CN110297604A - 一种有效提高nand启动使用寿命的方法及其系统 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种有效提高NAND启动使用寿命的方法及其系统；其中，方法，包括：S1，芯片启动，完成初始化；S2，从NAND颗粒固定地址X0中读取固件的地址信息；S3，判断读取是否成功；若是，进入S5；若否，则进入S4；S4，选取固定地址X0的下一个固定地址Xn进行读取，并返回S3；S5，从读出的地址中读取引导程序，并进行校验；S6，判断校验是否成功；若是，进入S7；若否，则返回S4；S7，运行固件。本发明通过两级映射，将读取的固定地址做多个备份，并将固件与存储地址分开，从而减少NAND颗粒对相同地址的反复擦写，以提高芯片NAND启动的使用寿命，延长固态硬盘的使用时间。

Description

一种有效提高NAND启动使用寿命的方法及其系统
技术领域
本发明涉及固态硬盘NAND启动技术领域，更具体地说是指一种有效提高NAND启动使用寿命的方法及其系统。
背景技术
芯片使用Nand FLASH启动在固态硬盘中有着广泛的应用，它不仅启动速度快，而且还降低了固态硬盘的成本。传统的固态硬盘启动时，芯片会从NAND FLASH的固定地址读取固件，但是，若长期的从固定地址读取数据或者固件不断地更新，会使得该地址的损耗更加严重，由于NAND FLASH的读写次数是有限的，随着时间的推移，NAND启动失败的风险大大增加，使得固态硬盘的使用寿命大大减少；因此，无法满足需求。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种有效提高NAND启动使用寿命的方法及其系统。
为实现上述目的，本发明采用于下技术方案：
一种有效提高NAND启动使用寿命的方法，包括以下步骤：
S1，芯片启动，完成初始化；
S2，从NAND颗粒固定地址X0中读取固件的地址信息；
S3，判断读取是否成功；若是，进入S5；若否，则进入S4；
S4，选取固定地址X0的下一个固定地址Xn进行读取，并返回S3；
S5，从读出的地址中读取引导程序，并进行校验；
S6，判断校验是否成功；若是，进入S7；若否，则返回S4；
S7，运行固件。
其进一步技术方案为：所述S1包括：
S11，进行芯片启动；
S12，完成初始化。
其进一步技术方案为：所述S4之后，还包括：判断下一个固定地址Xn是否为最后一个固定地址；若是，返回S3；若否，则选取下一个固定地址Xn的后续地址进行读取，并返回S3。
其进一步技术方案为：所述S4之后，还包括：判断固定地址Xn是否读取成功；若是，进入S5；若否，则对存储固件的位置进行修改。
其进一步技术方案为：所述S5之后，还包括：判断从固定地址Xn中读取的引导程序是否校验成功；若是，运行固件；若否，则对存储固件的位置进行修改。
其进一步技术方案为：所述Xn中的n至少大于等于2。
一种有效提高NAND启动使用寿命的系统，包括：启动完成单元，读取单元，第一判断单元，选取单元，校验单元，第二判断单元，及运行单元；
所述启动完成单元，用于芯片启动，完成初始化；
所述读取单元，用于从NAND颗粒固定地址X0中读取固件的地址信息；
所述第一判断单元，用于判断读取是否成功；
所述选取单元，用于选取固定地址X0的下一个固定地址进行读取；
所述校验单元，用于从读出的地址中读取引导程序，并进行校验；
所述第二判断单元，用于判断校验是否成功；
所述运行单元，用于运行固件。
其进一步技术方案为：所述启动完成单元包括启动模块和完成模块；
所述启动模块，用于芯片启动；
所述完成模块，用于完成芯片初始化。
其进一步技术方案为：还包括第三判断单元，用于判断下一个固定地址Xn是否为最后一个固定地址。
其进一步技术方案为：还包括：第四判断单元和第五判断单元；
所述第四判断单元，用于判断固定地址Xn是否读取成功；
所述第五判断单元，用于判断从固定地址Xn中读取的引导程序是否校验成功。
