CN110427698A - 一种面向电磁传输性能的活动引线搭焊互联点调控方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种面向电磁传输性能的活动引线搭焊互联点调控方法，包括：实测活动引线搭焊互联点电性能并确定指标要求，确定活动引线搭焊互联结构参数、物性参数与调控参数，建立活动引线搭焊互联形态进行参数化表征模型，进行针对活动引线搭焊调控参数与电性能的正交试验，计算活动引线搭焊参数关联强度并排序，据此排序依次调控参数直到电性能达标。本发明为活动引线搭焊互联点提供；快速、准确的调控指导，以提升电子装备制造效率与品质。
Description
技术领域
本发明属于微波射频电路技术领域，具体是一种面向电磁传输性能的活动引线搭焊互联点调控方法，可用于指导活动引线搭焊互联点与电性能的快速调控。
背景技术
微波射频电路被广泛应用于卫星、雷达、基站等电子装备中，研制日趋小型化、集成化、高速率与高可靠，这使得电路之间的互联密度越来越高，这对微波器件及模块的组装互联提出了非常严苛的要求，且互联点数量大但是其对信号传输性能的影响机理不明，上述使得电子装备中微波射频电路互联问题成为严重影响电性能和制约电子装备研制效率提升的关键因素。
在电子装备的加工制造过程中，每一个模块往往都代表着大量的互联点使用，每一个互联点都有数个可调参数，而工程技术人员在针对互联点形态与电性能关系进行实际调控过程中，往往带有盲目性，使得对于互联点的参数调控往往费时费力，如果累积大量的互联点进行调试，极易造成电子装备的组装调试周期长、调控效率低、一致性差等问题。
因此，有必要深入研究面向电磁传输性能的互联点调控方法，对互联形态进行参数化精确表征建模，确定调控参数并快速计算其关联强度排序，形成互联点调控指导意见，以提升电子装备制造效率。
发明内容
针对上述问题，本发明提供了一种面向电磁传输性能的活动引线搭焊互联点调控方法，为活动引线搭焊互联点提供快速、准确的调控指导，以提升电子装备制造效率。
实现本发明目的的技术解决方案是一种面向电磁传输性能的活动引线搭焊互联点调控方法，包括下述步骤：
(1)实测活动引线搭焊互联点信号电性能，判断其电性能是否满足要求，若满足，则可继续使用该互联点，若不满足，则进行下一步；
(2)确定活动引线搭焊互联点的结构参数与物性参数，并确定可调控参数；
(3)根据活动引线搭焊互联点基本参数，对活动引线搭焊互联形态进行参数化表征；
(4)根据活动引线搭焊互联结构参数、物性参数及形态参数化表征，建立活动引线搭焊互联结构-电磁分析模型；
(5)根据活动引线搭焊可调控参数与电性能指标要求，构建活动引线搭焊可调控参数的正交试验项，并将参数组合代入模型提取电性能；
(6)根据正交试验分析结果，计算各参数各列各水平试验指标平均值；
(7)根据试验指标平均值，确定活动引线搭焊互联点当前工作频率下各调控参数关联强度并进行关联强度排序；
(8)根据关联强度排序，依次调控参数，测试电性能指标，若达标，则调控完成，若不达标，则调控关联强度排序下一参数，并再次判断电性能，判断是否满足活动引线搭焊电性能要求。
进一步，上述步骤(1)中，实测活动引线搭焊互联点的电性能包括插入损耗S21和电压驻波比VSWR等。
进一步，上述步骤(2)中，确定微波组件中活动引线搭焊互联的结构参数包括：介质基板长度L1、介质基板宽度W1、介质基板厚度H1、微带线长度L2、微带线宽度W2、微带线厚度H2、接插件探针长度L3、接插件直径D1、接插件母座长度L4、接插件探针直径D2、接插件开孔长度L5、接插件开孔直径D3、接插件夹缝长度L6、接插件夹缝宽度W3、接插件与介质基板距离L7、互联点与接插件距离L9、接插件距离微带线距离H3、金带与接插件探针距离L12、同轴接头探针直径D4、同轴接头玻璃介质长度L8、同轴接头插入接插件长度L10、同轴接头与介质基板距离L11和同轴接头玻璃介质直径D5；
