CN110441744B - 一种新型的毫米波雷达芯片量产测试方法及装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及通信技术领域，尤其涉及一种新型的毫米波雷达芯片量产测试方法及装置，毫米波雷达芯片量产测试方法包括以下步骤：步骤S1，提供被测芯片；步骤S2，使被测芯片1的发射端发射第一射频信号，并使被测芯片的接收端接收第一射频信号；步骤S3，提供交流直流转换器件使第一射频信号转换为直流信号；步骤S4，提供集成电路自动测试装置对直流信号进行测试，以及对被测芯片的接收端接收第一射频信号进行测试。有益效果在于：毫米波雷达芯片量产测试过程中，芯片接收自身发射的信号进行测试和经过交流变直流使用集成电路自动测试装置进行测试，这样简化了测试程序，进而缩减了开发周期，同时不需要外挂高频仪表进而降低了测试成本，实用性强。
Description
技术领域
本发明涉及通信技术领域，尤其涉及一种新型的毫米波雷达芯片量产测试方法及装置。
背景技术
毫米波雷达具有极宽的信息带宽，独特的电波传播特性和良好的小型设备潜力，被应用于智能家居和物联网系统，丰富了智能家居系统和物联网的功能，在雷达芯片量产测试中，毫米波雷达芯片的工作频率较高，因此对测试设备的要求也很高。
而芯片量产测试用的ATE(Automatic Test Equipment，集成电路自动测试机)不支持高频率波段，现有的毫米波雷达芯片量产测试方法通常采用外挂高频测试仪表结合ATE来实现，使用外挂高频测试仪表，这样会产生测试成本过高、开发周期过长等技术问题。因此，上述问题成为本领域的技术人员亟待解决的问题。
发明内容
针对现有技术中存在的上述问题，现提供一种新型的毫米波雷达芯片量产测试方法及装置，具体技术方案如下：
所述毫米波雷达芯片量产测试方法包括以下步骤：
步骤S1，提供一被测芯片；
步骤S2，使所述被测芯片的发射端发射一第一射频信号，并使所述被测芯片的接收端接收所述第一射频信号；
步骤S3，提供一交流直流转换器件使所述第一射频信号转换为一直流信号；
步骤S4，提供一集成电路自动测试装置对所述直流信号进行测试，以及对所述被测芯片的接收端接收所述第一射频信号进行测试。
优选的，所述步骤S2中，所述被测芯片的发射端通过馈电电缆与所述接收端连接。
优选的，所述步骤S2中，所述第一射频信号经衰减后被所述被测芯片的接收端接收。
优选的，所述步骤S2中，提供一线缆衰减器，所述被测芯片的发射端通过所述线缆衰减器连接至所述被所述被测芯片的接收端。
优选的，所述步骤S3中，所述第一射频信号被耦合至所述交流直流转换器件。
优选的，所述步骤S3中，提供一耦合器，所述耦合器的输入端连接所述被测芯片的发射端，所述耦合器的耦合端连接所述交流直流转换器件。
优选的，所述耦合器提供一直通端，所述直通端通过所述线缆衰减器连接所述被测芯片的接收端。
优选的，所述步骤S4中，所述集成电路自动测试装置将所述被测芯片的接收端接收所述第一射频信号采集为一接收信号，所述成电路自动测试装置根据所述接收信号及所述接收信号对应的中频信号对所述被测芯片的接收性能进行测试。
一种新型的毫米波雷达芯片量产测试装置，其特征在于，包括：
一被测芯片，所述被测芯片用以发射一射频信号；
一耦合器，所述耦合器的输入端连接所述被测芯片的发射端，
一交流直流转换器件，所述交流直流转换器件的输入端连接所述耦合器的耦合端，用以交流信号转换成一直流信号；
一集成电路自动测试机，所述集成电路自动测试机连接所述交流直流转换器件的输出端，将所述直流信号进行测试过程；
一线缆衰减器，所述线缆衰减器的输入端连接所述耦合器的直通端；所述线缆衰减器的输出端连接所述被测芯片的接收端。
本发明的技术方案的有益效果在于：毫米波雷达芯片量产测试过程中，芯片接收自身发射的信号进行测试和经过交流变直流使用集成电路自动测试装置进行测试，这样简化了测试程序，进而缩减了开发周期，同时不需要外挂高频仪表进而降低了测试成本，实用性强。
附图说明
参考所附附图，以更加充分的描述本发明的实施例。然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本发明范围的限制。
图1为本发明毫米波雷达芯片量产测试方法实施例的步骤流程图；
图2为本发明毫米波雷达芯片量产测试装置的原理框图；
被测芯片1；耦合器2；交流直流转换器件3；集成电路自动测试机4；线缆衰减器5。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。
