CN110492567A - 供电系统 - Google Patents

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CN110492567A CN201910786110.8A CN201910786110A CN110492567A CN 110492567 A CN110492567 A CN 110492567A CN 201910786110 A CN201910786110 A CN 201910786110A CN 110492567 A CN110492567 A CN 110492567A
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Abstract

本发明提供一种供电系统，包括：M‑BUS芯片U1、充电开关、恒流源、DC‑CD降压电路、供电开关、DC‑CD使能控制电路、VBAT电压检测电路、MCU供电电路、M‑BUS电流设定电路、电容C2、电容C3及电容C4。本发明的优点主要体现在以下几个方面：1)没有内置电池，没有使用年限的限制，没有运输限制，不需要二次安装检定。2)完全符合M‑BUS的标准，在满足从站对大电流需求的同时，不会对M‑BUS系统产生任何干扰作用，可以安全地接入标准的M‑BUS系统中。

Description

供电系统
技术领域
本发明属于电气控制领域，特别是一种适用于M-BUS的大电流供电系统。
背景技术
M-BUS(METER-BUS)总线是一种欧洲的2线制总线标准，是专门为测量仪器和记数器传送信息而设计的数据总线标准，广泛应用于水，电，气的测量领域。目前依然是中国乃至全世界的标准仪表总线。适用于M-BUS的仪表，正常工作时从M-BUS 总线获取的电流限定在1.5mA以下，并且固定。在某些应用场合M-BUS总线上的仪表需要扩展电流的需求，比如M-BUS燃气表，需要对燃气表阀门进行操作，需要几十mA到100mA以上的驱动电流。这个电流一般有两种方式获得，一种是内置一个一次性的辅助电池，这个方案是个简单的解决方案，缺点是容量受限制，另外受运输的管制，燃气表不能内置电池，需要分开运输，对于出口产品来说，增加不少成本；另外一种方式是绕开M-BUS通讯电路和芯片，直接从M-BUS总线上通过DC-DC 电路对大电流设备(阀门)供电，这种方式不符合M-BUS的通讯规范，其驱动电流会导致通讯的异常。
现有技术的直接取电大电流电路，这种电路在工作时会产生很大的脉冲电流，干扰到M-BUS的正常通讯，不能应用于标准M-BUS系统。EN13757规定，M-BUS主站通过总线电压的变化来向从站发送信息，常态高电压Vmark表示信号1，其电压范围是21V到42V，当总线电压小于Vmark电压8.2V以上时，为Vspace电压，代表信号0，这样通过总线电压的高低变化完成主站向从站的信息发送。而M-BUS从站向主站的信息发送，是通过改变M-BUS总线电流的方式完成，我们以TSS721A为接口芯片的M-BUS的从站为例，当TSS721A的RX口收到低电平或者RXI口收到高电平时，TSS721A的内部电路会在基本电流(Imark,小于1.5mA)增加一个Ispace 电流，EN13757规定这个Ispace电流为11mA～20mA。Imark代表信息1， (Imark+Ispace)代表了信息0，这样完成了从站向主站的信息发送。按照传统的电路，在系统需要驱动大电流负载比如水汽表的阀门的时候，简单的通过使能DC-DC 降压电路来产生需要的驱动电压和驱动电流。这会导致M-BUS总线上产生各种不受控的电流波动，相当于这个从站发送了许多乱码，这会干扰到M-BUS的正常通讯，会导致主站判断错误，导致通讯故障，所以不能用于标准的M-BUS通讯。
发明内容
针对现有技术中的缺陷，本发明目的在于提供一种解决上述技术问题的供电系统。
