CN110323329A - 一种多频道自旋波传播磁子晶体结构 - Google Patents

一种多频道自旋波传播磁子晶体结构 Download PDF

Info

Publication number
CN110323329A
CN110323329A CN201910538308.4A CN201910538308A CN110323329A CN 110323329 A CN110323329 A CN 110323329A CN 201910538308 A CN201910538308 A CN 201910538308A CN 110323329 A CN110323329 A CN 110323329A
Authority
CN
China
Prior art keywords
magnetic
spin
ion
layer
ion layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910538308.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110323329B (zh
Inventor
候华毅
陈相柏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan Institute of Technology
Original Assignee
Wuhan Institute of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan Institute of Technology filed Critical Wuhan Institute of Technology
Priority to CN201910538308.4A priority Critical patent/CN110323329B/zh
Publication of CN110323329A publication Critical patent/CN110323329A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110323329B publication Critical patent/CN110323329B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices

Landscapes

  • Thin Magnetic Films (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)

Abstract

本发明提供一种多频道自旋波传播磁子晶体结构，包括本征磁性离子层，以及在本征磁性离子层之间设置的不同种类的磁性掺杂离子层；每层磁性掺杂离子层激发不同频率的自旋波，自旋波的频率由本征磁性离子层和磁性掺杂离子层之间的自旋交换作用决定，传播路径由磁性掺杂离子层的离子排列决定。本发明的每层磁性掺杂离子层都会激发不同频率的自旋波，通过调节本征磁性离子层和磁性掺杂离子层之间的自旋交换作用来调节自旋波的频率，以及通过控制磁性掺杂离子层的离子排列来控制传播路径，从而达到多频道的调控。

Description

一种多频道自旋波传播磁子晶体结构
技术领域
本发明属于自旋波电子学应用技术领域，具体涉及一种多频道自旋波传播磁子晶体结构。
背景技术
自旋波的调控是未来自旋波器件研发中非常关键的一步。目前自旋波的调控主要集中于单一自旋波频率的调控，而缺少对多频道自旋波的调控。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：提供一种多频道自旋波传播磁子晶体结构，实现多频道的调控。
本发明为解决上述技术问题所采取的技术方案为：一种多频道自旋波传播磁子晶体结构，其特征在于：它包括本征磁性离子层，以及在本征磁性离子层之间设置的不同种类的磁性掺杂离子层；每层磁性掺杂离子层激发不同频率的自旋波，自旋波的频率由本征磁性离子层和磁性掺杂离子层之间的自旋交换作用决定，传播路径由磁性掺杂离子层的离子排列决定。
按上述方案，每层磁性掺杂离子层的种类相同，不同层的磁性掺杂离子层之间均设有本征磁性离子层。
本发明的有益效果为：每层磁性掺杂离子层都会激发不同频率的自旋波，通过调节本征磁性离子层和磁性掺杂离子层之间的自旋交换作用来调节自旋波的频率，以及通过控制磁性掺杂离子层的离子排列来控制传播路径，从而达到多频道的调控。
附图说明
图1为本发明一实施例的结构示意图。
图中：1-本征磁性离子层，2-第一磁性掺杂离子层，3-第二磁性掺杂离子层。
具体实施方式
下面结合具体实例和附图对本发明做进一步说明。
本发明提供一种多频道自旋波传播磁子晶体结构，如图1所示，它包括本征磁性离子层1，以及在本征磁性离子层1之间设置的不同种类的磁性掺杂离子层，即第一磁性掺杂离子层2和第二磁性掺杂离子层3；每层磁性掺杂离子层激发不同频率的自旋波，自旋波的频率由本征磁性离子层和磁性掺杂离子层之间的自旋交换作用决定，传播路径由磁性掺杂离子层的离子排列决定。
每层磁性掺杂离子层的种类相同，不同层的磁性掺杂离子层之间均设有本征磁性离子层1。
在不脱离本发明基本技术思想的前提下，根据本领域的普通技术知识和手段，对其内容还可以有多种形式的修改、替换或变更。如采用本发明设计的磁子晶体结构，结合多铁性材料的磁电耦合特性，可以设计多频道自旋波传播多铁性磁子晶体结构，从而同时实现多频道自旋波的传播和自旋波频率的电场调控，对未来自旋波器件的研究有重要意义。
需要说明的是，本发明要求保护的是一种晶体结构形式，对于各离子层的生长方式没有特定的要求，可以是传统的沉积、溅射或其它方式。
以上实施例仅用于说明本发明的设计思想和特点，其目的在于使本领域内的技术人员能够了解本发明的内容并据以实施，本发明的保护范围不限于上述实施例。所以，凡依据本发明所揭示的原理、设计思路所作的等同变化或修饰，均在本发明的保护范围之内。

Claims (2)

