CN110337237A - 用紫外激光器让uv胶失去粘性的方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种用紫外激光器让UV胶失去粘性的方法，包括如下的步骤：获取待处理晶片的坐标；根据坐标信息，紫外激光器输出紫外光斑逐个对通过UV胶粘附在基膜上的待处理晶片进行紫外照射；将晶片所在基膜位置上的UV胶失去粘性，晶片能够转移或取下。通过使用紫外激光器形成大小可控、落点位置精确可调、形状可指定的紫外激光光斑，通过紫外激光光斑对基膜上的指定的晶片区域进行照射，可以使特定的晶片失联，尤其适合待处理的晶片呈散点式粘附在具有UV胶的基膜上的情形。由于紫外激光器输出的光斑能量集中，可以快速的让光斑照射的地方失粘。

Description

用紫外激光器让UV胶失去粘性的方法

技术领域

本发明涉及对晶片进行加工、处理技术领域，尤其涉及用紫外激光器让UV胶失去粘性的方法。

背景技术

位于基膜上的晶片会出现不符合要求的情况，这些不符合要求的晶片离散的分布在基膜的不同位置；如何将这些不符合要求的晶片取下就亟待解决。如对晶片进行测试时，有些晶片可能不满足当前的BIN。

现有技术中有采用紫外灯使基膜上的UV胶失联的办法，失联的UV胶不能再粘附固定晶片，就可以将晶片从基膜上方便的取下。但这种方法有局限性，紫外灯发出的是面光源，紫外光的照射范围是不能精确控制的，而与之相对的是基膜上的晶片是小尺寸的，如果不能精确的控制紫外线的照射范围，那将导致大面积的晶片从基膜上失联。而不符合要求的晶片是散点式分布在基膜上的，或者是位于散列在各处的几何区域内，如果采用紫外灯则会使不该失联的晶片也失联了，则没有了精确选择晶片的作用。

发明内容

本发明的目的在于克服上述现有技术之不足而提供一种用紫外激光器让UV胶失去粘性的方法，通过使用紫外激光器形成大小可控、落点位置精确可调、形状可指定的紫外激光光斑，通过紫外激光光斑对基膜上的指定的晶片区域进行照射，可以使特定的晶片失联，尤其适合处理待失联一个或一组晶片呈散点式的粘附在具有UV胶的基膜上的情形。

为实现上述目的，本发明提供的一种用紫外激光器让UV胶失去粘性的方法，包括如下步骤：

a)获取待处理晶片的坐标；

b)根据坐标信息，紫外激光器输出紫外光斑逐个对通过UV胶粘附在基膜上的待处理晶片进行紫外照射；

c)将晶片所在基膜位置上的UV胶失去粘性，晶片能够转移或取下。

对上述技术方案进一步的改进，包括如下的步骤：

a)将晶片以阵列形式粘附在具有UV胶的基膜上；获取基膜上所有晶片的坐标信息，形成位置地图数据库；对所有晶片进行测试，并将测试结果录入到位置地图数据库中；根据需求，按照测试结果对晶片进行分类；

b)根据相同一类晶片坐标信息，紫外激光器输出紫外光斑逐个对通过UV胶粘附在基膜上的待处理晶片紫外照射一定时长，使晶片与基膜上的UV胶失去粘性；

c)晶片用负压装置转移另一张基膜。

优选的，

a)采用机器视觉测量基膜上整个阵列晶片的坐标。所述的机器视觉具体是采用CCD相机。

优选的，

b)紫外激光器输出紫外光斑，从基膜的方向射入，从晶片的方向射出。

优选的，

a)所述基膜上方覆盖一层UV胶层，晶片粘到UV胶上，晶片和UV胶层上方覆盖有离型膜。

优选的，

c)通过将离型膜的撕下，将失去粘性晶片一并取下。

优选的，

c)将失联的晶片采用负压吸嘴转移到指定位置。

优选的，

c)将基膜抖动或者翻转，使晶片从基膜上脱落。

优选的，所述晶片是集成电路、IC、传感器、发光二极管芯片、激光芯片中的任一种。

优选的，所述基膜的材料为薄形透明材料。即，所述基膜由薄形透明材料制成。

优选的，所述晶片由可粘附在具有UV胶的基膜上且可用视觉机器分类的物件代替，如微型透镜刮伤。用视觉机器分类指代是用机器视觉装置(如CCD相机)将物件分为不同的类型。