确定物性参数包括：信号传输频率f、介质基板介电常数εs、介质基板损耗角正切θs、玻璃介质介电常数εg和玻璃介质损耗角正切θg；
据此确定的活动引线搭焊互联点调控参数为：微带线宽度W2、接插件探针长度L3、互联点与接插件距离L9、金带与接插件探针距离L12、同轴接头插入接插件长度L10和同轴接头与介质基板距离L11。
进一步，上述步骤(3)中针对活动引线搭焊互联形态的参数化表征，具体包括：
(3a)接插件与介质基板连接点(坐标系位于介质基板中心)：
针对互联点与接插件的探针、微带线，包括引线圆心的坐标、直径、长度和引线与微带线过度面；
针对互联点切面拟合线；
针对微带线与接插件包括微带线起始点；
(3b)接插件与同轴接头连接点(坐标系位于介质基板中心)：
针对接插件包括接插件的圆心坐标、直径和长度，以及接插件内部插槽的直径、长度和接插件夹缝；
针对同轴接头包括同轴接头探针的直径和长度，以及玻璃介质的直径和长度。
进一步，上述步骤(4)根据步骤(2)中活动引线搭焊互联结构参数、物性参数以及可调控参数，以及步骤(3)中的参数化表征，在电磁仿真软件中建立活动引线搭焊互联结构-电磁分析模型。
进一步，上述步骤(5)按如下过程进行：
(5a)根据步骤(2)中确定的活动引线搭焊互联形态6个调控因素分别为：微带线宽度W2、接插件探针长度L3、互联点与接插件距离L9、金带与接插件探针距离L12、同轴接头插入接插件长度L10、同轴接头与介质基板距离L11；
(5b)根据活动引线搭焊互联点实际工作情况，确定活动引线搭焊互联形态6个因素调控范围为：微带线宽度W2∈[W2min,W2max]、接插件探针长度L3∈[L3min,L3max]、互联点与接插件距离L9∈[L9min,L9max]、金带与接插件探针距离L12∈[L12min,L12max]、同轴接头插入接插件长度L10∈[L10min,L10max]、同轴接头与介质基板距离L11∈[L11min,L11max]；
(5c)对活动引线搭焊互联形态依据可调控范围分别选取7水平数值，并基于此构建6因素7水平正交表L49(78)，并利用电磁仿真软件分析各个调控参数组合电性能仿真值。
进一步，上述步骤(6)对步骤(5)中的正交试验结果进行各参数各列各水平试验指标平均值计算。
进一步，上述步骤(7)中各调控参数的关联强度Rj为该参数各水平计算的统计参数kij最大值与最小值的差值，计算活动引线搭焊互联点当前工作环境下各个调控参数关联强度值，并进行关联强度排序。
进一步，上述步骤(8)根据关联强度排序，指导工程技术人员首先调控关联强度排序为a＝1的调控参数，调控完成后测试电性能指标，若达标，则调控完成，若不达标，则调控关联强度排序为a＝2的调控参数，并再次判断电性能，直到电性能指标达标，完成活动引线搭焊互联点调控过程。
本发明与现有技术相比，具有以下特点：
1.本发明针对活动引线搭焊互联结构，建立了面向电磁传输性能的活动引线搭焊互联形态参数化表征模型，基于此表征模型研究了活动引线搭焊调控参数与电性能之间的影响关系，确定了快速、准确调控活动引线搭焊互联结构与电性能的指导方法，解决了目前活动引线搭焊互联点调控效率低下、调控存在盲目性的问题。
