A CN 201910897891A CN 110565162 B CN110565162 B CN 110565162B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- heat preservation
- heat
- preservation cylinder
- top seat
- outer shell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004321 preservation Methods 0.000 title claims abstract description 105
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 41
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 title claims abstract description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000003921 oil Substances 0.000 claims description 43
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 37
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 28
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 21
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 20
- 235000017166 Bambusa arundinacea Nutrition 0.000 claims description 8
- 235000017491 Bambusa tulda Nutrition 0.000 claims description 8
- 241001330002 Bambuseae Species 0.000 claims description 8
- 235000015334 Phyllostachys viridis Nutrition 0.000 claims description 8
- 239000011425 bamboo Substances 0.000 claims description 8
- 239000011490 mineral wool Substances 0.000 claims description 6
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 claims description 3
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000011491 glass wool Substances 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004781 supercooling Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B28/00—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B28/04—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure from liquids
- C30B28/06—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure from liquids by normal freezing or freezing under temperature gradient
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明公开了一种多晶硅用具有保温结构的热场坩埚，包括保温筒顶座和保温筒外壳体，保温筒外壳体的上方设置有保温筒顶座，保温筒顶座的两端设置有固定手环，保温筒顶座的顶端设置有控制阀，控制阀的左下方设置有高温计，控制阀的右下方设置有测压口，控制阀下方位于保温筒顶座的内部设置有联轴器；本发明还公开了一种多品硅用具有保温结构的热场坩埚的使用方法，该装置解决了原有热场坩埚不具有保温结构导致保温性较差的问题，同时因为增加装置的保温性，还能降低生产过程中的能源消耗问题，而且旋转式加热，不仅受热均匀，同时也减少物耗能耗，可以降低产品的生产成本，从而提高竞争力。
Description
技术领域
本发明属于多晶硅的热场坩埚技术领域，具体涉及一种多晶硅用具有保温结构的热场坩埚及其使用方法。
背景技术
多晶硅是单质硅的一种形态，熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。
