CN110502448A - 非易失性存储器系统 - Google Patents

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Abstract

非易失性存储器系统包括NAND闪速存储器装置、主机装置及节省存储空间管理器。NAND闪速存储器装置包括NAND闪速存储器及控制NAND闪速存储器的存储器控制器。主机装置包括文件系统及从文件系统接收指令并提供给NAND闪速存储器装置的主机控制器。节省存储空间管理器监控NAND闪速存储器中发生的运行时的坏块的个数与位置，监控文件系统的逻辑地址使用现况，在NAND闪速存储器内的运行时的坏块的个数增加时减少文件系统可用的逻辑地址空间。因此，当NAND闪速存储器内的运行时的坏块增加导致NAND闪速存储器装置无法为主机装置提供足够的逻辑地址空间时也能够继续使用NAND闪速存储器装置。

Description

非易失性存储器系统
技术领域
本发明涉及半导体存储器系统。更具体来讲，本发明涉及包括主机(host)装置与NAND闪速存储器(NAND flash memory)装置的非易失性存储器系统。
背景技术
根据在无电源供应的状态下是否能够保存数据，可以将半导体存储器装置区分为易失性存储器装置与非易失性存储器装置。近来，随着半导体存储器装置的小型化、大容量化及低费用化趋势，非易失性存储器装置中的NAND闪速存储器装置因适合小型化、大容量化及低费用化而被广泛使用。通常，NAND闪速存储器装置以页(page)为单位执行写入(write)动作与读取(read)动作，以块(block)为单位执行擦除(erase)动作，因此利用具有支持主机装置的文件系统(file system)的闪存转换层(flash translation layer；FTL)的存储器控制器对NAND闪速存储器执行写入动作、读取动作、擦除动作、垃圾收集(garbagecollection)(或回收(reclaim))动作、磨损均衡(wear leveling)动作等。在此，所述闪存转换层利用存储有逻辑地址(logical address)与物理地址(physical address)之间的映射信息的映射表(mapping table)执行地址映射(address mapping)动作。
另外，对NAND闪速存储器的块反复执行写入动作与擦除动作的情况下所述块劣化，因此所述闪存转换层将因为所述劣化而发生不良或预计发生不良的块，即，用保留块(reserved block)替代运行时的坏块(run-time bad block)或将运行时的坏块的有效数据移动到空闲块(free block)，对该运行时的坏块进行不可使用处理(retire)(即，排除使用)，防止NAND闪速存储器装置发生误动作。然而，NAND闪速存储器内的运行时的坏块持续增加导致可用物理地址空间减少的情况下，NAND闪速存储器装置无法为主机装置提供足够的逻辑地址空间，因此判定该NAND闪速存储器装置的寿命(end of life；EOL)已尽并废弃。然而，尽管NAND闪速存储器装置无法为主机装置提供足够的逻辑地址空间，但主机装置并非使用NAND闪速存储器装置提供的所有逻辑地址空间，因此以NAND闪速存储器内的运行时的坏块的个数已达到预定个数以上为由整体废弃包括所述NAND闪速存储器的NAND闪速存储器装置的话将会造成不必要的资源浪费。
发明内容
技术问题
本发明的一个目的是提供一种当NAND闪速存储器内的运行时的坏块增加导致NAND闪速存储器装置无法为主机装置提供足够的逻辑地址空间的情况下(即，判定NAND闪速存储器装置的寿命已尽的情况下)也能够继续使用NAND闪速存储器装置而不会发生误动作的非易失性存储器系统。
技术方案
为达成本发明的一个目的，本发明的实施例的非易失性存储器系统可包括：NAND闪速存储器装置，其具有至少一个NAND闪速存储器及控制所述NAND闪速存储器的存储器控制器；主机装置，其具有文件系统及从所述文件系统接收指令并提供给所述NAND闪速存储器装置的主机控制器；以及节省存储空间管理器，其监控所述NAND闪速存储器中发生的运行时的坏块的个数与位置，监控所述文件系统的逻辑地址使用现况，在所述运行时的坏块的所述个数增加时减少所述文件系统可用的逻辑地址空间。
根据一个实施例，所述节省存储空间管理器包含于所述主机控制器或所述存储器控制器，能够与所述文件系统及包含于所述存储器控制器的闪存转换层进行交互(interaction)。
根据一个实施例，所述节省存储空间管理器可以使所述文件系统回收(recall)所述文件系统未使用的第一逻辑地址中的一部分以减少所述逻辑地址空间。
根据一个实施例，所述节省存储空间管理器能够可以使所述文件系统在回收所述第一逻辑地址中的所述一部分之前对所述文件系统正在使用的第二逻辑地址执行碎片移除(defragmentation)动作以连续地再分配所述第一逻辑地址。
根据一个实施例，所述节省存储空间管理器可以使所述文件系统生成占用(occupy)所述文件系统未使用的第一逻辑地址的一部分的伪文件(dummy file)以减少所述逻辑地址空间。
根据一个实施例，所述节省存储空间管理器在减少所述逻辑地址空间时可以使所述存储器控制器用保留块替代(replace)所述NAND闪速存储器内的所述运行时的坏块。
根据一个实施例，所述节省存储空间管理器在每次所述运行时的坏块的所述个数大于基准个数时使所述文件系统减少所述逻辑地址空间，所述基准个数可以随着所述NAND闪速存储器装置的使用而增大。
