CN110349983A - 影像感测器及其形成方法 - Google Patents

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Abstract

根据本发明一些实施例，提供一种影像感测器。上述影像感测器包含具有一第一像素区及一第二像素区基底。上述影像感测器还包含设置于基底上的共振结构。上述共振结构包含设置于第一像素区及第二像素区上的第一金属层。上述共振结构亦包含设置于第一金属层及第一像素区上的第一绝缘层。第一绝缘层具有第一厚度。上述共振结构还包含设置于第一金属层及第二像素区上的第二绝缘层。第二绝缘层具有大于第一厚度的一第二厚度。此外，上述共振结构包含设置于第一绝缘层及第二绝缘层上的第二金属层。

Description

影像感测器及其形成方法
技术领域
本发明涉及影像感测器，特别涉及一种包含共振结构的影像感测器。
背景技术
随着数字科技的发展，影像感测器变得更广泛地被运用于社会。例如，影像感测器可运用在现代信息及传输装置，例如电视、笔记本电脑、电脑、手机及智能手机。此外，每一个世代的影像感测器发展成比前代更薄、更轻、更小且更流行。
虽然影像感测器普遍上符合它们的需求，但并不是在所有方面上都令人满意。因此，有必要提供一种更进步的影像感测器。
发明内容
根据本发明一些实施例，提供一种影像感测器。上述影像感测器包含具有一第一像素区及一第二像素区基底。上述影像感测器还包含设置于基底上的共振结构。上述共振结构包含设置于第一像素区及第二像素区上的第一金属层。上述共振结构亦包含设置于第一金属层及第一像素区上的第一绝缘层。第一绝缘层具有第一厚度。上述共振结构还包含设置于第一金属层及第二像素区上的第二绝缘层。第二绝缘层具有大于第一厚度的一第二厚度。此外，上述共振结构包含设置于第一绝缘层及第二绝缘层上的第二金属层。
根据本发明一些实施例，提供一种影像感测器的形成方法。上述方法包含提供具有第一像素区及第二像素区的基底。上述方法亦包含形成共振结构于基底上。形成上述共振结构包含形成第一金属层于第一像素区及第二像素区上。形成上述共振结构亦包含形成第一绝缘层于第一金属层及第一像素区上。第一绝缘层具有第一厚度。形成上述共振结构还包含形成第二绝缘层于第一金属层及第二像素区上。第二绝缘层具有大于第一厚度的第二厚度。此外，形成上述共振结构包含形成第二金属层于第一绝缘层及第二绝缘层上。
附图说明
本公开的各种样态最好的理解方式为阅读以下说明书的详说明并配合说明书附图。应该注意的是，本公开的各种不同特征部件并未依据工业标准作业的尺寸而绘制。事实上，为使说明书能清楚叙述，各种不同特征部件的尺寸可以任意放大或缩小。
第1A-1F图是依据本发明一些实施例，形成影像感测器的工艺各阶段的剖面示意图；
第2A-2E图是依据本发明一些实施例，形成影像感测器的工艺各阶段的剖面示意图；
图3是依据本发明一些实施例，影像感测器的剖面示意图；
图4是依据本发明一些实施例，影像感测器的剖面示意图。
附图标记列表
100～影像感测器；
102～基底；
104a～第一像素区；
104b～第二像素区；
104c～第三像素区；
104d～第四像素区；
106～光电二极管；
108～保护层；
110～金属层；
112；绝缘层；
112a-112d～绝缘层；
114～金属层；
116～保护层；
118～间隙物层；
118a-118d～绝缘层；
120～感光材料层；
120a-112d～蚀刻缓冲层；
122a-122d～绝缘层；
124～金属层；
126～金属层；
128～保护层；
130～共振结构；
130a-130d～波导；
150～光线；
160～多段式调整掩模；
162a-162d～光穿透区；
170～蚀刻工艺；
200～影像感测器；
300～影像感测器；
400～影像感测器；
T1-T9、T5’-T8’～厚度
具体实施方式
以下针对本公开一些实施例的滤光结构及影像感测器作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例或例子，用以实施本公开一些实施例的不同样态。以下所述特定的元件及排列方式仅为简单清楚描述本公开一些实施例。当然，这些仅用以举例而非本公开的限定。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本公开一些实施例，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关连性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触的情形。或者，亦可能间隔有一或更多其它材料层的情形，在此情形中，第一材料层与第二材料层之间可能不直接接触。