目前多晶硅的需求主要来自于半导体和太阳能电池，由于制备工艺的落后，生产同类产品物料和电力消耗过大，三废问题多，与国际水平相比，国内多晶硅生产，物耗能耗高出1倍以上，产品成本缺乏竞争力，由于热场坩埚的保温性能较差，导致电力消耗较多，而且在加热过程中不能均匀受热，导致物耗能耗高，从而增加了生产成本，缺乏竞争力。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种多晶硅用具有保温结构的热场坩埚及其使用方法。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种多晶硅用具有保温结构的热场坩埚，包括保温筒顶座和保温筒外壳体，所述保温筒外壳体的上方设置有保温筒顶座，所述保温筒顶座的两端设置有固定手环，所述保温筒顶座的顶端中间位置处设置有控制阀，所述控制阀的左下方设置有高温计，所述控制阀的右下方设置有测压口，所述控制阀的下方位于保温筒顶座的内部设置有联轴器，所述保温筒顶座与保温筒外壳体的固接处设置有密封圈，所述保温筒外壳体的底端中间位置处设置有引流口，所述引流口的左侧设置有支撑脚，所述保温筒外壳体的桶身外壁上端设置有导热油入口，所述保温筒外壳体的内部设置有导热油保温层，所述导热油保温层的内部设置有保温层，所述保温层的内部设置有石英坩埚，所述石英坩埚的内部设置有加热元件，所述加热元件的内部位于联轴器的下方设置有石墨坩埚，所述石墨坩埚的下方设置有坩埚底座，所述坩埚底座的下方设置有中心轴，所述中心轴的左右两侧设置有固定支架,所述固定支架的下方设置有夹持座，所述保温筒顶座的上方设置有电机，所述电机的下方设置有电机转轴，所述电机转轴的下方设置有固定横梁，所述电机转轴的底端位于固定横梁的中间位置处设置有中心轴承，所述中心轴的底端设置有轴承，所述保温筒顶座的底端设置有顶座螺块，所述顶座螺块的下方位于保温筒外壳体的顶端位置处设置有保温筒螺槽，所述加热元件和电机均匀外部电源电性连接。
优选的，所述电机与石英坩埚之间通过中心轴承转动连接，所述电机与中心轴承之间通过电机转轴转动连接，所述石墨坩埚的顶端与中心轴承之间通过联轴器转动连接，所述石墨坩埚的底端与石英坩埚之间通过中心轴和轴承转动连接。
优选的，所述保温层与保温筒外壳体之间一体成型，所述保温层的材料为岩棉、矿渣棉、玻璃棉和微孔硅酸钙的混合物。
优选的，所述导热油保温层位于保温层的外部，所述导热油保温层将保温层完全包裹，所述导热油保温层位于保温层通过导热油入口添加导热油进行保温。
优选的，所述顶座螺块与保温筒顶座一体成型，所述保温筒顶座与保温筒外壳体之间通过顶座螺块和保温筒螺槽螺纹拆卸连接，所述保温筒顶座与保温筒外壳体的固合处通过密封圈密封连接。
优选的，所述石英坩埚的顶端与固定横梁之间通过中心轴承转动连接，所述石英坩埚位于保温筒外壳体的内部，所述石英坩埚紧贴保温筒外壳体的内壁，两者的距离在1cm-2cm之间。
优选的，所述测压口包括压力表和泄压阀，所述测压口的左侧设置有泄压阀，所述测压口与泄压阀之间通过螺栓固定连接，所述泄压阀的左侧设置有压力表，所述泄压阀与压力表之间焊接固定。
本发明还提供了一种多晶硅用具有保温结构的热场坩埚的使用方法，包括以下步骤：
S1、将多晶硅放入到石墨坩埚中；
S2、将保温筒顶座与保温筒盖好，通过密封圈进行密封；
S3、将导热油从导热油入口添加到导热油保温层内，加满后关闭入口阀门；
S4、打开电源开关，让坩埚内开始加热，对多晶硅进行加热处理；
S5、电机通过转轴带动坩埚进行转动，让多晶硅受热均匀；
S6、对多晶硅加工处理后，通过保温筒对其进行保温处理即可。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
1.通过在热场坩埚外部设置有一个保温筒密封腔，通过密封圈，保温层和导热油保温层为热场坩埚设置了一个保温结构层，通过保温筒内的密封性和导热油的比热容，来降低工艺生产过程中的热量流失，从而达到节能保温的作用。
2.通过热场坩埚上设置电机、中心轴承、联轴器和坩埚的相互配合，可以让在对石墨坩埚进行加热制备多晶硅时，石墨坩埚可以进行匀速转动，让受热更加均匀，避免出现一边晶体已经热熔，一边还没有反应的情况发生，从而达到降低物耗能耗的目的。
综上所述，该装置解决了原有热场坩埚不具有保温结构导致保温性较差的问题，同时因为增加装置的保温性，还能降低生产过程中的能源消耗问题，而且旋转式加热，不仅受热均匀，同时也减少物耗能耗，可以降低产品的生产成本，从而提高竞争力。
附图说明
图1为本发明的正面结构示意图；
图2为本发明的电机传动结构示意图；
图3为本发明的保温筒顶座与保温筒接口结构示意图；
图4为本发明的测压口结构示意图；
图5为本发明的使用方法流程图；
图中：1-控制阀、2-联轴器、3-保温筒顶座、4-测压口、5-密封圈、6-石墨坩埚、7-坩埚底座、8-加热元件、9-固定支架、10-石英坩埚、11-中心轴、12-引流口、13-支撑脚、14-夹持座、15-保温层、16-导热油保温层、17-保温筒外壳体、18-导热油入口、19-固定手环、20-高温计、21-电机转轴、22-电机、23-中心轴承、24-固定横梁、25-轴承、26-顶座螺块、27-保温筒螺槽、28-压力表、29-泄压阀。