2.利用面向电磁传输性能的活动引线搭焊互联点调控方法，实现在活动引线搭焊互联点的整个服役过程中出现电性能不达标情况时，可以快速、准确地给出活动引线搭焊可调控参数的调控顺序，为工程设计人员在活动引线搭焊互联点互联结构设计与电性能调控方面提供理论指导，从而提升工作效率，降低产品研制成本，保障产品服役性能。
附图说明
图1是面向电磁传输性能的活动引线搭焊互联点调控方法流程图；
图2是活动引线搭焊互联结果尺寸标注图；
图3是活动引线焊参数化表征模型图。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明做进一步说明。
参照图1，本发明为一种面向电磁传输性能的活动引线搭焊互联点调控方法，具体步骤如下：
步骤1，实测活动引线搭焊互联点电性能并判断其是否达标
实测活动引线搭焊互联点的电性能包括插入损耗S21和电压驻波比VSWR等。
步骤2，根据活动引线搭焊基本参数，对活动引线搭焊互联形态进行参数化表征
确定微波组件中活动引线搭焊互联的结构参数与物性参数，其尺寸标注如图2所示，具体包括：
确定结构参数包括：介质基板长度L1、介质基板宽度W1、介质基板厚度H1、微带线长度L2、微带线宽度W2、微带线厚度H2、接插件探针长度L3、接插件直径D1、接插件母座长度L4、接插件探针直径D2、接插件开孔长度L5、接插件开孔直径D3、接插件夹缝长度L6、接插件夹缝宽度W3、接插件与介质基板距离L7、互联点与接插件距离L9、接插件距离微带线距离H3、金带与接插件探针距离L12、同轴接头探针直径D4、同轴接头玻璃介质长度L8、同轴接头插入接插件长度L10、同轴接头与介质基板距离L11和同轴接头玻璃介质直径D5。
确定物性参数包括：信号传输频率f、介质基板介电常数εs、介质基板损耗角正切θs、玻璃介质介电常数εg和玻璃介质损耗角正切θg；
据此确定的活动引线搭焊互联点调控参数为：微带线宽度W2、接插件探针长度L3、互联点与接插件距离L9、金带与接插件探针距离L12、同轴接头插入接插件长度L10和同轴接头与介质基板距离L11。
步骤3，针对活动引线搭焊互联形态进行参数化表征
根据活动引线搭焊互联点实际加工制造情况，对活动引线搭焊互联形态进行参数化表征，按如下过程进行：
(3a)接插件与介质基板连接点(坐标系位于介质基板中心)：
针对互联点与接插件探针、微带线：
引线圆心坐标：(xs,ys,zs)＝(0,L1/2-L4-L7,H1+H2+H3+D1/2)
接插件探针直径：D2；接插件探针长度：-L3
引线与微带线过度面：起点(xs,ys,zs)＝(-W2/2,L1/2-L4-L7-L9,H1+H2+H3+D1/2)
其中：XSize:W2 YSize:-L3+L9
针对互联点切面拟合线：
P1＝(x1,y1,z1)-＞(x2,y2,z2)＝(-W2/2,L1/2-L3-L4-L7,H1+H2)
-＞(W2/2,L1/2-L3-L4-L7,H1+H2)
P2＝(x2,y2,z2)-＞(x3,y3,z3)＝(W2/2,L1/2-L3-L4-L7,H1+H2)
-＞(W2/2,L1/2-L3+H3+D1-L4-L7,H1+H2+H3+D1)
P3＝(x2,y2,z2)->(x3,y3,z3)＝(W2/2,L1/2-L3+H3+D1-L4-L7,H1+H2+H3+D1)
->(-W2/2,L1/2-L3+H3+D1-L4-L7,H1+H2+H3+D1)
P4＝(x3,y3,z3)->(x4,y4,z4)＝(-W2/2,L1/2-L3+H3+D1-L4-L7,H1+H2+H3+D1)
->(-W2/2,L1/2-L3-L4-L7,H1+H2)；
针对微带线与接插件：