根据一个实施例，所述保留块可以在制造所述NAND闪速存储器装置时被设定后不随所述NAND闪速存储器装置的使用而增加。
根据一个实施例，所述保留块可以在制造所述NAND闪速存储器装置时被设定后因随着所述NAND闪速存储器装置的使用将所述NAND闪速存储器内的空闲块中的一部分转换成所述保留块而增加。
根据一个实施例，所述节省存储空间管理器可以在减少所述逻辑地址空间时使所述存储器控制器对所述NAND闪速存储器内的所述运行时的坏块进行不可使用处理(retire)。
根据一个实施例，所述节省存储空间管理器可以使所述存储器控制器在对所述NAND闪速存储器内的所述运行时的坏块进行不可使用处理之前将所述运行时的坏块的有效数据移动到空闲块。
根据一个实施例，所述节省存储空间管理器在每次所述运行时的坏块的所述个数大于基准个数时使所述文件系统减少所述逻辑地址空间，所述基准个数可以随着所述NAND闪速存储器装置的使用而增大。
为达成本发明的一个目的，本发明的实施例的NAND闪速存储器装置可包括至少一个NAND闪速存储器及控制所述NAND闪速存储器的存储器控制器。其中，所述存储器控制器可包括监控所述NAND闪速存储器中发生的运行时的坏块的个数与位置，监控主机装置所具有的文件系统的逻辑地址使用现况，在所述运行时的坏块的所述个数增加时减少所述文件系统可用的逻辑地址空间的节省存储空间管理器。
为达成本发明的一个目的，本发明的实施例的主机装置可包括文件系统及从所述文件系统接收指令并提供给NAND闪速存储器装置的主机控制器。其中，所述主机控制器可包括监控所述NAND闪速存储器装置所具有的至少一个NAND闪速存储器中发生的运行时的坏块的个数与位置，监控所述文件系统的逻辑地址使用现况，在所述运行时的坏块的所述个数增加时减少所述文件系统可用的逻辑地址空间的节省存储空间管理器。
技术效果
本发明的实施例的非易失性存储器系统包括NAND闪速存储器装置(在此，NAND闪速存储器装置包括NAND闪速存储器及控制NAND闪速存储器的存储器控制器)及主机装置(在此，主机装置包括文件系统及从文件系统接收指令并提供给NAND闪速存储器装置的主机控制器)，还包括监控主机装置或NAND闪速存储器装置的NAND闪速存储器中发生的运行时的坏块的个数与位置，监控文件系统的逻辑地址使用现况，在NAND闪速存储器中发生的运行时的坏块的个数增加时减少文件系统可用的逻辑地址空间的节省存储空间管理器，因此NAND闪速存储器内的运行时的坏块增加导致NAND闪速存储器装置无法为主机装置提供足够的逻辑地址空间的情况下(即，判定NAND闪速存储器装置的寿命已尽的情况下)也能够继续使用NAND闪速存储器装置，确保其无误动作。
附图说明
图1是显示本发明的实施例的非易失性存储器系统的框图；
图2a是显示在图1的非易失性存储器系统中节省存储空间管理器包含于主机装置的一例的示意图；
图2b是显示在图1的非易失性存储器系统中节省存储空间管理器包含于NAND闪速存储器装置的一例的示意图；
图3是显示图1的非易失性存储器系统中的节省存储空间管理器减少逻辑地址空间的一例的示意图；
图4是显示图1的非易失性存储器系统中的节省存储空间管理器减少逻辑地址空间的另一例的示意图；
图5是显示图1的非易失性存储器系统中的节省存储空间管理器减少逻辑地址空间的又一例的示意图；
图6是显示图1的非易失性存储器系统中的节省存储空间管理器确定减少逻辑地址空间的一例的流程图；
图7是显示图1的非易失性存储器系统中的节省存储空间管理器确定减少逻辑地址空间的另一例的流程图；
图8是显示图1的非易失性存储器系统中的节省存储空间管理器确定减少逻辑地址空间的又一例的流程图。
附图标记说明
100：非易失性存储器系统 120：NAND闪速存储器装置
122：NAND闪速存储器 124：存储器控制器
126：闪存转换层 140：主机装置
142：文件系统 144：主机控制器
160：节省存储空间管理器 ORG：第一逻辑地址空间
LAS：第二逻辑地址空间 FLA：第一逻辑地址
SLA：第二逻辑地址 REA：回收的逻辑地址
DUM：伪文件
具体实施方式
以下参见附图更具体地说明本发明的优选实施例。对附图上的相同构成要素使用相同的附图标标记，并省略对相同的构成要素进行重复说明。
图1是显示本发明的实施例的非易失性存储器系统的框图，图2a是显示在图1的非易失性存储器系统中节省存储空间管理器包含于主机装置的一例的示意图，图2b是显示在图1的非易失性存储器系统中节省存储空间管理器包含于NAND闪速存储器装置的一例的示意图。
参见图1至图2b，非易失性存储器系统100可包括NAND闪速存储器装置120及主机装置140。在此，非易失性存储器系统100还可以包括包含于NAND闪速存储器装置120或包含于主机装置140的节省存储空间管理器160。