优选的，所述晶片还可以由根据电压、电流指标进行分类的物件代替。

本发明的有益效果是：

1.本发明使用紫外激光器形成面积较小的光斑，并且通过振镜可以控制光斑在XY平面上的精确位移和光斑落点；通过对一张基膜上的晶片进行各项测试，构建出位置地图，并将位置地图以数据库形式存储；基于一定的测试基准，并将测试结果写入到数据库中；可以将当前的所有晶片分为符合某项或某组测试基准和不符合两类，然后控制紫外光斑依次对各个坐标点处的晶片进行照射，使被照射的晶片与基膜失联；将全部不符合要求的晶片失联后，就可以将这些失联晶片去除；然后还可以根据其他的测试基准或其他组的基准进行下一轮的定点失联。比如，第一轮先将“死灯”的晶片去除；第二轮将属于第一类BIN的晶片失联；可以根据需要进行多次。这样就可以达到一定的分选目的，这种形式的分选与传统的分选机有不同，本发明的这种分选应用，尤其适合将晶片进行粗分类。

2.本发明可以在整个工作范围内处理任何需要失联的对象。这些对象至少有如下的三种位置排布情形：①一个或多个非相邻排列的晶片，即散点式排列的一个或多个晶片(≥2个)；②多个晶片散点排列，并且有多个晶片相邻排列形成一个或多个(≥2个)的几何图形区域；③多个晶片相邻排列形成一个或多个(≥2个)的几何图形区域。针对情形①，紫外激光器从位置地图处获取数据，从位置地图中提取出一个子集，该子集为当前需要失联处理的晶片的位置坐标集合，并逐个对这些晶片进行紫外照射；针对情形②，根据位置地图提出出当前需要处理的晶片的坐标集合，然后进行聚类分析，将坐标连续排列的聚合成一个块，然后对这些散点式的晶片、处于不同块的晶片逐个进行紫外照射失联；针对情形③，与情形②不同的是，情形③没有散点式的晶片，所有晶片都处于不同的几何区域内。

3.由于紫外激光器输出的光斑能量集中(能量密度高)，可以快速地让光斑照射的地方失联。使一个晶片失联只需要很短的照射时间，通过紫外激光器的振镜，可以使光斑在XY平面上快速的、精确的移位，而且每次停留很短的时间就可以使晶片失联；这样就可以高效率、快速的处理大量晶片。

4.本发明适用于各种晶片,晶片主要包括各种芯片。此外，本发明不仅仅适用于晶片，还适用于其它小尺寸物件，这些物件以阵列形式、较小的间距粘在具有UV胶层的基膜上。这些物件可采用机器视觉装置(如CCD相机)分为不同的类或者根据其电电压、电流等电学特性或光学特性(如透光度)分为不同的类，然后将某一类的物件进行紫外照射失粘，这样某一类的物件就可以从基膜上取下。这样可以实现对物件按照某特性进行分选。

附图说明

图1是本发明一实施例的示意图；

图2是具有所关注特性的晶片的分布情况示意图，其中，黑色代表所关注的晶片；

图3是图2的另一情形；

图4是图2的又一种情形；

图5是多级分选晶片时的示意图；

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

参照图1，本发明公开了一种用紫外激光器让UV胶失去粘性的方法，通过使用紫外激光器，输出紫外光斑，紫外光斑的面积大小可以控制、落点坐标可以精确调节、光斑的形状也可以指定，紫外光斑的能量密度高，短时间照射就可以使基膜上的UV胶失联，从而便于将晶片取下。本申请主要适用于将不连续分布的晶片取下的情形。比如对基膜上的晶片进行分类筛选，符合某项需求的晶片有可能并不是连续排布在基膜上的，更有可能是无序的排布在基膜上，如何将这些晶片取下就是本申请所要解决的。

这些晶片在基膜上的分布情形分为很多种情况(如图2至图4)：各个晶片连续的排布在基膜上；各个晶片互不相邻(如图2)；有部分晶片互不相邻，有部分晶片连续排列，这些连续排列的晶片有可能呈直线状，也有可能形成一个平面几何区域(如图3)；每个晶片分别属于不同的几何区域，各个几何区域还互不连通(如图4)。

本申请的方法是针对这种情形而展开设计的，具体包括如下的步骤：

a)制备具有UV胶层的基膜，或者使用现有的具有UV胶层的基膜；在基膜上以阵列式排布微小的晶片；当晶片排布完成后，覆盖一层离型膜；通过CCD相机获取基膜上所有晶片的XY坐标信息集合{(晶片编号₁₁，x₁₁，y₁₁)，(晶片编号₁₂，x₁₂，y₁₂)，……，(晶片编号_mn，x_mn，y_nm)}，形成位置地图数据库；对所有晶片进行测试，并将测试结果录入到位置地图数据库中{(晶片编号₁₁，x₁₁，y₁₁，第1项测试的结果，……，第k项测试的结果，……)，(晶片编号₁₂，x₁₂，y₁₂，第1项测试的结果，……，第k项测试的结果，……)，……，(晶片编号_mn，x_mn，y_nm，第1项测试的结果，……，第k项测试的结果，……)}；根据指定的需求(如电压范围、光亮度范围等)，将所有的按照测试结果对晶片进行分类，得到待处理晶片的坐标集合；此处的分类，是较为粗略的分类，为了简单起见，可以将所有的晶片分为两类：符合指定的要求，不符合指定的要求。将不符合指定要求的晶片需要剔除或者转移到另一指定的位置，所有需要处理的晶片为所有晶片集合(全集)的一个子集；

