CN110365361B - 射频接口控制器、通信方法、基带芯片和通信系统 - Google Patents

射频接口控制器、通信方法、基带芯片和通信系统 Download PDF

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Abstract

本发明实施例公开了一种射频接口控制器、通信方法、基带芯片和通信系统。所述方法包括:至少一组输入输出电路,每组所述输入输出电路中包括:第一通信端、第二通信端以及通信协议电路;所述通信协议电路中包括输入通路以及输出通路,所述输入通路中包括至少两类输入接口电路,所述输出通路中包括至少两类输出接口电路,每一类所述输入接口电路或者所述输出接口电路分别用于适配不同的射频芯片;所述输出通路,用于将通过所述第一通信端接收的基带信号通过当前适配的输出接口电路发送至所述第二通信端;所述输入通路,用于将通过所述第二通信端接收的射频信号通过当前适配的输入接口电路发送至所述第一通信端。本发明实施例可以兼容不同类型的射频芯片。

Description

射频接口控制器、通信方法、基带芯片和通信系统
技术领域
本发明实施例涉及通信领域,尤其涉及一种射频接口控制器、通信方法、基带芯片和通信系统。
背景技术
随着移动通信技术的发展,射频通信已成为人们日常生活中一种普遍的通信方式,人们可以通过射频通信拨打电话、发短信和联网等。
例如,用户在使用移动终端进行联网的过程中,通过移动终端的基带芯片向射频芯片发送基带信号,射频芯片将基带信号转发至天线处,由天线向基站发送,实现移动终端向服务器请求数据。当天线捕捉到反馈的基带信号,并通过射频芯片转发至基带芯片进行处理,实现移动终端获取服务器下发的数据。
通常,射频芯片和基带芯片分别是由不同厂家开发的,射频芯片和基带芯片需要统一通信协议,才能实现相互通信。但射频芯片的更新速度快,而且不同射频芯片要求的通信协议不同,基带芯片难以快速适配不同类型的射频芯片,实现射频通信。
发明内容
本发明实施例提供一种射频接口控制器、通信方法、基带芯片和通信系统,可以兼容不同类型的射频芯片。
第一方面,本发明实施例提供了一种射频接口控制器,包括至少一组输入输出电路,每组所述输入输出电路中包括:第一通信端、第二通信端以及通信协议电路;
所述通信协议电路中包括输入通路以及输出通路,所述输入通路中包括至少两类输入接口电路,所述输出通路中包括至少两类输出接口电路,每一类所述输入接口电路或者所述输出接口电路分别用于适配不同的射频芯片;
所述输出通路,用于将通过所述第一通信端接收的基带信号通过当前适配的输出接口电路发送至所述第二通信端;
所述输入通路,用于将通过所述第二通信端接收的射频信号通过当前适配的输入接口电路发送至所述第一通信端。
进一步的,所述射频接口控制器,还包括:选通器;
所述选通器与至少一组所述输入输出电路连接,用于根据当前适配的射频芯片确定每组所述输入输出电路的输入通路中当前适配的输入接口电路并选通,以及根据所述当前适配的射频芯片确定每组所述输入输出电路的输出通路中当前适配的输出接口电路并选通。
进一步的,所述射频接口控制器,还包括:数据处理模块;
所述数据处理模块用于根据当前适配的射频芯片匹配的通信协议数据处理方法,对发送芯片发送的基带信号进行处理,以使接收芯片接收到处理后的基带信号。
进一步的,所述输入通路包括低压差分信号接口电路和互补金属氧化物半导体接口电路;所述输出通路包括低压差分信号接口电路和互补金属氧化物半导体接口电路。
进一步的,当前适配的射频芯片为AD9361,与所述当前适配的射频芯片匹配的通信协议为JESD207,所述当前适配的输入接口电路以及所述当前适配的输出接口电路均为低压差分信号接口电路或互补金属氧化物半导体接口电路。
进一步的,每组所述输入输出电路预留两个对外接口。
第二方面,本发明实施例还提供了一种通信方法,采用如本发明实施例中任一所述的射频接口控制器,包括:
当确定产生基带芯片与当前适配的射频芯片的通信需求时,获取所述射频芯片的属性信息;
根据所述属性信息,在每组输入输出电路的输入通路中选通当前适配的输入接口电路,并通过所述当前适配的输入接口电路传输信号;和/或
根据所述属性信息,在每组输入输出电路的输出通路中选通当前适配的输出接口电路,并通过所述当前适配的输出接口电路传输信号。
第三方面,本发明实施例还提供了一种基带芯片,所述基带芯片包括实现如本发明实施例中任一所述的射频接口控制器、数字前端电路和存储器;
所述数字前端电路与所述射频接口控制器连接,用于获取第一基带信号并进行预处理,并将预处理后的第一基带信号发送至所述存储器或所述射频接口控制器;
所述存储器与所述数字前端电路连接,用于存储基带信号。
进一步的,所述基带芯片还包括扩展波形处理电路;
所述扩展波形处理电路分别与所述基带芯片中存储器和所述射频接口控制器连接,用于获取第二基带信号并进行预处理,并将预处理后的第二基带信号发送至所述存储器或所述射频接口控制器;其中,所述第一基带信号和所述第二基带信号的波形不同。
第四方面,本发明实施例还提供了一种通信系统,所述通信系统包括:如本发明实施例中任一项所述的基带芯片和射频芯片,所述基带芯片与所述射频芯片通信连接。
本发明实施例通过配置多组输入输出电路,同时分别在每组输入输出电路的通信协议电路中配置适配不同射频芯片的不同类型的输入接口电路和不同类型的输出接口电路,实现在选通不同输入接口电路和不同输出接口电路时可以与不同类型的射频芯片进行通信,解决了现有技术中基带芯片难以快速适配射频芯片的问题,实现兼容不同类型的射频芯片,辅助基带芯片的兼容不同类型的射频芯片,同时仅通过射频接口控制器提高基带芯片的兼容性,简化基带芯片和射频芯片的适配电路,降低基带芯片和射频芯片的适配成本。
附图说明
图1a是本发明实施例中的一种射频接口控制器的示意图;
图1b是本发明实施例中的一种射频接口控制器的示意图;
图2a是本发明实施例中的一种输入输出电路的示意图;
图2b是本发明实施例中的一种射频接口控制器的示意图;
图2c是本发明实施例中的一种射频接口控制器的示意图;
图3a是本发明实施例中的一种输入通路的示意图;
图3b是本发明实施例中的一种输出通路的示意图;
图4是本发明实施例中的一种数据处理模块的示意图;
图5是本发明实施例中的一种通信方法的流程图;
图6是本发明实施例中的一种基带芯片的示意图;
图7是本发明实施例中的一种通信系统的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
实施例
图1a和图1b为本发明实施例中的一种射频接口控制器的示意图,本实施例可应用于射频接口控制器选择与射频芯片匹配的接口电路进行通信的情况。如图1a-图1b所示,本实施例的射频接口控制器100具体包括:至少一组输入输出电路110。
具体的,射频接口控制器100可以设置于基带芯片120中,如图1a所示,射频接口控制器100分别与基带芯片120中的内部模块121相连以及与在基带芯片120外部的射频芯片130相连,其中,内部模块121可以包括基带芯片120的数字前端电路、数字信号处理器和随机存储器等,此外,内部模块121和基带芯片120中还可以包括其他模块,图1a中未详细示出。或者如图1b所示,射频接口控制器100设置在基带芯片120外部,分别与基带芯片120以及射频芯片130相连。
通常一个设备向外发送信号的过程具体为:基带芯片120产生基带信号发送至射频芯片130,射频芯片130将接收到的基带信号转换为射频信号通过天线140发送到基站或者其他设备中。一个设备接收外部发送的信号的过程具体为:射频芯片130对将天线140接收基站或者其他设备发送的信号处理生成射频信号,并转发至基带芯片120,基带芯片120接收到射频信号并转换为基带信号,以进行后续处理。
具体如图2a所示,每组输入输出电路中包括:第一通信端101、第二通信端102以及通信协议电路103;通信协议电路中包括输入通路104以及输出通路105,输入通路中包括至少两类输入接口电路106,输出通路中包括至少两类输出接口电路107,每一类输入接口电路或者输出接口电路分别用于适配不同的射频芯片;输出通路,用于将通过第一通信端接收的基带信号通过当前适配的输出接口电路发送至第二通信端;输入通路,用于将通过第二通信端接收的射频信号通过当前适配的输入接口电路发送至第一通信端。
其中,射频接口控制器100用于建立基带芯片与射频芯片之间的通信通路,射频接口控制器100可以配置于基带芯片中,也可以配置于基带芯片之外独立运行。