NAND闪速存储器装置120可包括至少一个NAND闪速存储器122及控制NAND闪速存储器122的存储器控制器124。为便于说明，图1示出NAND闪速存储器装置120包括一个NAND闪速存储器122，但NAND闪速存储器装置120可包括多个NAND闪速存储器122。主机装置140可具有文件系统142及从文件系统142接收指令并提供给NAND闪速存储器装置120的主机控制器144。通常，NAND闪速存储器装置120基于NAND闪速存储器122的物理结构对包含于NAND闪速存储器122的存储器单元执行写入动作、读取动作及擦除动作，相比于随机存取存储器装置(例如，动态(dynamic random access memory；DRAM)装置等)具有诸多局限性。具体来讲，NAND闪速存储器装置120基于NAND闪速存储器122的物理结构对包含于NAND闪速存储器122的存储器单元以页为单位执行读取动作与写入动作，以块为单位执行擦除动作。因此，NAND闪速存储器装置120为支持文件系统142而将闪存转换层126设置于存储器控制器124，利用闪存转换层126执行读取动作、写入动作、擦除动作、合并(merge)动作、热备份(copyback)动作、压缩(compaction)动作、垃圾收集动作(或回收动作)、磨损均衡动作等。换而言之，存储器控制器124通过运行以软件方式构成的闪存转换层126执行所述动作。在此，闪存转换层126利用存储有逻辑地址与物理地址之间的映射信息的映射表执行将主机装置140(即，文件系统142)识别的逻辑地址转换为NAND闪速存储器装置120的物理地址的地址映射动作。
通常，NAND闪速存储器装置120对NAND闪速存储器122的块反复执行写入动作与擦除动作的情况下所述块将会劣化(即，包含于所述块的存储器单元劣化)。在此，构成NAND闪速存储器122的存储器单元的寿命是有限的，对所述块执行预定次数以上的写入动作与擦除动作的情况下，包含于所述块的存储器单元的寿命已尽，因此所述块无法正常动作。因此，闪存转换层126将因所述劣化而发生不良或预计发生不良的块，即，用保留块替代运行时的坏块或将运行时的坏块的有效数据移动到空闲块并对该运行时的坏块进行不可使用处理，防止NAND闪速存储器装置120误动作。然而，NAND闪速存储器122内的运行时的坏块继续增加导致可用的物理地址空间减少的情况下，NAND闪速存储器装置120无法为主机装置140提供足够的逻辑地址空间，因此判定NAND闪速存储器装置120寿命已尽并废弃。但是，由于实际上主机装置140使用由NAND闪速存储器装置120提供的所有逻辑地址空间的情况极少，因此尽管主机装置140并非使用由NAND闪速存储器装置120提供的所有逻辑地址空间，却以NAND闪速存储器122内的运行时的坏块的个数增加到预定个数以上为由整体废弃NAND闪速存储器装置120并不优选。
由于这种原因，非易失性存储器系统100在NAND闪速存储器122内的运行时的坏块增加导致NAND闪速存储器装置120无法为主机装置140提供足够的逻辑地址空间的情况下(即，判定NAND闪速存储器装置120的寿命(EOL)已尽的情况下)，可以减少主机装置140的文件系统142可用的逻辑地址空间以继续使用NAND闪速存储器装置120，确保其无误动作。为此，非易失性存储器系统100可包括监控NAND闪速存储器装置120的NAND闪速存储器122中发生的运行时的坏块的个数与位置，监控主机装置140的文件系统142的逻辑地址使用现况，所述运行时的坏块的个数增加时减少主机装置140的文件系统142可用的逻辑地址空间的节省存储空间管理器160。在此，节省存储空间管理器160以软件形式构成，能够与主机装置140的文件系统142及包含于NAND闪速存储器装置120的存储器控制器124的闪存转换层160进行交互。根据一个实施例，如图2a所示，节省存储空间管理器160可包含于主机装置140的主机控制器144。该情况下，节省存储空间管理器160能够与文件系统142顺畅地进行交互。根据其他实施例，如图2b所示，节省存储空间管理器160可包含于NAND闪速存储器装置120的存储器控制器124。该情况下，节省存储空间管理器160能够与包含于存储器控制器124的闪存转换层126顺畅地进行交互。
节省存储空间管理器160能够监控NAND闪速存储器装置120的NAND闪速存储器122中发生的运行时的坏块的个数与位置。根据一个实施例，节省存储空间管理器160可包括用于存储关于所述运行时的坏块的个数与位置的信息的预定的表。在此，所述表不仅可以包括关于所述运行时的坏块的个数与位置的信息，还可以包括关于空闲块的个数与位置的信息、关于保留块的个数与位置的信息等。并且，节省存储空间管理器160可监控主机装置140的文件系统142的逻辑地址使用现况(例如，追踪(tracing)逻辑块地址(logical blockaddress；LBA)分配明细)。根据一个实施例，节省存储空间管理器160可包括用于存储关于所述逻辑地址使用现况的信息的预定的表。并且，节省存储空间管理器160可以随着NAND闪速存储器装置120的NAND闪速存储器122内运行时的坏块的个数增加时减少主机装置140的文件系统142可用的逻辑地址空间。换而言之，节省存储空间管理器160在NAND闪速存储器122内的运行时的坏块的个数增加导致NAND闪速存储器装置120物理上无法承担本应该为主机装置140提供的原来的逻辑地址空间的情况下，可以回收主机装置140(即，文件系统142)未使用的非使用逻辑地址空间或生成占用所述非使用逻辑地址空间的伪文件，以此减少主机装置140(即，文件系统142)可用的逻辑地址空间，并将此告知给NAND闪速存储器装置120使得处理所述运行时的坏块。如上，节省存储空间管理器160缩小NAND闪速存储器装置120应物理承担的用于主机装置140的逻辑地址空间，因此即使所述运行时的坏块被保留块替代或被进行不可使用处理也能够确保NAND闪速存储器装置120正常动作。
根据一个实施例，节省存储空间管理器160能够使文件系统142回收文件系统142未使用的非使用逻辑地址空间，即，第一逻辑地址的一部分，以此减少文件系统142可用的逻辑地址空间。换而言之，节省存储空间管理器160在NAND闪速存储器122内的运行时的坏块的个数增加导致NAND闪速存储器装置120物理上无法承担本应该为主机装置140提供的原来的逻辑地址空间的情况下，以回收文件系统142未使用的第一逻辑地址的一部分的方式减少文件系统142可用的逻辑地址空间。后续将参见图3对此进行具体说明。根据其他实施例，节省存储空间管理器160可以使文件系统142对文件系统142正在使用的使用逻辑地址空间，即，第二逻辑地址执行碎片移除动作，连续地再分配(reallocation)文件系统142未使用的非使用逻辑地址空间，即，第一逻辑地址后回收第一逻辑地址的一部分，以此减少文件系统142可用的逻辑地址空间。换而言之，节省存储空间管理器160在NAND闪速存储器122内的运行时的坏块的个数增加导致NAND闪速存储器装置120物理上无法承担本应该为主机装置140提供的原来的逻辑地址空间的情况下，通过对文件系统142正在使用的第二逻辑地址执行碎片移除动作连续地再分配文件系统142未使用的第一逻辑地址后回收第一逻辑地址的一部分的方式减少文件系统142可用的逻辑地址空间。后续参见图4对此进行具体说明。根据又一实施例，节省存储空间管理器160可以使文件系统142生成占用文件系统142未使用的非使用逻辑地址空间，即，第一逻辑地址的一部分的伪文件，以此减少文件系统142可用的逻辑地址空间。换而言之，节省存储空间管理器160在NAND闪速存储器122内的运行时的坏块的个数增加导致NAND闪速存储器装置120物理上无法承担本应该为主机装置140提供的原来的逻辑地址空间的情况下，通过向文件系统142未使用的非使用逻辑地址空间，即，第一逻辑地址的一部分分配伪文件的方式减少文件系统142可用的逻辑地址空间。后续参见图5对此进行具体说明。
另外，节省存储空间管理器160可以通过多种方式确定是否执行减少文件系统142可用的逻辑地址空间的动作。根据一个实施例，保留块在制造NAND闪速存储器装置120时被设定后未随NAND闪速存储器装置120的使用而增加的情况下，节省存储空间管理器160可以在每次NAND闪速存储器122内的运行时的坏块的个数大于基准个数时使文件系统142减少文件系统142可用的逻辑地址空间。在此，所述基准个数可随着NAND闪速存储器装置120的使用而增大。该情况下，节省存储空间管理器160可以使存储器控制器124用保留块替代NAND闪速存储器122内的运行时的坏块。后续参见图6对此进行具体说明。根据其他实施例，保留块在制造NAND闪速存储器装置120时被设定后因随着NAND闪速存储器装置120的使用将NAND闪速存储器122内的空闲块中一部分转换为保留块而增加的情况下，节省存储空间管理器160可以在每次NAND闪速存储器122内的运行时的坏块的个数大于基准个数时使文件系统142减少文件系统142可用的逻辑地址空间。在此，所述基准个数可随着NAND闪速存储器装置120的使用而增大。该情况下，节省存储空间管理器160可以使存储器控制器124用保留块替代NAND闪速存储器122内的运行时的坏块。后续参见图7对此进行具体说明。根据又一实施例，NAND闪速存储器122未应用保留块的情况下，节省存储空间管理器160可以在每次NAND闪速存储器122内的运行时的坏块的个数大于基准个数时使文件系统142减少文件系统142可用的逻辑地址空间。在此，所述基准个数可以随着NAND闪速存储器装置120的使用而增大。该情况下，节省存储空间管理器160可以使存储器控制器124将NAND闪速存储器122内的运行时的坏块的有效数据移动到空闲块，对所述运行时的坏块进行不可使用处理。后续参见图8对此进行具体说明。
如上，非易失性存储器系统100包括NAND闪速存储器装置120(在此，NAND闪速存储器装置120包括NAND闪速存储器122及控制NAND闪速存储器122的存储器控制器124)及主机装置140(在此，主机装置140包括文件系统142及从文件系统142接收指令并提供给NAND闪速存储器装置120的主机控制器144)，而且包括监控主机装置140或NAND闪速存储器装置120的NAND闪速存储器122中发生的运行时的坏块的个数与位置，监控文件系统142的逻辑地址使用现况，NAND闪速存储器122中发生的运行时的坏块的个数增加时减少文件系统142可用的逻辑地址空间的节省存储空间管理器160，因此NAND闪速存储器122内的运行时的坏块增加导致NAND闪速存储器装置120无法为主机装置140提供足够的逻辑地址空间的情况下(即，判定NAND闪速存储器装置120的寿命已尽的情况下)也能够继续使用NAND闪速存储器装置120，确保其无误动作。根据一个实施例，包含于非易失性存储器系统100的NAND闪速存储器装置120可以由EMMC(embedded multi media card)构成。该情况下，减少文件系统142可用的逻辑地址空间的节省存储空间管理器160的动作可以与分区大小调节功能、EMMC动态容量(EMMC dynamic capacity)功能、协议指令(vendor command)功能等连动。但这只是例示而已，包含于非易失性存储器系统100的NAND闪速存储器装置120可以由固态驱动机(solid state drive；SSD)、SD卡(secure digital card；SDCARD)、通用闪存(universalflash storage；UFS)、CF卡(compact flash card)、记忆棒(memory stick)、XD图像卡(XDpicture card)等构成。
图3是显示图1的非易失性存储器系统中的节省存储空间管理器减少逻辑地址空间的一例的示意图。
参见图3，节省存储空间管理器160在NAND闪速存储器122内的运行时的坏块的个数增加导致NAND闪速存储器装置120物理上无法承担本应该为主机装置140提供的原来的逻辑地址空间，即，第一逻辑地址空间ORG的情况下，可以通过使文件系统142回收文件系统142未使用的非使用逻辑地址空间，即，第一逻辑地址FLA的一部分，将文件系统142可用的逻辑地址空间从第一逻辑地址空间ORG减少到第二逻辑地址空间LAS。即，节省存储空间管理器160可以通过使主机装置140(即，文件系统142)无法再使用第一逻辑地址空间ORG中第一逻辑地址FLA的一部分(即，回收的逻辑地址REA)，将文件系统142可用的逻辑地址空间从第一逻辑地址空间ORG减少到第二逻辑地址空间LAS。例如，文件系统142可以将回收的逻辑地址REA标记(mark)为无效空间(invalid space)进行管理，以防止对回收的逻辑地址REA进行存取(access)。另外，节省存储空间管理器160可以向NAND闪速存储器装置120告知主机装置140(即，文件系统142)可用的逻辑地址空间从第一逻辑地址空间ORG减少到第二逻辑地址空间LAS，使NAND闪速存储器装置120处理NAND闪速存储器122中发生的运行时的坏块。
图4是显示图1的非易失性存储器系统中的节省存储空间管理器减少逻辑地址空间的另一例的示意图。
参见图4，节省存储空间管理器160在NAND闪速存储器122内的运行时的坏块的个数增加导致NAND闪速存储器装置120物理上无法承担本应该为主机装置140提供的原来的逻辑地址空间，即，第一逻辑地址空间ORG的情况下，可以通过使文件系统142对文件系统142正在使用的使用逻辑地址空间，即，第二逻辑地址SLA执行碎片移除动作(即，用整理碎片(DEFRAGMENTATION)表示)以连续地再分配文件系统142未使用的非使用逻辑地址空间，即，第一逻辑地址FLA后，回收第一逻辑地址FLA的一部分，将文件系统142可用的逻辑地址空间从第一逻辑地址空间ORG减少到第二逻辑地址空间LAS。即，节省存储空间管理器160在第一逻辑地址FLA通过所述碎片移除动作连续地再分配(即，第一逻辑地址FLA汇集)时，可以通过使主机装置140(即，文件系统142)无法再使用第一逻辑地址空间ORG中第一逻辑地址FLA的一部分(即，回收的逻辑地址REA)，将文件系统142可用的逻辑地址空间从第一逻辑地址空间ORG减少到第二逻辑地址空间LAS。例如，文件系统142可以将回收的逻辑地址REA标记为无效空间进行管理，以防止对回收的逻辑地址REA进行存取。另外，节省存储空间管理器160可以向NAND闪速存储器装置120告知主机装置140(即，文件系统142)可用的逻辑地址空间从第一逻辑地址空间ORG减少到第二逻辑地址空间LAS，使NAND闪速存储器装置120处理NAND闪速存储器122中发生的运行时的坏块。
图5是显示图1的非易失性存储器系统中的节省存储空间管理器减少逻辑地址空间的又一例的示意图。
参见图5，节省存储空间管理器160在NAND闪速存储器122内的运行时的坏块的个数增加导致NAND闪速存储器装置120物理上无法承担本应该为主机装置140提供的原来的逻辑地址空间，即，第一逻辑地址空间ORG的情况下，可以通过使文件系统142生成文件系统142未使用的非使用逻辑地址空间，即，占用第一逻辑地址FLA的一部分的伪文件(DUM)，将文件系统142可用的逻辑地址空间从第一逻辑地址空间ORG减少到第二逻辑地址空间LAS。即，节省存储空间管理器160可以通过使主机装置140(即，文件系统142)无法再使用第一逻辑地址空间ORG中第一逻辑地址FLA的一部分，将文件系统142可用的逻辑地址空间从第一逻辑地址空间ORG减少到第二逻辑地址空间LAS。如上，节省存储空间管理器160可通过向文件系统142未使用的非使用逻辑地址空间，即，第一逻辑地址FLA的一部分分配伪文件的方式实质性缩小文件系统142可用的逻辑地址空间。另外，节省存储空间管理器160可以向NAND闪速存储器装置120告知主机装置140(即，文件系统142)可用的逻辑地址空间从第一逻辑地址空间ORG减少到第二逻辑地址空间LAS，使NAND闪速存储器装置120处理NAND闪速存储器122中发生的运行时的坏块。
图6是显示图1的非易失性存储器系统中的节省存储空间管理器确定减少逻辑地址空间的一例的流程图。
参见图6，图6显示包括NAND闪速存储器装置120的非易失性存储器系统100中的节省存储空间管理器160减少逻辑地址空间，其中NAND闪速存储器装置120以利用制造NAND闪速存储器装置120时设定的保留块一对一替代NAND闪速存储器122内的运行时的坏块的方式动作。在此，保留块在制造NAND闪速存储器装置120时被设定后不随NAND闪速存储器装置120的使用而增加。即，可在制造NAND闪速存储器装置120时设定预计寿命期间所需个数(即，运行时的坏块的预计发生个数)的保留块，所述保留块全部耗尽的情况下废弃该NAND闪速存储器装置120。具体来讲，节省存储空间管理器160可以确认NAND闪速存储器122中发生的运行时的坏块的个数(S110)，确认NAND闪速存储器122中发生的运行时的坏块的个数是否大于基准个数(S120)。在此，NAND闪速存储器122中发生的运行时的坏块的个数不大于基准个数时，节省存储空间管理器160可继续重复所述步骤S110、S120。反面，NAND闪速存储器122中发生的运行时的坏块的个数大于基准个数时，节省存储空间管理器160可以使文件系统142减少文件系统142可用的逻辑地址空间(S130)。在此，节省存储空间管理器160可以向NAND闪速存储器装置120(即，存储器控制器124)告知文件系统142可用的逻辑地址空间减少，使存储器控制器124用保留块替代NAND闪速存储器122内的运行时的坏块(S140)。之后，节省存储空间管理器160增大用于与运行时的坏块的个数进行比较的基准个数(S150)，根据增大的基准个数重复所述步骤S110、S120、S130、S140及S150。如上，节省存储空间管理器160直至制造NAND闪速存储器装置120时设定的保留块全部耗尽为止，每次NAND闪速存储器122内的运行时的坏块的个数大于基准个数时使文件系统142减少文件系统142可用的逻辑地址空间，从而能够防止尽管还有制造NAND闪速存储器装置120时设定的保留块却以NAND闪速存储器装置120无法为主机装置140提供足够的逻辑地址空间为由整体废弃。但图6所示的方式不过是例示而已，应理解本发明的方式不限于此。
图7是显示图1的非易失性存储器系统中的节省存储空间管理器确定减少逻辑地址空间的另一例的流程图。
参见图7，图7显示包括NAND闪速存储器装置120的非易失性存储器系统100中的节省存储空间管理器160减少逻辑地址空间，其中NAND闪速存储器装置120以利用保留块一对一替代NAND闪速存储器122内的运行时的坏块的方式动作。在此，保留块在制造NAND闪速存储器装置120时被设定后因随着NAND闪速存储器装置120的使用将NAND闪速存储器122内的空闲块中一部分转换为保留块而增加(即，在NAND闪速存储器装置120的动作过程中进一步增加)。即，制造NAND闪速存储器装置120时设定少量的保留块，NAND闪速存储器装置120的动作过程中保留块的个数减少(即，替代运行时的坏块)时，空闲块中的一部分新登记(即，转换)为保留块。具体来讲，节省存储空间管理器160可以确认NAND闪速存储器122中发生的运行时的坏块的个数(S210)，确认NAND闪速存储器122中发生的运行时的坏块的个数是否大于基准个数(S220)。在此，NAND闪速存储器122中发生的运行时的坏块的个数不大于基准个数时，节省存储空间管理器160可继续重复所述步骤S210、S220。反面，NAND闪速存储器122中发生的运行时的坏块的个数大于基准个数时，节省存储空间管理器160可以使文件系统142减少文件系统142可用的逻辑地址空间(S230)。在此，节省存储空间管理器160可以向NAND闪速存储器装置120(即，存储器控制器124)告知文件系统142可用的逻辑地址空间减少，使存储器控制器124将空闲块中的一部分转换为保留块(S240)，用保留块替代NAND闪速存储器122内的运行时的坏块(S250)。之后，节省存储空间管理器160增大用于与运行时的坏块的个数进行比较的基准个数(S260)，可根据增大的基准个数重复所述步骤S210、S220、S230、S240、S250及S260。如上，节省存储空间管理器160可以在每次NAND闪速存储器122内的运行时的坏块的个数大于基准个数时使文件系统142减少文件系统142可用的逻辑地址空间，从而能够防止尽管还有可新登记为保留块的空闲块却以NAND闪速存储器装置120无法向主机装置140提供足够的逻辑地址空间为由整体废弃。但图7所示的方式不过是例示而已，应理解本发明的方式不限于此。
图8是显示图1的非易失性存储器系统中的节省存储空间管理器确定减少逻辑地址空间的又一例的流程图。
参见图8，图8显示包括NAND闪速存储器装置120的非易失性存储器系统100中的节省存储空间管理器160减少逻辑地址空间，其中NAND闪速存储器装置120不另外运用用于替代NAND闪速存储器122内的运行时的坏块的保留块，而是以将运行时的坏块的有效数据移动到空闲块后对运行时的坏块进行不可使用处理的方式动作。具体来讲，节省存储空间管理器160可以确认NAND闪速存储器122中发生的运行时的坏块的个数(S310)，确认NAND闪速存储器122中发生的运行时的坏块的个数是否大于基准个数(S320)。在此，NAND闪速存储器122中发生的运行时的坏块的个数不大于基准个数时，节省存储空间管理器160可继续重复所述步骤S310、S320。反面，NAND闪速存储器122中发生的运行时的坏块的个数大于基准个数时，节省存储空间管理器160可以使文件系统142减少文件系统142可用的逻辑地址空间(S330)。在此，节省存储空间管理器160可以向NAND闪速存储器装置120(即，存储器控制器124)告知文件系统142可用的逻辑地址空间减少，使存储器控制器124将NAND闪速存储器122内的运行时的坏块的有效数据移动到空闲块(S340)，对所述运行时的坏块进行不可使用处理(S350)。之后，节省存储空间管理器160可增大用于与运行时的坏块的个数进行比较的基准个数(S360)，根据增大的基准个数重复所述步骤S310、S320、S330、S340、S350及S360。如上，节省存储空间管理器160在每次NAND闪速存储器122内的运行时的坏块的个数大于基准个数时使文件系统142减少文件系统142可用的逻辑地址空间，从而能够防止尽管还有能够移动运行时的坏块的有效数据的空闲块却以NAND闪速存储器装置120无法为主机装置140提供足够的逻辑地址空间为由整体废弃。但图8所示的方式不过是例示而已，本发明的方式不限于此。
产业上的可应用性
本发明可适用于包括主机装置及NAND闪速存储器装置的非易失性存储器系统。例如，本发明可适用于EMMC、固态驱动机(SSD)、SD卡(SDCARD)、通用闪存(UFS)、CF卡、记忆棒、XD图像卡等。
以上参见本发明的实施例进行了说明，而本技术领域的普通技术人员应当理解：在不脱离技术方案记载的本发明的思想及领域的范围内，其依然可以对本发明进行多种修改及变更。

Claims (14)

1.一种非易失性存储器系统，其特征在于，包括：
NAND闪速存储器装置，其具有至少一个NAND闪速存储器及控制所述NAND闪速存储器的存储器控制器；
主机装置，其具有文件系统及从所述文件系统接收指令并提供给所述NAND闪速存储器装置的主机控制器；以及
节省存储空间管理器，其监控所述NAND闪速存储器中发生的运行时的坏块的个数与位置，监控所述文件系统的逻辑地址使用现况，在所述运行时的坏块的所述个数增加时减少所述文件系统可用的逻辑地址空间。
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器系统，其特征在于：
所述节省存储空间管理器包含于所述主机控制器或所述存储器控制器，与所述文件系统及包含于所述存储器控制器的闪存转换层进行交互(interaction)。
3.根据权利要求1所述的非易失性存储器系统，其特征在于：
所述节省存储空间管理器使所述文件系统回收(recall)所述文件系统未使用的第一逻辑地址中的一部分以减少所述逻辑地址空间。
4.根据权利要求3所述的非易失性存储器系统，其特征在于：
所述节省存储空间管理器使所述文件系统在回收所述第一逻辑地址中的所述一部分之前对所述文件系统正在使用的第二逻辑地址执行碎片移除(defragmentation)动作以连续地再分配所述第一逻辑地址。
5.根据权利要求1所述的非易失性存储器系统，其特征在于：
所述节省存储空间管理器使所述文件系统生成占用(occupy)所述文件系统未使用的第一逻辑地址的一部分的伪文件(dummy file)以减少所述逻辑地址空间。
6.根据权利要求1所述的非易失性存储器系统，其特征在于：
所述节省存储空间管理器在减少所述逻辑地址空间时使所述存储器控制器用保留块替代(replace)所述NAND闪速存储器内的所述运行时的坏块。
7.根据权利要求6所述的非易失性存储器系统，其特征在于：
所述节省存储空间管理器在每次所述运行时的坏块的所述个数大于基准个数时使所述文件系统减少所述逻辑地址空间，所述基准个数随着所述NAND闪速存储器装置的使用而增大。
8.根据权利要求7所述的非易失性存储器系统，其特征在于：
所述保留块在制造所述NAND闪速存储器装置时被设定后不随所述NAND闪速存储器装置的使用而增加。
9.根据权利要求7所述的非易失性存储器系统，其特征在于：
所述保留块在制造所述NAND闪速存储器装置时被设定后因随着所述NAND闪速存储器装置的使用将所述NAND闪速存储器内的空闲块中的一部分转换成所述保留块而增加。
10.根据权利要求1所述的非易失性存储器系统，其特征在于：
所述节省存储空间管理器在减少所述逻辑地址空间时使所述存储器控制器对所述NAND闪速存储器内的所述运行时的坏块进行不可使用处理(retire)。
11.根据权利要求10所述的非易失性存储器系统，其特征在于：
所述节省存储空间管理器使所述存储器控制器在对所述NAND闪速存储器内的所述运行时的坏块进行不可使用处理之前将所述运行时的坏块的有效数据移动到空闲块。
12.根据权利要求11所述的非易失性存储器系统，其特征在于：
所述节省存储空间管理器在每次所述运行时的坏块的所述个数大于基准个数时使所述文件系统减少所述逻辑地址空间，所述基准个数随着所述NAND闪速存储器装置的使用而增大。
13.一种NAND闪速存储器装置，其特征在于，包括：
至少一个NAND闪速存储器；以及
存储器控制器，其控制所述NAND闪速存储器，
其中，所述存储器控制器包括：
节省存储空间管理器，其监控所述NAND闪速存储器中发生的运行时的坏块的个数与位置，监控主机装置所具有的文件系统的逻辑地址使用现况，在所述运行时的坏块的所述个数增加时减少所述文件系统可用的逻辑地址空间。
14.一种主机装置，其特征在于，包括：
文件系统；以及
主机控制器，其从所述文件系统接收指令并提供给NAND闪速存储器装置，
其中，所述主机控制器包括：
节省存储空间管理器，其监控所述NAND闪速存储器装置所具有的至少一个NAND闪速存储器中发生的运行时的坏块的个数与位置，监控所述文件系统的逻辑地址使用现况，在所述运行时的坏块的所述个数增加时减少所述文件系统可用的逻辑地址空间。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111933199A (zh) * 2020-08-07 2020-11-13 深圳市纵维立方科技有限公司 基于存储器的数据读写方法、装置及存储介质

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102335004B1 (ko) * 2019-12-23 2021-12-06 주식회사 디에이아이오 비휘발성 메모리 시스템
US11698854B2 (en) * 2021-08-25 2023-07-11 Western Digital Technologies, Inc. Global extension of a logical-to-physical region of a data storage device