微带线起始点：(x,y,z)＝(-W2/2,-L1/2,H1) XSize：W2 YSize：L2 ZSize：H2
(3b)接插件与同轴接头连接点(坐标系位于介质基板中心)：
针对接插件：
接插件圆心坐标：(x,y,z)＝(0mm,L1/2-L4-L7,H1+H2+H3+D1/2)
接插件直径：D1接插件母座长度：L4
接插件内部插槽：圆心(x,y,z)＝(0mm,L1/2-L7,H1+H2+H3+D1/2)
接插件开孔直径：D3接插件开孔长度：-L5
接插件夹缝：起点(x,y,z)＝(W3/2,L1/2-L7,H1+H2+H3)
XSize:-W3YSize:-L6ZSize:D1
针对同轴接头：
同轴接头探针：圆心(x,y,z)＝(0mm,L1/2,H1+H2+H3+D1/2)
接插件开孔直径：D3
接插件与介质基板距离、同轴接头插入接插件长度：-L7-L10
玻璃介质：圆心(x,y,z)＝(0mm,L1/2+L11,H1+H2+H3+D1/2)
同轴接头玻璃介质直径：D5同轴接头玻璃介质长度：L8。
步骤4，建立活动引线搭焊互联结构-电磁分析模型
根据步骤(2)中活动引线搭焊互联结构参数、物性参数以及可调控参数，以及步骤(3)中的参数化表征，在电磁仿真软件中建立活动引线搭焊互联结构-电磁分析模型，所建立的模型如图3所示。
步骤5，构建基于活动引线搭焊调控参数与电性能的正交试验并仿真分析
根据微波组件中活动引线搭焊互联形态参数与电性能评价指标，确定因素、水平和指标，设计活动引线搭焊互联形态参数与电磁传输性能指标的正交试验，按照以下步骤进行：
(5a)根据步骤(2)中确定的活动引线搭焊互联形态6个调控因素分别为：微带线宽度W2、接插件探针长度L3、互联点与接插件距离L9、金带与接插件探针距离L12、同轴接头插入接插件长度L10、同轴接头与介质基板距离L11；
(5b)根据活动引线搭焊互联点实际工作情况，确定活动引线搭焊互联形态6个因素调控范围为：微带线宽度W2∈[W2min,W2max]、接插件探针长度L3∈[L3min,L3max]、互联点与接插件距离L9∈[L9min,L9max]、金带与接插件探针距离L12∈[L12min,L12max]、同轴接头插入接插件长度L10∈[L10min,L10max]、同轴接头与介质基板距离L11∈[L11min,L11max]；
(5c)对活动引线搭焊互联形态依据可调控范围分别选取7水平数值，并基于此构建6因素7水平正交表L49(78)，并利用电磁仿真软件分析各个调控参数组合电性能仿真值。
步骤6，根据正交试验分析结果，计算各参数各列各水平试验指标平均值
针对步骤(5)中的正交试验结果进行各参数各列各水平试验指标平均值计算，计算公式为：
其中r为列数，v为因素数；m为水平数，n为总试验次数，则i＝1,2···m，j＝1,2…r，Ti j为第j列i水平所对应的试验指标数值之和，u为第j列同一水平出现的次数，ki j为第j列i水平所对应的试验指标平均值。
步骤7，根据试验指标平均值，确定当前工作频率下各调控参数关联强度
各调控参数的关联强度Rj为该参数各水平计算的统计参数kij最大值与最小值的差值，其计算公式如下：
Rj＝kj(max)-kj(min)
式中，kj(max)为第j列中最大的ki j值，kj(min)为第j列中最小的ki j值；
计算活动引线搭焊互联点当前工作环境下各个调控参数关联强度值，并进行关联强度排序。
步骤8，根据关联强度排序，依次调控参数，直到活动引线搭焊电性能满足要求