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-图5，本发明提供一种多晶硅用具有保温结构的热场坩埚技术方案：包括保温筒顶座3和保温筒外壳体17，保温筒外壳体17的上方设置有保温筒顶座3，保温筒顶座3的两端设置有固定手环19，保温筒顶座3的顶端中间位置处设置有控制阀1，控制阀1的左下方设置有高温计20，控制阀1的右下方设置有测压口4，控制阀1的下方位于保温筒顶座3的内部设置有联轴器2，保温筒顶座3与保温筒外壳体17的固接处设置有密封圈5，保温筒外壳体17的底端中间位置处设置有引流口12，引流口12的左侧设置有支撑脚13，保温筒外壳体17的桶身外壁上端设置有导热油入口18，保温筒外壳体17的内部设置有导热油保温层16，导热油保温层16的内部设置有保温层15，保温层15的内部设置有石英坩埚10，石英坩埚10的内部设置有加热元件8，加热元件8的内部位于联轴器2的下方设置有石墨坩埚6，石墨坩埚6的下方设置有坩埚底座7，坩埚底座7的下方设置有中心轴11，中心轴11的左右两侧设置有固定支架9,固定支架9的下方设置有夹持座14，保温筒顶座3的上方设置有电机22，电机22的下方设置有电机转轴21，电机转轴21的下方设置有固定横梁24，电机转轴21的底端位于固定横梁24的中间位置处设置有中心轴承23，中心轴11的底端设置有轴承25，保温筒顶座3的底端设置有顶座螺块26，顶座螺块26的下方位于保温筒外壳体17的顶端位置处设置有保温筒螺槽27，加热元件8和电机22均匀外部电源电性连接。
在本发明中，可以让电机22带动石英坩埚10进行转动，电机22与石英坩埚10之间通过中心轴承23转动连接，电机22通过转轴可以带动中心轴承23进行转动，电机22与中心轴承23之间通过电机转轴21转动连接，为了使得石墨坩埚6在保温筒上可以稳定固定的同时，又可以进行转动，石墨坩埚6的顶端与中心轴承23之间通过联轴器2转动连接，石墨坩埚6的底端与石英坩埚10之间通过中心轴11和轴承25转动连接。
在本发明中，为了减少在工艺制备过程中热量的损失，达到保温的效果，保温层15与保温筒外壳体17之间一体成型，保温层15的材料为岩棉、矿渣棉、玻璃棉和微孔硅酸钙的混合物。
在本发明中，利用导热油较高的比热容，可以对保温筒进行保温，降低能耗，导热油保温层16位于保温层15的外部，导热油保温层16将保温层15完全包裹，导热油保温层16位于保温层15通过导热油入口18添加导热油进行保温。
在本发明中，为了温筒顶座3和顶座螺块26之间的稳定性，顶座螺块26与保温筒顶座3一体成型，对保温筒顶座3与保温筒外壳体17之间为了方便进行拆卸，保温筒顶座3与保温筒外壳体17之间通过顶座螺块26和保温筒螺槽27螺纹拆卸连接，为了保证闭合处的密封性，保温筒顶座3与保温筒外壳体17的固合处通过密封圈5密封连接。
在本发明中，石英坩埚10与固定横梁24能够固定的同时，又可以进行转动，石英坩埚10的顶端与固定横梁24之间通过中心轴承23转动连接，石英坩埚10位于保温筒外壳体17的内部，为了石英坩埚10转动时不会碰触到保温筒，同时确保保温性能，石英坩埚10紧贴保温筒外壳体17的内壁，两者的距离在1cm-2cm之间。
在本发明中，为了设备的使用安全性，可以随时对气压进行检查和调整，测压口4包括压力表28和泄压阀29，测压口4的左侧设置有泄压阀29，测压口4与泄压阀29之间通过螺栓固定连接，泄压阀29的左侧设置有压力表28，泄压阀29与压力表28之间焊接固定。
根据说明书附图5所示，一种多晶硅用具有保温结构的热场坩埚的使用方法，包括以下步骤：
S1、将多晶硅放入到石墨坩埚6中；
S2、将保温筒顶座3与保温筒盖好，通过顶座螺块26和保温筒螺槽27螺纹可以拆卸连接，通过密封圈5进行密封，保证良好的密封性；
S3、将导热油从导热油入口18添加到导热油保温层16内，加满后关闭入口阀门，可以提高热场坩埚的保温性能；
S4、打开电源开关，通过加热元件8，让坩埚内开始加热，通过对多晶硅进行加热处理；
S5、电机22通过转轴带动坩埚进行转动，让多晶硅受热均匀；
S6、对多晶硅加工处理后，通过保温筒对其进行保温处理即可。
本发明在具体使用时，先将需要处理的多晶硅放入到石墨坩埚6中，然后将保温筒顶座3通过顶座螺块26和保温筒螺槽27与温筒外壳体17固定好，通过密封圈5进行密封，然后检查热油保温层16内的导热油情况，如需添加，可以将导热油从导热油入口18加入，然后打开电源开关，通过加热元件8对石墨坩埚6内进行加热，多晶硅进行加热处理，电机22通过中心轴承11带动坩埚进行转动，让多晶硅受热均匀，对多晶硅加工处理后，通过保温筒内的保温层15和导热油保温层16对其进行保温处理即可，设备在工作过程中，高温计20检测温度，压力表28进行压力检测，必要时通过泄压阀29降压，保证设备的安全性，使用结束后，关闭电源。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (6)
1.一种多晶硅用具有保温结构的生产设备，包括保温筒顶座(3)和保温筒外壳体(17)，其特征在于：所述保温筒外壳体(17)的上方设置有保温筒顶座(3)，所述保温筒顶座(3)的两端设置有固定手环(19)，所述保温筒顶座(3)的顶端中间位置处设置有控制阀(1)，所述控制阀(1)的左下方设置有高温计(20)，所述控制阀(1)的右下方设置有测压口(4)，所述控制阀(1)的下方位于保温筒顶座(3)的内部设置有联轴器(2)，所述保温筒顶座(3)与保温筒外壳体(17)的固接处设置有密封圈(5)，所述保温筒外壳体(17)的底端中间位置处设置有引流口(12)，所述引流口(12)的左侧设置有支撑脚(13)，所述保温筒外壳体(17)的桶身外壁上端设置有导热油入口(18)，所述保温筒外壳体(17)的内部设置有导热油保温层(16)，所述导热油保温层(16)的内部设置有保温层(15)，所述保温层(15)的内部设置有石英坩埚(10)，所述石英坩埚(10)的内部设置有