CN110426429A - 一种基于二维玻璃石墨烯的化学传感器阵列 - Google Patents

一种基于二维玻璃石墨烯的化学传感器阵列 Download PDF

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Abstract

本发明公开一种基于二维玻璃石墨烯的化学传感器阵列，从下到上依次包括衬底层、传感材料层和电极层。所述传感材料层为玻璃石墨烯，所述玻璃石墨烯采用聚合物辅助沉积法制备；所述传感器阵列为hall‑bar结构。通过这种设计，该传感器展现出极好的针对挥发性有机化合物的灵敏感应特性、选择性、稳定性、可重复性和高信噪比，且所述该传感器阵列无栅极电调控，具有跨导功能，可以放大传感信号、加快响应速率。

Description

一种基于二维玻璃石墨烯的化学传感器阵列
技术领域
本发明涉及传感器领域，尤其涉及一种基于二维玻璃石墨烯的化学传感器阵列。
背景技术
传感器在探测周围污染物包括固态、液态和气态方面都有着广泛的应用。传统的传感器大多由块体材料制备，包括金属氧化物半导体，金属氧化物掺杂的金属纳米颗粒，金属有机框架结构等，以上材料制备的传感器由于其结构复杂、制作成本高，通常不能满足实时和低成本的化学物质探测要求。自从基于石墨烯的传感器被报道以来，基于石墨烯和石墨烯的衍生物，如石墨烯带，碳纳米管，还原氧化石墨烯的化学传感器被广泛地研究。石墨烯及其衍生物做传感材料可以与被探测的化学物质形成范德瓦尔斯力或共价键，进而诱导电荷在他们之间转移，形成电流变化。一方面，石墨烯及其衍生物被广泛地应用于探测有毒或被污染的气体分子如CO，NH3，SO2等，但在挥发性有机化合物(VOC)探测方面的研究依旧受限；另一方面，作为玻璃碳和石墨烯的中间态，玻璃石墨烯具有弯曲的晶格结构，Stone-Wales(SW)缺陷，透明，导电，易被掺杂，易被转移至柔性衬底，尤其是可以大规模制备均匀的玻璃石墨烯薄膜，都使得其被广泛应用于低成本大规模的VOC液相传感器。这种传感器的VOC探测灵敏度，选择性，稳定性和可重复性还需要进一步提高。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种基于二维玻璃石墨烯的化学传感器阵列，通过大规模制备均匀的玻璃石墨烯薄膜，并结合hall-bar结构形成无栅极电调控的透明二维玻璃石墨烯化学传感器阵列的方法，从而提高传感器探测VOC液体的灵敏度，选择性，稳定性和可重复性。
为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：一种基于二维玻璃石墨烯的化学传感器阵列，包括衬底层，在衬底层上沉积透明均匀的传感材料层和电极层。
作为上述技术方案的进一步描述：所述衬底层的材料为石英。
作为上述技术方案的进一步描述：所述透明均匀传感材料层材料为玻璃石墨烯，所述传感材料层厚度为0.9nm，1.5nm，2nm和25nm，所述传感材料层制备得到的尺寸为10cm×7cm，所述传感材料层粗糙度小于0.7nm，所述传感材料层的生长方法是聚合物辅助沉积。
作为上述技术方案的进一步描述：所述聚合物辅助沉积法包括：
按质量将1份葡萄糖和0.5份聚乙烯亚胺混合溶解在5份去离子水中形成溶液，其中，葡萄糖质量从0.2份到6份可调，可得到不同厚度的样品薄膜；
然后将所述溶液在室温下用磁子搅拌12h，转速为2600rpm；
将所述搅拌后的所述前驱体溶液旋涂在衬底层(1)上并得到薄膜，其中，旋涂速度为8000rpm，旋涂时间为30s；
将所述薄膜在Ar和H2气氛下退火，然后自然冷却到室温，其中，退火温度为1000℃，升温速率为2℃/min，退火时长为5min，Ar和H2气流流速分别为10和1sccm；
在退火后的所述薄膜上蒸镀一层Ni薄膜，其中Ni薄膜的作用是增强结晶度；
将蒸镀后的所述薄膜再次退火，得到样品，其中，退火温度为850℃；
将所述样品置于FeCl3溶液，去除残余Ni，其中FeCl3溶液浓度为1mol/L。