本发明提供一种新型的毫米波雷达芯片量产测试方法，包括以下步骤：
步骤S1，提供一被测芯片；
步骤S2，使被测芯片1的发射端发射一第一射频信号，并使被测芯片的接收端接收第一射频信号；
步骤S3，提供一交流直流转换器件使第一射频信号转换为一直流信号；
步骤S4，提供一集成电路自动测试装置对直流信号进行测试，以及对被测芯片的接收端接收第一射频信号进行测试。
具体的，本发明提供一种新型的毫米波雷达芯片量产测试方法，该测试方法包括两部分，分别是被测芯片的发射部分的测试和被测芯片的接收部分的测试。
进一步地，结合图1所示，本发明的原理是将被测芯片的发射电路发射的第一射频信号作为被测芯片的接收信号，将被测芯片的发射电路发射的第一射频信号通过交流直流转换器件，输出一直流信号，直流信号输入集成电路自动测试机中进行发射信号的测试过程，此为被测芯片的发射部分的测试；被测芯片的发射电路发射的第一射频信号经被测芯片的接收端接收之后，直接输入集成电路自动测试机中进行接收信号的测试过程，此为被测芯片的接收部分的测试。
在一种较优的实施例中，步骤S2中，被测芯片的发射端通过馈电电缆与接收端连接。
具体的，在被测芯片的接收部分的测试过程中，被测芯片的发射电路发射的第一射频信号通过馈电电缆直接由被测芯片的接收端接收第一射频信号，直接输入集成电路自动测试机中进行接收信号的测试。
在一种较优的实施例中，步骤S2中，第一射频信号经衰减后被被测芯片的接收端接收。
具体的，被测芯片的发射端发射的第一射频信号由于直接由电缆传送到被测芯片的接收端，因此功率过大，可能会导致被测芯片的接收端的器件损坏，针对该问题可以将第一射频信号经衰减后被被测芯片的接收端接收。
在一种较优的实施例中，步骤S2中，提供一线缆衰减器，被测芯片的发射端通过线缆衰减器连接至被测芯片的接收端。
具体的，例如在步骤S2中，可以在被测芯片的发射端连接一线缆衰减器对第一射频信号的衰减处理后传送到被测芯片的接收端。
在一种较优的实施例中，步骤S3中，第一射频信号被耦合至交流直流转换器件。
通过耦合的方式将第一射频信号传递到交流直流转换器件可以保护交流直流转换器件，避免电流过大损坏交流直流转换器件，亦可以换成小功率的交流直流转换器件来降低成本。
在一种较优的实施例中，步骤S3中，提供一耦合器，耦合器的输入端连接被测芯片的发射端，耦合器的耦合端连接交流直流转换器件。
具体的，在被测芯片的发射部分的测试过程中，交流直流转换器件3的输入端连接耦合器2的耦合端，被测芯片1和交流直流转换器件3通过光电耦合，这样对输入、输出电信号有良好的隔离作用，由于光耦合器输入输出间互相隔离，电信号传输具有单向性等特点，因而具有良好的电绝缘能力和抗干扰能力。
具体的，结合图1和图2所示，被测芯片的发射部分的测试过程中，被测芯片的发射端RF(Radio Frequency，射频信号)TX(Transmitter，发射端)连接一耦合器2，第一射频信号通过耦合器2的一耦合端连接交流直流转换器件3，进行交流直流转换输出直流信号；直流信号输入集成电路自动测试机4ATE(Automatic Test Equipment，集成电路自动测试机)中进行发射信号的测试过程。
在一种较优的实施例中，耦合器提供一直通端，直通端通过线缆衰减器连接被测芯片的接收端。
具体的，利用耦合器的直通端来连接线缆衰减器减少被测芯片发射端与线缆衰减器的连线，一般情况下，发射端需要连接装置连接线缆衰减器和耦合器，这样会改变发射端的阻抗，进而产生驻波，可能损坏被测芯片，本技术方案中使用耦合器的直通端连接线缆衰减器可以解决这一问题。
进一步地，结合图1和图2所示，被测芯片的接收部分的测试过程中，被测芯片1的接收端RF(Radio Frequency，射频信号)RX(Receiver，接收端)第一射频信号通过耦合器2的一直通端连接一线缆衰减器5，输出一低电流射频信号；
进一步地，采用本发明的测试方法，集成电路自动测试机测试的交流直流转换器件转换成的DC信号表征被测芯片的雷达发射信号的功率，比如：DC信号0.55V对应的发射功率为5dBm；被测芯片1雷达接收信号的功率大小可通过外部连接的线缆衰减器5进行调节。
被测芯片1的接收端RF RX通过天线接收所述低电流射频信号；低电流射频信号通过被测芯片1的接收端RF RX直接输入集成电路自动测试机4ATE中进行接收信号的测试过程。