此外，实施例中可能使用相对性的用语，例如“较低”或“底部”及“较高”或“顶部”，以描述附图的一个元件对于另一元件的相对关系。能理解的是，如果将附图的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“较低”侧的元件将会成为在“较高”侧的元件。
在此，“约”、“大约”、“大抵”的用语通常表示在一给定值或范围的20％之内，优选是10％之内，且优选是5％之内，或3％之内，或2％之内，或1％之内，或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明“约”、“大约”、“大抵”的情况下，仍可隐含“约”、“大约”、“大抵”的含义。
能理解的是，虽然在此可使用用语“第一”、“第二”、“第三”等来叙述各种元件、组成成分、区域、层、及/或部分，这些元件、组成成分、区域、层、及/或部分不应被这些用语限定，且这些用语仅是用来区别不同的元件、组成成分、区域、层、及/或部分。因此，以下讨论的一第一元件、组成成分、区域、层、及/或部分可在不偏离本公开一些实施例的启示的情况下被称为一第二元件、组成成分、区域、层、及/或部分。
除非另外定义，在此使用的全部用语(包括技术及科学用语)具有与此篇公开所属的一般技艺者所通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语，例如在通常使用的字典中定义的用语，应被解读成具有与相关技术及本公开的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本公开实施例有特别定义。
本公开一些实施例可配合附图1并理解，本公开实施例的附图亦被视为本公开实施例说明的一部分。需了解的是，本公开实施例的附图并未以实际装置及元件的比例示出。在附图中可能夸大实施例的形状与厚度以便清楚表现出本公开实施例的特征。此外，附图中的结构及装置是以示意的方式示出，以便清楚表现出本公开实施例的特征。
在本公开一些实施例中，相对性的用语例如“下”、“上”、“水平”、“垂直”、“的下”、“的上”、“顶部”、“底部”等等应被理解为该段以及相关附图中所示出的方位。此相对性的用语仅是为了方便说明的用，其并不代表其所叙述的装置需以特定方位来制造或运行。而关于接合、连接的用语例如“连接”、“互连”等，除非特别定义，否则可指两个结构是直接接触，或者亦可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。且此关于接合、连接的用语亦可包括两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。
值得注意的是，在后文中“基底”一词可包括透明基底上已形成的元件与覆盖在基底上的各种膜层，其上方可以已形成任何所需的半导体元件，不过此处为了简化附图，仅以平整的基底表示的。
参阅第1A-1F图，第1A-1F图是依据本发明一些实施例，形成影像感测器100的工艺各阶段的剖面示意图。如图1A所示，影像感测器包含基底102。基底102可为半导体基底，例如硅基底。此外，上述半导体基底亦可为元素半导体，包括锗(germanium)；化合物半导体，包括碳化硅(silicon carbide)、砷化镓(gallium arsenide)、磷化镓(galliumphosphide)、磷化铟(indium phosphide)、砷化铟(indium arsenide)及/或锑化铟(indiumantimonide)；合金半导体，包括硅锗合金(SiGe)、磷砷镓合金(GaAsP)、砷铝铟合金(AlInAs)、砷铝镓合金(AlGaAs)、砷铟镓合金(GaInAs)、磷铟镓合金(GaInP)及/或磷砷铟镓合金(GaInAsP)或上述材料的组合。此外，基底102也可以是绝缘层上覆半导体(semiconductor on insulator,SOI)，且不限于此。
在一些实施例，如图1A所示，基底102包含第一像素区104a、第二像素区104b、第三像素区104c及第四像素区104d。在一些实施例，第一像素区104a、第二像素区104b、第三像素区104c及第四像素区104d可接收不同波长的光。
在一些实施例，如图1A所示，基底102包含光电二极管106，其对应于每一个第一像素区104a、第二像素区104b、第三像素区104c及第四像素区104d。光电二极管106可包含p-n接面结构或PIN结构。当光子被光电二极管106吸收后，会产生电流，借此将光的信号转换成电流信号。
此外，线路层(未示出)设置于相邻的两个光电二极管106之间。线路层由导电材料形成材料。导电材料包含铜、铝、钼、钨、金、铬、镍、铂、钛、铱、铑、上述合金及其他适合的导电材料，或上述组合。线路层用来吸收未击中光电二极管106的光。
值得注意的是，如图1A所示的基底102仅作为用来更容易了解本发明实施例所述的示例，且本发明并不打算限定于此。亦即，除了光电二极管106，基底102可包含更多的半导体元件于各种不同的实施例之中。
在一些实施例，如图1A所示，影像感测器也包含保护层108，其对应至每一个第一像素区104a、第二像素区104b、第三像素区104c及第四像素区104d。保护层108可用来保护接下来形成的波导(waveguide)或共振结构(resonator structure)。在一些实施例，保护层108包含介电材料。例如，保护层108的材料可包含二氧化硅、氧化铪、氧化锆、氧化铝、氮氧化硅、二氧化铪-氧化铝合金(hafnium dioxide-alumina alloy)、氧化铪硅(hafniumsilicon oxide)、氧氮化铪硅(hafnium silicon oxynitride)、氧化钽铪(hafniumtantalum oxide)、氧化铪钛(hafnium titanium oxide)、氧化铪锆(hafnium zirconiumoxide)、其他适合的high-k材料或上述组合。
保护层108材料的选择可取决于之后形成的金属层的材料。在一些实施例，保护层108由SiO2，Al2O3或其他适合的材料形成。
接下来，在一些实施例，如图1B所示，金属层110个别地形成在每一个保护层108上。金属层110可作为之后形成的波导或共振结构的底部金属层。在一些实施例，金属层110包含Zr、Nb、Mo、Cd、Ru、Ti、Al、Mg、V、Hf、Ge、Mn、Cr、W、Ta、Ir、Zn、Cu、Fe、Co、Au、Pt、Sn、Ni、Te、Ag、上述合金或上述组合。
金属层110材料的选择可取决于之后形成的波导或共振结构可以通过的光的波长。在一些实施例，金属层110由Cu、Al、Ag或上述合金形成。在一些实施例，金属层110的厚度介于约10nm至约10μm的范围间。如图1B所示，第一像素区104a、第二像素区104b、第三像素区104c及第四像素区104d上的金属层110的厚度是相同的。可在本发明实施例作各种变化及/或修正。在一些实施例，第一像素区104a、第二像素区104b、第三像素区104c及第四像素区104d的金属层110的厚度彼此不同。
接下来，在一些实施例，如图1C所示，绝缘层112形成在每一个金属层110上。绝缘层112用来作为之后形成的波导或共振结构的共振腔体。
在一些实施例，绝缘层112包含感光材料。感光材料包含光引发剂(photo-initiator)，上述光引发剂选自由二乙氧基苯乙酮(diethoxy acetophenone)、二苯甲酮(benzophenone)、芐基苯偶姻异丁基醚(benzyl benzoin isobutyl ether)、芐基二甲基缩酮(benzyl dimethyl ketal)、芳香族重氮盐(aromatic diazonium salts)、三烯丙基锍盐(triallysulfonium salts)、二烯丙基碘鎓盐(diallyiodonium salts)、茂金属化合物(metallocene compounds)及上述混合物所构成的群。感光材料也包含光敏聚合单体或寡聚物，其选自双键化合物、具有环氧官能基团的化合物及其混合物；或是选自由长链烷基官能团基、硅氧烷-烷基化合物、及上述混合物所构成的群。绝缘层112的厚度取决之后形成，且允许不同波长的光通过的绝缘层112a-112d的厚度。例如，绝缘层112的厚度介于约1μm至约20μm的范围间。
接下来，如图1D所示，移除部分的绝缘层112以形成绝缘层112a于第一像素区104a上、绝缘层112b于第二像素区104b上、绝缘层112c于第三像素区104c上及绝缘层112d于第四像素区104d上。在一些实施例，如图1D所示，绝缘层112a、112b、112c及112d具有不同的厚度。
在一些实施例，绝缘层112a、112b、112c及112d由正型光刻胶形成。正型光刻胶材料在曝光时会分解。正型光刻胶的材料包含苯酚-甲醛(phenol-formaldehyde)树酯，环氧树酯或其他适合的材料。
在一些实施例，绝缘层112a、112b、112c及112d通过黄光工艺形成。在一些实施例，多段式调整掩模160用来帮助移除绝缘层112，以形成绝缘层112a、112b、112c及112d。如图1D所示，多段式调整掩模160包含光穿透区162a、光穿透区162b、光穿透区162c及光穿透区162d，其个别对应至第一像素区104a、第二像素区104b、第三像素区104c及第四像素区104d。光穿透区162a、162b、162c及162d可用具有不同密度的材料填充，使得光穿透区162a、162b、162c及162d具有不同的光穿透率。结果，当光线150穿透多段式调整掩模160，不同的光线的量穿透了光穿透区162a、162b、162c及162d。在此实施例，如图1D所示，填充至光穿透区162d内的材料密度大于填充至光穿透区162c内的材料密度、填充至光穿透区162c内的材料密度大于填充至光穿透区162b内的材料密度，且填充至光穿透区162b内的材料密度大于填充至光穿透区162a内的材料密度。结果，光穿透区162d的光穿透率小于光穿透区162c的光穿透率、光穿透区162c的光穿透率小于光穿透区162b的光穿透率，且光穿透区162b的光穿透率小于光穿透区162a的光穿透率。
绝缘层112a、112b、112c及112d的厚度个别取决于光穿透区162a、162b、162c及162d的光穿透率。在一些实施例，通过使用多段式调整掩模160曝光后，并对绝缘层112执行显影工艺后，第一像素区104a上的绝缘层112a具有厚度T1，第二像素区104b上的绝缘层112b具有大于厚度T1的厚度T2、第三像素区104c上的绝缘层112c具有大于厚度T2的厚度T3，且第四像素区104d上的绝缘层112d具有大于厚度T3的厚度T4。在一些实施例，绝缘层112a、112b、112c及112d的厚度介于约100nm至约10μm的范围间。
接下来，在一些实施例，如图1E所示，金属层114个别形成于绝缘层112a、112b、112c及112d上。形成金属层114后，形成了波导130a、波导130b、波导130c及波导130d。结果，制造了包含波导130a、130b、130c及130d的共振结构130。金属层114可作为共振结构130的波导130a、130b、130c及130d的顶部金属层。在一些实施例，金属层114包含Zr、Nb、Mo、Cd、Ru、Ti、Al、Mg、V、Hf、Ge、Mn、Cr、W、Ta、Ir、Zn、Cu、Fe、Co、Au、Pt、Sn、Ni、Te、Ag、合金或上述组合。
金属层114材料的选择可取决于波导130a、130b、130c及130d允许穿透的光的波长。在一些实施例，金属层114由Cu、Al、Ag或上述合金形成。在一些实施例，金属层114的厚度介于约10nm至约10μm的范围间。如图1E所示，第一像素区104a、第二像素区104b、第三像素区104c及第四像素区104d上的金属层114的厚度相同。可在本发明实施例作各种变化及/或修正。在一些实施例，第一像素区104a、第二像素区104b、第三像素区104c及第四像素区104d上的金属层114的厚度彼此不同。
在一些实施例，如图1E所示，金属层114的厚度与金属层110的厚度相同。可在本发明实施例作各种变化及/或修正。在一些实施例，金属层114的厚度与金属层110的厚度不同。
如图1E所示，共振结构130包含波导130a、130b、130c及130d，其个别对应至第一像素区104a、第二像素区104b、第三像素区104c及第四像素区104d。每一个波导130a、130b、130c及130d包含作为MIM(metal-insulator-metal)结构的底部金属层(例如，金属层110)、绝缘层(例如，绝缘层112a、112b、112c及112d)，以及顶部金属层(例如，金属层114)。如图1E所示，绝缘层设置于底部金属层及顶部金属层之间。此外，每一个波导130a、130b、130c及130d包含至少两个能让光穿透的开口(未示出)。相较于不与波导共振的光的波长，与波导共振的光的波长具有较大的穿透率。亦即，波导130a、130b、130c及130d个别允许特定的光的波长通过。