为解决上述技术问题，本发明提供一种供电系统，包括：M-BUS芯片U1、充电开关、恒流源、DC-CD降压电路、供电开关、DC-CD使能控制电路、VBAT电压检测电路、 MCU供电电路、M-BUS电流设定电路、电容C2、电容C3及电容C4；其中
M-BUS芯片U1的型号为TSS721；
M-BUS芯片U1的RIS引脚过电阻R28接地，M-BUS芯片U1的RX引脚过电阻R29与 MCU_TX信号电连接，M-BUS芯片U1的SC引脚过电容C7接地，M-BUS芯片U1的TX引脚过电阻R30与MCU_RX信号电连接；
M-BUS芯片U1的GND引脚、RXI引脚、VDD引脚、VS引脚、BAT引脚、VB引脚、PF 引脚及TXI引脚悬空。
优选地，充电开关包括：
电容C1，电容C1的一端与M-BUS芯片U1的BUSL1引脚及BUSL2引脚电连接，电容 C1的另一端接地；
三极管Q2，三极管Q2的基极通过电阻R2与CHARG_EN信号电连接，三极管Q2的发射极接地；
电阻R1，电阻R1的一端与M-BUS芯片U1的BUSL1引脚及BUSL2引脚电连接，电阻 R1的另一端与三极管Q2的集电极电连接；
MOS管Q1，MOS管Q1的栅极与三极管Q2的集电极电连接，MOS管Q1的源极与M-BUS 芯片的BUSL1引脚及BUSL2引脚电连接；
电阻R17，电阻R17的一端与三极管Q2的集电极及MOS管Q1的栅极电连接，电阻 R17的另一端接地。
优选地，恒流源包括：
三极管Q7，三极管Q7的基极及集电极分别与MOS管Q1的漏极电连接；
三极管Q8，三极管Q8的基极及集电极分别与三极管Q7的发射极电连接，三极管Q8的发射极通过电阻R19接地；
三极管Q6，三极管Q6的发射极通过电阻R18与MOS管Q1的漏极电连接，三极管 Q6的基极通过电阻R19接地；
电容C2的正极分别与三极管Q6的集电极及VPW+信号电连接，电容C2的负极接地。
优选地，DC-CD降压电路包括：
降压芯片U2，降压芯片U2的型号为MP2456_SOT23-6；
降压芯片U2的IN引脚与三极管Q6的集电极电连接，降压芯片U2的EN引脚与 DC-DC_EN信号电连接，降压芯片U2的GND引脚接地，降压芯片U2的FB引脚通过电阻 R20接地；
电容C8，电容C8的一端与降压芯片U2的BST引脚电连接；
二极管D7，二极管D7的负极与电容C8的另一端电连接，二极管D7的正极接地；
电感L1，电感L1的一端分别与电容C8的另一端及降压芯片U2的SW引脚电连接；
MOS管Q9，MOS管Q9的漏极通过电感L1的另一端电连接；
三极管Q10，三极管Q10的集电极与MOS管Q9的栅极电连接，三极管Q10的集电极通过电阻R22与MOS管Q9的源极电连接，三极管Q10的发射极接地，三极管Q10的基极通过电阻R23与DC-DC_EN信号电连接；
电阻R21，电阻R21的一端与MOS管Q9的漏极电连接，电阻R21的另一端通过电阻R20接地；
电容C9，电容C9的一端与MOS管Q9的漏极电连接，电容C9的另一端接地；
电容C10，电容C10的一端与MOS管Q9的漏极电连接，电容C10的另一端与电容 C9的另一端电连接；
电容C3的正极分别与MOS管Q9的源极及VBAT信号电连接，电容C3的负极接地。
优选地，供电开关包括：
MOS管Q11，MOS管Q11的源极与MOS管Q9的源极电连接；
三极管Q12，三极管Q12的集电极通过电阻R24与MOS管Q9的源极电连接，三极管Q12的集电极与MOS管Q11的栅极电连接，三极管Q12的发射极接地，三极管Q12的基极通过电阻R25与VSYS_EN信号电连接；
电容C4的正极分别与MOS管Q11的漏极及VSYS信号电连接，电容C4的负极接地。
优选地，DC-CD使能控制电路包括：
比较器U4，比较器U4的型号为TLV7041；
比较器U4的正相输入端通过电阻RHS与DC-DC_EN信号电连接，比较器U4的输出端与DC-DC_EN信号电连接；
