CN110418085B - Tof像素电路及测距系统 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种TOF像素电路，所述像素电路包括感光控制单元以及第一读取电路和第二读取电路。所述第一读取电路和第二读取电路为对称电路，且共享所述感光控制单元。所述感光控制单元包括光电二极管及传输晶体管。所述第一读取电路和第二读取电路包括复位晶体管，信号存储控制单元及第一输出单元。所述第一读取电路及第二读取电路分别包括全局曝光传输单元，所述全局曝光传输单元包括全局曝光存储单元和第二输出单元。本发明提出的TOF像素电路可实现滚动曝光和全局曝光的输出模式。本发明还提供一种TOF图像传感器的测距系统。

Description

TOF像素电路及测距系统

技术领域

本发明涉及图像传感装置，尤其涉及一种支持TOF应用的图像传感器像素电路及测距系统。

背景技术

TOF(Time of Fly)在图像传感器装置主要应用于获取3D图像的系统。系统利用基于光学飞行时间通过光线从光源到达物体，再反射回图像传感器的时间来测量成像目标到图像传感装置的距离。图像传感器的每个像素都参与测距，以获得高精度的深度图像。

随着3D图像的广泛应用，比如AR(增强现实)、VR(虚拟现实)、无人机、机器人及数字相机等的应用，TOF像素电路及像素电路的传感装置将得到进一步发展。不但可应用于获取高精度的图像，还可实现对物体识别、障碍检测等功能。且TOF的深度计算不受目标物体表面灰度和特征影响，可以非常准确的进行目标三维图像的探测。

发明内容

本发明目的提供一种TOF像素电路，所述像素电路包括：

感光控制单元，包括光电二极管及传输晶体管，所述光电二极管用于累积光电效应产生的电荷以响应入射光；所述传输晶体管为两个，分别连接到所述光电二极管，用于在曝光时根据传输控制信号分别将所述光电二极管产生的电荷转移输出；

第一读取电路和第二读取电路，分别连接到所述感光控制单元，所述第一读取电路和第二读取电路为对称电路，且共享所述感光控制单元；所述第一读取电路和第二读取电路分别通过一个所述传输晶体管连接到所述光电二极管；所述第一读取电路及第二读取电路分别包括：

复位晶体管，连接于第一电压源和浮动扩散点之间，根据复位控制信号重置所述浮动扩散点电压；

信号存储控制单元，包括信号存储控制晶体管和电容，用于将所述光电二极管曝光后光电效应产生的电荷进行存储；所述信号存储控制晶体管连接在所述浮动扩散点和所述电容之间；所述电容另一端连接指定电压；

可选地，所述信号存储控制晶体管为两个，第一信号存储控制晶体管连接在所述感光控制单元的输出端和第二信号存储控制晶体管之间，所述第二信号存储控制晶体管连接到所述浮动扩散点；所述电容一端连接到所述第一信号存储控制晶体管和所述第二信号存储控制晶体管的连接点，另一端连接到指定电压；

可选地，所述信号存储控制晶体管为两个，第一信号存储控制晶体管连接在所述感光控制单元的输出端和所述电容之间，所述电容另一端连接到指定电压；第二信号存储控制晶体管连接在所述感光控制单元的输出端和所述浮动扩散点之间；

第一输出单元，所述第一输出单元连接到所述浮动扩散点，用于在滚动曝光模式中对所述浮动扩散点的电压信号放大输出至列线；

可选地，所述第一输出单元包括源极跟随晶体管和行选择晶体管，所述源极跟随晶体管的栅极连接到所述浮动扩散点，其漏极连接到第二电压源；其源极输出端经所述行选择晶体管连接至列线；

可选地，所述第一读取电路及第二读取电路还分别包括全局曝光传输单元，连接在所述第一输出单元的源极跟随晶体管源极输出端和列线之间，用于在全局曝光模式中对信号进行存储、读取及输出，所述全局曝光传输单元包括全局曝光存储单元和第二输出单元；

所述全局曝光存储单元包括第一全局曝光传输控制晶体管、图像信号存储电容、第二全局曝光传输控制晶体管及复位信号存储电容，所述第一全局曝光传输控制晶体管连接到所述第一输出单元的源极跟随晶体管的源极输出端和第二全局曝光传输控制晶体管之间；所述第二全局曝光传输控制晶体管连接到所述第二输出单元；所述图像信号存储电容一端连接到所述第一全局曝光传输控制晶体管和所述第二全局曝光传输控制晶体管的连接点，另一端连接地端；所述复位信号存储电容一端连接到所述第二全局曝光传输控制晶体管和所述第二输出单元的连接点，另一端连接地端；

所述第二输出单元包括源极跟随晶体管和行选择晶体管，连接在所述全局曝光存储单元和列线之间，用于对所述全局曝光存储单元的信号放大输出；所述源极跟随晶体管的栅极连接到所述全局曝光存储单元的输出端，其漏极连接到第三电压源；其源极输出端经所述行选择晶体管连接至列线；

所述第一电压源和第二电压源为可变电压源。TOF像素电路中的电容可为节点的寄生电容、Poly电容、MIM(metal isolator metal)电容、MOM(metal oxide metal)电容或MOS电容。

