CN110413038A - 补偿控制电路 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种补偿控制电路。补偿控制电路包括第一电阻、第二电阻、第一NPN管、第一NMOS管、第二NPN管、第三NPN管、第四NPN管、第三电阻和第一电容。利用本发明提供的补偿控制电路可以达到补偿效果，起到稳定系统的作用。

Description

补偿控制电路

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及到补偿控制电路。

背景技术

电源系统中，峰值电流控制电路电流超出预设阈值，无法做到恒定峰值电流控制的问题设计了一种补偿控制电路。

发明内容

本发明旨在解决现有技术的不足，提供一种补偿控制电路。

补偿控制电路，包括第一电阻、第二电阻、第一NPN管、第一NMOS管、第二NPN管、第三NPN管、第四NPN管、第三电阻和第一电容：

所述第一电阻的一端接电源VCC，另一端接所述第一NPN管的基极和所述第一NMOS管的漏极；所述第二电阻的一端接电源VCC，另一端接所述第一NPN管的集电极；所述第一NPN管的基极接所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的漏极，集电极接所述第二电阻的一端，发射极接所述第二NPN管的基极和所述第三NPN管的集电极；所述第一NMOS管的栅极接整个放大器的控制端CON1，漏极接所述第一电阻的一端和所述第一NPN管的基极，源极接地；所述第二NPN管的基极接所述第一NPN管的发射极和所述第三NPN管的集电极，集电极接电源VCC，发射极接所述第三NPN管的基极和所述第四NPN管的基极和所述第一电容的一端；所述第三NPN管的基极接所述第二NPN管的发射极和所述第四NPN管的基极和所述第一电容的一端，集电极接所述第一NPN管的发射极和所述第二NPN管的基极，发射极接地；所述第四NPN管的基极接所述第二NPN管的发射极和所述第三NPN管的基极和所述第一电容的一端，集电极接所述第三电阻和所述第一电容；所述第一电容的一端接所述第二NPN管的发射极和所述第三NPN管的基极和所述第四NPN管的基极，另一端接输入端IN。

所述第一电阻和所述第二电阻的电阻值大小决定所述第一NPN管的工作状态，当所述第一电阻的电阻值小于所述第二电阻的电阻值十倍以上时，所述第一NPN管的工作状态进入饱和状态，基极电压大于发射极电压和集电极电压，使得所述第一NPN管的基极电流仅为发射极电流的放大倍数的倒数，也就是说仅需要很小的电流就可以使得有很大的电流流过所述第一NPN管的发射极，进而通过所述第二NPN管和所述第三NPN管和所述第四NPN管组成的电流镜传到所述第四NPN管的集电极驱动所述第三电阻，可以通过设置电流镜的倍数来设置驱动电流的大小。所述第二NPN管和所述第三NPN管和所述第四NPN管组成的电流镜是为了提高基极电流的匹配性。当控制端CON为高电平时，所述第一NMOS管导通，导通电流的电流值仅为驱动所述第一NPN管的基极电流，这一电流为所述第一NPN管的发射极电流的放大倍数的倒数，由于放大倍数一般都超过60，所以这一电流就很小，进而降低了放大器的功耗。同时由于采用了NMOS管，栅极不需要电流，也可以进一步降低功耗。

附图说明

图1为本发明的补偿控制电路的电路图。

具体实施方式

以下结合附图对本发明内容进一步说明。

补偿控制电路，如图1所示，包括第一电阻11、第二电阻12、第一NPN管13、第一NMOS管14、第二NPN管15、第三NPN管16、第四NPN管17、第三电阻18和第一电容19：