b)通过一定的方法，使紫外激光器的输出光斑将该子集中所有的晶片都照射一遍；照射的时长与紫外光斑的能量密度、UV胶的厚度等相关，所有具体的时长根据实际需要选取即可；

c)不符合指定要求的所有的晶片都照射失联后，采用负压吸嘴转移晶片，或者采用抖动基膜或者翻转基膜或者采用离型膜的微弱粘附作用将失联的晶片一并扯下来。在实际操作中，可以使用其中的一种办法将失联晶片取下即可。当然，采用抖动、翻转基膜的方式，失联晶片就无序的落在了容器之上，其原有的编号关系就丢失了。

更进一步的，根据某种需求，将所有的晶片分为两类，紫外失联、转移处理完毕后；还可以对基膜上剩下的晶片继续分为两类，再一次进行紫外失联、转移处理；反复进行多次，就可以实现对所有晶片较为详细的分选，即多级分选。每一次待处理的晶片都构成所有晶片全集的一个子集；这些待处理的晶片子集以及晶片上留下的晶片子集构成一个二叉树关系(如图5所示)。当然，这里仅仅是给出其中一种分选示例，采用其它的策略也可以实现将基膜上的所有晶片分选。

还需要指出的是：紫外激光器发出的紫外光斑从基膜的下方对晶片进行照射，当然也可以从基膜的上方对晶片进行照射。紫外激光器内含有振镜，通过振镜，紫外光斑可以快速的在基膜上精确位移，并且紫外光斑的每次落点坐标都是可以较为精确的确定的，这就使紫外光斑可以快速的、精确的处理非连续排布的多个晶片。紫外光斑可以移动的区域范围是大于基膜的范围的，所以紫外光斑可以确保基膜上所有的晶片都可以被照射。由于紫外激光器输出的光斑能量集中，可以快速的让光斑照射的地方失联。

经过一次或多次的处理后，从基膜上分选出一类或多类(≥2类)的晶片，在基膜上也留下了空位，这些空位还可以由其它的晶片补齐。

尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (10)

1.一种用紫外激光器让UV胶失去粘性的方法，其特征在于，包括如下的步骤：

a)获取待处理晶片的坐标；

b)根据坐标信息，紫外激光器输出紫外光斑逐个对通过UV胶粘附在基膜上的待处理晶片进行紫外照射；

c)将晶片所在基膜位置上的UV胶失去粘性，晶片能够转移或取下。

2.根据权利要求1所述的用紫外激光器让UV胶失去粘性的方法，其特征在于，

a)将晶片以阵列形式粘附在具有UV胶的基膜上；获取基膜上所有晶片的坐标信息，形成位置地图数据库；对所有晶片进行测试，并将测试结果录入到位置地图数据库中；根据需求，按照测试结果对晶片进行分类；

b)根据相同一类晶片坐标信息，紫外激光器输出紫外光斑逐个对通过UV胶粘附在基膜上的待处理晶片紫外照射一定时长，使晶片与基膜上的UV胶失去粘性；

c)晶片用负压装置转移另一张基膜。

3.根据权利要求2所述的用紫外激光器让UV胶失去粘性的方法，其特征在于，

a)采用机器视觉测量基膜上整个阵列晶片的坐标。

4.根据权利要求3所述的用紫外激光器让UV胶失圡粘性联的方法，其特征在于，

b)紫外激光器输出紫外光斑，从基膜的方向射入，从晶片的方向射出。

5.根据权利要求4所述的用紫外激光器让UV胶失去粘性的方法，其特征在于，

a)所述基膜上方覆盖一层UV胶层，晶片粘到UV胶上，晶片和UV胶层上方覆盖有离型膜。

6.根据权利要求5所述的用紫外激光器让UV胶失去粘性的方法，其特征在于，

c)通过将离型膜的撕下，将失去粘性晶片一并取下。

7.根据权利要求4所述的用紫外激光器让UV胶失去粘性的方法，其特征在于，

c)将失联的晶片采用负压吸嘴转移到指定位置。

8.根据权利要求4所述的用紫外激光器让UV胶失去粘性的方法，其特征在于，

c)将基膜抖动或者翻转，使晶片从基膜上脱落。

9.根据权利要求1至8任一项所述的用紫外激光器让UV胶失去粘性的方法，其特征在于，所述晶片是集成电路、IC、传感器、发光二极管芯片、激光芯片中的任一种。

10.根据权利要求1至8任一项所述的用紫外激光器让UV胶失去粘性的方法，其特征在于，所述基膜的材料为薄形透明材料；所述晶片由可粘附在具有UV胶的基膜上且可用视觉机器分类的物件代替。