本发明与现有技术相比的有益效果是：通过采用两级存储映射来降低nandflash颗粒的损耗，第一级存储，存储着第二级存储的地址信息；第二级储存，存储着启动的固件信息；当固态硬盘启动后，先从第一级存储地址读取到固件的存储地址，然后再从这个地址读取出固件，从而完成固态硬盘的启动，其中，一、第一级由多个地址组成，当从某个固定地址启动失败以后，则会从另一个地址读取启动文件的地址信息，这样，多个地址的备份，防止了某个地址出错的风险；二、第一级只存储着固件的地址信息，固件信息则存储在第二级存储中。这样，固件可以多次修改，而指示固件地址信息的第一级存储的修改次数大大减少，从而降低了某段地址被过多的读写，即使使用寿命到期后，也可通过修改第一级存储的内容来重新分配新的地址存储固件，更好地满足需求。
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步描述。
附图说明
图1为现有Nand启动从固定地址读取固件的示意图；
图2为现有NAND颗粒从固定地址读取固件的流程示意图；
图3为本发明一种有效提高NAND启动使用寿命的方法流程图；
图4为图3的应用示意图；
图5为本发明一种有效提高NAND启动使用寿命的系统方框图。
具体实施方式
为了更充分理解本发明的技术内容，下面结合具体实施例对本发明的技术方案进一步介绍和说明，但不局限于此。
如图1到图5所示的具体实施例，其中，如图1至图2所示的现有技术，如图1所示，当芯片启动后，bootrom(芯片)从NAND颗粒的固定地址读取固件，固定地址在bootorm中已经预先确定好了，无法修改，这使得芯片在未来的使用过程中，出现失败的概率大大增加；因为地址固定，无法修改，当多次读取或烧写该地址后，会使得NAND颗粒的损耗加大，而颗粒的读写次数是有限的，如果次数过多时，寿命将大大减少，最终影响到芯片的启动和固态硬盘的使用寿命。
其中，如图2所示，一直从NAND颗粒固定地址读取固件，会使得固定地址的损耗大大增加，时间长了之后就会出现失败，即使纠错也无法挽回，最后导致固态硬盘无法使用，甚至提前结束使用寿命周期。
其中，如图3至图4所示，本发明公开了一种有效提高NAND启动使用寿命的方法，包括以下步骤：
S1，芯片启动，完成初始化；
S2，从NAND颗粒固定地址X0中读取固件的地址信息；
S3，判断读取是否成功；若是，进入S5；若否，则进入S4；
S4，选取固定地址X0的下一个固定地址Xn进行读取，并返回S3；
S5，从读出的地址中读取引导程序，并进行校验；
S6，判断校验是否成功；若是，进入S7；若否，则返回S4；
S7，运行固件。
其中，所述S1包括：
S11，进行芯片启动；
S12，完成初始化。
其中，所述S4之后，还包括：判断下一个固定地址Xn是否为最后一个固定地址；若是，返回S3；若否，则选取下一个固定地址Xn的后续地址进行读取，并返回S3。
进一步地，所述S4之后，还包括：判断固定地址Xn是否读取成功；若是，进入S5；若否，则对存储固件的位置进行修改。
更进一步地，所述S5之后，还包括：判断从固定地址Xn中读取的引导程序是否校验成功；若是，运行固件；若否，则对存储固件的位置进行修改。
其中，在本实施例中，所述Xn中的n至少大于等于2。
其中，如图4所示，芯片先从固定地址X0读取固件的存储地址0，然后从固件的存储地址0读取固件，当失败时，则从固定地址X1读取固件的地址1，再从固件的存储地址1读取固件；如此往复，直到读取到正确固件或者失败；若失败的原因是由读取固件失败引起的，则可通过修改存储固件地址，即固定地址里的内容，重新指到新的地址，并在新的地址烧写固件。
如图5所示，本发明还公开了一种有效提高NAND启动使用寿命的系统，包括：启动完成单元10，读取单元20，第一判断单元30，选取单元40，校验单元50，第二判断单元60，及运行单元70；
所述启动完成单元10，用于芯片启动，完成初始化；
所述读取单元20，用于从NAND颗粒固定地址X0中读取固件的地址信息；
所述第一判断单元30，用于判断读取是否成功；
所述选取单元40，用于选取固定地址X0的下一个固定地址进行读取；
所述校验单元50，用于从读出的地址中读取引导程序，并进行校验；
所述第二判断单元60，用于判断校验是否成功；
所述运行单元70，用于运行固件。
其中，所述启动完成单元10包括启动模块11和完成模块12；
所述启动模块11，用于芯片启动；
所述完成模块12，用于完成芯片初始化。
其中，该系统还包括第三判断单元80，用于判断下一个固定地址Xn是否为最后一个固定地址。
