CN110265760B - 一种控制自旋波传播方向的磁子晶体结构 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种控制自旋波传播方向的磁子晶体结构，包括磁性离子层，以及设置在磁性离子层之间的非磁性掺杂离子层；根据自旋波传播到非磁性掺杂离子层时会淬灭，通过控制非磁性掺杂离子层的离子排列而控制自旋波的传播方向。本发明通过在磁性离子层中设置非磁性掺杂离子层，使得自旋波传播到非磁性掺杂离子层时会淬灭，从而通过控制非磁性掺杂离子层的离子排列而控制自旋波的传播方向。

Description

一种控制自旋波传播方向的磁子晶体结构
技术领域
本发明属于自旋波电子学应用技术领域，具体涉及一种控制自旋波传播方向的磁子晶体结构。
背景技术
自旋波的调控是未来自旋波器件研发中非常关键的一步。目前自旋波的调控主要集中于自旋波频率的调控，而缺少对自旋波传播方向的调控。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：提供一种控制自旋波传播方向的磁子晶体结构。
本发明为解决上述技术问题所采取的技术方案为：一种控制自旋波传播方向的磁子晶体结构，其特征在于：它包括磁性离子层，以及设置在磁性离子层之间的非磁性掺杂离子层；根据自旋波传播到非磁性掺杂离子层时会淬灭，通过控制非磁性掺杂离子层的离子排列而控制自旋波的传播方向。
按上述方案，所述的非磁性掺杂离子层包括至少2层，间隔设置在磁性离子层之间；非磁性掺杂离子层之间的磁性离子层中，自旋波形成驻波；其它磁性离子层中的自旋波向与非磁性掺杂离子层相反的方向传播。
按上述方案，所述的磁性离子层采用多铁性材料，结合多铁性材料的磁电耦合特性，控制磁性掺杂离子层的自旋波频率。
本发明的有益效果为：通过在磁性离子层中设置非磁性掺杂离子层，使得自旋波传播到非磁性掺杂离子层时会淬灭，从而通过控制非磁性掺杂离子层的离子排列而控制自旋波的传播方向。
附图说明
图1为本发明一实施例的结构示意图。
图中：1-磁性离子层，2-非磁性掺杂离子层。
具体实施方式
下面结合具体实例和附图对本发明做进一步说明。
本发明提供一种控制自旋波传播方向的磁子晶体结构，如图1所示，它包括磁性离子层1，以及设置在磁性离子层1之间的非磁性掺杂离子层2；根据自旋波传播到非磁性掺杂离子层2时会淬灭，通过控制非磁性掺杂离子层2的离子排列而控制自旋波的传播方向。
进一步的，所述的非磁性掺杂离子层2可以包括至少2层，间隔设置在磁性离子层1之间；非磁性掺杂离子层2之间的磁性离子层1中，自旋波形成驻波；其它磁性离子层1中的自旋波向与非磁性掺杂离子层2相反的方向传播。例如图1中，最左边的磁性离子层1中，自旋波主要向左边方向传播；最右边的磁性离子层1中，自旋波主要向右边方向传播；中间部分，自旋波将形成驻波。
以上述内容为基础，在不脱离本发明基本技术思想的前提下，根据本领域的普通技术知识和手段，对其内容还可以有多种形式的修改、替换或变更。如: 采用本发明方法可对图1中非磁性掺杂离子层的离子排列重新设计，从而实现自旋波向具体特定方向传播的目的；采用本发明设计的磁子晶体结构，结合多铁性材料的磁电耦合特性，可以设计非磁性掺杂多铁性磁子晶体结构，从而实现电场可控的自旋波传播方向及频率的同时调控，对未来自旋波器件的研究有重要意义。
以上实施例仅用于说明本发明的设计思想和特点，其目的在于使本领域内的技术人员能够了解本发明的内容并据以实施，本发明的保护范围不限于上述实施例。所以，凡依据本发明所揭示的原理、设计思路所作的等同变化或修饰，均在本发明的保护范围之内。

Claims (1)

1.一种控制自旋波传播方向的磁子晶体结构，其特征在于：它包括磁性离子层，以及设置在磁性离子层之间的非磁性掺杂离子层；根据自旋波传播到非磁性掺杂离子层时会淬灭，通过控制非磁性掺杂离子层的离子排列而控制自旋波的传播方向；
所述的非磁性掺杂离子层包括至少2层，间隔设置在磁性离子层之间；非磁性掺杂离子层之间的磁性离子层中，自旋波形成驻波；其它磁性离子层中的自旋波向与非磁性掺杂离子层相反的方向传播。
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