本发明还提供一种TOF的测距系统，所述测距系统包括：

TOF图像传感器，所述TOF图像传感器包括本发明上述发明内容所提出的支持混合曝光的TOF像素电路阵列；

控制信号处理单元，用于控制系统工作过程并处理所述支持混合曝光的TOF像素阵列电路获取的图像数据；

可调制光源，用于接受调制信号后产生调制光信号，并将接收到的调制信号反馈至所述支持混合曝光的TOF像素阵列电路；

所述TOF图像传感器包括信号相位锁定模块，用于将调制信号和可调制光

源反馈的信号进行相位调整和锁定。

本发明提供的TOF像素电路，支持滚动曝光和全局曝光两种读取模式，可根据应用选择不同的输出模式。

本发明提出的不同类型TOF像素电路设计，能够有效地将信号存储控制单元电路与其他电路进行隔离，减少电路中的漏电流，且等效电容小，电路运行速度也会更快。

本发明提出的本发明提出的TOF像素电路和测距系统，能准确测得成像目标到图像传感装置的距离，应用于获取高精度的图像，还可实现对物体识别、障碍检测等功能。

附图说明

图1为本发明提出的实施例一的TOF像素电路结构图；

图2为本发明提出的实施例一的滚动曝光模式的像素电路时序图；

图3为本发明提出的实施例一的全局曝光模式的像素电路时序图；

图4为本发明提出的实施例二的TOF像素电路结构图；

图5为本发明提出的实施例二的滚动曝光模式的像素电路时序图；

图6为本发明提出的实施例二的全局曝光模式的像素电路时序图；

图7为本发明提出的实施例三的TOF像素电路结构图；

图8为本发明提出的实施例三的滚动曝光模式的像素电路时序图；

图9为本发明提出的实施例三的全局曝光模式的像素电路时序图；及

图10为本发明提出的一种测距系统基本框图。

具体实施方式

以下结合本发明提供的各附图，对本发明提出的各实施例内容进行详细的说明。

图1是本发明实施例一提出的TOF像素电路的结构图。

本实施例中，TOF像素电路的感光控制单元包括光电二极管PD及传输晶体管TXa和TXb。TXa和TXb共用一个光电二极管PD。第一读取电路通过传输晶体管TXa连接至光电二极管PD，第二读取电路通过传输晶体管TXb连接至光电二极管PD。

第一读取电路和第二读取电路互为对称电路。第一读取电路和第二读取电路分别包括复位晶体管、信号存储控制单元及第一输出单元。以第一读取电路为例：

信号存储控制单元采用一个信号存储控制晶体管INTa和电容Cina。信号存储控制晶体管INTa连接在浮动扩散点fda和电容Cina之间。电容Cina的另一端接指定电压Vrm。

复位晶体管RSTa连接在可变电压源Vrab和浮动扩散点fda之间，根据复位控制信号rst重置浮动扩散点fda点的电压。源极跟随晶体管SFa的栅极连接至浮动扩散点fda，其漏极连接到可变电压源Vrsf。源极跟随晶体管SFa的源极输出通过滚动曝光行选择晶体管RS_Sa连接到输出列线pixa。

全局曝光传输单元包括第一全局曝光传输控制晶体管GSSGa、图像信号存储电容Csiga、第二全局曝光传输控制晶体管GRSTa、复位信号存储电容Crsta。第二输出单元包括极跟随晶体管GSFa和行选择晶体管GS_Sa。

第二读取电路结构和第一读取电路结构对称，电路中对应的器件及连接关系也一致，此处省略第二读取电路的结构及连接关系的描述。

图2给出了滚动曝光模式的TOF像素电路时序图，结合图1给出的TOF像素电路，本发明实施例一的具体实现过程如下：

滚动曝光模式：

a.首先对电路进行初始化，电路中各控制信号如图2中a过程所示；

b.打开光源脉冲，对PD进行曝光，根据控制信号gs_txa和gs_txb，传输晶体管TXa和TXb导通，TXa和TXb导通相位相差π，将光电二极管PD累积的电荷分别转移至第一读取电路及第二读取电路的信号存储控制单元，晶体管INTa和INTb导通，电荷分别存储至电容Cina和Cinb；

读取过程：

c.行选择晶体管RS_Sa和RS_Sb导通，控制信号rst置为高电平，晶体管RSTa和RSTb导通，浮动扩散点fda和fdb复位至电压Vrab；

d.从输出列线pixa和pixb分别读取此时的初始信号电压Va0和Vb0；

e.控制信号int置为高电平，晶体管INTa和INTb导通，电容Cina和Cinb中存储的电荷分别转移至浮动扩散点fda和fdb；

f.从输出列线pixa和pixb分别读取此时的信号电压Va1和Vb1；

分别对Va1和Va0，Vb1和Vb0进行相关运算，得到Va＝Va1-Va0，Vb＝Vb1-Vb0。如果信号源脉冲宽度为T，则光源在空中飞行的时间为Ttof＝T*Vb/(Va+Vb)，故物体距像素阵列的距离d＝Ttof/2*C＝1/2*C*T*Vb/(Va+Vb)，其中C为光在真空中的传播速度。