在一种较优的实施例中，步骤S4中，集成电路自动测试装置将被测芯片的接收端接收第一射频信号采集为一接收信号，集成电路自动测试装置根据接收信号及接收信号对应的中频信号对被测芯片的接收性能进行测试。
具体的，结合图2所示，被测芯片的接收端RX接收的中频信号IF(IntermediateFrequency，中频信号)直接输入集成电路自动测试机4ATE中进行测试过程；
进一步地，被测芯片1发射的其他信号，直接输入集成电路自动测试机4ATE中进行测试过程。
一种新型的毫米波雷达芯片量产测试装置，其特征在于，包括：
一被测芯片1，被测芯片1用以发射一射频信号；
一耦合器2，耦合器2的输入端连接被测芯片1的发射端，
一交流直流转换器件3，交流直流转换器件3的输入端连接耦合器2的耦合端，用以交流信号转换成一直流信号；
一集成电路自动测试机4，集成电路自动测试机4连接交流直流转换器件3的输出端，将直流信号进行测试过程；
一线缆衰减器5，线缆衰减器5的输入端连接耦合器2的直通端；线缆衰减器5的输出端连接被测芯片1的接收端。
本发明的技术方案的有益效果在于：毫米波雷达芯片量产测试过程中，芯片接收自身发射的信号进行测试和经过交流变直流使用集成电路自动测试装置进行测试，这样简化了测试程序，进而缩减了开发周期，同时不需要外挂高频仪表进而降低了测试成本，实用性强。
以上所述仅为本发明较佳的实施例，并非因此限制本发明的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本发明说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本发明的保护范围内。
Claims (9)
1.一种新型的毫米波雷达芯片量产测试方法，其特征在于，所述毫米波雷达芯片量产测试方法包括以下步骤：
步骤S1，提供一被测芯片；
步骤S2，使所述被测芯片的发射端发射一第一射频信号，并使所述被测芯片的接收端接收所述第一射频信号；
步骤S3，提供一交流直流转换器件使所述第一射频信号转换为一直流信号；
步骤S4，提供一集成电路自动测试装置对所述直流信号进行测试，以及对所述被测芯片的接收端接收所述第一射频信号进行测试。
2.根据权利要求1所述新型的毫米波雷达芯片量产测试方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述被测芯片的发射端通过馈电电缆与所述接收端连接。
3.根据权利要求1所述新型的毫米波雷达芯片量产测试方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述第一射频信号经衰减后被所述被测芯片的接收端接收。
4.根据权利要求3所述新型的毫米波雷达芯片量产测试方法，其特征在于，所述步骤S2中，提供一线缆衰减器，所述被测芯片的发射端通过所述线缆衰减器连接至所述被所述被测芯片的接收端。
5.根据权利要求4所述新型的毫米波雷达芯片量产测试方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述第一射频信号被耦合至所述交流直流转换器件。
6.根据权利要求5所述新型的毫米波雷达芯片量产测试方法，其特征在于，所述步骤S3中，提供一耦合器，所述耦合器的输入端连接所述被测芯片的发射端，所述耦合器的耦合端连接所述交流直流转换器件。
7.根据权利要求6所述新型的毫米波雷达芯片量产测试方法，其特征在于，所述耦合器提供一直通端，所述直通端通过所述线缆衰减器连接所述被测芯片的接收端。
8.根据权利要求1所述新型的毫米波雷达芯片量产测试方法，其特征在于，所述步骤S4中，所述集成电路自动测试装置将所述被测芯片的接收端接收所述第一射频信号采集为一接收信号，所述成电路自动测试装置根据所述接收信号及所述接收信号对应的中频信号对所述被测芯片的接收性能进行测试。
9.一种新型的毫米波雷达芯片量产测试装置，其特征在于，包括：
一被测芯片，所述被测芯片用以发射一射频信号；
一耦合器，所述耦合器的输入端连接所述被测芯片的发射端，
一交流直流转换器件，所述交流直流转换器件的输入端连接所述耦合器的耦合端，用以交流信号转换成一直流信号；
一集成电路自动测试机，所述集成电路自动测试机连接所述交流直流转换器件的输出端，将所述直流信号进行测试过程；
一线缆衰减器，所述线缆衰减器的输入端连接所述耦合器的直通端；所述线缆衰减器的输出端连接所述被测芯片的接收端。
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