根据关联强度排序，指导工程技术人员首先调控关联强度排序为a＝1的调控参数，调控完成后测试电性能指标，若达标，则调控完成，若不达标，则调控关联强度排序为a＝2的调控参数，并再次判断电性能，直到电性能指标达标，完成活动引线搭焊互联点调控过程。
本发明的优点可通过以下仿真实验进一步说明：
一、实测活动引线搭焊互联点电性能并判断其是否达标
本实验以工作于Ku波段的活动引线搭焊互联点为例，所研究的电性能指标要求为插入损耗S21≤0.3dB，经过实测其插入损耗S21＝0.5dB＞0.3dB，此时活动引线搭焊互联点电性能不达标，故需要进行调控；
二、根据活动引线搭焊互联点基本参数，对活动引线搭焊互联形态进行参
数化表征
活动引线搭焊互联参数化模型参数标注图见图2，活动引线搭焊互联的结构参数与物性参数见表1；
表1活动引线搭焊互联的结构参数与物性参数
三、建立活动引线搭焊互联结构-电磁分析模型
根据确定的活动引线搭焊互联结构参数、物性参数、调控参数及形态参数化表征，建立活动引线搭焊互联结构-电磁分析模型如图3，所建立的模型由同轴接头、接插件、微带线、介质基板等部分组成。
四、构建基于活动引线搭焊调控参数与电性能的正交试验并仿真分析
(1)确定活动引线搭焊调控参数及其调控范围
确定活动引线搭焊互联6个调控参数及其调控范围如下表2示。
表2活动引线搭焊互联的调控参数及其可调控范围
| 序号 | 表征量 | 参数名 | 调控范围 |
| 1 | 微带线宽度(mm) | W2 | 0.50～0.80 |
| 2 | 接插件探针长度(mm) | L3 | 1.00～3.00 |
| 3 | 互联点与接插件距离(mm) | L9 | 0.00～0.30 |
| 4 | 金带与接插件探针距离(mm) | L12 | 0.00～2.50 |
| 5 | 同轴接头插入接插件长度(mm) | L10 | 0.20～2.00 |
| 6 | 同轴接头与介质基板距离(mm) | L11 | 0.00～0.30 |
(2)依据调控参数及其调控范围进行正交试验
对活动引线搭焊调控参数依据可调控范围设计6因素7水平正交表L49(78)，并利用电磁仿真软件求解各个调控参数组合对应的插入损耗值，分析结果见表3。
表3活动引线焊L波段正交试验分析结果
五、计算试验指标平均值，确定当前工作频率下各调控参数关联强度
依据活动引线搭焊互联正交试验结果，针对各个调控参数进行关联强度Rj计算，求得各个调控参数关联强度值及关联强度排序如表4所示。
表4各调控参数关联强度计算结果及其排序
六、根据关联强度排序，依次调控参数，直到活动引线搭焊互联点电性能
满足要求
根据关联强度排序，指导工程技术人员首先调控金带与接插件探针距离L12，调控完成后测试电性能指标，若达标，则调控完成；若不达标，则调控同轴接头与介质基板距离L11，若达标，则调控完成；若不达标，则调控接插件探针长度L3，若达标，则调控完成；若不达标，则调控互联点与接插件距离L9，若达标，则调控完成；若不达标，则调控接插件探针长度L3，若达标，则调控完成；若不达标，则调控微带线宽度W2，若达标，则调控完成；若不达标，则调控同轴接头插入接插件长度L10，若达标，则调控完成；若不达标，则说明活动引线搭焊互联点已不适用于当前情况。
Claims (9)
1.一种面向电磁传输性能的活动引线搭焊互联点调控方法，其特征在于，包括下述步骤：
(1)实测活动引线搭焊互联点信号电性能，判断其电性能是否满足要求，若满足，则可继续使用该互联点，若不满足，则进行下一步；
(2)确定活动引线搭焊互联点的结构参数与物性参数，并确定可调控参数；
(3)根据活动引线搭焊互联点基本参数，对活动引线搭焊互联形态进行参数化表征；