输入输出电路110用于传输基带芯片与射频芯片之间的传输信号。其中,第一通信端101为输入输出电路110的输入端或输出端,第二通信端102为输入输出电路110的输出端或输入端。输入通路用于接收外部设备发送的信号;输出通路用于基带芯片向外部设备发送信号。通信协议电路103为输入输出电路110的传输电路。第一通信端101位于基带芯片与通信协议电路之间,第二通信端102位于通信协议电路与射频芯片之间。
第一通信端101用于接收基带芯片发送的基带信号,并发送至第二通信端102,以使射频芯片通过第二通信端102接收基带芯片发送的基带信号。第二通信端102用于接收射频芯片发送的射频信号,并发送至第一通信端101,以使基带芯片通过第一通信端101接收射频芯片发送的射频信号。
实际上,输入端和输出端是可以互相转变的,例如,当发送芯片为基带芯片,接收芯片为射频芯片时,也即传输方向为基带芯片发送基带信号至射频芯片,第一通信端101作为输入端,第二通信端102作为输出端;当发送芯片为射频芯片,接收芯片为基带芯片时,也即传输方向为射频芯片发送基带信号至基带芯片,第二通信端102作为输入端,第一通信端101作为输出端。
通信协议电路103包括不同类别接口电路,用于适配不同类型的射频芯片。具体的,通信协议电路包括输入通路和输出通路,其中,输入通路可以与输出通路相同,也可以不同。输出通路用于通过第一通信端101接收基带信号,并发送至第二通信端102,也即输出通路用于将基带芯片发送的基带信号传输至射频芯片,并通过射频芯片发送到外部设备。输入通路用于通过第二通信端102接收基带信号,并发送至第一通信端101,也即输入通路用于将射频芯片发送的基带信号传输至基带芯片。实际上,每个通路均包括至少两类接口电路,用于分别适配不同类型的射频芯片。此外,输入通路和输出通路可以包括相同的接口电路,也即输入通路和输出通路的电路结构可以完全不同,可以全部相同,也可以部分相同。
可选的,射频接口控制器还可以包括:选通器;所述选通器与所述至少一组输入输出电路连接,用于根据当前适配的射频芯片确定每组所述输入输出电路的输入通路中当前适配的输入接口电路并选通,以及根据所述当前适配的射频芯片确定每组所述输入输出电路的输出通路中当前适配的输出接口电路并选通。
具体的,选通器用于选通至少一组输入输出电路以及选通每组输入输出电路中输入接口电路和输出接口电路。具体的,选通器可以获取待通信的射频芯片的属性信息,查询匹配的通信协议,或者直接获取待通信的射频芯片的通信协议。其中,射频芯片的属性信息或通信协议可以存储在射频接口控制器的存储器中,或者存储在基带芯片的存储器中,并通过与基带芯片的通信获取。
在一个具体的例子中,如图2b所示,选通器210与输入输出电路110相连,选通器210根据基带芯片中的内部模块121确定选通哪一个输入输出电路。选通器210根据预存或者预先接收的通信协议,确定匹配的输入输出电路110。
实际上,射频接口控制器需要先确定信号的发送方(发送芯片)和接收方(接收芯片),选通输入通路和/或输出通路,并根据射频芯片的属性信息确定匹配的通信协议,同时,基于匹配的通信协议确定输入通路中的适配的输入接口电路并选通,和/或基于匹配的通信协议确定输出通路中的适配的输出接口电路并选通。
示例性的,当确定信号传输方向仅为从基带芯片传输到射频芯片时,选通器选通输入通路。同时,选通器根据射频芯片确定匹配的通信协议,并根据通信协议确定匹配的输入接口电路A并选通。从而基带芯片的发出的信号通过输入通路中的输入接口电路A传输到射频芯片中。
通过配置选通器选通与射频芯片对应的通信协议匹配的接口电路,实现兼容不同类型的射频芯片。
可选的,射频接口控制器包括还包括:数据处理模块;所述数据处理模块用于根据当前适配的射频芯片匹配的通信协议数据处理方法,对发送芯片发送的信号进行处理,以使接收芯片接收到处理后的信号。
实际上,通信协议是指通信双方对数据传输控制的一种约定,具体统一限定了下述至少一项:数据格式、同步方式、传输速率、传输步骤、检纠错方式和控制字符定义等。在数据传输之前对信号进行处理,处理成符合通信协议的信号,通过输入输出电路传输信号。发送芯片和接收芯片均包括基带芯片和射频芯片。