电阻R10，电阻R10的一端与VPW+信号电连接，电阻R10的另一端与比较器U4的正相输入端电连接；
电阻R11，电阻R11的一端与比较器U4的正相输入端电连接，电阻R11的另一端接地；
电阻R8，电阻R8的一端与VBUS信号电连接，电阻R8的另一端与比较器U4的反相输入端电连接；
电阻R9，电阻R9的一端与比较器U4的反相输入端电连接，电阻R9的另一端接地。
优选地，VBAT电压检测电路包括：
二极管Q4，二极管Q4的发射极与VBAT信号电连接，二极管Q4的基极通过电阻R4 与VBAT信号电连接，二极管Q4的集电极通过电阻R6与VBAT-CHK_AD信号电连接；
二极管Q3，二极管Q3的集电极通过电阻R5与二极管Q4的基极电连接，二极管Q3 的发射极接地，二极管Q3的基极通过电阻R3与VBAT-CHK_ED信号电连接；
电阻R7，电阻R7的一端与二极管Q4的集电极电连接，电阻R7的另一端接地。
优选地，MCU供电电路包括：
供电芯片U3，供电芯片U3的型号为S-1206B33-M3T1G；
供电芯片U3的GND引脚接地，供电芯片U3的OUT引脚与电源VDD电连接，供电芯片U3的VIN引脚与电源V+电连接；
电容C6，电容C6的一端与供电芯片U3的OUT引脚电连接，电容C6的另一端接地；
电容C5，电容C5的一端与供电芯片U3的VIN引脚电连接，电容C5的另一端接地；
二极管D5，二极管D5的正极与VSYS信号电连接，二极管D5的负极与供电芯片U3 的VIN引脚电连接；
二极管D6，二极管D6的正极通过电容C11接地，二极管D6的负极与供电芯片U3 的VIN引脚电连接。
优选地，M-BUS电流设定电路包括：
MOS管Q5，MOS管Q5的源极接地，MOS管Q5的漏极通过电阻R14与M-BUS芯片U1 的RIDD引脚电连接，MOS管Q5的栅极与CURRENT-ADJ_EN信号电连接；
电阻R13，电阻R13的一端与M-BUS芯片U1的RIDD引脚电连接，电阻R13的另一端接地；
电阻R15，电阻R15的一端与MOS管Q5的栅极电连接，电阻R15的另一端与VBUS 信号电连接；
电阻R16，电阻R16的一端与MOS管Q5的栅极电连接，电阻R16的另一端接地。
优选地，还包括整流桥，整流桥包括：
二极管D1，二极管D1的负极通过电阻R26与M-BUS芯片U1的BUSL1引脚电连接，二极管D1的正极接地；
二极管D2，二极管D2的正极通过电阻R27与M-BUS芯片U1的BUSL2引脚电连接，二极管D2的负极与电阻R1的一端及电容C1的一端电连接；
二极管D3，二极管D3的正极与二极管D1的负极电连接，二极管D3的负极与二极管D2的负极电连接；
二极管D4，二极管D4的负极接地，二极管D4的正极与二极管D2的正极电连接；其中
电阻R26的一端与M-BUS芯片U1的BUSL1引脚电连接，电阻R26的另一端与 M-BUS_L1电连接；
电阻R27的一端与M-BUS芯片U1的BUSL2引脚电连接，电阻R27的另一端与 M-BUS_L2电连接。
本发明的优点主要体现在以下几个方面：
1)没有内置电池，没有使用年限的限制，没有运输限制，不需要二次安装检定。
2)完全符合M-BUS的标准，在满足从站对大电流需求的同时，不会对M-BUS 系统产生任何干扰作用，可以安全地接入标准的M-BUS系统中。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征目的和优点将会变得更明显。
图1为本发明供电系统原理图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明，但不以任何形式限制本发明。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变化和改。
如图1所示，本发明供电系统，包括：M-BUS芯片U1、充电开关、恒流源、DC-CD 降压电路、供电开关、DC-CD使能控制电路、VBAT电压检测电路、MCU供电电路、M-BUS 电流设定电路、电容C2、电容C3及电容C4；其中
M-BUS芯片U1的型号为TSS721；
M-BUS芯片U1的RIS引脚过电阻R28接地，M-BUS芯片U1的RX引脚过电阻R29与 MCU_TX信号电连接，M-BUS芯片U1的SC引脚过电容C7接地，M-BUS芯片U1的TX引脚过电阻R30与MCU_RX信号电连接；
M-BUS芯片U1的GND引脚、RXI引脚、VDD引脚、VS引脚、BAT引脚、VB引脚、PF 引脚及TXI引脚悬空。
充电开关包括：
电容C1，电容C1的一端与M-BUS芯片U1的BUSL1引脚及BUSL2引脚电连接，电容 C1的另一端接地；
三极管Q2，三极管Q2的基极通过电阻R2与CHARG_EN信号电连接，三极管Q2的发射极接地；
电阻R1，电阻R1的一端与M-BUS芯片U1的BUSL1引脚及BUSL2引脚电连接，电阻 R1的另一端与三极管Q2的集电极电连接；
MOS管Q1，MOS管Q1的栅极与三极管Q2的集电极电连接，MOS管Q1的源极与M-BUS 芯片的BUSL1引脚及BUSL2引脚电连接；
电阻R17，电阻R17的一端与三极管Q2的集电极及MOS管Q1的栅极电连接，电阻 R17的另一端接地。
恒流源包括：
三极管Q7，三极管Q7的基极及集电极分别与MOS管Q1的漏极电连接；
三极管Q8，三极管Q8的基极及集电极分别与三极管Q7的发射极电连接，三极管 Q8的发射极通过电阻R19接地；
三极管Q6，三极管Q6的发射极通过电阻R18与MOS管Q1的漏极电连接，三极管Q6的基极通过电阻R19接地；
电容C2的正极分别与三极管Q6的集电极及VPW+信号电连接，电容C2的负极接地。
DC-CD降压电路包括：
降压芯片U2，降压芯片U2的型号为MP2456_SOT23-6；
降压芯片U2的IN引脚与三极管Q6的集电极电连接，降压芯片U2的EN引脚与 DC-DC_EN信号电连接，降压芯片U2的GND引脚接地，降压芯片U2的FB引脚通过电阻 R20接地；
电容C8，电容C8的一端与降压芯片U2的BST引脚电连接；
二极管D7，二极管D7的负极与电容C8的另一端电连接，二极管D7的正极接地；
电感L1，电感L1的一端分别与电容C8的另一端及降压芯片U2的SW引脚电连接；
MOS管Q9，MOS管Q9的漏极通过电感L1的另一端电连接；
三极管Q10，三极管Q10的集电极与MOS管Q9的栅极电连接，三极管Q10的集电极通过电阻R22与MOS管Q9的源极电连接，三极管Q10的发射极接地，三极管Q10的基极通过电阻R23与DC-DC_EN信号电连接；
电阻R21，电阻R21的一端与MOS管Q9的漏极电连接，电阻R21的另一端通过电阻R20接地；
电容C9，电容C9的一端与MOS管Q9的漏极电连接，电容C9的另一端接地；
电容C10，电容C10的一端与MOS管Q9的漏极电连接，电容C10的另一端与电容 C9的另一端电连接；
电容C3的正极分别与MOS管Q9的源极及VBAT信号电连接，电容C3的负极接地。
供电开关包括：
MOS管Q11，MOS管Q11的源极与MOS管Q9的源极电连接；
三极管Q12，三极管Q12的集电极通过电阻R24与MOS管Q9的源极电连接，三极管Q12的集电极与MOS管Q11的栅极电连接，三极管Q12的发射极接地，三极管Q12的基极通过电阻R25与VSYS_EN信号电连接；
电容C4的正极分别与MOS管Q11的漏极及VSYS信号电连接，电容C4的负极接地。
DC-CD使能控制电路包括：
比较器U4，比较器U4的型号为TLV7041；
比较器U4的正相输入端通过电阻RHS与DC-DC_EN信号电连接，比较器U4的输出端与DC-DC_EN信号电连接；