(4)根据活动引线搭焊互联结构参数、物性参数及形态参数化表征，建立活动引线搭焊互联结构-电磁分析模型；
(5)根据活动引线搭焊可调控参数与电性能指标要求，构建活动引线搭焊可调控参数的正交试验项，并将参数组合代入模型提取电性能；
(6)根据正交试验分析结果，计算各参数各列各水平试验指标平均值；
(7)根据试验指标平均值，确定活动引线搭焊互联点当前工作频率下各调控参数关联强度并进行关联强度排序；
(8)根据关联强度排序，依次调控参数，测试电性能指标，若达标，则调控完成，若不达标，则调控关联强度排序下一参数，并再次判断电性能，直到活动引线搭焊互联点电性能满足要求。
2.根据权利要求1所述的面向电磁传输性能的活动引线搭焊互联点调控方法，其特征在于，所述步骤(1)中，实测活动引线搭焊互联点的电性能包括插入损耗S21、电压驻波比VSWR和回波损耗S11。
3.根据权利要求1所述的面向电磁传输性能的活动引线搭焊互联点调控方法，其特征在于，所述步骤(2)中，确定微波组件中活动引线搭焊互联的结构参数包括：介质基板长度L1、介质基板宽度W1、介质基板厚度H1、微带线长度L2、微带线宽度W2、微带线厚度H2、接插件探针长度L3、接插件直径D1、接插件母座长度L4、接插件探针直径D2、接插件开孔长度L5、接插件开孔直径D3、接插件夹缝长度L6、接插件夹缝宽度W3、接插件与介质基板距离L7、互联点与接插件距离L9、接插件距离微带线距离H3、金带与接插件探针距离L12、同轴接头探针直径D4、同轴接头玻璃介质长度L8、同轴接头插入接插件长度L10、同轴接头与介质基板距离L11和同轴接头玻璃介质直径D5；
确定物性参数包括：信号传输频率f、介质基板介电常数εs、介质基板损耗角正切θs、玻璃介质介电常数εg和玻璃介质损耗角正切θg；
据此确定的活动引线搭焊互联点调控参数为：微带线宽度W2、接插件探针长度L3、互联点与接插件距离L9、金带与接插件探针距离L12、同轴接头插入接插件长度L10和同轴接头与介质基板距离L11。
4.根据权利要求2所述的面向电磁传输性能的活动引线搭焊互联点调控方法，其特征在于，所述步骤(3)中针对活动引线搭焊互联形态的参数化表征按如下过程进行：
(3a)接插件与介质基板连接点，坐标系位于介质基板中心：
针对互联点与接插件探针、微带线：
引线圆心坐标：(xs,ys,zs)＝(0,L1/2-L4-L7,H1+H2+H3+D1/2)
接插件探针直径：D2；接插件探针长度：-L3；
引线与微带线过度面：起点(xs,ys,zs)＝(-W2/2,L1/2-L4-L7-L9,H1+H2+H3+D1/2)
其中：XSize:W2 YSize:-L3+L9
针对互联点切面拟合线：
P1＝(x1,y1,z1)-＞(x2,y2,z2)＝(-W2/2,L1/2-L3-L4-L7,H1+H2)
-＞(W2/2,L1/2-L3-L4-L7,H1+H2)
P2＝(x2,y2,z2)-＞(x3,y3,z3)＝(W2/2,L1/2-L3-L4-L7,H1+H2)
-＞(W2/2,L1/2-L3+H3+D1-L4-L7,H1+H2+H3+D1)
P3＝(x2,y2,z2)->(x3,y3,z3)＝(W2/2,L1/2-L3+H3+D1-L4-L7,H1+H2+H3+D1)
->(-W2/2,L1/2-L3+H3+D1-L4-L7,H1+H2+H3+D1)
针对微带线与接插件：
微带线起始点：(x,y,z)＝(-W2/2,-L1/2,H1) XSize：W2 YSize：L2 ZSize：H2；