在一个具体的例子中,如图2c所示,数据处理模块选通器220分别与内部模块121以及输入输出电路110相连,用于对接收到的基带信号进行处理,并通过相连的输入输出电路传输到射频芯片,以及用于对从相连的输入输出电路接收到的射频信号进行处理,并发送到内部模块121进行处理。
具体的,射频接口控制器获取当前适配的射频芯片匹配的通信协议,并通过数据处理模块对基带芯片发送的基带信号进行处理,形成符合通信协议的基带信号,通过至少一组输入输出电路将处理后的基带信号传输至射频芯片中;射频接口控制器还可以通过至少一组输入输出电路接收射频芯片发送的射频信号,并基于当前适配的射频芯片匹配的通信协议,通过数据处理模块对射频信号进行处理,形成基带芯片支持的射频信号,从而将处理后的射频信号发送至基带芯片,以使基带芯片进行后续处理。
通过数据处理模块实现对待传输的基带信号或射频信号进行处理,形成符合通信协议的信号,再通过通信协议电路对处理后的信号,保证数据传输的一致性和完整性,提高数据传输的质量。
可选的,接口电路为互补金属氧化物半导体(Complementary Metal OxideSemiconducto,CMOS)接口电路或低压差分信号(Low Voltage Differential Signaling,LVDS)接口电路。也即,输入通路包括低压差分信号接口电路和互补金属氧化物半导体接口电路;同时输出通路包括低压差分信号接口电路和互补金属氧化物半导体接口电路。
其中,LVDS接口电路利用低电压差分信号来产生高速、低功率的数据传输,同时消除了共模噪声,以保证数据的传输速度以及抗噪性能。CMOS接口电路采用场效应管,且都是互补结构,工作时两个串联的场效应管总是处于一个场效应管导通另一个场效应管截止的状态,电路的静态功耗较小,同时输入阻抗高,以及输出的电压范围大,易于被其他电路驱动,提高接口电路的兼容性。
实际上,输入通路的CMOS接口电路和输出通路的CMOS接口电路可以相同,也可以不同。采用相同CMOS接口电路可以简化射频接口控制器的结构,减少成本。输出通路的LVDS接口电路可以是指LVDS发送器,输入通路的LVDS接口电路可以是指LVDS接收器。实际上LVDS发送器和LVDS接收器是成对出现,传输方向是LVDS发送器到LVDS接收器。与LVDS接口电路适配的射频芯片中配置有对应的LVDS发送器和LVDS接收器,从而实现通信协议电路与射频芯片的通信,示例性的,通信协议电路中LVDS发送器将信号发送至射频芯片中LVDS接收器;通信协议电路中LVDS接收器接收射频芯片中LVDS发送器发送的信号。
在一个具体的例子中,如图3a所示,输出通路包括CMOS接口电路和LVDS接口电路,具体的,CMOS接口电路包括CMOS输出接口电路CMOS_1和CMOS输出接口电路CMOS_2,LVDS接口电路包括LVDS输出接口电路LVDS_TX(即LVDS发送器)。同时,如图3b所示,输入通路包括CMOS接口电路和LVDS接口电路,具体的,CMOS输入接口电路CMOS_1和CMOS输入接口电路CMOS_2,LVDS接口电路包括输入接口电路LVDS_RX(即LVDS接收器)。
在输出通路中,CMOS_1的端口C_IN_P作为输入端用于接收基带芯片发送的基带信号,CMOS_1的端口OUTP作为输出端用于向射频芯片输出基带信号。CMOS_2的端口C_IN_N作为输入端用于接收基带芯片发送的基带信号,CMOS_2的端口OUTN作为输出端用于向射频芯片输出基带信号。
在输入通路中,CMOS_1的端口OUTP作为输入端用于接收射频芯片发送的射频信号,CMOS_1的端口C_OUT_P作为输出端用于向基带芯片输出射频信号。CMOS_2的端口OUTN作为输入端用于接收射频芯片发送的射频信号,CMOS_2的端口C_OUT_N作为输出端用于向基带芯片输出射频信号。
其中,CMOS_1的使能输入端C_IE_P用于使端口OUTP到端口C_OUT_P的电路导通,即使能输入端C_IE_P用于控制CMOS_1实现将射频信号由射频芯片传输至基带芯片。CMOS_1的使能输出端C_OE_P用于使端口C_IN_P到端口OUTP的电路导通,即使能输入端C_OE_P用于控制CMOS_1实现将基带信号由基带芯片传输至射频芯片。CMOS_2的使能输入端C_IE_N用于使端口OUTN到端口C_OUT_N的电路导通,即使能输入端C_IE_N用于控制CMOS_2实现将射频信号由射频芯片传输至基带芯片。以及CMOS_2的使能输出端C_OE_N用于使端口C_IN_N到端口OUTN的电路导通,即使能输入端C_OE_N用于控制CMOS_2实现将基带信号由基带芯片传输至射频芯片。