作为上述技术方案的进一步描述：所述的电极层的材料为Ti/Au，所述电极层的Ti/Au电极厚度为10nm/50nm，所述的电极层与传感材料层之间为欧姆接触，所述的电极层形貌为hall-bar，所述的电极层的形貌的制备方法是标准光刻，所述电极层的电极生长方法是电子束蒸镀。
作为上述技术方案的进一步描述：单个阵列中所述的电极对称分布在玻璃石墨烯沟道的两侧。
作为上述技术方案的进一步描述：四端法测试条件下，呈现无栅调控特性。
作为上述技术方案的进一步描述：采用两端法与四端法测试传感响应。
作为上述技术方案的进一步描述：四端法测试条件下，器件的hall-bar结构可以实现无栅级调控下的信号放大与快速响应。
本发明具有如下有益效果：
本发明中一种基于二维玻璃石墨烯的化学传感器阵列，从下到上依次包括衬底层、传感材料层和电极层，其中，所述传感材料层为玻璃石墨烯，所述电极层为Ti/Au电极。由于玻璃石墨烯本身极好的物理化学性质(类似于普通石墨烯)以及打开的带隙和大规模制备，本申请中的传感材料层采用玻璃石墨烯，同时电极材料采用Ti/Au，可以与玻璃石墨烯形成欧姆接触。本申请中电极均采用hall-bar的阵列结构，这种hall-bar结构的玻璃石墨烯化学传感器，在探测丙酮，异丙醇和甲醇等VOC液体表现出极好的选择性、稳定性和极快的传感响应速率。同时输出信号的振幅和形状可以通过外加侧电极偏压调控。
附图说明
图1为本发明提出的一种基于二维玻璃石墨烯的化学传感器阵列的结构示意图；
图2为本发明提出的一种基于二维玻璃石墨烯的化学传感器阵列的hall-bar结构的电极阵列。
图例说明：
1-衬底层，2-传感材料层，3-电极层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
参照图1-2，
实施例一
本发明实施例提供了一种无栅极电调控的二维玻璃石墨烯化学传感器阵列，包括衬底层1，在衬底层1的上表面由下而上依次外延生长出传感材料层2和电极层3，电极层3为hall-bar结构的阵列。
这里，衬底层1的材料一般为石英。
传感材料层2通过聚合物辅助沉积法生长在衬底层1上，其中，传感材料层2的材料为玻璃石墨烯，厚度为1.5nm,2nm或25nm，且传感材料层的表面粗糙度小于0.7nm。这样，制备的薄膜可以实现大规模晶圆尺寸级别的生长；传感材料层的不同厚度可以实现不同程度的传感器功能和无栅极电调控功能；低粗糙度的玻璃石墨烯薄膜可以满足当前集成器件对表面粗糙度的工业要求，传感材料层的表面粗糙度可以与商业抛光硅片相媲美，同时可以与金属Ag/Cu纳米线网络/网格或多晶石墨烯薄膜在表面平滑度方面相当。
电极层的材料为Ti/Au，厚度为10nm/50nm，这里电极沉积为hall-bar的阵列结构，在单个阵列结构中，电极对称分布在玻璃石墨烯沟道的两侧。这样，金属电极和玻璃石墨烯半导体可以实现欧姆接触，使外加的侧电极电压大部分降在玻璃石墨烯薄膜层而不是接触面；hall-bar的电极阵列结构可以增强传感器阵列的选择性，稳定性和可重复性。
在本发明实施例中，虽然使用二维玻璃石墨烯作为传感材料，但是玻璃石墨烯薄膜的质量直接影响到化学传感器阵列的传感性能以及后续的实际应用，尤其是薄膜的尺寸，厚度和表面粗糙度。因此，通过聚合物辅助沉积法使得制备出的玻璃石墨烯薄膜大尺寸厚度可调且表面均匀光滑，实现有效提高传感器的信噪比、响应速率和低成本的效果。
具体地，聚合物辅助沉积法包括：
按质量将1份葡萄糖和0.5份聚乙烯亚胺混合溶解在5份去离子水中形成溶液，其中，葡萄糖质量从0.2份到6份可调，可得到不同厚度的样品薄膜；
然后将溶液在室温下用磁子搅拌12h，转速为2600rpm；
将搅拌后的前驱体溶液旋涂在衬底层1上并得到薄膜，其中，旋涂速度为8000rpm，旋涂时间为30s；
将薄膜在Ar和H2气氛下退火，然后自然冷却到室温，其中，退火温度为1000℃，升温速率为2℃/min，退火时长为5min，Ar和H2气流流速分别为10和1sccm；
在退火后的薄膜上蒸镀一层Ni薄膜，其中Ni薄膜的作用是增强结晶度；
将蒸镀后的薄膜再次退火，得到样品，其中，退火温度为850℃；
将样品置于FeCl3溶液，去除残余Ni，其中FeCl3溶液浓度为1mol/L。
实施例二
具体地，化学传感器阵列的制备方法包括:
步骤1：提供材质为石英的衬底层；
步骤2：将0.4g葡萄糖和0.5g聚乙烯亚胺混合溶解在5ml去离子水中形成溶液；
步骤3:将溶液在室温下用磁子搅拌12h，转速为2600rpm；
步骤4：将搅拌后的前驱体溶液旋涂在衬底层1上并得到薄膜，其中，旋涂速度为8000rpm，旋涂时间为30s；
步骤5：将薄膜在Ar和H2气氛下退火，然后自然冷却到室温，其中，退火温度为1000℃，升温速率为2℃/min，退火时长为5min，Ar和H2气流流速分别为10和1sccm；
步骤6：在退火后的薄膜上蒸镀一层Ni薄膜；
步骤7：将蒸镀后的薄膜再次退火，得到样品，其中，退火温度为850℃；
步骤8:将样品置于FeCl3溶液，去除残余Ni，其中FeCl3溶液浓度为1mol/L；
步骤9：将样品采用标准光刻法刻蚀出hall-bar结构；
步骤10：采用离子束蒸镀在样品上制备电极层；
步骤11：得到玻璃石墨烯化学传感器阵列。
实施例三
对比实施例二，本实施例三中在步骤2中参数设置进行修改，具体地，将5.5g葡萄糖和0.5g聚乙烯亚胺混合溶解在5ml去离子水中形成溶液。
实施例四
对比实施例二，本实施例四中在步骤7中参数设置进行修改，具体地，将蒸镀后的薄膜再次退火，得到样品，其中，退火温度为1000℃。
实施例五
对实施例二和三所得的玻璃石墨烯化学传感器的VOC探测性能进行测定。当VOC液体体积为30μL且外加在E1E2侧电极上的偏压为1V时，玻璃石墨烯薄膜厚度为2nm的化学传感器，对丙酮，异丙醇和甲醇探测的性能是，电流变化率分别为10.5％，13.7％和18.2％，响应时间分别为3.5s，3.2s和5.2s，信噪比分别为188.8,215.4和149.5。当玻璃石墨烯薄膜的厚度发生变化时，对VOC探测的能力也会发生变化。
实施例六
对比实施例五，本实施例六中将VOC液体体积进行修改，相同厚度的玻璃石墨烯化学传感器的化学探测性能也会发生变化。
实施例七
对比实施例五，本实施例七中将外加在E1E2侧电极上的偏压进行修改，相同厚度的玻璃石墨烯化学传感器的化学探测性能也会发生变化。
实施例八
对比实施例五，本实施例八中将对实施例二和三所得的玻璃石墨烯化学传感器的电学性能进行测定。当玻璃石墨烯薄膜的厚度分别为2nm和25nm时，测得的电导率分别为1.1×103S/m和1.5×104S/m。
实施例九
本实施例九中将对实施例二和三所得的玻璃石墨烯化学传感器的无栅调控特性进行测定。A1A2施加-1V到+1V电压，同时，垂直的电极对C1C2，D1D2，E1E2施加偏压，A1A2电流呈现不同位置，不同偏压下的调制特性。
实施例十
对比实施例九，对实施例二和三所得的不同材料厚度的玻璃石墨烯化学传感器进行测定，均表现出无栅调制特性。
实施例十一
本实施例十一中将对实施例二和三所得的玻璃石墨烯化学传感器的不同工作模式进行测定。在四端法测试条件下，A1A2施加偏压，同时垂直电极C1C2施加不同形状的信号，例如矩形波，锯齿波，三角波，正弦波，所得到的相应的A1A2的输出电流的形状，大小是可控的。
实施例十二
在与实施例十一相同的的四端法测试条件下，对玻璃石墨烯传感器的传感特性进行测定。所得的A1A2的输出电流在加入有机溶剂丙酮之后被明显放大。对于0.9nm的玻璃石墨烯传感器，电流改变率可以增大到900％。
实施例十三
在与实施例十一相同的的四端法测试条件下，对玻璃石墨烯传感器的传感特性进行测定。加入丙酮之后，A1A2的响应速度可以提高到50ms。
实施例十四
本实施例十四中将对实施例二和三所得的玻璃石墨烯化学传感器的光学性能进行测定。在405nm到980nm的波段电极A1A2和电极A1C2之间都具有良好的光响应。

Claims (9)

1.一种基于二维玻璃石墨烯的化学传感器阵列，其特征在于，包括衬底层(1)，在衬底层上沉积透明均匀的传感材料层(2)和电极层(3)。
2.根据权利要求1所述的一种基于二维玻璃石墨烯的化学传感器阵列，其特征在于，所述衬底层(1)的材料为石英。
3.根据权利要求1所述的一种基于二维玻璃石墨烯的化学传感器阵列，其特征在于，所述透明均匀传感材料层(2)材料为玻璃石墨烯，所述传感材料层(2)厚度为0.9nm，1.5nm，2nm和25nm，所述传感材料层(2)制备得到的尺寸为10cm×7cm，所述传感材料层(2)粗糙度小于0.7nm，所述传感材料层(2)的生长方法是聚合物辅助沉积。
4.根据权利要求3所述的一种基于二维玻璃石墨烯的化学传感器阵列，其特征在于，所述聚合物辅助沉积法包括：
按质量将1份葡萄糖和0.5份聚乙烯亚胺混合溶解在5份去离子水中形成溶液，其中，葡萄糖质量从0.2份到6份可调，可得到不同厚度的样品薄膜；
然后将所述溶液在室温下用磁子搅拌12h，转速为2600rpm；
将所述搅拌后的所述前驱体溶液旋涂在衬底层(1)上并得到薄膜，其中，旋涂速度为8000rpm，旋涂时间为30s；
将所述薄膜在Ar和H2气氛下退火，然后自然冷却到室温，其中，退火温度为1000℃，升温速率为2℃/min，退火时长为5min，Ar和H2气流流速分别为10和1sccm；
在退火后的所述薄膜上蒸镀一层Ni薄膜，其中Ni薄膜的作用是增强结晶度；
将蒸镀后的所述薄膜再次退火，得到样品，其中，退火温度为850℃；
将所述样品置于FeCl3溶液，去除残余Ni，其中FeCl3溶液浓度为1mol/L。
5.根据权利要求1所述的一种基于二维玻璃石墨烯的化学传感器阵列，其特征在于，所述的电极层(3)的材料为Ti/Au，所述电极层(3)的Ti/Au电极厚度为10nm/50nm，所述的电极层(3)与传感材料层(2)之间为欧姆接触，所述的电极层(3)形貌为hall-bar，所述的电极层(3)的形貌的制备方法是标准光刻，所述电极层(3)的电极生长方法是电子束蒸镀。
6.根据权利要求1所述的一种基于二维玻璃石墨烯的化学传感器阵列，其特征在于，单个阵列中所述的电极对称分布在玻璃石墨烯沟道的两侧。
7.根据权利要求1所述的一种基于二维玻璃石墨烯的化学传感器阵列，其特征在于，四端法测试条件下，呈现无栅调控特性。
8.根据权利要求1所述的一种基于二维玻璃石墨烯的化学传感器阵列，其特征在于，采用两端法与四端法测试传感响应。
9.根据权利要求1所述的一种基于二维玻璃石墨烯的化学传感器阵列，其特征在于，四端法测试条件下，器件的Hall-bar可以实现无栅级调控下的信号放大与快速响应。
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103026490A (zh) * 2010-05-05 2013-04-03 新加坡国立大学 石墨烯的空穴掺杂
US8476617B2 (en) * 2011-02-18 2013-07-02 International Business Machines Corporation Graphene-containing semiconductor structures and devices on a silicon carbide substrate having a defined miscut angle
US20140008611A1 (en) * 2011-03-22 2014-01-09 The University Of Manchester Structures and methods relating to graphene
CN103985747A (zh) * 2014-05-27 2014-08-13 中国科学技术大学 GaAs/AlGaAs半导体异质结结构体及其制作方法
CN106449968A (zh) * 2016-11-21 2017-02-22 北京大学 一种产生自旋极化的石墨烯器件及其制备方法
CN206506726U (zh) * 2016-12-05 2017-09-19 北京大学 石墨烯玻璃、防雾除霜窗和防雾除霜镜
CN107311466A (zh) * 2017-05-11 2017-11-03 北京大学 一种石墨烯玻璃的原位制备方法
US9845551B2 (en) * 2012-07-10 2017-12-19 William Marsh Rice University Methods for production of single-crystal graphenes
US9896340B2 (en) * 2013-07-18 2018-02-20 William Marsh Rice University Rebar hybrid materials and methods of making the same

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103026490A (zh) * 2010-05-05 2013-04-03 新加坡国立大学 石墨烯的空穴掺杂
US8476617B2 (en) * 2011-02-18 2013-07-02 International Business Machines Corporation Graphene-containing semiconductor structures and devices on a silicon carbide substrate having a defined miscut angle
US20140008611A1 (en) * 2011-03-22 2014-01-09 The University Of Manchester Structures and methods relating to graphene
US9845551B2 (en) * 2012-07-10 2017-12-19 William Marsh Rice University Methods for production of single-crystal graphenes
US9896340B2 (en) * 2013-07-18 2018-02-20 William Marsh Rice University Rebar hybrid materials and methods of making the same
CN103985747A (zh) * 2014-05-27 2014-08-13 中国科学技术大学 GaAs/AlGaAs半导体异质结结构体及其制作方法
CN106449968A (zh) * 2016-11-21 2017-02-22 北京大学 一种产生自旋极化的石墨烯器件及其制备方法
CN206506726U (zh) * 2016-12-05 2017-09-19 北京大学 石墨烯玻璃、防雾除霜窗和防雾除霜镜
CN107311466A (zh) * 2017-05-11 2017-11-03 北京大学 一种石墨烯玻璃的原位制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
BYUNGJIN CHO等: "Chemical Sensing of 2D Graphene/MoS2 Heterostructure device", 《ACS APPL. MATER. INTERFACES》 *
XIAO DAI等: "Ultra-smooth glassy graphene thin films for flexibletransparent circuits", 《SCIENCE ADVANCES》 *

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