可以穿透共振结构130d的光的波长取决于夹在底部金属层及顶部金属层之间的绝缘层的厚度。在一些实施例，如图1E所示，绝缘层112a、112b、112c及112d的厚度个别影响了穿透波导130a、130b、130c及130d光的波长。由于绝缘层112a、112b、112c及112d个别具有不同的厚度，因此第一像素区104a、第二像素区104b、第三像素区104c及第四像素区104d的光电二极管106接收了不同波长的光。
接下来，在一些实施例，如图1F所示，保护层116个别形成在每一个金属层114上。保护层116可用来保护共振结构130。保护层116的材料的选择可取决于金属层114的材料。在一些实施例，保护层116的材料与保护层108的材料相同。
形成保护层116后，制造了影像感测器100。如同上述，波导130a、130b、130c及130d允许不同的光的波长通过。因此，波导130a、130b、130c及130d可以作为彩色滤光器。此外，共振结构130能作为影像感测器100的光学放射光谱仪。此外，在移除绝缘层112的期间，在曝光的步骤使用多段式调整掩模160，能用一个步骤形成具有不同的厚度的绝缘层112a、112b、112c及112d。结果，简化了制造影像感测器100的工艺以及降低成本。
参阅第2A-2E图，第2A-2E图是依据本发明一些实施例，形成影像感测器200的工艺各阶段的剖面示意图。在一些实施例，图2A是在执行如图1B所示的工艺后的结构的剖面示意图。
在一些实施例，如图2A所示，间隙物层118个别形成在每一个金属层110及第一像素区104a、第二像素区104b、第三像素区104c及第四像素区104d上。间隙物层118用来作为之后形成的波导或共振结构的绝缘层。在一些实施例，间隙物层118包含低反射系数材料。例如，间隙物层118可为介电材料。介电材料包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氮碳化硅、磷硅酸盐玻璃(phosphosilicate glass,PSG)、硼磷硅酸盐玻璃(borophosphosilicate glass,BPSG)、低介电常数(low-k)介电材料及其他适合的介电材料。低介电常数介电材料包含氟化硅玻璃(fluorinated silica glass,FSG)、碳掺杂氧化硅、无定形氟化碳、聚对二甲苯、双苯并环丁烯(bis-benzocyclobutenes,BCB)、聚酰亚胺、上述材料组合，及其他适合的材料。间隙物层118的厚度取决于之后形成，且允许不同波长的光通过的绝缘层118a-118d的厚度。例如，间隙物层118的厚度介于约1μm至约20μm的范围间。
接下来，在一些实施例，如图2B所示，感光材料层120个别形成在每一个间隙物层118上。在一些实施例，感光材料层120作为蚀刻缓冲层，其用来在接下来的工艺帮助移除间隙物层118。在一些实施例，感光材料层120是正型光刻胶，照光时，感光材料层120会分解。
接下来，如图2C所示，使用光线150及多段式调整掩模160，使部分的感光材料层120曝光，并对感光材料层120执行显影工艺，使得蚀刻缓冲层120a、蚀刻缓冲层120b、蚀刻缓冲层120c及蚀刻缓冲层120d形成。如图2C所示，在曝光工艺的期间，使用多段式调整掩模160，使得第一像素区104a上的蚀刻缓冲层120a、第二像素区104b上的蚀刻缓冲层120b、第三像素区104c上的蚀刻缓冲层120c及第四像素区104d上的蚀刻缓冲层120d具有不同的厚度。如图2C所示的移除工艺与如图1D所示的移除工艺相同或相似，其细节在此不再赘述。
蚀刻缓冲层120a、120b、120c及120d的厚度个别取决于光穿透区162a、162b、162c及162d的光穿透率。在一些实施例，如图2C所示，第一像素区104a上的蚀刻缓冲层120a具有厚度T5，第二像素区104b上的蚀刻缓冲层120b具有大于厚度T5的厚度T6，第三像素区104c上的蚀刻缓冲层120c具有大于厚度T6的厚度T7，且第四像素区104d上的蚀刻缓冲层120d具有大于厚度T7的厚度T8。
接下来，在一些实施例，如图2D所示，通过蚀刻工艺170移除部分的间隙物层118，以形成绝缘层118a、绝缘层118b、绝缘层118c及绝缘层118d。此外，在执行蚀刻工艺170期间，蚀刻缓冲层120a、120b、120c及120d被完全移除。蚀刻工艺170可包含干蚀刻工艺。干蚀刻工艺包含等离子体蚀刻工艺或其他适合的蚀刻工艺。在一些实施例，蚀刻工艺使用的蚀刻剂包含碳、氯及氟。例如，蚀刻工艺使用的蚀刻剂可包含Cl2、CF4、CH3F、C4F6或其他适合的蚀刻气体。