电阻R10，电阻R10的一端与VPW+信号电连接，电阻R10的另一端与比较器U4的正相输入端电连接；
电阻R11，电阻R11的一端与比较器U4的正相输入端电连接，电阻R11的另一端接地；
电阻R8，电阻R8的一端与VBUS信号电连接，电阻R8的另一端与比较器U4的反相输入端电连接；
电阻R9，电阻R9的一端与比较器U4的反相输入端电连接，电阻R9的另一端接地。
VBAT电压检测电路包括：
二极管Q4，二极管Q4的发射极与VBAT信号电连接，二极管Q4的基极通过电阻R4 与VBAT信号电连接，二极管Q4的集电极通过电阻R6与VBAT-CHK_AD信号电连接；
二极管Q3，二极管Q3的集电极通过电阻R5与二极管Q4的基极电连接，二极管Q3 的发射极接地，二极管Q3的基极通过电阻R3与VBAT-CHK_ED信号电连接；
电阻R7，电阻R7的一端与二极管Q4的集电极电连接，电阻R7的另一端接地。
MCU供电电路包括：
供电芯片U3，供电芯片U3的型号为S-1206B33-M3T1G；
供电芯片U3的GND引脚接地，供电芯片U3的OUT引脚与电源VDD电连接，供电芯片U3的VIN引脚与电源V+电连接；
电容C6，电容C6的一端与供电芯片U3的OUT引脚电连接，电容C6的另一端接地；
电容C5，电容C5的一端与供电芯片U3的VIN引脚电连接，电容C5的另一端接地；
二极管D5，二极管D5的正极与VSYS信号电连接，二极管D5的负极与供电芯片U3 的VIN引脚电连接；
二极管D6，二极管D6的正极通过电容C11接地，二极管D6的负极与供电芯片U3 的VIN引脚电连接。
M-BUS电流设定电路包括：
MOS管Q5，MOS管Q5的源极接地，MOS管Q5的漏极通过电阻R14与M-BUS芯片U1 的RIDD引脚电连接，MOS管Q5的栅极与CURRENT-ADJ_EN信号电连接；
电阻R13，电阻R13的一端与M-BUS芯片U1的RIDD引脚电连接，电阻R13的另一端接地；
电阻R15，电阻R15的一端与MOS管Q5的栅极电连接，电阻R15的另一端与VBUS 信号电连接；
电阻R16，电阻R16的一端与MOS管Q5的栅极电连接，电阻R16的另一端接地。
还包括整流桥，整流桥包括：
二极管D1，二极管D1的负极通过电阻R26与M-BUS芯片U1的BUSL1引脚电连接，二极管D1的正极接地；
二极管D2，二极管D2的正极通过电阻R27与M-BUS芯片U1的BUSL2引脚电连接，二极管D2的负极与电阻R1的一端及电容C1的一端电连接；
二极管D3，二极管D3的正极与二极管D1的负极电连接，二极管D3的负极与二极管D2的负极电连接；
二极管D4，二极管D4的负极接地，二极管D4的正极与二极管D2的正极电连接；其中
电阻R26的一端与M-BUS芯片U1的BUSL1引脚电连接，电阻R26的另一端与 M-BUS_L1电连接；
电阻R27的一端与M-BUS芯片U1的BUSL2引脚电连接，电阻R27的另一端与 M-BUS_L2电连接。
本发明由于M-BUS线路上单个设备最多只能使用1.5mA的电流，那么要驱动大电流设备的最好办法是用大电容比如法拉电容来储存能量，用于推动大电流设备。本设计的目的，是如何在不改变M-BUS供电状态情况下，利用总线电压比较高(12V到42V)的特点高效率的给法拉电容充电。设备中的MCU处于低功耗状态比如休眠的时候，需要的电流比较小，这时候可以将M-BUS芯片的设定电流调小，打开充电开关，将1.5mA的剩余的电流能力(约1.2mA)给法拉电容充电。电路中采用恒流源控制从M-BUS上获取的总电流不变，并采用降压DC-DC电路来提升充电效率，由于总线电流的限制，只能通过先将能量存在高压的C2上，再通过间隙工作的DC-DC电路来充电，MCU定时去采用法拉电容上的电压，等电压接近到5V的时候，就打开供电开关，此时系统上的大电流设备就可以使用了。MCU部分也可以利用此电路获得比较大的电流使用权利。此电路本质是利用高压恒定小电流来获得低压间歇性大电流并且存储足够的能量备用。