加热元件(8)，所述加热元件(8)的内部位于联轴器(2)的下方设置有石墨坩埚(6)，所述石墨坩埚(6)的下方设置有坩埚底座(7)，所述坩埚底座(7)的下方设置有中心轴(11)，所述中心轴(11)的左右两侧设置有固定支架(9),所述固定支架(9)的下方设置有夹持座(14)，所述保温筒顶座(3)的上方设置有电机(22)，所述电机(22)的下方设置有电机转轴(21)，所述电机转轴(21)的下方设置有固定横梁(24)，所述电机转轴(21)的底端位于固定横梁(24)的中间位置处设置有中心轴承(23)，所述中心轴(11)的底端设置有轴承(25)，所述保温筒顶座(3)的底端设置有顶座螺块(26)，所述顶座螺块(26)的下方位于保温筒外壳体(17)的顶端位置处设置有保温筒螺槽(27)，所述加热元件(8)和电机(22)均与外部电源电性连接；
所述电机(22)与石英坩埚(10)之间通过中心轴承(23)转动连接，所述电机(22)与中心轴承(23)之间通过电机转轴(21)转动连接，所述石墨坩埚(6)的顶端与中心轴承(23)之间通过联轴器(2)转动连接，所述石墨坩埚(6)的底端与石英坩埚(10)之间通过中心轴(11)和轴承(25)转动连接；
所述顶座螺块(26)与保温筒顶座(3)一体成型，所述保温筒顶座(3)与保温筒外壳体(17)之间通过顶座螺块(26)和保温筒螺槽(27)螺纹拆卸连接，所述保温筒顶座(3)与保温筒外壳体(17)的固合处通过密封圈(5)密封连接。
2.根据权利要求1所述的一种多晶硅用具有保温结构的生产设备，其特征在于：所述保温层(15)与保温筒外壳体(17)之间一体成型，所述保温层(15)的材料为岩棉、矿渣棉、玻璃棉和微孔硅酸钙的混合物。
3.根据权利要求1所述的一种多晶硅用具有保温结构的生产设备，其特征在于：所述导热油保温层(16)位于保温层(15)的外部，所述导热油保温层(16)将保温层(15)完全包裹，所述导热油保温层(16)通过导热油入口(18)添加导热油进行保温。
4.根据权利要求1所述的一种多晶硅用具有保温结构的生产设备，其特征在于：所述石英坩埚(10)的顶端与固定横梁(24)之间通过中心轴承(23)转动连接，所述石英坩埚(10)位于保温筒外壳体(17)的内部，所述石英坩埚(10)紧贴保温筒外壳体(17)的内壁，两者的距离在1cm-2cm之间。
5.根据权利要求1所述的一种多晶硅用具有保温结构的生产设备，其特征在于：所述测压口(4)包括压力表(28)和泄压阀(29)，所述测压口(4)的左侧设置有泄压阀(29)，所述测压口(4)与泄压阀(29)之间通过螺栓固定连接，所述泄压阀(29)的左侧设置有压力表(28)，所述泄压阀(29)与压力表(28)之间焊接固定。
6.根据权利要求1-5任一所述的一种多晶硅用具有保温结构的生产设备的使用方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、将多晶硅放入到石墨坩埚(6)中；
S2、将保温筒顶座(3)与保温筒外壳体(17)盖好，通过密封圈(5)进行密封；
S3、将导热油从导热油入口(18)添加到导热油保温层(16)内，加满后关闭入口阀门；
S4、打开电源开关，让坩埚内开始加热，对多晶硅进行加热处理；
S5、电机(22)通过转轴带动坩埚进行转动，让多晶硅受热均匀；
S6、对多晶硅加工处理后，通过保温筒顶座(3)与保温筒外壳体(17)对其进行保温处理即可。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910897891.8A CN110565162B (zh) | 2019-09-23 | 2019-09-23 | 一种多晶硅用具有保温结构的生产设备及其使用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910897891.8A CN110565162B (zh) | 2019-09-23 | 2019-09-23 | 一种多晶硅用具有保温结构的生产设备及其使用方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110565162A CN110565162A (zh) | 2019-12-13 |
| CN110565162B true CN110565162B (zh) | 2024-02-27 |
Family
ID=68781756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910897891.8A Active CN110565162B (zh) | 2019-09-23 | 2019-09-23 | 一种多晶硅用具有保温结构的生产设备及其使用方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110565162B (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990003952A1 (en) * | 1988-10-07 | 1990-04-19 | Crystal Systems, Inc. | Method of growing silicon ingots using a rotating melt |
| CN106591946A (zh) * | 2016-12-20 | 2017-04-26 | 大连理工大学 | 一种逆向离心提高多晶硅定向凝固提纯得率的设备和方法 |