在一些实施例，蚀刻缓冲层120a、120b、120c及120d个别用来控制绝缘层118a、118b、118c及118d的厚度。在一些实施例，绝缘层118a、118b、118c及118d个别的厚度取决于蚀刻缓冲层120a、120b、120c及120d的厚度。如图2D所示，第一像素区104a上的绝缘层118a具有厚度T5’、第二像素区104b上的绝缘层118b具有大于厚度T5’的厚度T6’、第三像素区104c上的绝缘层118c具有大于厚度T6’的厚度T7’，且第四像素区104d上的绝缘层118d具有大于厚度T7’的厚度T8’。在此实施例，绝缘层118a、118b、118c及118d之间的厚度大小的关系与蚀刻缓冲层120a、120b、120c及120d之间的厚度大小的关系相同。
接下来，在一些实施例，如图2E所示，金属层114和保护层116个别形成于绝缘层118a、118b、118c及118d上，形成了由波导130a、130b、130c及130d组成的共振结构130，并创造了影像感测器200。从如图2D所示的结构至如图2E所示的结构所执行的工艺可与如图1E所示的结构至如图1F所示的结构所执行的工艺相同或相似，其细节在此不再重复叙述。
如图2E所示，波导130a、130b、130c及130d包含底部金属层(例如金属层110)、绝缘层(例如绝缘层118a、118b、118c及118d)及顶部金属层(例如金属层114)。如同上述，波导130a、130b、130c及130d允许不同波长的光通过。因此，波导130a、130b、130c及130d能作为彩色滤光器。此外，共振结构130能作为影像感测器200的光学放射光谱仪。在此实施例，用感光层来形成蚀刻缓冲层，以控制绝缘层的厚度，使得绝缘层能选择正型光刻胶以外的介电材料。
可在本发明实施例作各种变化及/或修正。在一些实施例，波导包含两个或更多个MIM结构。参阅图3，图3是依据本发明一些实施例，影像感测器300的剖面示意图。
在一些实施例，每一个波导130a、波导130b、波导130c及波导130d还包含另一个MIM结构。例如，如图3所示，波导130a包含由金属层124、绝缘层122a及金属层126组成的另一个MIM结构。另外，每一个波导130a、130b、130c及130d包含位于另一个MIM结构上的另一个保护层128。另一个绝缘层、另一个保护层及另一个金属层的材料可个别与绝缘层112、保护层116及金属层114相同或相似，在此不再重复叙述。
在一些实施例，如图3所示，同一个波导内的两个绝缘层的厚度是相同的。例如，绝缘层112a、112b、112c及112d的厚度个别与绝缘层122a、122b、122c及122d的厚度相同。可在本发明实施例作各种变化及/或修正。在一些实施例，同一个波导内的两个绝缘层的厚度是不同的。例如，绝缘层122a的厚度与绝缘层112a的厚度不同。通过调整MIM结构的数量，能选择具有更窄波段波长的光穿过波导。
可在本发明实施例作各种变化及/或修正。在一些实施例，两个MIM结构使用共同的金属层。参阅图4，图4是依据本发明一些实施例，影像感测器400的剖面示意图。如图4所示，波导130a包含由金属层110、绝缘层112a及金属层114组成的MIM结构。此外，波导130a包含由金属层114、绝缘层122a及金属层124组成的另一个MIM结构，其中金属层114用来作为另一个(较上面的)MIM结构的底部金属层，也用来作为较下面的MIM结构的顶部金属层。在此实施例，金属层114用来作为两个MIM结构的共同的金属层。在一些实施例，同一个波导内的两个绝缘层的厚度是相同的。例如，绝缘层122a的厚度T9与绝缘层112a的厚度T1相同。在一些实施例，绝缘层122a的厚度T9与绝缘层112a的厚度T1不同。
以上叙述许多实施例的特征，使所属技术领域中技术人员能够清楚理解本公开的概念。所属技术领域中技术人员能够理解，其可利用本发明公开内容作为基础，以设计或变动其他工艺及结构而完成相同于上述实施例的目的及/或达到相同于上述实施例的优点。所属技术领域中技术人员亦能够理解，不脱离本公开的构思和范围的等效构造可在不脱离本公开的构思和范围内作各种的变动、替代与润饰。

Claims (12)

