CN110361768A - 一种基于长寿命释光材料和单光子计数技术的γ辐射场剂量率测量装置 - Google Patents
一种基于长寿命释光材料和单光子计数技术的γ辐射场剂量率测量装置 Download PDFInfo
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Abstract
本发明涉及核辐射探测技术领域,提供一种基于长寿命释光材料和单光子计数技术的γ辐射场剂量率测量装置,包括探测器、光纤、信号处理单元和退火组件,进行剂量率测量时探测器和信号处理单元分别与光纤的两端连接,需要退火时断开信号处理单元和光纤,将光纤和退火组件连接,实现远程退火,退火后探测器无需更换可继续进行剂量率的测量。本发明测量装置具有小型化可密集布点,抗电磁干扰能力强,耐恶劣热力学环境条件,可远程测量及退火,测量范围宽等特点。
Description
技术领域
本发明涉及核辐射探测技术领域,具体涉及一种基于长寿命释光材料和单光子计数技术的γ辐射场剂量率测量装置,用于远程宽量程范围的强γ辐射场剂量率测量,特别适用于被测位置热力学环境恶劣、电磁环境复杂、空间狭小、人员不宜接近、需要远程测量或密集布点的场合。
背景技术
目前通常使用电离室探测器、闪烁体探测器、气体探测器等进行γ辐射场剂量率的测量,此类探测器通常体积较大,无法在狭小空间,或者辐射照射区域集中的场合使用,且无法大范围布点。此类探测器通常需要包括前置信号处理电路对传感器的输出信号进行处理,否则无法进行远距离传输,所使用的电子器件通常无法耐受恶劣热力学环境条件,且耐辐照性能差。此类探测器在复杂电磁场环境中使用时,容易受到外界电磁场的干扰,出现测量值波动大、误报警等现象。
目前LiF:Mg,Ti等释光材料主要用于个人剂量监测领域,测量对象为累积辐射照射剂量,累积剂量的每次读取都需要就地使用专用读取设备,无法进行远程剂量率测量。
无论是核设施事故及事故后高辐射区域的剂量率测量,高放射性废物贮存容器的剂量率测量,还是放射性治疗过程中局部剂量率变化的测量,都需要使用具有小型化,耐恶劣热力学环境条件,抗电磁干扰能力强,可远程测量的剂量率测量装置。
发明内容
本发明的目的在于,针对现有技术缺陷,提供一种基于长寿命释光材料和单光子计数技术的γ辐射场剂量率测量装置,该测量装置具有小型化可密集布点,抗电磁干扰能力强,耐恶劣热力学环境条件,可远程测量及退火,测量范围宽等特点。
为达到上述目的,本发明采用如下的技术方案。
一种基于长寿命释光材料和单光子计数技术的γ辐射场剂量率测量装置,所述测量装置包括探测器、光纤、信号处理单元和退火组件,进行剂量率测量时探测器和信号处理单元分别与光纤的两端连接,需要退火时断开信号处理单元和光纤,将光纤和退火组件连接,实现远程退火,退火后探测器无需更换可继续进行剂量率的测量。
在上述技术方案中,探测器安装在辐射场中,信号处理单元和退火组件安装在人员宜居的场所,光纤长度可大于50m,能够实现剂量率的远程测量。
在上述技术方案中,所述探测器包括探测器筒体、释光材料、释光材料套筒、定位卡环、透镜、导光锥和光纤接头。所述释光材料置于释光材料套筒内,所述探测器筒体开口侧为内螺纹,内部依次放入释光材料套筒(含释光材料)、定位卡环、透镜和导光锥,所述透镜为非球面透镜,非球面侧紧邻释光材料,所述光纤接头一端为光纤连接器,另一端为外螺纹,与探测器筒体开口侧的内螺纹匹配,所述光纤接头与探测器筒体通过螺纹连接和固定,所述光纤与探测器连接后光纤的端面中心点位于透镜的焦点上。
在上述技术方案中,所述探测器的典型尺寸为ϕ1.5cm×4.5cm,体积小可进行大范围布点,实现辐射场剂量率的大范围多点精确测量。
在上述技术方案中,所述探测器内部无电子学器件和电缆,抗电磁干扰能力强,耐恶劣热力学环境条件能力强。
在上述技术方案中,所述释光材料为Al2O3:C晶体,典型尺寸为ϕ1cm×1cm,所述释光材料受到γ辐射照射后主要产生寿命约为35ms,波长峰值约为420nm,半高宽约为60nm的荧光,所述荧光寿命长,可进行单光子计数测量,脉冲对分辨率不大于20ns,剂量率测量范围比NaI(Tl)等传统闪烁体探测器宽几个量级。