所述第一电阻11的一端接电源VCC，另一端接所述第一NPN管13的基极和所述第一NMOS管14的漏极；所述第二电阻12的一端接电源VCC，另一端接所述第一NPN管13的集电极；所述第一NPN管13的基极接所述第一电阻11的一端和所述第一NMOS管14的漏极，集电极接所述第二电阻12的一端，发射极接所述第二NPN管15的基极和所述第三NPN管16的集电极；所述第一NMOS管14的栅极接整个放大器的控制端CON1，漏极接所述第一电阻11的一端和所述第一NPN管13的基极，源极接地；所述第二NPN管15的基极接所述第一NPN管13的发射极和所述第三NPN管16的集电极，集电极接电源VCC，发射极接所述第三NPN管16的基极和所述第四NPN管17的基极和所述第一电容19的一端；所述第三NPN管16的基极接所述第二NPN管15的发射极和所述第四NPN管17的基极和所述第一电容19的一端，集电极接所述第一NPN管13的发射极和所述第二NPN管15的基极，发射极接地；所述第四NPN管17的基极接所述第二NPN管15的发射极和所述第三NPN管16的基极和所述第一电容19的一端，集电极接所述第三电阻18和所述第一电容19；所述第一电容19的一端接所述第二NPN管15的发射极和所述第三NPN管16的基极和所述第四NPN管17的基极，另一端接输入端IN。

所述第一电阻11和所述第二电阻12的电阻值大小决定所述第一NPN管13的工作状态，当所述第一电阻11的电阻值小于所述第二电阻12的电阻值十倍以上时，所述第一NPN管13的工作状态进入饱和状态，基极电压大于发射极电压和集电极电压，使得所述第一NPN管13的基极电流仅为发射极电流的放大倍数的倒数，也就是说仅需要很小的电流就可以使得有很大的电流流过所述第一NPN管13的发射极，进而通过所述第二NPN管15和所述第三NPN管16和所述第四NPN管17组成的电流镜传到所述第四NPN管17的集电极驱动所述第三电阻18，可以通过设置电流镜的倍数来设置驱动电流的大小。所述第二NPN管15和所述第三NPN管16和所述第四NPN管17组成的电流镜是为了提高基极电流的匹配性。当控制端CON为高电平时，所述第一NMOS管14导通，导通电流的电流值仅为驱动所述第一NPN管13的基极电流，这一电流为所述第一NPN管13的发射极电流的放大倍数的倒数，由于放大倍数一般都超过60，所以这一电流就很小，进而降低了放大器的功耗。同时由于采用了NMOS管，栅极不需要电流，也可以进一步降低功耗。

对上述所提供的实施方式的说明，仅是本发明的优选实施方式的说明，对本技术领域的技术人员来说能够根据以上说明进行实现或使用本发明。应当指出，对于本技术领域的技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，任何不超出本发明实质精神范围内的发明创造，应视为本发明的保护范围。

Claims (1)

1.补偿控制电路，其特征在于，包括第一电阻、第二电阻、第一NPN管、第一NMOS管、

第二NPN管、第三NPN管、第四NPN管、第三电阻和第一电容：

所述第一电阻的一端接电源VCC，另一端接所述第一NPN管的基极和所述第一NMOS管的漏极； 所述第二电阻的一端接电源VCC，另一端接所述第一NPN管的集电极；所述第一NPN管的基极接所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的漏极，集电极接所述第二电阻的一端，发射极接所述第二NPN管的基极和所述第三NPN管的集电极；所述第一NMOS管的栅极接整个放大器的控制端CON1，漏极接所述第一电阻的一端和所述第一NPN管的基极，源极接地；所述第二NPN管的基极接所述第一NPN管的发射极和所述第三NPN管的集电极，集电极接电源VCC，发射极接所述第三NPN管的基极和所述第四NPN管的基极和所述第一电容的一端；所述第三NPN管的基极接所述第二NPN管的发射极和所述第四NPN管的基极和所述第一电容的一端，集电极接所述第一NPN管的发射极和所述第二NPN管的基极，发射极接地；所述第四NPN管的基极接所述第二NPN管的发射极和所述第三NPN管的基极和所述第一电容的一端，集电极接所述第三电阻和所述第一电容；所述第一电容的一端接所述第二NPN管的发射极和所述第三NPN管的基极和所述第四NPN管的基极，另一端接输入端IN。