1.一种影像感测器，包括：
一基底，具有一第一像素区及一第二像素区；以及
一共振结构，设置于该基底上，且该共振结构包括：
一第一金属层，设置于该第一像素区及该第二像素区上；
一第一绝缘层，设置于该第一金属层及该第一像素区上，其中该第一绝缘层具有一第一厚度；
一第二绝缘层，设置于该第一金属层及该第二像素区上，其中该第二绝缘层具有大于该第一厚度的一第二厚度；以及
一第二金属层设置于该第一绝缘层及该第二绝缘层上。
2.如权利要求1所述的影像感测器，其中该基底还包括一第三像素区，且该第二像素区位于该第一像素区和该第三像素区之间，且该共振结构还包括一第三绝缘层，其设置于该第一金属层及该基底的该第三像素区上，其中该第三绝缘层具有大于该第二厚度的一第三厚度。
3.如权利要求1所述的影像感测器，还包括：
一第一保护层，设置于该基底及该第一金属层之间；以及
一第二保护层，设置于该第二金属层上，
其中该第一金属层及该第二金属层包括Zr、Nb、Mo、Cd、Ru、Ti、Al、Mg、V、Hf、Ge、Mn、Cr、W、Ta、Ir、Zn、Cu、Fe、Co、Au、Pt、Sn、Ni、Te、Ag、合金或上述组合。
4.如权利要求3所述的影像感测器，其中该第一保护层及该第二保护层包括SiO2或Al2O3。
5.如权利要求1所述的影像感测器，其中该共振结构还包括：
一第三金属层，设置于该第二金属层上；
一第四绝缘层，设置于该第三金属层及该第一像素区上；以及
一第四金属层，设置于该第四绝缘层上。
6.如权利要求1所述的影像感测器，其中该共振结构还包括：
一第四绝缘层，设置于该第二金属层及该第一像素区上；以及
一第三金属层，设置于该第四绝缘层上；
其中该第一绝缘层及该第二绝缘层包括感光材料或介电材料。
7.一种影像感测器的形成方法，包括：
提供一基底，其具有一第一像素区及一第二像素区；以及
形成一共振结构于该基底上，且形成该共振结构包括：
形成一第一金属层于该第一像素区及该第二像素区上；
形成一第一绝缘层于该第一金属层及该第一像素区上，其中该第一绝缘层具有一第一厚度；
形成一第二绝缘层于该第一金属层及该第二像素区上，其中该第二绝缘层具有大于该第一厚度的一第二厚度；以及
形成一第二金属层于该第一绝缘层及该第二绝缘层上。
8.如权利要求7所述的影像感测器的形成方法，其中该基底还包括：一第三像素区，且该第二像素区位于该第一像素区及该第三像素区之间，且形成该共振结构还包括：
形成一第三绝缘层于该第一金属层及该第三像素区上，其中该第三绝缘层具有大于该第二厚度的一第三厚度。
9.如权利要求7所述的影像感测器的形成方法，其中形成该第一绝缘层及该第二绝缘层包括：
形成一感光材料层于第一像素区及该第二像素区上；以及
通过一多段式调整掩模，使该感光材料层曝光，以形成该第一绝缘层及该第二绝缘层，使得该第一绝缘层具有该第一厚度且该第二绝缘层具有该第二厚度，其中该感光材料层由正型光刻胶形成，使得该第一绝缘层的该第一厚度小于该第二绝缘层的该第二厚度。
10.如权利要求7所述的影像感测器的形成方法，还包括：
形成一第一保护层于该基底及该第一金属层之间；以及
形成一第二保护层于该第二金属层上，
且形成该共振结构还包括：
形成一第四绝缘层于该第二金属层及该第一像素区上；以及
形成一第三金属层于该第四绝缘层上，其中该第三金属层形成于该第四绝缘层及该第二保护层之间。
11.如权利要求7所述的影像感测器的形成方法，其中形成该第一绝缘层及该第二绝缘层包括：
形成一间隙物层于该基底的该第一像素区及该第二像素区上；
形成一感光材料层于该间隙物层上；以及
通过一多段式调整掩模，使该感光材料层曝光，以形成一第一蚀刻缓冲层于该第一像素区上及一第二蚀刻缓冲层于该第二像素区上，其中该第一蚀刻缓冲层具有一第四厚度，且该第二蚀刻缓冲层具有大于该第四厚度的一第五厚度，
其中该感光材料层由正型光刻胶形成，
该间隙物层包括绝缘材料。
12.如权利要求11所述的影像感测器的形成方法，其中形成该第一绝缘层及该第二绝缘层包括：
执行一蚀刻工艺，以移除该第一蚀刻缓冲层及该第二蚀刻缓冲层；以及移除一部分的该间隙物层，使得该第一绝缘层具有该第一厚度且该第二绝缘层具有该第二厚度，
移除该间隙物层的该部分包括：
移除位于该第一像素区的该间隙物层的一第一部分；以及
移除位于该第二像素区的该间隙物层的一第二部分，其中该第二部分小于该第一部分。
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