在上述技术方案中,所述释光材料套筒的材质为高反射率特氟龙,内表面在350nm-550nm波段平均反射率不小于96%,所述导光锥的材质为不锈钢,内表面精密抛光并可镀Al膜或Ag膜。
在上述技术方案中,所述透镜为非球面透镜,两侧表面镀增透膜,在350nm-550nm波段的平均反射率小于0.5%(每个表面)。
在上述技术方案中,所述光纤为纤芯直径典型值为1000μm或1500μm、数值孔径为0.22或0.39、在400nm波长的衰减系数小于50dB/km的大芯径高羟基石英光纤。
在上述技术方案中,所述信号处理单元包括光电倍增管、高压模块及分压电路、脉冲放大甄别整形电路、计数器、剂量率计算显示模块和光纤连接器。
在上述技术方案中,所述光电倍增管为经过筛选的适用于单光子计数应用的光电倍增器,放大倍数不小于2×106,脉冲上升时间小于2ns,暗计数率小于10cps,入射窗为硼硅玻璃,光阴极为辐射灵敏度峰值典型值约为88mA/W(420nm)的双碱材料或者辐射灵敏度峰值典型值约为110mA/W(400nm)或130mA/W(400nm)的超级双碱材料,光阴极有效直径典型值为8mm。
在上述技术方案中,所述脉冲放大甄别整形电路包括放大器、甄别器和脉冲整形器,分别对光电倍增管输出的电流脉冲进行放大、甄别和整形,所述脉冲放大甄别整形电路的带宽不小于300MHz,具有固定的不大于20ns的脉冲对分辨率(pulse-pair resolution),所述脉冲整形器输出宽度典型值为10ns的TTL或CMOS电平。
在上述技术方案中,所述退火组件用于释光材料的远程退火,包括激光光源、准直透镜、聚焦透镜和光纤连接器,所述激光光源为二极管激光器或小型二极管泵浦固体激光器,波长小于550nm,功率不小于50mW。
本发明的探测器尺寸为cm量级,较传统剂量率探测器尺寸小很多,不仅可以用于狭小空间或放射性治疗中局部定点辐射照射的剂量率测量,还可以通过大范围布点实现辐射场剂量率的大范围多点精确测量和剂量率梯度测量,本发明的探测器内部无电子学器件和电缆,抗电磁干扰能力强,耐恶劣热力学环境条件能力强,本发明的光纤长度可大于50m,能够实现剂量率的远程测量,尤其是事故及事故后高辐射区域剂量率的远程测量,本发明采用远程退火技术,探测器退火后可重复使用,使用寿命长,本发明采用单光子计数技术,脉冲对分辨率为10ns量级,剂量率测量范围较NaI(Tl)等传统闪烁体探测器宽几个量级。
附图说明
图1是本发明基于长寿命释光材料和单光子计数技术的γ辐射场剂量率测量装置的总体装配示意图。
图2是本发明基于长寿命释光材料和单光子计数技术的γ辐射场剂量率测量装置探测器的结构示意图。
图3是本发明基于长寿命释光材料和单光子计数技术的γ辐射场剂量率测量装置信号处理单元和退火组件的结构示意图。
其中:1.探测器、2.光纤、3.信号处理单元、4.退火组件、5.探测器筒体、6.释光材料、7.释光材料套筒、8.定位卡环、9.透镜、10.导光锥、11.光纤接头、12.光电倍增管、13.高压模块及分压电路、14.脉冲放大甄别整形电路、15.计数器、16.剂量率计算显示模块、17.光纤连接器、18.激光光源、19.准直透镜、20.聚焦透镜、21.光纤连接器。
具体实施方式
下面将结合实施案例参照附图进行详细说明,以便对本发明的目的,特征及优点进行更深入的理解。
如图1所示,本实施例提供一种基于长寿命释光材料和单光子计数技术的γ辐射场剂量率测量装置,所述测量装置包括探测器1、光纤2、信号处理单元3和退火组件4,探测器1安装在辐射场中,信号处理单元3和退火组件4安装在人员宜居的场所。
在上述实施例中,进行剂量率测量时按照图1所示将光纤2的两端分别与探测器1的光纤接头11和信号处理单元3的光纤连接器17连接,探测器1内的释光材料6受到γ辐射照射后产生长寿命荧光,荧光经光纤2到达光电倍增管12的光阴极后被计数。
在上述实施例中,当释光材料6的累积辐射照射剂量趋于饱和时,断开信号处理单元3和光纤2,将光纤2与退火组件4的光纤连接器21连接,打开激光器18,激光被准直和聚焦后经光纤2照射释光材料6,实现释光材料6的退火,退火结束后断开光纤2和退火组件4,将光纤2和信号处理单元3重新连接,即可进行剂量率的测量。
如图2所示,在上述实施例中,所述探测器1包括探测器筒体5、释光材料6、释光材料套筒7、定位卡环8、透镜9、导光锥10和光纤接头11,所述探测器1的典型尺寸为ϕ1.5cm×4.5cm。
在上述实施例中,所述释光材料6为Al2O3:C晶体,典型尺寸为ϕ1cm×1cm,所述释光材料6受到γ辐射照射后主要产生寿命约为35ms,波长峰值约为420nm,半高宽约为60nm的荧光。
在上述实施例中,所述释光材料套筒7的材质为高反射率特氟龙,内表面在350nm-550nm波段平均反射率不小于96%。
在上述实施例中,所述导光锥10的材质为不锈钢,内表面精密抛光并可镀Al膜或Ag膜,小口内径略大于光纤2的纤芯直径,大口内径略大于释光材料6端面的直径。
在上述实施例中,所述透镜9为非球面透镜,非球面侧紧邻释光材料6,通光孔径大于释光材料6端面的直径,所述透镜9两侧表面镀增透膜,在350nm-550nm波段的平均反射率小于0.5%(每个表面)。
在上述实施例中,所述释光材料6端面的半径和光纤2的纤芯半径的差值与透镜9的焦距的比值约等于光纤2的数值孔径。
在上述实施例中,所述探测器筒体5开口侧内表面为内螺纹,所述光纤接头11一端为光纤连接器,另一端为外螺纹,所述外螺纹与探测器筒体5开口侧内表面的内螺纹匹配。
在上述实施例中,所述探测器1的组装方式为:首先将释光材料6放入释光材料套筒7内,并一起放入探测器筒体5内部,然后依次放入定位卡环8、透镜9和导光锥10,透镜9的非球面侧紧邻释光材料6,最后将光纤接头11的外螺纹侧旋入探测器筒体5并拧紧。
在上述实施例中,所述光纤2为纤芯直径典型值为1000μm或1500μm,数值孔径为0.22或0.39,在400nm波长的衰减系数小于50dB/km的大芯径高羟基石英光纤,长度可大于50m,所述光纤2与探测器1连接后光纤2的端面中心点位于透镜9的焦点上。
如图3所示,在上述实施例中,所述信号处理单元3包括光电倍增管12、高压模块及分压电路13、脉冲放大甄别整形电路14、计数器15、剂量率计算显示模块16和光纤连接器17。
在上述实施例中,所述光电倍增管12为经过筛选的适用于单光子计数应用的光电倍增器,放大倍数不小于2×106,脉冲上升时间小于2ns,暗计数率小于10cps,入射窗为硼硅玻璃,光阴极为辐射灵敏度峰值典型值约为88mA/W(420nm)的双碱材料或者辐射灵敏度峰值典型值约为110mA/W(400nm)或130mA/W(400nm)的超级双碱材料,光阴极有效直径典型值为8mm。
在上述实施例中,所述高压模块及分压电路13为光电倍增管12提供高压。
在上述实施例中,所述脉冲放大甄别整形电路14包括放大器、甄别器和脉冲整形器,分别对光电倍增管12输出的电流脉冲进行放大、甄别和整形,所述脉冲放大甄别整形电路的带宽不小于300MHz,具有固定的不大于20ns的脉冲对分辨率,所述甄别器的甄别阈通过测量光电倍增管12在有光和无光条件下经放大器放大后的脉冲高度分布曲线确定,一般选在有光条件下脉冲高度分布曲线的谷位置,所述脉冲整形器输出宽度典型值为10ns的TTL或CMOS电平。
在上述实施例中,所述计数器15对脉冲放大甄别整形电路14输出的脉冲进行计数,所述计数器15的最小输入脉冲宽度和最小输入脉冲间隔分别小于脉冲放大甄别整形电路14的输出脉冲宽度和脉冲对分辨率,所述剂量率计算显示模块16采用内置算法将计数器15输出的计数率转化为剂量率并进行显示和存储。
如图3所示,在上述实施例中,所述退火组件4包括激光光源18、准直透镜19、聚焦透镜20和光纤连接器21,所述激光光源18为二极管激光器或小型二极管泵浦固体激光器,波长小于550nm,功率不小于50mW,所述准直透镜19和聚焦透镜20分别用于激光的准直和聚焦,当使用小型二极管泵浦固体激光器时不需要准直透镜19。