LVDS接口电路传输的信号是采用差分信号对的形式,即输出为两个信号(正输出端电压信号和负输出端电压信号)。
在输入通路中,LVDS_TX的输入端L_IN用于接收基带芯片发送的基带信号,LVDS_TX的端口OUTP和端口OUTN用于同时向射频芯片输出基带信号。其中,端口OUTP输出的信号和端口OUTN输出的信号形成的压差信号作为向射频芯片输出的基带信号。使能端PD用于控制LVDS_TX是否工作。
在输出通路中,LVDS_RX的端口OUTP和端口OUTN用于同时接收射频芯片发送的射频信号,LVDS_RX的端口DOUT用于向基带芯片输出射频信号。使能端PD用于控制LVDS_RX是否工作。
可以理解的是,每组输入输出电路预留两个对外接口,例如可以是两个I/O口,即图3a和图3b中的端口OUTP和端口OUTN。对外接口用于暴露给射频芯片,射频芯片通过对外接口通信连接输入输出电路。由此,8组输入输出电路可以实现并行8位或16位数据传输。示例性的,当通信协议电路包括8组输入输出电路,且每组输入输出电路的输入接口电路和输出接口电路均为CMOS接口电路时,每组输入输出电路输出2位数据,通信协议电路可以实现并行16位数据传输。又如当通信协议电路包括8组输入输出电路,且每组输入输出电路的输入接口电路和输出接口电路均为LVDS接口电路时,每组输入输出电路输出1位数据,通信协议电路可以实现并行8位数据传输。
实际上,CMOS接口电路和LVDS接口电路的数据传输速率不同,CMOS接口电路和LVDS接口电路分别满足不同的传输速率要求,以及适配不同传输速率的射频芯片,其中,CMOS速率为0-150MHz,LVDS速率最高为500MHz。
在图3a和图3b所示的电路工作过程:
1)当工作在CMOS模式时,两路CMOS_1和CMOS_2均工作,并行传输数据,LVDS的PD置1,LVDS_RX和LVDS_TX处于断电状态,不影响CMOS的输入输出。此外,除LVDS协议的其它协议均可以采用CMOS接口电路进行数据传输。具体的,每个CMOS接口电压为1.8V,最快速率达到160MHz。
2)当工作在LVDS模式时,CMOS_1的C_IE_P、CMOS_1的C_OE_P、CMOS_2的C_IE_N、CMOS_2的C_OE_N均关闭,确保两路CMOS接口电路不会影响LVDS工作。具体的,差分共模电压为1V(共模电压=(正端高电平+负端低电平)),摆幅0.1V~0.5V。
此外,LVDS支持双倍速率同步动态随机存储器(Double Data Rate,DDR)方式传输,以及时钟双沿采样,支持频率范围20MHz到500MHz,数据速率达1Gbps。同时还可以增加延迟锁相环(Delay-Locked Loop,DLL)对LVDS随路时钟做相位调整,以保证采样信号正确性,DLL可支持8个相位调整。
在一个具体的例子中,如图4所示,射频接口控制器预存有5个通信协议的信息,通信协议对应通信协议数据处理方法。具体的,数据处理模块220中有五类通信协议的数据处理模块。基带芯片中的内部模块121(如数字前端)发送的同相正交信号(In-phaseQuadrature,IQ)经过通信协议数据处理方法处理,传输至输入输出电路110中的输出接口电路,并通过输出接口电路输出至射频芯片。以及,通过输入输出电路中的输入接口电路接收射频芯片发送的信号,并经过通信协议数据处理方法处理,得到IQ信号发送至基带芯片中的内部模块121(如数字前端)。示例性的,第一通信协议为IRIS415,第二通信协议为RX6001B DigRF,第三通信协议为DigRF V1.12,第四通信协议为AD9361 JESD207,第五通信协议为CX9261JESD207。其中,前三个通信协议匹配的接口电路均为CMOS接口电路,第四通信协议和第五通信协议匹配的接口电路包括LVDS接口电路,第四通信协议和第五通信协议中均包括LVDS接口电路匹配的通信协议,此外,芯片AD9361和CX9261的接口电路也包括CMOS接口电路。另外,通过加入延迟数字锁相环,可以对输入或输出的时钟信号进行相位调整,提高信号采样准确性。