在图2所示的时序中，控制信号gs_txa和gs_txb的阴影部分表示有效的电荷累积时域。

全局曝光模式：

结合图1的像素电路及图3给出的全局曝光模式的电路时序，对本发明实施例一中全局曝光模式的实现方式进行详细的说明：

a.首先对电路进行初始化，电路中各控制信号如图3中a过程所示；

b.打开光源脉冲，对PD进行曝光；根据控制信号gs_txa和gs_txb，传输晶体管TXa和TXb导通，TXa和TXb导通相位相差π，将光电二极管PD累积的电荷分别转移至第一读取电路及第二读取电路的信号存储控制单元，晶体管INTa和INTb导通，电荷分别存储至电容Cina和Cinb；

c.int信号置为高电平，晶体管INTa和INTb导通，电容Cina和Cinb中存储的电荷分别转移至浮动扩散点fda和fdb；控制信号sa置为低电平，将此时的电压信号分别存储到电容Csiga和Csigb；

读取过程：

d.gs_sel信号置为高电平，行选择晶体管GS_Sa和GS_Sb导通，从输出列线pixa和pixb分别读取此时的电压信号Va0和Vb0；

e.sb信号置为高电平，晶体管GRSTa和GRSTb导通，电容Csiga和Csigb中存储的电荷分别与Crsta和Crstb中存储的电荷重新分配；

f.从输出列线pixa和pixb分别读取此时的电压信号Va1和Vb1；

通常情况下，复位信号存储电容Crst等于图像信号存储电容Csig，即Crst＝Csig；分别对Va1和Va0，Vb1和Vb0进行运算，可得到Va＝Va1-Va0，Vb＝Vb1-Vb0。

如果信号源脉冲的宽度为T，则光源在空中飞行的时间为Ttof＝T*Vb/(Va+Vb)，因此物体距离像素阵列的距离d＝Ttof/2*C＝1/2*C*T*Vb/(Va+Vb)，其中C为光在真空中的传播速度。

图3的时序电路中，gs_txa和gs_txb信号中阴影部分表示有效的电荷累积时域。

本发明实施例一提供的TOF像素电路，可分别实现滚动曝光和全局曝光模式下的光源在空中飞行时间及目标物体距离像素阵列的距离。

实施例二：

图4为本发明提出的实施例二的TOF像素电路结构图。与本发明实施例一电路中不同部分是信号存储控制单元。本实施例中所述的第一读取电路和第二读取电路中的信号存储控制单元分别包括第一信号存储控制晶体管INa和INb，第二信号存储控制晶体管RDa和RDb，及电容Cina和Cinb。

以第一读取电路为例，第一信号存储控制晶体管INa连接在传输晶体管TXa和第二信号存储控制晶体管RDa之间，第二信号存储控制晶体管连接到浮动扩散点fda，电容Cina一端连接在晶体管INa和RDa的连接点，另一端连接至指定电压Vrm。第二读取电路和第一读取电路互为对称电路，其器件设置及连接方式相同，不再另行说明。

图5是本发明实施二提出的滚动曝光模式的TOF像素电路的时序图。

滚动曝光模式：

a.对电路进行初始化；

b.打开光源脉冲，光电二极管PD进行曝光，根据控制信号gs_txa和gs_txb，晶体管TXa和TXb以π相位差导通，将光电二极管PD累积的电荷分别转移至第一读取电路及第二读取电路的信号存储控制单元；控制信号int为高电平，晶体管INa和INb导通，控制信号rd置为低电平，晶体管RDa和RDb关闭，电荷分别存储到电容Cina和Cinb；

c.控制信号rs_sel置为高电平，晶体管RS_Sa和RS_Sb导通；复位控制信号rst置为高电平，晶体管RST导通，对浮动扩散点fda和fdb进行复位至电压Vrab；

d.从输出列线pixa和pixb分别读取此时的初始信号电压Va0和Vb0；

e.控制信号rd置为高电平，电荷从电容Cina和Cinb分别转移至浮动扩散点fda和fdb；

f.从输出列线pixa和pixb分别读取此时的电压信号Va1和Vb1；

分别对Va1和Va0，Vb1和Vb0进行相关运算，得到Va＝Va1-Va0，Vb＝Vb1-Vb0。如果信号源脉冲宽度为T，则光源在空中飞行的时间为Ttof＝T*Vb/(Va+Vb)，因此目标物体距离像素阵列的距离为d＝Ttof/2*C＝1/2*C*T*Vb/(Va+Vb)，其中C为光在真空中的传播速度。

全局曝光模式：

图6是本发明实施例二所提出的全局曝光模式的TOF像素电路的时序图。

a.对电路进行初始化；

曝光过程：

b.打开光源脉冲，对光电二极管PD进行曝光；根据控制信号gs_txa和gs_txb，晶体管TXa和TXb以π相位差导通，将光电二极管PD累积的电荷分别转移至第一读取电路及第二读取电路的信号存储控制单元，控制信号int为高电平，晶体管INTa和INTb导通，电荷分别存储至电容Cina和Cinb；

c.控制信号rst置为高电平，rd、int置为低电平，晶体管RSTa和RSTb导通，分别对浮动扩散点fda和fdb电压复位；控制信号sb置为低电平，将复位信号分别保存在电容Crsta和Crstb；

d.控制信号rd置为高电平，晶体管RDa和RDb导通，将电容Cina和Cinb中存储的电荷分别转移至浮动扩散点fda和fdb；控制信号sa置为低电平，将此时的信号电压分别保存在电容Csiga和Csigb中；

读取过程：

e.控制信号gs_sel置为高电平，行选择晶体管GS_Sa和GS_Sb导通，从输出列线pixa和pixb分别读取此时的电压信号Va0和Vb0；

f.控制信号sb置为高电平，将电容Csiga和Csigb中存储的信号电荷分别与Crsta和Crstb中存储的电荷重新分配；

g.从输出列线pixa和pixb分别读取此时的电压信号Va1和Vb1；

通常情况下，复位信号存储电容Crst等于图像信号存储电容Csig，即Crst＝Csig；分别对Va1和Va0，Vb1和Vb0进行运算，可得到Va＝Va1-Va0，Vb＝Vb1-Vb0。

如果信号源脉冲的宽度为T，则光源在空中飞行的时间为Ttof＝T*Vb/(Va+Vb)，因此物体距离像素阵列的距离d＝Ttof/2*C＝1/2*C*T*Vb/(Va+Vb)，其中C为光在真空中的传播速度。

本实施例中，图5及图6中的gs_txa和gs_txb的阴影部分表示有效的电荷累积时域。

在实施列二中，信号存储控制单元分别包括第一信号存储控制晶体管INa及INb和第二信号存储控制晶体管RDa及RDb。以第一读取电路为例，第一信号存储控制晶体管INa连接在传输晶体管TXa和第二信号存储控制晶体管RDa之间，第二信号存储控制晶体管RDa连接到浮动扩散点fda。这种设置方式能形成电容Cina与其他电路的隔离，减少电路中漏电流。将信号存储控制单元的电容与电路中其他电容的隔离，电路的等效电容小，速度也会加快。

图7是本发明提供的实施例三的TOF像素电路结构图。信号存储控制单元分别包括第一信号存储控制晶体管INa和INb、第二信号存储控制晶体管RDa和RDb以及电容Cina和Cinb。与实施例一和实施例二不同，以第一读取电路为例，所述第一信号存储控制晶体管INa连接在感光控制单元的传输晶体管TXa输出端和电容Cina之间，第二信号存储控制晶体管RDa连接到感光控制单元的传输晶体管TXa输出端和浮动扩散点fda之间。电容Cina另一端连接到指定电压Vrm。

图8是实施例三的滚动曝光模式的TOF像素电路的工作时序图。如图中所示：

a.对电路进行初始化；

b.打开光源脉冲，对光电二极管PD进行曝光；根据控制信号gs_txa和gs_txb，晶体管TXa和TXb以π相位差导通，将光电二极管PD累积的电荷分别转移至第一读取电路及第二读取电路的信号存储控制单元，信号int为高电平，电荷分别转移到电容Cina和Cinb；

读取过程：

c.控制信号rs_sel置为高电平，晶体管RS_Sa和RS_Sb导通，控制信号rd和rst置为高电平，晶体管RDa、RDb及RSTa、RSTb导通，对浮动扩散点fda和fdb电压进行复位；

d.从输出列线pixa和pixb分别读取此时的初始信号电压Va0和Vb0；

e.控制信号int置为高电平，将电容Cina和Cinb中存储的电荷分别转移到浮动扩散点fda和fdb；

f.从输出列线pixa和pixb分别读取此时的电压信号Va1和Vb1；

分别对Va1和Va0，Vb1和Vb0进行相关运算，得到Va＝Va1-Va0，Vb＝Vb1-Vb0。如果信号源脉冲宽度为T，则光源在空中飞行的时间为Ttof＝T*Vb/(Va+Vb)，因此目标物体距离像素阵列的距离为d＝Ttof/2*C＝1/2*C*T*Vb/(Va+Vb)，其中C为光在真空中的传播速度。

图9为实施例三的全局曝光模式的TOF像素电路的工作时序图。工作过程如图中所示：

a.对电路进行初始化；

曝光过程：

b.打开光源脉冲，对光电二极管PD进行曝光；根据控制信号gs_txa和gs_txb，晶体管TXa和TXb以π相位差导通，将光电二极管PD累积的电荷分别转移至第一读取电路及第二读取电路的信号存储控制单元，控制信号int为高电平，晶体管INTa和INTb导通，电荷分别存储至电容Cina和Cinb；

存储过程：

c.控制信号rst、rd、sa置为高电平，int置为低电平，对浮动扩散点fda和fdb的电压进行复位；控制信号sb置为低电平，将复位信号分别保存到电容Crsta和Crstb；

d.控制信号int置为高电平，晶体管INa和INb导通，电容Cina和Cinb中存储的电荷分别转移至浮动扩散点fda和fdb；控制信号sa置为低电平，将此时的信号电压保存到Csiga和Csigb；