其中，还包括：第四判断单元90和第五判断单元100；
所述第四判断单元90，用于判断固定地址Xn是否读取成功；
所述第五判断单元100，用于判断从固定地址Xn中读取的引导程序是否校验成功。
其中，本发明通过采用两级存储映射来降低nand flash颗粒的损耗，第一级存储，存储着第二级存储的地址信息；第二级储存，存储着启动的固件信息；当固态硬盘启动后，先从第一级存储地址读取到固件的存储地址，然后再从这个地址读取出固件，从而完成固态硬盘的启动，其中，一、第一级由多个地址组成，当从某个固定地址启动失败以后，则会从另一个地址读取启动文件的地址信息，这样，多个地址的备份，防止了某个地址出错的风险；二、第一级只存储着固件的地址信息，固件信息则存储在第二级存储中。这样，固件可以多次修改，而指示固件地址信息的第一级存储的修改次数大大减少，从而降低了某段地址被过多的读写，即使使用寿命到期后，也可通过修改第一级存储的内容来重新分配新的地址存储固件，更好地满足需求。
上述仅以实施例来进一步说明本发明的技术内容，以便于读者更容易理解，但不代表本发明的实施方式仅限于此，任何依本发明所做的技术延伸或再创造，均受本发明的保护。本发明的保护范围以权利要求书为准。

Claims (10)

1.一种有效提高NAND启动使用寿命的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，芯片启动，完成初始化；
S2，从NAND颗粒固定地址X0中读取固件的地址信息；
S3，判断读取是否成功；若是，进入S5；若否，则进入S4；
S4，选取固定地址X0的下一个固定地址Xn进行读取，并返回S3；
S5，从读出的地址中读取引导程序，并进行校验；
S6，判断校验是否成功；若是，进入S7；若否，则返回S4；
S7，运行固件。
2.根据权利要求1所述的一种有效提高NAND启动使用寿命的方法，其特征在于，所述S1包括：
S11，进行芯片启动；
S12，完成初始化。
3.根据权利要求1所述的一种有效提高NAND启动使用寿命的方法，其特征在于，所述S4之后，还包括：判断下一个固定地址Xn是否为最后一个固定地址；若是，返回S3；若否，则选取下一个固定地址Xn的后续地址进行读取，并返回S3。
4.根据权利要求3所述的一种有效提高NAND启动使用寿命的方法，其特征在于，所述S4之后，还包括：判断固定地址Xn是否读取成功；若是，进入S5；若否，则对存储固件的位置进行修改。
5.根据权利要求4所述的一种有效提高NAND启动使用寿命的方法，其特征在于，所述S5之后，还包括：判断从固定地址Xn中读取的引导程序是否校验成功；若是，运行固件；若否，则对存储固件的位置进行修改。
6.根据权利要求4所述的一种有效提高NAND启动使用寿命的方法，其特征在于，所述Xn中的n至少大于等于2。
7.一种有效提高NAND启动使用寿命的系统，其特征在于，包括：启动完成单元，读取单元，第一判断单元，选取单元，校验单元，第二判断单元，及运行单元；
所述启动完成单元，用于芯片启动，完成初始化；
所述读取单元，用于从NAND颗粒固定地址X0中读取固件的地址信息；
所述第一判断单元，用于判断读取是否成功；
所述选取单元，用于选取固定地址X0的下一个固定地址进行读取；
所述校验单元，用于从读出的地址中读取引导程序，并进行校验；
所述第二判断单元，用于判断校验是否成功；
所述运行单元，用于运行固件。
8.根据权利要求7所述的一种有效提高NAND启动使用寿命的系统，其特征在于于，所述启动完成单元包括启动模块和完成模块；
所述启动模块，用于芯片启动；
所述完成模块，用于完成芯片初始化。
9.根据权利要求7所述的一种有效提高NAND启动使用寿命的系统，其特征在于，还包括第三判断单元，用于判断下一个固定地址Xn是否为最后一个固定地址。
10.根据权利要求9所述的一种有效提高NAND启动使用寿命的系统，其特征在于，还包括：第四判断单元和第五判断单元；
所述第四判断单元，用于判断固定地址Xn是否读取成功；
所述第五判断单元，用于判断从固定地址Xn中读取的引导程序是否校验成功。
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