在一个具体的例子中,基带芯片当前适配的射频芯片为AD9361,与当前适配的射频芯片匹配的通信协议为JESD207,当前适配的输入接口电路以及当前适配的输出接口电路均为低压差分信号接口电路或互补金属氧化物半导体接口电路。
本发明实施例通过配置多组输入输出电路,同时分别在每组输入输出电路的通信协议电路中配置适配不同射频芯片的不同类型的输入接口电路和不同类型的输出接口电路,实现在选通不同输入接口电路和不同输出接口电路时可以与不同类型的射频芯片进行通信,解决了现有技术中基带芯片难以快速适配射频芯片的问题,实现兼容不同类型的射频芯片,辅助基带芯片的兼容不同类型的射频芯片,同时仅通过射频接口控制器提高基带芯片的兼容性,简化基带芯片和射频芯片的适配电路,降低基带芯片和射频芯片的适配成本。
相应的,采用本实施例中所述的射频接口控制器的通信方法,具体的,如图5所示,包括:
S110,当确定产生基带芯片与当前适配的射频芯片的通信需求时,获取所述射频芯片的属性信息;
其中,输入输出电路、输入通路、输出通路、输入接口电路和输出接口电路等,均可以参考前述描述。
通信需求用于判断是否存在基带信号在基带芯片与当前适配射频芯片之间传输,例如,当接收到基带芯片发送的指向当前适配的射频芯片的信号传输请求时,确定产生基带芯片与当前适配的射频芯片的通信需求;或者,当接收到当前适配的射频芯片发送的指向基带芯片的信号传输请求时,确定产生基带芯片与当前适配的射频芯片的通信需求。
示例性的,当接收到所述基带芯片发送的基带信号时,确定基带芯片产生与射频芯片的通信需求;当接收到所述射频芯片发送的基带信号时,确定基带芯片产生与射频芯片的通信需求。
射频芯片的属性信息用于标识射频芯片的类型,以确定输入接口电路以及通信协议,可以包括下述至少一项射频芯片的型号、位宽和传输速率等。
S120,根据所述属性信息,在每组输入输出电路的输入通路中选通当前适配的输入接口电路,并通过所述当前适配的输入接口电路传输信号;和/或
S130,根据所述属性信息,在每组输入输出电路的输出通路中选通当前适配的输出接口电路,并通过所述当前适配的输出接口电路传输信号。
示例性的,当确定传输方向为基带芯片向射频芯片发送基带信号时,射频接口控制器确定与射频芯片匹配的通信协议,并获取与通信协议匹配的处理方法对该基带信号进行处理,以使射频芯片支持处理后的基带信号的数据格式;射频接口控制器根据匹配的通信协议选通至少一个匹配的输入输出电路,将处理后的基带信号传输至射频芯片。
又如,当确定传输方向为射频芯片向基带芯片发送射频信号时,射频接口控制器确定与射频芯片匹配的通信协议,根据匹配的通信协议选通至少一个匹配的输入输出电路,接收射频芯片发送的射频信号,并获取与通信协议匹配的处理方法对该射频信号进行处理,并将处理后的射频信号传输至基带芯片,以使基带芯片支持处理后的基带信号的数据格式。
通过根据射频芯片的属性信息确定输入输出电路的数目以及每组输入输出电路中选通的接口电路,实现基于射频芯片的类型选择匹配的接口电路进行数据传输,从而实现兼容不同类型的射频芯片,提高基带芯片的兼容性,同时,省却基带芯片和射频芯片之间的配置复杂电路实现通信连接,降低基带芯片和射频芯片的适配成本。
实际上,射频接口控制器还可以包括处理器和存储器等,存储器存储有软件程序、计算机可执行程序以及模块,如本发明实施例中的射频接口控制器对应的通信方法对应的程序指令/模块。处理器通过运行存储在存储器中的软件程序、指令以及模块,从而执行计算机设备的各种功能应用以及数据处理,即实现上述的通信方法。
图6为本发明实施例中的一种基带芯片的示意图。如图6所示,基带芯片中集成有本发明实施例提供的任一所述的射频接口控制器,本实施例的基带芯片600具体包括:射频接口控制器610、数字前端电路620和存储器630;
数字前端电路620与射频接口控制器连接610,用于获取第一基带信号并进行预处理,并将预处理后的第一基带信号发送至存储器630或射频接口控制器610;存储器630与数字前端电路620连接,用于存储基带信号。