1.一种多频道自旋波传播磁子晶体结构，其特征在于：它包括本征磁性离子层，以及在本征磁性离子层之间设置的不同种类的磁性掺杂离子层；每层磁性掺杂离子层激发不同频率的自旋波，自旋波的频率由本征磁性离子层和磁性掺杂离子层之间的自旋交换作用决定，传播路径由磁性掺杂离子层的离子排列决定。
2.根据权利要求1所述的多频道自旋波传播磁子晶体结构，其特征在于：每层磁性掺杂离子层的种类相同，不同层的磁性掺杂离子层之间均设有本征磁性离子层。
CN201910538308.4A 2019-06-20 2019-06-20 一种多频道自旋波传播磁子晶体结构 Active CN110323329B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910538308.4A CN110323329B (zh) 2019-06-20 2019-06-20 一种多频道自旋波传播磁子晶体结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910538308.4A CN110323329B (zh) 2019-06-20 2019-06-20 一种多频道自旋波传播磁子晶体结构

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110323329A true CN110323329A (zh) 2019-10-11
CN110323329B CN110323329B (zh) 2023-04-18

Family

ID=68121006

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910538308.4A Active CN110323329B (zh) 2019-06-20 2019-06-20 一种多频道自旋波传播磁子晶体结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110323329B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112968058A (zh) * 2021-02-04 2021-06-15 电子科技大学 一种离子调控型自旋波晶体管及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070003792A1 (en) * 2005-06-29 2007-01-04 Seagate Technology Llc Damping control in magnetic recording systems
US20110102106A1 (en) * 2008-05-28 2011-05-05 Seoul National University Industry Foundation Magnonic crystal spin wave device capable of controlling spin wave frequency
US20130169371A1 (en) * 2010-06-09 2013-07-04 Centre National De La Recherche Scientifique Spin transfer oscillator
CN104779342A (zh) * 2015-04-20 2015-07-15 北京航空航天大学 一种基于自旋波干涉及多铁性材料的逻辑器件
CN109755383A (zh) * 2019-02-20 2019-05-14 中国科学院物理研究所 基于磁子阀和磁子结的磁子磁电阻和自旋霍尔磁电阻器件

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070003792A1 (en) * 2005-06-29 2007-01-04 Seagate Technology Llc Damping control in magnetic recording systems
US20110102106A1 (en) * 2008-05-28 2011-05-05 Seoul National University Industry Foundation Magnonic crystal spin wave device capable of controlling spin wave frequency
US20130169371A1 (en) * 2010-06-09 2013-07-04 Centre National De La Recherche Scientifique Spin transfer oscillator
CN104779342A (zh) * 2015-04-20 2015-07-15 北京航空航天大学 一种基于自旋波干涉及多铁性材料的逻辑器件
CN109755383A (zh) * 2019-02-20 2019-05-14 中国科学院物理研究所 基于磁子阀和磁子结的磁子磁电阻和自旋霍尔磁电阻器件

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112968058A (zh) * 2021-02-04 2021-06-15 电子科技大学 一种离子调控型自旋波晶体管及其制备方法
CN112968058B (zh) * 2021-02-04 2022-07-26 电子科技大学 一种离子调控型自旋波晶体管及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN110323329B (zh) 2023-04-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Labanowski et al. Power absorption in acoustically driven ferromagnetic resonance
US10128814B2 (en) Guided surface acoustic wave device providing spurious mode rejection
CN110729396B (zh) 一种具有自放大能力的磁电薄膜传感器
US8487391B2 (en) Magnonic crystal spin wave device capable of controlling spin wave frequency
Polzikova et al. Acoustic excitation and electrical detection of spin waves and spin currents in hypersonic bulk waves resonator with YIG/Pt system
CN106206935B (zh) 一种控制自旋波传输的方法
CN110323329B (zh) 一种多频道自旋波传播磁子晶体结构
Fang et al. Ultrathin single‐crystalline LiNbO3 film bulk acoustic resonator for 5G communication
Chowdhury et al. Parametric amplification of spin waves using acoustic waves
CN115903979A (zh) 一种射频激励的精密微电流源及其工作方法
CN110794346A (zh) 一种基于磁扭电效应的磁场传感器及其制造方法
CN113345957A (zh) 基于载流子调控的自旋波场效应晶体管及制备方法和应用
CN110970716A (zh) 一种涡流抑制结构及其制备方法
US11942916B2 (en) Fabricating method of film bulk acoustic resonator
CN118174682B (zh) 一种氧化锌压电薄膜体声波谐振器及制备方法
CN104599826B (zh) 一种可实现三态非易失性调制的电感及其调制方法
CN118174683A (zh) 一种带声波反射结构的氧化锌薄膜体声波谐振器
Fetisov et al. Magnetoelectric coil-free voltage transformer based on monolithic ferrite-piezoelectric heterostructure
Yun et al. Radiation-enhanced acoustically driven magnetoelectric antenna with floating potential architecture
Liu et al. Enhanced electrical manipulation of magnetic susceptibility in ferromagnetic amorphous alloy and piezoelectric bimorph heterostructure
CN110265760B (zh) 一种控制自旋波传播方向的磁子晶体结构
CN105070824A (zh) 一种基于磁畴壁的可重构自旋波导线网络
CN112099286B (zh) 光学谐波产生器及其制备方法
CN102544660A (zh) 基于各向异性磁回旋媒质的可调控单向波导控制方法
CN203025154U (zh) 一种基于zctc压电晶体的声表面波气体传感器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant