CN110416259A - 用于显示静态图案的显示装置以及其制作方法与礼盒 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 6
- 230000003068 static effect Effects 0.000 title description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 88
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 221
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 26
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 10
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 10
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 8
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 7
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000011505 plaster Substances 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 3
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N gadolinium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Gd+3].[Gd+3] CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 claims description 2
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000001755 vocal effect Effects 0.000 claims description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001938 gadolinium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229940075613 gadolinium oxide Drugs 0.000 claims 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- -1 ITO) Chemical compound 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000009975 flexible effect Effects 0.000 description 2
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 229910002370 SrTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- RQIPKMUHKBASFK-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Zn+2].[Ge+2].[In+3] Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Ge+2].[In+3] RQIPKMUHKBASFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- UBEWDCMIDFGDOO-UHFFFAOYSA-N cobalt(2+);cobalt(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Co+2].[Co+3].[Co+3] UBEWDCMIDFGDOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010147 laser engraving Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
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Abstract
本发明提供一种用以显示第一图案的显示装置以及其制作方法与应用其的礼盒。显示装置包括基板以及设置于基板上的发光二极管。发光二极管包括第一电极、透明绝缘图案层、发光层以及第二电极。透明绝缘图案层设置于第一电极上，其中透明绝缘图案层具有一厚度，小于或等于100纳米，且透明绝缘图案层具有一第二图案，与第一图案互补。发光层覆盖于透明绝缘图案层与第一电极上，且发光层电连接第一电极。第二电极设置于发光层上。该显示装置可具有可切换图案显示模式与无图案模式。
Description
技术领域
本发明是关于一种用于显示静态图案的显示装置以及其制作方法与礼盒，尤指一种可切换图案显示模式与无图案模式的显示装置以及其制作方法与应用显示装置的礼盒。
背景技术
传统显示装置为了依据需求显示出图案，因此包含有主动阵列电路以及多个像素，以通过主动阵列电路控制像素的显示。然而，针对显示特定图案的需求而言，例如名片或展示解说牌，传统显示装置虽然可显示出特定图案，以满足此需求，但其成本过高，甚至远超过产品原有的价格，故传统显示装置并不会应用至这些需求中。目前针对显示特定图案的需求，一般仅以已印刷有图案的纸张来满足，虽然可显示出所需的图案，但使用者可直接看到图案，也就是纸张并无法在不同的状态进行切换，因此限制了此纸张的应用范围，进而无法提供使用者有更广泛的需求。
发明内容
本发明的目的之一在于提供一种用于显示静态图案的显示装置、其制作方法与礼盒，以降低成本，并提升显示装置的应用范围。
本发明的一实施例提供一种显示装置，用以显示第一图案。显示装置包括基板以及发光二极管。发光二极管设置于基板上，并包括第一电极、透明绝缘图案层、发光层以及第二电极。透明绝缘图案层设置于第一电极上，其中透明绝缘图案层具有一厚度，小于或等于100纳米，且透明绝缘图案层具有一第二图案，与第一图案互补。发光层覆盖于透明绝缘图案层上，且发光层电连接第一电极。第二电极设置于发光层上。
本发明的另一实施例提供一种用以显示出第一图案的显示装置的制作方法。首先，提供一基板以及一第一电极，其中第一电极形成于基板上。之后，于第一电极上形成一透明绝缘图案层，其中透明绝缘图案层具有一厚度，小于或等于100纳米，且透明绝缘图案层具有一第二图案，与第一图案互补。接着，形成发光层覆盖于透明绝缘图案层与第一电极上，其中发光层电连接第一电极。然后，于发光层上形成一第二电极，以形成一发光二极管。
本发明的又一实施例提供一种礼盒，其包括一开口以及一显示装置。显示装置覆盖开口，并用以显示一第一图案，且显示装置包括基板以及发光二极管。发光二极管设置于基板上，并包括第一电极、透明绝缘图案层、发光层以及第二电极。透明绝缘图案层设置于第一电极上，其中透明绝缘图案层具有一厚度，小于或等于100纳米，且透明绝缘图案层具有一第二图案，与第一图案互补。发光层覆盖于透明绝缘图案层上，且发光层电连接第一电极。第二电极设置于发光层上。
于本发明的显示装置的制作方法中，通过原子层沉积工艺、溅镀工艺或电子束蒸镀工艺形成厚度小于或等于100纳米的透明绝缘图案层，可使透明绝缘图案层达到绝缘的效果，因此显示装置可具有可切换图案显示模式与无图案模式的功用。再者，通过将透明绝缘图案层的厚度降低至小于或等于50纳米，还可降低透明绝缘图案层的可视度，以提升显示装置的透明度。
为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1至图7绘示本发明第一实施例的显示装置的制作方法示意图。
图8为利用原子层沉积工艺所形成的透明绝缘层与基板的穿透度与波长的关系示意图。
图9为利用溅镀工艺所形成的透明绝缘层与基板的穿透度与波长的关系示意图。
图10为利用电子束蒸镀工艺所形成的透明绝缘层与基板的穿透度与波长的关系示意图。
图11与图12绘示本发明第二实施例的显示装置的制作方法示意图。
图13绘示本发明第三实施例的显示装置的制作方法示意图。
图14绘示本发明第四实施例的礼盒在上盖合上时的侧视示意图。
图15绘示本发明第四实施例的礼盒在上盖掀开时的侧视示意图。
附图标号：
100、404 显示装置； 102 基板；
104 第一电极； 106 透明绝缘图案层；
106a 透明绝缘层； 108 牺牲图案层；
108a 牺牲层； 110 注入层；
112 发光层； 114 第二电极；
116 保护层； 302 网版；
LD 发光二极管； P1 第一图案；
P2 第二图案； P3、P4 图案；
PW 电源； OP1 第一开口；
OP2 第二开口； OP3 第三开口；
S1 第一表面； S2 第二表面；
L1、L2、L3、L4 曲线； LB1、LB2 光线；
400 礼盒； 402 开口；
406 盒体； 408 上盖；
406R 凹槽； 410 连接转轴；
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图1至图7绘示本发明第一实施例的显示装置的制作方法示意图，其中图6为本发明第一实施例的显示装置的剖视示意图，图7为本发明第一实施例的显示装置的俯视示意图。本发明的显示装置100用于显示静态且具有涵义的一第一图案P1，如图7所示。举例来说，第一图案P1可包括文字描述、徽章图案或商标图案，但不以此为限。本实施例的显示装置100的制作方法包含以下步骤。如图1所示，首先提供一基板102以及一第一电极104，其中第一电极104形成于基板102上。基板102用于承载后续步骤所形成的元件，且基板102可为硬质基板或可挠性基板。硬质基板可例如玻璃、塑胶、石英、蓝宝石或其他适合的材料。可挠性基板可例如包括聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二脂(PET)或其他适合的材料中的至少一种。第一电极104可包括透明导电材料。透明导电材料例如包括透明金属氧化物材料或具有薄厚度的金属材料，其中透明金属氧化物材料包括例如铟锡氧化物(indium tin oxide,ITO)、铟锌氧化物(indium zinc oxide,IZO)、锑锡氧化物(antimony tin oxide,ATO)、铝锌氧化物(aluminum zinc oxide,AZO)、铟锗锌氧化物(indium gallium zinc oxide,IGZO)、其他适合的氧化物或上述至少两者的组合或堆迭，金属材料的厚度可例如小于100纳米，使金属材料呈现透明状态，但不限于此。于一实施例中，基板102可在形成有第一电极104之后再切割至符合需求的尺寸，但不限于此。
接下来，于第一电极104上形成一透明绝缘图案层106。本实施例形成透明绝缘图案层106详细说明如下，但不以此为限。首先于第一电极104上形成一牺牲层108a。牺牲层108a可例如包括光致抗蚀剂材料或胶布，但不以此为限。然后，对牺牲层108a进行一图案化工艺，以于第一电极104上形成一牺牲图案层108，并曝露出第一电极104。牺牲图案层108可具有一图案P3，与显示装置100欲显示出的第一图案P1相同。于本实施例中，图案化工艺可包括光刻工艺(photolithographic process)，但不限于此。具体来说，如图2所示，可先通过曝光(exposure)工艺搭配掩膜PM，使部分牺牲层108a不易溶解于显影液或易于溶解于显影液。以牺牲层108a为负型光致抗蚀剂材料为例来说，掩膜PM可具有与显示装置100欲显示出的第一图案P1相同的图案，通过光源的光线LB1经过掩膜PM而成为具有图案的光线LB2，并将其照射在牺牲层108a上，使得牺牲层108a具有图案P3的部分被强化而不易溶解于显影液。因此，如图3所示，在曝光工艺之后，对牺牲层108a进行显影(development)工艺，以移除未被光线照射的部分，进而形成牺牲图案层108。详细来说，牺牲图案层108可具有至少一第一开口OP1，且第一开口OP1曝露出位于牺牲图案层108下的第一电极104，并可具有与图案P3互补的图案P4。于另一实施例中，图案化工艺也可为压印(imprint)工艺。于又一实施例中，图案化工艺也可包括激光刻蚀工艺，以直接利用激光移除具有图案P4的部分牺牲层108，进而形成具有图案P3的牺牲图案层108。
如图4所示，在形成牺牲图案层108之后，于牺牲图案层108与曝露出的第一电极104上形成一透明绝缘层106a。于本实施例中，形成透明绝缘层106a可例如包括原子层沉积工艺(atomic layer deposition process)、溅镀工艺(sputter process)或电子束蒸镀工艺(electron gun evaporation process)。值得一提的是，当牺牲图案层108包括光致抗蚀剂材料时，为了避免高温对牺牲图案层108中的光致抗蚀剂材料产生交叉链接(cross-link)，而造成光致抗蚀剂材料在后续的工艺中不易移除，原子层沉积工艺的温度可小于150℃。
如图5所示，随后移除牺牲图案层108与位于牺牲图案层108上的透明绝缘层106a，以于第一电极104上形成透明绝缘图案层106。以牺牲层108a为光致抗蚀剂材料为例，移除牺牲图案层108的步骤可称为举离(lift-off)工艺，但本发明不限于此。于另一实施例中，当牺牲层108a为胶布时，可直接通过撕离胶布，以形成透明绝缘图案层106，并曝露出第一电极104。由于牺牲图案层108具有与显示装置100欲显示出的第一图案P1相同的图案P3，因此通过移除牺牲图案层108所形成的透明绝缘图案层106可具有与第一图案P1互补的第二图案P2，以及具有第一图案P1的至少一第二开口OP2，其中第二开口OP2曝露出第一电极104。透明绝缘图案层106可例如包括氧化铝(Al2O3)、氧化鋡(HfO2)、氧化硅(SiO2)、氧化钛(TiO2)、钛酸锶(SrTiO3)、氧化钽(Ta2O5)、氧化钆(Gd2O3)、氧化锆(ZrO2)、氧化镓(Ga2O3)、氧化钒(V2O5)、氧化钴(Co3O4)、氧化锌(ZnO)、掺杂铝的氧化锌(ZnO:Al)、掺杂硼的氧化锌(ZnO:B)、掺杂氢的氧化铟(In2O3:H)、氧化钨(WO3)、氧化钼(MoO3)、氧化铌(Nb2O5)、氧化镍(NiO)、氧化镁(MgO)、氧化钌(RuO2)或上述任两者的结合。
如图6与图7所示，在形成透明绝缘图案层106之后，形成一发光层112覆盖于透明绝缘图案层106与第一电极104上。由于透明绝缘图案层106曝露出第一电极104，因此所形成的发光层112可通过第二开口OP2电连接第一电极104。然后，于发光层112上形成一第二电极114，以形成发光二极管LD。发光二极管LD可例如有机发光二极管、量子点发光二极管、其他类型发光二极管或上述至少一类型的多个堆迭。当发光二极管LD为有机发光二极管时，发光层112包括有机发光材料。第一电极104与第二电极114可分别为阳极与阴极，或者两者可彼此互换。于本实施例中，发光二极管LD为透明，也就是说第一电极104与第二电极114可由透明导电材料所形成，例如金属氧化物或具有薄厚度的金属，因此发光二极管LD可分别从上下两侧射出光线(如图6的箭头所示)，让位于显示装置100两侧的使用者均可观看到第一图案P1。形成发光二极管LD的方法为本领域技术人员所熟知，因此本文省略相关描述。此外，本发明的第一开口OP1与第二开口OP2的数量与大小依据第一图案P1的样式来决定，因此图3与图4所示的第一开口OP1的数量与大小以及图5与图6所示的第二开口OP2的数量与大小仅为示意，并非用来限制本发明的范围。
于本实施例中，于形成透明绝缘图案层106与形成发光层112之间，可选择性另形成一注入层110覆盖于透明绝缘图案层106与第一电极104上。当第一电极104为阳极时，注入层110可为空穴注入层，以有助于将来自第一电极104的空穴注入至发光层112中。当第一电极104为阴极时，注入层110可为电子注入层，以有助于将来自第一电极104的电子注入至发光层112中。注入层110可通过第二开口OP2电连接或接触第一电极104。于另一实施例中，于形成发光层112与形成第二电极114之间，也可选择性形成另一注入层，于发光层112与第二电极114之间。当第二电极114为阳极时，此另一注入层可为空穴注入层。当第二电极114为阴极时，此另一注入层可为电子注入层。电子注入层可例如包括电子注入材料及/或电子传输材料，空穴注入层可例如包括空穴注入材料及/或空穴传输材料。于又一实施例中，形成透明绝缘图案层106与形成注入层110之间也可选择形成额外的透明导电层，但不以此为限。
于本实施例中，于形成发光二极管LD之后，可选择性于发光二极管LD上形成一保护层116，以形成本实施例的显示装置100。保护层116覆盖发光二极管LD，用以保护发光二极管LD，特别是当发光二极管LD为有机发光二极管时，保护层116可避免发光二极管LD受到湿气或氧气的破坏。举例而言，保护层116可包括有机材料、无机材料或有机材料与无机材料的堆迭。
于本实施例中，第二电极114与第一电极104分别为显示装置100的两电极端，用以电连接至一电源PW。当电源PW开启，第二电极114与第一电极104之间施加有电压时，显示装置100切换至图案显示模式，以显示出静态的第一图案P1。并且，通过透明绝缘图案层106的阻隔，电源所提供的电流必须流过第二开口OP2，因此发光二极管LD对应具有第一图案P1的第二开口OP2的部分才会产生光线，使得发光二极管LD显示出预先定义好的第一图案P1。藉此，显示装置100可分别从第一表面S1与第二表面S2显示出第一图案P1。由于本实施例的基板102、发光二极管LD与保护层116均为透明的，因此电源关闭时，显示装置100可为透明的显示装置，也就是在未施加电压于显示装置100时处于无图案模式，且呈现透明状态，使得使用者可观看到显示装置100后方的景象。由此可知，本实施例的显示装置100具有可切换图案显示模式与无图案模式的功用，因此可改善传统纸张的限制，并提升显示装置100的应用范围。举例来说，显示装置100可在使用者刚开始使用时处于无图案模式，而在使用者触发特定动作时显示装置100进行图案显示模式以显示出第一图案P1，如此可提升使用者的使用感受。并且，本实施例的显示装置100仅包含发光二极管LD，且通过提供发光二极管LD电压即可显示出第一图案P1，因此大大地降低显示装置100的成本以及操作的复杂度。显示装置100可例如为一名片、一展示解说牌、礼盒的上盖或其他适合的产品。
本发明的发光二极管并不以此为限。于另一实施例中，第一电极104可包括不透明导电材料，且第二电极114包括透明导电材料，因此发光二极管LD为单侧发光。于此情况下，显示装置100从其第一表面S1显示出第一图案P1。于又一实施例中，第一电极104可包括透明导电材料，且第二电极包括不透明导电材料，因此发光二极管LD亦为单侧发光。于此情况下，显示装置100从其第二表面S2显示出第一图案P1。
值得一提的是，由于透明绝缘图案层106的沉积品质与厚度决定透明绝缘图案层106是否会有漏电的问题，也就是决定发光二极管LD能否清楚显示出第一图案P1，因此本实施例形成透明绝缘层106a的方式是使用原子层沉积工艺、溅镀工艺或电子束蒸镀工艺，以维持透明绝缘图案层106的品质，且透明绝缘图案层106可具有一厚度，小于或等于100纳米。此外，于本实施例透明的显示装置100中，由于透明绝缘图案层106具有第二图案P2，因此显示装置100的透明度取决于透明绝缘图案层106的可视度。透明绝缘图案层106的厚度决定透明绝缘图案层106的可视度(visibility)，因此透明绝缘图案层106的厚度较佳可小于或等于50纳米，使得使用者不易从外观察觉透明绝缘图案层106，藉此可提升显示装置100的透明度。不过，透明绝缘图案层106的厚度亦会影响漏电，因此当透明绝缘图案层106的厚度越薄时，形成透明绝缘层106a的方式较佳使用原子层沉积工艺，以避免透明绝缘图案层106产生漏电，并维持透明绝缘图案层106的品质。举例来说，在使用原子层沉积工艺形成透明绝缘层106a的条件下，透明绝缘图案层106的厚度可小于或等于30纳米。
下文将进一步比较原子层沉积工艺、溅镀工艺与电子束蒸镀工艺所形成的透明绝缘图案层106的可视度。图8为利用原子层沉积工艺所形成的透明绝缘层与基板的穿透度与波长的关系示意图，图9为利用溅镀工艺所形成的透明绝缘层与基板的穿透度与波长的关系示意图，且图10为利用电子束蒸镀工艺所形成的透明绝缘层与基板的穿透度与波长的关系示意图，其中图8、图9与图10中的透明绝缘层106a的厚度以30纳米为例，且基板102以玻璃为例，但不以此为限。如图8、图9与图10所示，曲线L1代表基板102的穿透度与波长的关系曲线，曲线L2代表利用原子层沉积工艺所形成的透明绝缘层106a的穿透度与波长的关系曲线，曲线L3代表利用溅镀工艺所形成的透明绝缘层106a的穿透度与波长的关系曲线，且曲线L4代表利用电子束蒸镀工艺所形成的透明绝缘层106a的穿透度与波长的关系曲线。依据曲线L1、曲线L2、曲线L3与曲线L4，当所形成的透明绝缘层106a在厚度为30纳米时，通过原子层沉积工艺、溅镀工艺与电子束蒸镀工艺所形成的透明绝缘层106a的穿透度可接近基板102的穿透度，因此尽管透明绝缘图案层106具有第二开口OP2，但透明绝缘图案层106依然不易被使用者所观看到。值得说明的是，通过原子层沉积工艺、溅镀工艺与电子束蒸镀工艺所形成的透明绝缘层106在波长为550纳米时的穿透度可分别大于99％、98％与92％，且基板102在波长为550纳米时的穿透度可大于99％，因此透明绝缘图案层106较佳通过原子层沉积工艺形成。
图11与图12绘示本发明第二实施例的显示装置的制作方法示意图。本实施例的制作方法与上述第一实施例的制作方法的差异在于本实施例形成透明绝缘图案层106的方式是直接图案化透明绝缘层106a。具体来说，如图11所示，于提供基板102与第一电极104之后，直接于第一电极104上形成透明绝缘层106a。然后，如图12所示，对透明绝缘层106a进行图案化工艺，以于第一电极104上形成透明绝缘图案层106。于本实施例中，图案化工艺可例如包括激光雕刻工艺或光刻与刻蚀工艺，但不限于此。本实施例于形成透明绝缘图案层106之后的步骤与第一实施例相同，因此在此不多赘述。
图13绘示本发明第三实施例的显示装置的制作方法示意图。本实施例的制作方法与上述第一实施例的制作方法的差异在于本实施例形成透明绝缘图案层106的方式是利用网版印刷工艺。具体来说，如图13所示，在提供基板102与第一电极104之后，于第一电极104上设置具有与第一图案P1相同图案的网版302，其中网版302可具有至少一第三开口OP3，且第三开口OP3曝露出第一电极104，并可具有与第一图案P1互补的图案。然后，于曝露出的第一电极104与网版302上形成一透明绝缘层106a。本实施例形成透明绝缘层106a的方法可与第一实施例相同，因此不多赘述。接着，移除网版302与位于网版302上的透明绝缘层106a，以形成透明绝缘图案层106，如图6所示。本实施例于形成透明绝缘图案层106之后的步骤系与第一实施例相同，因此在此不多赘述。
本发明另提供一种应用上述任一实施例的显示装置的礼盒。图14绘示本发明第四实施例的礼盒在上盖合上时的侧视示意图，图15绘示本发明第四实施例的礼盒在上盖掀开时的侧视示意图。本实施例的礼盒400包括一开口402，且显示装置404可覆盖开口402，以在开口402处显示出第一图案P1。在本实施例中，礼盒400可包括一盒体406以及一上盖408，盒体406可包括多个侧墙以及一底部，且侧墙竖立于底部的边缘上，并依序连接，使侧墙与底部可构成一凹槽406R，用以容置一物件，例如礼物。此外，凹槽406R中亦可依据实际需求容置固定物件的固定结构或其他装饰物件。上盖408用以盖合凹槽406R，使礼盒400可完整保护物件。盒体406与上盖408可包括纸、塑料或其他适合的材料，且可由相同或不同的材料所构成。
本实施例的礼盒400可选择性另包括一连接转轴410，连接于上盖408的侧边与盒体406其中一侧墙的顶端之间，使上盖408可掀起或合上。于其他实施例中，上盖408与盒体406亦可为一体成型。
本实施例的上盖408可具有开口402，且显示装置404的边缘可镶嵌于上盖408的开口402的侧壁中，但本发明不限于此。依据实际的设计需求，显示装置404也可设置于上盖408面对凹槽406R的内侧上或上盖408的外侧上。于一些实施例中，开口402也可设置于盒体406的其中至少一侧墙或底部。于一些实施例中，显示装置404可为透明显示装置，以使位于礼盒400的外侧的使用者得以通过显示装置404观看到位于礼盒400内部中的物件。盒体406形状不限为立方体形状，可依据实际需求作对应调整。举例来说，盒体406形状也可为柱状体、球体、椭圆体或其他适合的形状。本实施例的显示装置404可适用上述任一实施例的显示装置。值得说明的是，本实施例的显示装置404可在上盖408合上时呈现透明状态，而不显示第一图案P1，且在上盖408掀开时显示出第一图案P1，以使收到礼盒的使用者不仅对礼物的好感之外，还可因第一图案P1的显示而感到惊喜，并可通过所显示的第一图案P1(例如文字描述)了解送礼者的心意。于一些实施例中，显示装置404显示第一图案的时间点可依实际需求而定，例如也可在上盖408合上时或使用者拿到礼盒时显示第一图案，而于掀开时呈现透明状态，但不以此为限。
综上所述，于本发明的显示装置的制作方法中，通过原子层沉积工艺、溅镀工艺或电子束蒸镀工艺形成厚度小于或等于100纳米的透明绝缘图案层，可使透明绝缘图案层达到绝缘的效果，因此显示装置可具有可切换图案显示模式与无图案模式的功用。再者，通过将透明绝缘图案层的厚度降低至小于或等于50纳米，还可降低透明绝缘图案层的可视度，以提升显示装置的透明度。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。
Claims (24)
1.一种显示装置，其特征在于，用以显示一第一图案，且所述显示装置包括：
一基板；以及
一发光二极管，设置于所述基板上，且所述发光二极管包括：
一第一电极；
一透明绝缘图案层，设置于所述第一电极上，其中所述透明绝缘图案层具有一厚度，小于或等于100纳米，且所述透明绝缘图案层具有一第二图案，与所述第一图案互补；
一发光层，覆盖于所述透明绝缘图案层与所述第一电极上，且所述发光层电连接所述第一电极；以及
一第二电极，设置于发光层上。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述透明绝缘图案层包括至少一开口，且所述发光层通过所述开口与所述第一电极电连接。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述至少一开口具有所述第一图案。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述发光二极管另包括一注入层，夹设于所述发光层与所述透明绝缘图案层之间。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述透明绝缘图案层的所述厚度小于或等于30纳米。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述透明绝缘图案层包括氧化铝、氧化鋡、氧化硅、氧化钛、钛酸锶、氧化钽、氧化钆、氧化锆、氧化镓、氧化钒、氧化钴、氧化锌、掺杂铝的氧化锌、掺杂硼的氧化锌、掺杂氢的氧化铟、氧化钨、氧化钼、氧化铌、氧化镍、氧化镁、氧化钌或上述任两者的结合。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，另包括一保护层，覆盖于所述发光二极管。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一图案包括文字描述、徽章图案或商标图案。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置为一名片或一展示解说牌。
10.一种显示装置的制作方法，其特征在于，所述显示装置用以显示出一第一图案，且所述制作方法包括：
提供一基板以及一第一电极，其中所述第一电极形成于所述基板上；
于所述第一电极上形成一透明绝缘图案层，其中所述透明绝缘图案层具有一厚度，小于或等于100纳米，且所述透明绝缘图案层具有一第二图案，与所述第一图案互补；
形成一发光层覆盖于所述透明绝缘图案层与所述第一电极上，其中所述发光层电连接所述第一电极；以及
于所述发光层上形成一第二电极，以形成一发光二极管。
11.根据权利要求10所述的显示装置的制作方法，其特征在于，形成所述透明绝缘图案层包括：
于所述第一电极上形成一牺牲层；
对所述牺牲层进行一图案化工艺，以形成一牺牲图案层，并曝露出所述第一电极，其中所述牺牲图案层具有所述第一图案；
于所述牺牲图案层与曝露出的所述第一电极上形成一透明绝缘层；以及
移除所述牺牲图案层与位于所述牺牲图案层上的所述透明绝缘层，以形成所述透明绝缘图案层。
12.根据权利要求11所述的显示装置的制作方法，其特征在于，所述牺牲层包括光致抗蚀剂材料或胶布。
13.根据权利要求11所述的显示装置的制作方法，其特征在于，图案化所述牺牲层包括光刻工艺或激光刻蚀工艺。
14.根据权利要求11所述的显示装置的制作方法，其特征在于，形成所述透明绝缘层包括原子层沉积工艺、溅镀工艺或电子束蒸镀工艺。
15.根据权利要求10所述的显示装置的制作方法，其特征在于，形成所述透明绝缘图案层包括：
于所述第一电极上形成一透明绝缘层；以及
对所述透明绝缘层进行一图案化工艺，以形成一透明绝缘图案层。
16.根据权利要求15所述的显示装置的制作方法，其特征在于，所述图案化工艺包括激光雕刻工艺。
17.根据权利要求10所述的显示装置的制作方法，其特征在于，形成所述透明绝缘图案层包括：
于所述第一电极上设置一网版；
于所述第一电极与所述网版上形成一透明绝缘层；以及
移除所述网版与位于所述网版上的所述透明绝缘层，以形成所述透明绝缘图案层。
18.根据权利要求10所述的显示装置的制作方法，其特征在于，另包括于所述发光二极管上形成一保护层，且所述保护层覆盖所述发光二极管。
19.根据权利要求10所述的显示装置的制作方法，其特征在于，所述透明绝缘图案层包括至少一开口，且所述发光层通过所述开口与所述第一电极电连接。
20.根据权利要求19所述的显示装置的制作方法，其特征在于，另包括于形成所述透明绝缘图案层与形成所述发光层之间，形成一注入层覆盖于所述透明绝缘图案层与所述第一电极上。
21.一种礼盒，其特征在于，包括：
一开口；以及
一显示装置，覆盖所述开口，并用以显示一第一图案，且所述显示装置包括：
一基板；以及
一发光二极管，设置于所述基板上，且所述发光二极管包括：
一第一电极；
一透明绝缘图案层，设置于所述第一电极上，其中所述透明绝缘图案层具有一厚度，小于或等于100纳米，且所述透明绝缘图案层具有一第二图案，与所述第一图案互补；
一发光层，覆盖于所述透明绝缘图案层与所述第一电极上，且所述发光层电连接所述第一电极；以及
一第二电极，设置于发光层上。
22.根据权利要求21所述的礼盒，其特征在于，另包括：
一盒体，具有一凹槽，用以容置一物件；以及
一上盖，用以盖合所述盒体的所述凹槽，其中所述上盖具有所述开口。
23.根据权利要求22所述的礼盒，其特征在于，另包括一连接转轴，连接于所述上盖的侧边与所述盒体的侧墙的顶端之间。
24.根据权利要求21所述的礼盒，其特征在于，所述显示装置为一透明显示装置，以使位于所述礼盒的外侧的使用者得以通过所述显示装置观看到所述礼盒的内部。
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201862662778P | 2018-04-26 | 2018-04-26 | |
| US62/662,778 | 2018-04-26 | ||
| TW107118078 | 2018-05-28 | ||
| TW107118078 | 2018-05-28 | ||
| TW107128085 | 2018-08-10 | ||
| TW107128085A TWI675469B (zh) | 2018-04-26 | 2018-08-10 | 用於顯示靜態圖案的顯示裝置以及其製作方法與禮盒 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110416259A true CN110416259A (zh) | 2019-11-05 |
Family
ID=68358059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811049141.7A Pending CN110416259A (zh) | 2018-04-26 | 2018-09-10 | 用于显示静态图案的显示装置以及其制作方法与礼盒 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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