(3b)接插件与同轴接头连接点，坐标系位于介质基板中心：
针对接插件：
接插件圆心坐标：(x,y,z)＝(0mm,L1/2-L4-L7,H1+H2+H3+D1/2)；
接插件直径：D1；接插件母座长度：L4；
接插件内部插槽：圆心(x,y,z)＝(0mm,L1/2-L7,H1+H2+H3+D1/2)；
接插件开孔直径：D3；接插件开孔长度：-L5；
接插件夹缝：起点(x,y,z)＝(W3/2,L1/2-L7,H1+H2+H3)；
XSize:-W3 YSize:-L6 ZSize:D1；
针对同轴接头：
同轴接头探针：圆心(x,y,z)＝(0mm,L1/2,H1+H2+H3+D1/2)；
接插件开孔直径：D3；
接插件与介质基板距离、同轴接头插入接插件长度：-L7-L10；
玻璃介质：圆心(x,y,z)＝(0mm,L1/2+L11,H1+H2+H3+D1/2)；
同轴接头玻璃介质直径：D5；同轴接头玻璃介质长度：L8。
5.根据权利要求1所述的面向电磁传输性能的活动引线搭焊互联点调控方法，其特征在于，所述步骤(4)根据步骤(2)中活动引线搭焊互联结构参数、物性参数以及可调控参数，以及步骤(3)中的参数化表征，在电磁仿真软件中建立活动引线搭焊互联结构-电磁分析模型。
6.根据权利要求1所述的面向电磁传输性能的活动引线搭焊互联点调控方法，其特征在于，步骤(5)按如下过程进行：
(5a)根据步骤(2)中确定的活动引线搭焊互联形态6个调控因素分别为：微带线宽度W2、接插件探针长度L3、互联点与接插件距离L9、金带与接插件探针距离L12、同轴接头插入接插件长度L10、同轴接头与介质基板距离L11；
(5b)根据活动引线搭焊互联点实际工作情况，确定活动引线搭焊互联形态6个因素调控范围为：微带线宽度W2∈[W2min,W2max]、接插件探针长度L3∈[L3min,L3max]、互联点与接插件距离L9∈[L9min,L9max]、金带与接插件探针距离L12∈[L12min,L12max]、同轴接头插入接插件长度L10∈[L10min,L10max]、同轴接头与介质基板距离L11∈[L11min,L11max]；
(5c)对活动引线搭焊互联形态依据可调控范围分别选取7水平数值，并基于此构建6因素7水平正交表L49(78)，并利用电磁仿真软件分析各个调控参数组合电性能仿真值。
7.根据权利要求1所述的面向电磁传输性能的活动引线搭焊互联点调控方法，其特征在于，步骤(6)对步骤(5)中的正交试验结果进行各参数各列各水平试验指标平均值计算，公式如下：
其中Ti j为第j列i水平所对应的试验指标数值之和，u为第j列同一水平出现的次数，为第j列i水平所对应的试验指标平均值。
8.根据权利要求1所述的面向电磁传输性能的活动引线搭焊互联点调控方法，其特征在于，所述的步骤(7)各调控参数的关联强度Rj为该参数各水平计算的统计参数kij最大值与最小值的差值，其计算公式如下：
Rj＝kj(max)-kj(min)
式中，kj(max)为第j列中最大的ki j值，kj(min)为第j列中最小的ki j值。
9.根据权利要求1所述的面向电磁传输性能的活动引线搭焊互联点调控方法，其特征在于，步骤(8)根据关联强度排序，指导工程技术人员首先调控关联强度排序为a＝1的调控参数，调控完成后测试电性能指标，若电性能达标，则调控完成；若电性能不达标，则继续调控关联强度排序为a＝2的调控参数，并再次判断电性能，直到电性能指标达标，完成活动引线搭焊互联点调控过程。
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