以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变化或修改，这并不影响本发明的实质内容。在不冲突的情况下，本申请的实施例和实施例中的特征可以任意相互组合。

Claims (10)

1.一种供电系统，其特征在于，包括M-BUS芯片U1、充电开关、恒流源、DC-CD降压电路、供电开关、DC-CD使能控制电路、VBAT电压检测电路、MCU供电电路、M-BUS电流设定电路、电容C2、电容C3及电容C4；其中
M-BUS芯片U1的型号为TSS721；
M-BUS芯片U1的RIS引脚过电阻R28接地，M-BUS芯片U1的RX引脚过电阻R29与MCU_TX信号电连接，M-BUS芯片U1的SC引脚过电容C7接地，M-BUS芯片U1的TX引脚过电阻R30与MCU_RX信号电连接；
M-BUS芯片U1的GND引脚、RXI引脚、VDD引脚、VS引脚、BAT引脚、VB引脚、PF引脚及TXI引脚悬空。
2.根据权利要求1所述的供电系统，其特征在于，充电开关包括：
电容C1，电容C1的一端与M-BUS芯片U1的BUSL1引脚及BUSL2引脚电连接，电容C1的另一端接地；
三极管Q2，三极管Q2的基极通过电阻R2与CHARG_EN信号电连接，三极管Q2的发射极接地；
电阻R1，电阻R1的一端与M-BUS芯片U1的BUSL1引脚及BUSL2引脚电连接，电阻R1的另一端与三极管Q2的集电极电连接；
MOS管Q1，MOS管Q1的栅极与三极管Q2的集电极电连接，MOS管Q1的源极与M-BUS芯片的BUSL1引脚及BUSL2引脚电连接；
电阻R17，电阻R17的一端与三极管Q2的集电极及MOS管Q1的栅极电连接，电阻R17的另一端接地。
3.根据权利要求2所述的供电系统，其特征在于，恒流源包括：
三极管Q7，三极管Q7的基极及集电极分别与MOS管Q1的漏极电连接；
三极管Q8，三极管Q8的基极及集电极分别与三极管Q7的发射极电连接，三极管Q8的发射极通过电阻R19接地；
三极管Q6，三极管Q6的发射极通过电阻R18与MOS管Q1的漏极电连接，三极管Q6的基极通过电阻R19接地；
电容C2的正极分别与三极管Q6的集电极及VPW+信号电连接，电容C2的负极接地。
4.根据权利要求3所述的供电系统，其特征在于，DC-CD降压电路包括：
降压芯片U2，降压芯片U2的型号为MP2456_SOT23-6；
降压芯片U2的IN引脚与三极管Q6的集电极电连接，降压芯片U2的EN引脚与DC-DC_EN信号电连接，降压芯片U2的GND引脚接地，降压芯片U2的FB引脚通过电阻R20接地；
电容C8，电容C8的一端与降压芯片U2的BST引脚电连接；
二极管D7，二极管D7的负极与电容C8的另一端电连接，二极管D7的正极接地；
电感L1，电感L1的一端分别与电容C8的另一端及降压芯片U2的SW引脚电连接；
MOS管Q9，MOS管Q9的漏极通过电感L1的另一端电连接；
三极管Q10，三极管Q10的集电极与MOS管Q9的栅极电连接，三极管Q10的集电极通过电阻R22与MOS管Q9的源极电连接，三极管Q10的发射极接地，三极管Q10的基极通过电阻R23与DC-DC_EN信号电连接；
电阻R21，电阻R21的一端与MOS管Q9的漏极电连接，电阻R21的另一端通过电阻R20接地；
电容C9，电容C9的一端与MOS管Q9的漏极电连接，电容C9的另一端接地；
电容C10，电容C10的一端与MOS管Q9的漏极电连接，电容C10的另一端与电容C9的另一端电连接；
电容C3的正极分别与MOS管Q9的源极及VBAT信号电连接，电容C3的负极接地。
5.根据权利要求4所述的供电系统，其特征在于，供电开关包括：
MOS管Q11，MOS管Q11的源极与MOS管Q9的源极电连接；