读取过程：

e.控制信号gs_sel置为高电平，行选择晶体管GS_Sa和GS_Sb导通，从输出列线pixa和pixb分别读取此时的电压信号Va0和Vb0；

f.控制信号sb置为高电平，将电容Csiga和Csigb中存储的信号电荷分别与Crsta和Crstb中存储的电荷重新分配；

g.从输出列线pixa和pixb分别读取此时的电压信号Va1和Vb1；

通常情况下，复位信号存储电容Crst等于图像信号存储电容Csig，即Crst＝Csig；分别对Va1和Va0，Vb1和Vb0进行运算，可得到Va＝Va1-Va0，Vb＝Vb1-Vb0。

如果信号源脉冲的宽度为T，则光源在空中飞行的时间为Ttof＝T*Vb/(Va+Vb)，因此物体距离像素阵列的距离d＝Ttof/2*C＝1/2*C*T*Vb/(Va+Vb)，其中C为光在真空中的传播速度。

实施例三中，第一信号晶体管INa和INb，第二信号存储控制晶体管RDa和RDb可减少信号存储单元电容Cina和Cinb与其他电路的接触，起到隔离的作用。能有效减少电路中的漏电流，将信号存储控制单元电容Cina和Cinb与电路中其他电容进行隔离，等效电容小，电路速度也会加快。

本实施例中，图8及图9中gs_txa和gs_txb的阴影区域表示有效的电荷累积时域。

图10为本发明所提出的可支持滚动曝光和全局曝光模式的TOF的像素电路的测距系统基本框图。如图中所示，该测距系统包括TOF图像传感器，可调制光源，及控制及信号处理单元。

TOF图像传感器，该图像传感器为包含本发明上述多个实施例中任一实施例所提出的TOF像素阵列的传感装置。其感应光照强度并将光信号量化为数字信号。该图像传感器电路产生调制信号，一方面用于控制TOF像素阵列的曝光过程，另一方面将调制信号发送至可调制光源，产生调制光源信号。TOF图像传感器还包含信号相位锁定模块，可以将产生的调制信号和可调制光源反馈的信号进行相位调整和锁定。

可调制光源，接收调制信号后，产生调制光信号，并将接收到的调制信号反馈至TOF图像传感器。

控制及信号处理单元，控制整个测距系统工作过程，并处理由TOF图像传感器获取的图像数据。

本发明提出的测距系统，不但可应用于获取高精度的图像，还可实现对物体识别、障碍检测等功能。且TOF的深度计算不受目标物体表面灰度和特征影响，可以非常准确的进行目标三维图像的探测。

本发明所保护的内容包含但不限于本专利中提出的几个实施例内容。本领域技术人员根据本发明实施例做出的相应修订或修改均属于本发明所保护的范围。

Claims (42)

1.一种TOF像素电路，其特征在于，所述像素电路包括：

感光控制单元，包括光电二极管及传输晶体管，所述光电二极管用于累积光电效应产生的电荷以响应入射光；所述传输晶体管为两个，分别连接到所述光电二极管，用于在曝光时根据传输控制信号分别将所述光电二极管产生的电荷转移输出；

第一读取电路和第二读取电路，分别连接到所述感光控制单元，所述第一读取电路及第二读取电路分别包括：

复位晶体管，连接于第一电压源和浮动扩散点之间，根据复位控制信号重置所述浮动扩散点电压；

信号存储控制单元，包括一个或多个信号存储控制晶体管以及电容，用于将所述光电二极管光电效应产生的电荷进行存储，其中，所述电容的一端连接到指定电压，另一端连接一信号存储控制晶体管，且与所述电容相连的所述信号存储控制晶体管的另一端连所述传输晶体管的输出端；

第一输出单元，所述第一输出单元连接到所述浮动扩散点，用于对所述浮动扩散点的电压信号放大并输出至列线；

其中，所述第一读取电路和第二读取电路为对称电路，且共享所述感光控制单元；所述第一读取电路和第二读取电路分别通过一个所述传输晶体管连接到所述光电二极管。

2.根据权利要求1所述的TOF像素电路，其特征在于，所述信号存储控制单元包括一个信号存储控制晶体管和一个电容，所述信号存储控制晶体管连接在所述浮动扩散点和所述电容之间，所述电容另一端连接到指定电压。

3.根据权利要求1所述的TOF像素电路，其特征在于，所述信号存储控制单元包括两个信号存储控制晶体管和一个电容，第一信号存储控制晶体管连接在所述感光控制单元的输出端和第二信号存储控制晶体管之间；所述第二信号存储控制晶体管连接到所述浮动扩散点；所述电容一端连接到所述第一信号存储控制晶体管和所述第二信号存储控制晶体管的连接点，另一端连接到指定电压。

4.根据权利要求1所述的TOF像素电路，其特征在于，所述信号存储控制单元包括两个信号存储控制晶体管和一个电容，第一信号存储控制晶体管连接在所述感光控制单元的输出端和所述电容之间，所述电容另一端连接到指定电压；第二信号存储控制晶体管连接在所述感光控制单元的输出端和所述浮动扩散点之间。

5.根据权利要求1所述的TOF像素电路，其特征在于，所述第一输出单元包括源极跟随晶体管和行选择晶体管，所述源极跟随晶体管的栅极连接到所述浮动扩散点，其漏极连接到第二电压源；其源极输出端通过所述行选择晶体管连接至列线。

6.根据权利要求1，2，3，4或5所述的TOF像素电路，其特征在于，所述第一读取电路及第二读取电路分别包括全局曝光传输单元，连接在所述第一输出单元的源极跟随晶体管源极输出端和列线之间，用于在全局曝光模式中对信号进行存储、读取和输出。

7.根据权利要求6所述的TOF像素电路，其特征在于，所述全局曝光传输单元包括全局曝光存储单元和第二输出单元。

8.根据权利要求7所述的TOF像素电路，其特征在于，所述全局曝光存储单元包括第一全局曝光传输控制晶体管、图像信号存储电容、第二全局曝光传输控制晶体管及复位信号存储电容，所述第一全局曝光传输控制晶体管连接到所述第一输出单元的源极跟随晶体管的源极输出端和所述第二全局曝光传输控制晶体管之间；所述第二全局曝光传输控制晶体管连接到所述第二输出单元；所述图像信号存储电容一端连接到所述第一全局曝光传输控制晶体管和所述第二全局曝光传输控制晶体管的连接点，另一端连接地端；所述复位信号存储电容一端连接到所述第二全局曝光传输控制晶体管和所述第二输出单元的连接点，另一端连接地端。

9.根据权利要求7所述的TOF像素电路，其特征在于，所述第二输出单元包括源极跟随晶体管和行选择晶体管，连接在所述全局曝光存储单元和列线之间，用于对所述全局曝光存储单元的信号放大输出；所述源极跟随晶体管的栅极连接到所述全局曝光存储单元的输出端，其漏极连接到第三电压源；其源极输出端经所述行选择晶体管连接至列线。

10.根据权利要求1或5所述的TOF像素电路，其特征在于，所述第一电压源及第二电压源为可变电压源。

11.根据权利要求1或8所述的TOF像素电路，其特征在于，所述电容为寄生电容、Poly电容、MIM电容、MOM电容或MOS电容。

12.一种测距系统，其特征在于，所述测距系统包括：

TOF图像传感器，所述TOF图像传感器包括排成行和列的TOF像素电路阵列，每个像素电路包括：

感光控制单元，包括光电二极管及传输晶体管，所述光电二极管用于累积光电效应产生的电荷以响应入射光；所述传输晶体管为两个，分别连接到所述光电二极管，用于在曝光时根据传输控制信号分别将所述光电二极管产生的电荷转移输出；

第一读取电路和第二读取电路，分别连接到所述感光控制单元，所述第一读取电路及第二读取电路分别包括：

复位晶体管，连接于第一电压源和浮动扩散点之间，根据复位控制信号重置所述浮动扩散点电压；

信号存储控制单元，包括一个或多个信号存储控制晶体管以及电容，用于将所述光电二极管光电效应产生的电荷进行存储，其中，所述电容的一端连接到指定电压，另一端连接一信号存储控制晶体管，且与所述电容相连的所述信号存储控制晶体管的另一端连所述传输晶体管的输出端；

第一输出单元，所述第一输出单元连接到所述浮动扩散点，用于对所述浮动扩散点的电压信号放大输出至列线；

其中，所述第一读取电路和第二读取电路为对称电路，且共享所述感光控制单元；所述第一读取电路和第二读取电路分别通过一个所述传输晶体管连接到所述光电二极管；

控制信号处理单元，用于控制系统工作过程并处理所述TOF像素电路阵列获取的图像数据；

可调制光源，用于接受调制信号后产生调制光信号，并将接收到的调制信号反馈至所述TOF像素电路阵列。

13.根据权利要求12所述的测距系统，其特征在于，所述TOF图像传感器包括相位锁定模块，用于将所述调制信号和所述可调制光源反馈的信号进行相位调整和锁定。

14.根据权利要求12所述的测距系统，其特征在于，所述信号存储控制单元包括一个信号存储控制晶体管和一个电容，所述信号存储控制晶体管连接在所述浮动扩散点和所述电容之间，所述电容另一端连接到指定电压。

15.根据权利要求12所述的测距系统，其特征在于，所述信号存储控制单元包括两个信号存储控制晶体管和一个电容，第一信号存储控制晶体管连接在所述感光控制单元的输出端和第二信号存储控制晶体管之间；所述第二信号存储控制晶体管连接到所述浮动扩散点；所述电容一端连接到所述第一信号存储控制晶体管和所述第二信号存储控制晶体管的连接点，另一端连接到指定电压。

16.根据权利要求12所述的测距系统，其特征在于，所述信号存储控制单元包括两个信号存储控制晶体管和一个电容，第一信号存储控制晶体管连接在所述感光控制单元的输出端和所述电容之间，所述电容另一端连接到指定电压；第二信号存储控制晶体管连接在所述感光控制单元的输出端和所述浮动扩散点之间。

17.根据权利要求12所述的测距系统，其特征在于，所述第一输出单元包括源极跟随晶体管和行选择晶体管，所述源极跟随晶体管的栅极连接到所述浮动扩散点，其漏极连接到第二电压源；其源极输出端经所述行选择晶体管连接至列线。

18.根据权利要求12，14，15，16或17所述的测距系统，其特征在于，所述第一读取电路及第二读取电路分别包括全局曝光传输单元，连接在所述第一输出单元的源极跟随晶体管源极输出端和列线之间，用于在全局曝光模式中对信号进行存储、读取和输出。

19.根据权利要求18所述的测距系统，其特征在于，所述全局曝光传输单元包括全局曝光存储单元和第二输出单元。

20.根据权利要求19所述的测距系统，其特征在于，所述全局曝光存储单元包括第一全局曝光传输控制晶体管、图像信号存储电容、第二全局曝光传输控制晶体管及复位信号存储电容，所述第一全局曝光传输控制晶体管连接到所述第一输出单元的源极跟随晶体管的源极输出端和所述第二全局曝光传输控制晶体管之间；所述第二全局曝光传输控制晶体管连接到所述第二输出单元；所述图像信号存储电容一端连接到所述第一全局曝光传输控制晶体管和所述第二全局曝光传输控制晶体管的连接点，另一端连接地端；所述复位信号存储电容一端连接到所述第二全局曝光传输控制晶体管和所述第二输出单元的连接点，另一端连接地端。

21.根据权利要求19所述的测距系统，其特征在于，所述第二输出单元包括源极跟随晶体管和行选择晶体管，连接在所述全局曝光存储单元和列线之间，用于对所述全局曝光存储单元的信号放大输出；所述源极跟随晶体管的栅极连接到所述全局曝光存储单元的输出端，其漏极连接到第三电压源；其源极输出端经所述行选择晶体管连接至列线。

22.根据权利要求12或20所述的测距系统，其特征在于，所述电容为寄生电容、Poly电容、MIM电容、MOM电容或MOS电容。

23.一种TOF像素电路，其特征在于，所述像素电路包括：

感光控制单元，包括光电二极管及传输晶体管，所述光电二极管用于累积光电效应产生的电荷以响应入射光；所述传输晶体管为两个，分别连接到所述光电二极管，用于在曝光时根据传输控制信号分别将所述光电二极管产生的电荷转移输出；

第一读取电路和第二读取电路，分别连接到所述感光控制单元，所述第一读取电路及第二读取电路分别包括：

复位晶体管，连接于第一电压源和浮动扩散点之间，根据复位控制信号重置所述浮动扩散点电压；

信号存储控制单元，包括一个或多个信号存储控制晶体管以及电容，用于将所述光电二极管光电效应产生的电荷进行存储；

第一输出单元，所述第一输出单元连接到所述浮动扩散点，用于对所述浮动扩散点的电压信号放大并输出至列线；

其中，所述第一读取电路和第二读取电路为对称电路，且共享所述感光控制单元；所述第一读取电路和第二读取电路分别通过一个所述传输晶体管连接到所述光电二极管；

其中，所述第一读取电路及第二读取电路分别包括全局曝光传输单元，连接在所述第一输出单元的源极跟随晶体管源极输出端和列线之间，用于在全局曝光模式中对信号进行存储、读取和输出。

24.根据权利要求23所述的TOF像素电路，其特征在于，所述信号存储控制单元包括一个信号存储控制晶体管和一个电容，所述信号存储控制晶体管连接在所述浮动扩散点和所述电容之间，所述电容另一端连接到指定电压。

25.根据权利要求23所述的TOF像素电路，其特征在于，所述信号存储控制单元包括两个信号存储控制晶体管和一个电容，第一信号存储控制晶体管连接在所述感光控制单元的输出端和第二信号存储控制晶体管之间；所述第二信号存储控制晶体管连接到所述浮动扩散点；所述电容一端连接到所述第一信号存储控制晶体管和所述第二信号存储控制晶体管的连接点，另一端连接到指定电压。

26.根据权利要求23所述的TOF像素电路，其特征在于，所述信号存储控制单元包括两个信号存储控制晶体管和一个电容，第一信号存储控制晶体管连接在所述感光控制单元的输出端和所述电容之间，所述电容另一端连接到指定电压；第二信号存储控制晶体管连接在所述感光控制单元的输出端和所述浮动扩散点之间。

27.根据权利要求23所述的TOF像素电路，其特征在于，所述第一输出单元包括源极跟随晶体管和行选择晶体管，所述源极跟随晶体管的栅极连接到所述浮动扩散点，其漏极连接到第二电压源；其源极输出端通过所述行选择晶体管连接至列线。

28.根据权利要求23所述的TOF像素电路，其特征在于，所述全局曝光传输单元包括全局曝光存储单元和第二输出单元。

29.根据权利要求28所述的TOF像素电路，其特征在于，所述全局曝光存储单元包括第一全局曝光传输控制晶体管、图像信号存储电容、第二全局曝光传输控制晶体管及复位信号存储电容，所述第一全局曝光传输控制晶体管连接到所述第一输出单元的源极跟随晶体管的源极输出端和所述第二全局曝光传输控制晶体管之间；所述第二全局曝光传输控制晶体管连接到所述第二输出单元；所述图像信号存储电容一端连接到所述第一全局曝光传输控制晶体管和所述第二全局曝光传输控制晶体管的连接点，另一端连接地端；所述复位信号存储电容一端连接到所述第二全局曝光传输控制晶体管和所述第二输出单元的连接点，另一端连接地端。