| CN107345314A (zh) * | 2017-09-14 | 2017-11-14 | 江苏新潮光伏能源发展有限公司 | 一种多晶硅铸锭炉 |
| CN210683995U (zh) * | 2019-09-23 | 2020-06-05 | 大同新成新材料股份有限公司 | 一种多品硅用具有保温结构的热场坩埚 |
-
2019
- 2019-09-23 CN CN201910897891.8A patent/CN110565162B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990003952A1 (en) * | 1988-10-07 | 1990-04-19 | Crystal Systems, Inc. | Method of growing silicon ingots using a rotating melt |
| CN106591946A (zh) * | 2016-12-20 | 2017-04-26 | 大连理工大学 | 一种逆向离心提高多晶硅定向凝固提纯得率的设备和方法 |
| CN107345314A (zh) * | 2017-09-14 | 2017-11-14 | 江苏新潮光伏能源发展有限公司 | 一种多晶硅铸锭炉 |
| CN210683995U (zh) * | 2019-09-23 | 2020-06-05 | 大同新成新材料股份有限公司 | 一种多品硅用具有保温结构的热场坩埚 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110565162A (zh) | 2019-12-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN201195763Y (zh) | 一种多晶硅铸锭炉 | |
| CN207512312U (zh) | 一种单晶硅生长炉电极升降机构 | |
| CN102899714B (zh) | 一种磷硅镉单晶体的生长方法与生长容器 | |
| CN202989351U (zh) | 基于多加热器的铸锭炉热场结构 | |
| CN204251762U (zh) | 一种单晶炉热场结构 | |
| CN110565162B (zh) | 一种多晶硅用具有保温结构的生产设备及其使用方法 | |
| CN210683995U (zh) | 一种多品硅用具有保温结构的热场坩埚 | |
| CN102925970A (zh) | 一种坩埚喷涂烘干装置及其方法 | |
| CN207958541U (zh) | 一种单晶炉自冷却装置 | |
| CN207294942U (zh) | 一种带石墨和水冷复合热屏的高效单晶生长炉 | |
| CN102757056B (zh) | 摆动式高温真空氯化炉及利用该氯化炉提纯石英砂的方法 | |
| CN205072025U (zh) | 用于裹衣花生的自动裹衣装置 | |
| CN208121236U (zh) | 一种单晶硅炉 | |
| CN204251761U (zh) | 单晶炉热场结构 | |
| CN103993355B (zh) | CuInS2单晶体的制备方法和CuInS2单晶体制备装置 | |
| CN206666364U (zh) | 微晶玻璃生产用炉 | |
| CN206308027U (zh) | 一种制备高纯度碳酸锂的焙烧设备 | |
| CN109112621A (zh) | 一种节能铸锭装置 | |
| CN101914807B (zh) | 一种单晶生长热系统的煅烧处理方法及其装置 | |
| CN201217710Y (zh) | 一种降低单晶硅炉能耗的装置 | |
| CN103147118A (zh) | 一种利用直拉区熔法制备太阳能级硅单晶的方法 | |
| CN212306672U (zh) | 一种黄豆浓浆加热成型设施 | |
| CN209412357U (zh) | 一种节能铸锭装置 | |
| CN208869720U (zh) | 一种筒状多晶硅铸锭石墨热场 | |
| CN206823703U (zh) | 一种酶制剂配料罐 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20240312 Address after: 2226, Building 1, 2, and 3, Dongfang Furong Garden, No. 582 Yuanda 1st Road, Hehuayuan Street, Furong District, Changsha City, Hunan Province, 410000 Patentee after: Changsha Yingrui Intellectual Property Operation Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: 037002 Garden Village, Xinrong District, Datong, Shanxi Patentee before: DATONG XINCHENG NEW MATERIAL Co.,Ltd. Country or region before: China |