三极管Q12，三极管Q12的集电极通过电阻R24与MOS管Q9的源极电连接，三极管Q12的集电极与MOS管Q11的栅极电连接，三极管Q12的发射极接地，三极管Q12的基极通过电阻R25与VSYS_EN信号电连接；
电容C4的正极分别与MOS管Q11的漏极及VSYS信号电连接，电容C4的负极接地。
6.根据权利要求5所述的供电系统，其特征在于，DC-CD使能控制电路包括：
比较器U4，比较器U4的型号为TLV7041；
比较器U4的正相输入端通过电阻RHS与DC-DC_EN信号电连接，比较器U4的输出端与DC-DC_EN信号电连接；
电阻R10，电阻R10的一端与VPW+信号电连接，电阻R10的另一端与比较器U4的正相输入端电连接；
电阻R11，电阻R11的一端与比较器U4的正相输入端电连接，电阻R11的另一端接地；
电阻R8，电阻R8的一端与VBUS信号电连接，电阻R8的另一端与比较器U4的反相输入端电连接；
电阻R9，电阻R9的一端与比较器U4的反相输入端电连接，电阻R9的另一端接地。
7.根据权利要求6所述的供电系统，其特征在于，VBAT电压检测电路包括：
二极管Q4，二极管Q4的发射极与VBAT信号电连接，二极管Q4的基极通过电阻R4与VBAT信号电连接，二极管Q4的集电极通过电阻R6与VBAT-CHK_AD信号电连接；
二极管Q3，二极管Q3的集电极通过电阻R5与二极管Q4的基极电连接，二极管Q3的发射极接地，二极管Q3的基极通过电阻R3与VBAT-CHK_ED信号电连接；
电阻R7，电阻R7的一端与二极管Q4的集电极电连接，电阻R7的另一端接地。
8.根据权利要求7所述的供电系统，其特征在于，MCU供电电路包括：
供电芯片U3，供电芯片U3的型号为S-1206B33-M3T1G；
供电芯片U3的GND引脚接地，供电芯片U3的OUT引脚与电源VDD电连接，供电芯片U3的VIN引脚与电源V+电连接；
电容C6，电容C6的一端与供电芯片U3的OUT引脚电连接，电容C6的另一端接地；
电容C5，电容C5的一端与供电芯片U3的VIN引脚电连接，电容C5的另一端接地；
二极管D5，二极管D5的正极与VSYS信号电连接，二极管D5的负极与供电芯片U3的VIN引脚电连接；
二极管D6，二极管D6的正极通过电容C11接地，二极管D6的负极与供电芯片U3的VIN引脚电连接。
9.根据权利要求8所述的供电系统，其特征在于，M-BUS电流设定电路包括：
MOS管Q5，MOS管Q5的源极接地，MOS管Q5的漏极通过电阻R14与M-BUS芯片U1的RIDD引脚电连接，MOS管Q5的栅极与CURRENT-ADJ_EN信号电连接；
电阻R13，电阻R13的一端与M-BUS芯片U1的RIDD引脚电连接，电阻R13的另一端接地；
电阻R15，电阻R15的一端与MOS管Q5的栅极电连接，电阻R15的另一端与VBUS信号电连接；
电阻R16，电阻R16的一端与MOS管Q5的栅极电连接，电阻R16的另一端接地。
10.根据权利要求9所述的供电系统，其特征在于，还包括整流桥，整流桥包括：
二极管D1，二极管D1的负极通过电阻R26与M-BUS芯片U1的BUSL1引脚电连接，二极管D1的正极接地；
二极管D2，二极管D2的正极通过电阻R27与M-BUS芯片U1的BUSL2引脚电连接，二极管D2的负极与电阻R1的一端及电容C1的一端电连接；
二极管D3，二极管D3的正极与二极管D1的负极电连接，二极管D3的负极与二极管D2的负极电连接；
二极管D4，二极管D4的负极接地，二极管D4的正极与二极管D2的正极电连接；其中
电阻R26的一端与M-BUS芯片U1的BUSL1引脚电连接，电阻R26的另一端与M-BUS_L1电连接；
电阻R27的一端与M-BUS芯片U1的BUSL2引脚电连接，电阻R27的另一端与M-BUS_L2电连接。
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