30.根据权利要求28所述的TOF像素电路，其特征在于，所述第二输出单元包括源极跟随晶体管和行选择晶体管，连接在所述全局曝光存储单元和列线之间，用于对所述全局曝光存储单元的信号放大输出；所述源极跟随晶体管的栅极连接到所述全局曝光存储单元的输出端，其漏极连接到第三电压源；其源极输出端经所述行选择晶体管连接至列线。

31.根据权利要求23或27所述的TOF像素电路，其特征在于，所述第一电压源及第二电压源为可变电压源。

32.根据权利要求23或29所述的TOF像素电路，其特征在于，所述电容为寄生电容、Poly电容、MIM电容、MOM电容或MOS电容。

33.一种测距系统，其特征在于，所述测距系统包括：

TOF图像传感器，所述TOF图像传感器包括排成行和列的TOF像素电路阵列，每个像素电路包括：

感光控制单元，包括光电二极管及传输晶体管，所述光电二极管用于累积光电效应产生的电荷以响应入射光；所述传输晶体管为两个，分别连接到所述光电二极管，用于在曝光时根据传输控制信号分别将所述光电二极管产生的电荷转移输出；

第一读取电路和第二读取电路，分别连接到所述感光控制单元，所述第一读取电路及第二读取电路分别包括：

复位晶体管，连接于第一电压源和浮动扩散点之间，根据复位控制信号重置所述浮动扩散点电压；

信号存储控制单元，包括一个或多个信号存储控制晶体管以及电容，用于将所述光电二极管光电效应产生的电荷进行存储；

第一输出单元，所述第一输出单元连接到所述浮动扩散点，用于对所述浮动扩散点的电压信号放大输出至列线；

其中，所述第一读取电路和第二读取电路为对称电路，且共享所述感光控制单元；所述第一读取电路和第二读取电路分别通过一个所述传输晶体管连接到所述光电二极管；

控制信号处理单元，用于控制系统工作过程并处理所述TOF像素电路阵列获取的图像数据；

可调制光源，用于接受调制信号后产生调制光信号，并将接收到的调制信号反馈至所述TOF像素电路阵列；

其中，所述第一读取电路及第二读取电路分别包括全局曝光传输单元，连接在所述第一输出单元的源极跟随晶体管源极输出端和列线之间，用于在全局曝光模式中对信号进行存储、读取和输出。

34.根据权利要求33所述的测距系统，其特征在于，所述TOF图像传感器包括相位锁定模块，用于将所述调制信号和所述可调制光源反馈的信号进行相位调整和锁定。

35.根据权利要求33所述的测距系统，其特征在于，所述信号存储控制单元包括一个信号存储控制晶体管和一个电容，所述信号存储控制晶体管连接在所述浮动扩散点和所述电容之间，所述电容另一端连接到指定电压。

36.根据权利要求33所述的测距系统，其特征在于，所述信号存储控制单元包括两个信号存储控制晶体管和一个电容，第一信号存储控制晶体管连接在所述感光控制单元的输出端和第二信号存储控制晶体管之间；所述第二信号存储控制晶体管连接到所述浮动扩散点；所述电容一端连接到所述第一信号存储控制晶体管和所述第二信号存储控制晶体管的连接点，另一端连接到指定电压。

37.根据权利要求33所述的测距系统，其特征在于，所述信号存储控制单元包括两个信号存储控制晶体管和一个电容，第一信号存储控制晶体管连接在所述感光控制单元的输出端和所述电容之间，所述电容另一端连接到指定电压；第二信号存储控制晶体管连接在所述感光控制单元的输出端和所述浮动扩散点之间。

38.根据权利要求33所述的测距系统，其特征在于，所述第一输出单元包括源极跟随晶体管和行选择晶体管，所述源极跟随晶体管的栅极连接到所述浮动扩散点，其漏极连接到第二电压源；其源极输出端经所述行选择晶体管连接至列线。

39.根据权利要求33所述的测距系统，其特征在于，所述全局曝光传输单元包括全局曝光存储单元和第二输出单元。

40.根据权利要求39所述的测距系统，其特征在于，所述全局曝光存储单元包括第一全局曝光传输控制晶体管、图像信号存储电容、第二全局曝光传输控制晶体管及复位信号存储电容，所述第一全局曝光传输控制晶体管连接到所述第一输出单元的源极跟随晶体管的源极输出端和所述第二全局曝光传输控制晶体管之间；所述第二全局曝光传输控制晶体管连接到所述第二输出单元；所述图像信号存储电容一端连接到所述第一全局曝光传输控制晶体管和所述第二全局曝光传输控制晶体管的连接点，另一端连接地端；所述复位信号存储电容一端连接到所述第二全局曝光传输控制晶体管和所述第二输出单元的连接点，另一端连接地端。

41.根据权利要求39所述的测距系统，其特征在于，所述第二输出单元包括源极跟随晶体管和行选择晶体管，连接在所述全局曝光存储单元和列线之间，用于对所述全局曝光存储单元的信号放大输出；所述源极跟随晶体管的栅极连接到所述全局曝光存储单元的输出端，其漏极连接到第三电压源；其源极输出端经所述行选择晶体管连接至列线。

42.根据权利要求33或40所述的测距系统，其特征在于，所述电容为寄生电容、Poly电容、MIM电容、MOM电容或MOS电容。

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