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1248334A (zh) * 1997-12-16 2000-03-22 Tdk株式会社 闪速存储器系统
JP2009003783A (ja) * 2007-06-22 2009-01-08 Toshiba Corp 不揮発性メモリの制御装置及び制御方法及び記憶装置
US20110082967A1 (en) * 2009-10-05 2011-04-07 Deshkar Shekhar S Data Caching In Non-Volatile Memory
US20110099326A1 (en) * 2009-10-27 2011-04-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Flash memory system and defragmentation method
CN103198019A (zh) * 2011-10-24 2013-07-10 三星电子株式会社 文件系统及其控制方法
CN103778065A (zh) * 2012-10-25 2014-05-07 北京兆易创新科技股份有限公司 一种闪速存储器及其进行坏块管理的方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7991942B2 (en) * 2007-05-09 2011-08-02 Stmicroelectronics S.R.L. Memory block compaction method, circuit, and system in storage devices based on flash memories
US20100235605A1 (en) 2009-02-13 2010-09-16 Nir Perry Enhancement of storage life expectancy by bad block management
KR20120003283A (ko) * 2010-07-02 2012-01-10 삼성전자주식회사 데이터 저장 장치 및 그것의 배드 블록 관리 방법
US9823981B2 (en) * 2011-03-11 2017-11-21 Microsoft Technology Licensing, Llc Backup and restore strategies for data deduplication
KR101751506B1 (ko) * 2011-03-28 2017-06-29 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 배드 영역 관리 방법
KR20130115603A (ko) * 2012-04-12 2013-10-22 주식회사 유니테크반도체 플래시 메모리를 포함하는 메모리 장치 및 예비 블록 관리 방법
KR102015053B1 (ko) * 2013-02-20 2019-08-27 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 데이터 처리 방법
KR102098697B1 (ko) * 2013-03-15 2020-04-08 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 시스템, 이를 포함하는 시스템 및 상기 비휘발성 메모리 시스템의 적응적 사용자 저장 영역 조절 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1248334A (zh) * 1997-12-16 2000-03-22 Tdk株式会社 闪速存储器系统
JP2009003783A (ja) * 2007-06-22 2009-01-08 Toshiba Corp 不揮発性メモリの制御装置及び制御方法及び記憶装置
US20110082967A1 (en) * 2009-10-05 2011-04-07 Deshkar Shekhar S Data Caching In Non-Volatile Memory
US20110099326A1 (en) * 2009-10-27 2011-04-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Flash memory system and defragmentation method
CN103198019A (zh) * 2011-10-24 2013-07-10 三星电子株式会社 文件系统及其控制方法
CN103778065A (zh) * 2012-10-25 2014-05-07 北京兆易创新科技股份有限公司 一种闪速存储器及其进行坏块管理的方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111933199A (zh) * 2020-08-07 2020-11-13 深圳市纵维立方科技有限公司 基于存储器的数据读写方法、装置及存储介质
CN111933199B (zh) * 2020-08-07 2021-03-30 深圳市纵维立方科技有限公司 基于存储器的数据读写方法、装置及存储介质

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