在上述实施例中,所述光纤连接器21与光纤2连接后光纤2的端面中心点位于聚焦透镜20的焦点上。
本说明书中未作详细描述的内容,属于本专业技术人员公知的现有技术。
本领域的技术人员容易理解,以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种基于长寿命释光材料和单光子计数技术的γ辐射场剂量率测量装置,其特征在于:包括探测器、光纤、信号处理单元和退火组件,进行剂量率测量时分别将探测器和信号处理单元与光纤的两端连接,需要退火时分别将探测器和退火组件与光纤的两端连接;所述探测器包括探测器筒体、释光材料、释光材料套筒、定位卡环、透镜、导光锥和光纤接头,所述释光材料置于释光材料套筒内,所述探测器筒体开口侧为内螺纹,内部依次放入释光材料套筒、定位卡环、透镜和导光锥,所述透镜为非球面透镜,非球面侧紧邻释光材料,所述光纤接头一端为光纤连接器,另一端为外螺纹,与探测器筒体开口侧的内螺纹匹配,所述光纤接头与探测器筒体通过螺纹固连,所述光纤与探测器连接后光纤的端面中心点位于透镜的焦点上。
2.根据权利要求1所述的基于长寿命释光材料和单光子计数技术的γ辐射场剂量率测量装置,其特征在于:所述探测器的尺寸为ϕ1.5cm×4.5cm。
3.根据权利要求1所述的基于长寿命释光材料和单光子计数技术的γ辐射场剂量率测量装置,其特征在于:所述释光材料为Al2O3:C晶体,尺寸为ϕ1cm×1cm,所述释光材料受到γ辐射照射后产生寿命为35ms,波长峰值为420nm,半高宽为60nm的荧光。
4.根据权利要求1所述的基于长寿命释光材料和单光子计数技术的γ辐射场剂量率测量装置,其特征在于:所述释光材料套筒为高反射率特氟龙,内表面在350nm-550nm波段平均反射率不小于96%,所述导光锥的材质为不锈钢,内表面精密抛光并可镀Al膜或Ag膜,小口内径略大于光纤的纤芯直径,大口内径略大于释光材料端面的直径。
5.根据权利要求1所述的基于长寿命释光材料和单光子计数技术的γ辐射场剂量率测量装置,其特征在于:所述透镜两侧表面镀增透膜,每个表面在350nm-550nm波段的平均反射率小于0.5%,所述释光材料端面的半径和光纤的纤芯半径的差值与透镜的焦距的比值等于光纤的数值孔径。
6.根据权利要求1所述的基于长寿命释光材料和单光子计数技术的γ辐射场剂量率测量装置,其特征在于:所述光纤为纤芯为直径典型值为1000μm或1500μm、数值孔径为0.22或0.39、在400nm波长的衰减系数小于50dB/km的大芯径高羟基石英光纤。
7.根据权利要求1所述的基于长寿命释光材料和单光子计数技术的γ辐射场剂量率测量装置,其特征在于:所述信号处理单元包括光电倍增管、高压模块及分压电路、脉冲放大甄别整形电路、计数器、剂量率计算显示模块和光纤连接器。
8.根据权利要求7所述的基于长寿命释光材料和单光子计数技术的γ辐射场剂量率测量装置,其特征在于:所述光电倍增管为适用于单光子计数应用的光电倍增管,放大倍数不小于2×106,脉冲上升时间小于2ns,暗计数率小于10cps,入射窗为硼硅玻璃,光阴极为辐射灵敏度峰值典型值为88mA/W(420nm)的双碱材料或者辐射灵敏度峰值典型值为110mA/W(400nm)或130mA/W(400nm)的超级双碱材料,光阴极有效直径典型值为8mm。
9.根据权利要求7所述的基于长寿命释光材料和单光子计数技术的γ辐射场剂量率测量装置,其特征在于:所述脉冲放大甄别整形电路包括放大器、甄别器和脉冲整形器,脉冲放大甄别整形电路的带宽不小于300MHz,具有固定的不大于20ns的脉冲对分辨率,输出宽度典型值为10ns的TTL或CMOS电平。
10.根据权利要求1所述的基于长寿命释光材料和单光子计数技术的γ辐射场剂量率测量装置,其特征在于:所述退火组件用于释光材料的远程退火,包括激光光源、准直透镜、聚焦透镜和光纤连接器,所述激光光源为二极管激光器或小型二极管泵浦固体激光器,波长小于550nm,功率不小于50mW。
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