基带芯片600集成前述的射频接口控制器610,可以兼容DigRF v1.12、JESD207或LVDS ANSI-644等射频芯片。
预处理可以是指对射频接口控制器传输的基带信号在传输到基带芯片进行基带处理之前执行的数据处理操作,用于使基带信号变成基带芯片可以进行处理的信号(如从模拟信号到数字信号),具体可以包括如数字化、数字上下变频、信道化功能和多信道滤波等处理。
存储器630可以通过基带芯片600的内部总线与其他模块进行通信。
可选的,基带芯片还包括扩展波形处理电路640;扩展波形处理电路640分别与基带芯片中存储器630和射频接口控制器610连接,用于获取第二基带信号并进行预处理,并将预处理后的第二基带信号发送至存储器630或射频接口控制器610;其中,第一基带信号和第二基带信号的波形不同。
实际上,基带芯片为了和射频芯片对接,通常采用现场可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array,FPGA)进行接口转换。射频接口控制器可以直接FPGA与连接,并通过FPGA间接与射频芯片连接,与天线通信。
其中,FPGA可以形成特殊波形,但这种特殊波形无法通过基带芯片内置的通用数字前端电路实现数据处理,以转换为数字信号。此时,需要采用旁路方式,将波形数据和内部存储器(如随机存取存储器(Random Access Memory,RAM))对接。当上行链路工作时,通过DMA将要发送的波形数据放到总线上RAM中,之后触发扩展波形处理电路640从RAM中取出数据通过射频接口控制器的接口电路发送出去。对下行链路工作时,射频接口控制器的接口电路将波形数据发送至扩展波形处理电路640,扩展波形处理电路640将数据写到RAM,后续可通过直接内存存取器(Direct Memory Access,DMA)或者数字信号处理器(DigitalSignal Processing,DSP)对数据做后续的处理。
此外,基带芯片600还可以包括数字信号处理器和直接内存存取器,分别通过基带芯片600的内部总线与其他模块进行通信。
图7为本发明实施例中的一种通信系统的示意图。所述通信系统包括:如权利要求8-9任一项所述的基带芯片710和射频芯片720,基带芯片710与射频芯片720通信连接。
基带芯片710用于与射频芯片720进行通信,射频芯片720用于与天线730进行通信。
通信系统可以内置于终端设备中,例如,移动终端,移动终端可以包括手机、笔记本电脑、平板电脑和车载终端等终端设备。
终端设备在接收信号时,射频信号(即无线高频信号)经天线进入射频芯片,射频芯片将射频信号放大、下变频和滤波等处理后输出模拟IQ数据或数字IQ数据作为基带信号,再经射频接口控制器传给基带芯片进行数据处理;终端设备在发送信号时,基带信号由基带芯片送出,经射频接口控制器传送至射频芯片,经滤波、上变频和放大等处理后形成射频信号经天线发出。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种射频接口控制器,其特征在于,所述射频接口控制器用于建立基带芯片与射频芯片之间的通信通路,包括:至少一组输入输出电路,每组所述输入输出电路中包括:第一通信端、第二通信端以及通信协议电路;
所述通信协议电路中包括输入通路以及输出通路,所述输入通路中包括至少两类输入接口电路,所述输出通路中包括至少两类输出接口电路,每一类所述输入接口电路或者所述输出接口电路分别用于适配不同的射频芯片,每一类所述输入接口电路或者所述输出接口电路分别用于适配不同的通信协议;
所述输出通路,用于将通过所述第一通信端接收的基带信号通过当前适配的输出接口电路发送至所述第二通信端;
所述输入通路,用于将通过所述第二通信端接收的射频信号通过当前适配的输入接口电路发送至所述第一通信端。
2.根据权利要求1所述的射频接口控制器,其特征在于,还包括:选通器;
所述选通器与至少一组所述输入输出电路连接,用于根据当前适配的射频芯片确定每组所述输入输出电路的输入通路中当前适配的输入接口电路并选通,以及根据所述当前适配的射频芯片确定每组所述输入输出电路的输出通路中当前适配的输出接口电路并选通。
3.根据权利要求1所述的射频接口控制器,其特征在于,还包括:数据处理模块;
所述数据处理模块用于根据当前适配的射频芯片匹配的通信协议数据处理方法,对发送芯片发送的信号进行处理,以使接收芯片接收到处理后的信号。
4.根据权利要求1所述的射频接口控制器,其特征在于,所述输入通路包括低压差分信号接口电路和互补金属氧化物半导体接口电路;所述输出通路包括低压差分信号接口电路和互补金属氧化物半导体接口电路。
5.根据权利要求4所述的射频接口控制器,其特征在于,所述当前适配的输入接口电路以及所述当前适配的输出接口电路均为低压差分信号接口电路或互补金属氧化物半导体接口电路。
6.根据权利要求4所述的射频接口控制器,其特征在于,每组所述输入输出电路预留两个对外接口。
7.一种通信方法,其特征在于,采用如权利要求1-6中任一所述的射频接口控制器,所述射频接口控制器用于建立基带芯片与射频芯片之间的通信通路,包括:
当确定产生基带芯片与当前适配的射频芯片的通信需求时,获取所述射频芯片的属性信息;
根据所述属性信息,在每组输入输出电路的输入通路中选通当前适配的输入接口电路,并通过所述当前适配的输入接口电路传输信号;和/或
根据所述属性信息,在每组输入输出电路的输出通路中选通当前适配的输出接口电路,并通过所述当前适配的输出接口电路传输信号。
8.一种基带芯片,其特征在于,所述基带芯片包括实现如权利要求1-6中任一所述的射频接口控制器、数字前端电路和存储器;
所述数字前端电路与所述射频接口控制器连接,用于获取第一基带信号并进行预处理,并将预处理后的第一基带信号发送至所述存储器或所述射频接口控制器,所述射频接口控制器用于建立基带芯片与射频芯片之间的通信通路;
所述存储器与所述数字前端电路连接,用于存储基带信号。
9.根据权利要求8所述的基带芯片,其特征在于,所述基带芯片还包括扩展波形处理电路;
所述扩展波形处理电路分别与所述基带芯片中存储器和所述射频接口控制器连接,用于获取第二基带信号并进行预处理,并将预处理后的第二基带信号发送至所述存储器或所述射频接口控制器;其中,所述第一基带信号和所述第二基带信号的波形不同。
10.一种通信系统,其特征在于,所述通信系统包括:如权利要求8-9任一项所述的基带芯片和射频芯片,所述基带芯片与所述射频芯片通信连接,所述基带芯片包括的射频接口控制器用于建立所述基带芯片与所述射频芯片之间的通信通路。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111885224B (zh) * 2020-06-16 2022-08-16 上海祥承通讯技术有限公司 一种基于智能手机芯片的双modem逻辑兼容方法
CN116761223B (zh) * 2023-08-11 2023-11-10 深圳市掌锐电子有限公司 利用5g基带芯片实现4g射频通信的方法及车载射频系统

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101877916A (zh) * 2010-06-13 2010-11-03 中兴通讯股份有限公司 多模移动终端及其天线匹配的实现方法
CN102694557A (zh) * 2012-06-12 2012-09-26 成都林海电子有限责任公司 基于cpci接口的多通道解调信号处理平台

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201571051U (zh) * 2009-12-02 2010-09-01 中兴通讯股份有限公司 一种多模射频接口
CN206323369U (zh) * 2016-12-28 2017-07-11 都邑科技(北京)有限公司 一种新型多制式全频段射频信号发生器

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101877916A (zh) * 2010-06-13 2010-11-03 中兴通讯股份有限公司 多模移动终端及其天线匹配的实现方法
CN102694557A (zh) * 2012-06-12 2012-09-26 成都林海电子有限责任公司 基于cpci接口的多通道解调信号处理平台

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