CN110291708B - Llc控制器及控制方法 - Google Patents

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CN110291708B CN201880006908.XA CN201880006908A CN110291708B CN 110291708 B CN110291708 B CN 110291708B CN 201880006908 A CN201880006908 A CN 201880006908A CN 110291708 B CN110291708 B CN 110291708B
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Abstract

一种LLC控制器(100)及控制方法。所述LLC控制器(100)包括依次连接的主控制器MCU(101)、驱动电路(102)以及LLC谐振电路(103)。其中,所述主控制器MCU(101)首先控制所述LLC谐振电路(103)的工作模式为脉冲频率调制模式,其次,当检测到所述LLC谐振电路(103)的工作频率大于或等于预设阈值时,所述主控制器MCU(101)将所述LLC谐振电路(103)的工作模式切换为脉冲宽度调制模式,再次,所述主控制器MCU(101)根据预设的初始占空比计算策略,确定所述脉冲宽度调制模式的初始占空比,最后,所述主控制器MCU(101)根据所述初始占空比向所述LLC谐振电路(103)提供所述脉冲宽度调制模式的驱动信号。该LLC控制器(100)及控制方法有利于提高控制器的控制性能和可靠性。

Description

LLC控制器及控制方法
技术领域
本申请涉及电路控制技术,具体涉及一种LLC控制器及其控制方法。
背景技术
目前,LLC电路因开关特性而得到关注,相较于其他的电路,LLC需要脉冲频率调制(pulse width modulation,简称PFM)的控制方式,通过调节电路工作的开关频率,得到需要的输出电压,当工作频率大于谐振频率时,频率越高增益越低。在输出低电平或轻载时,工作频率非常高,调整频率过高对闭环控制、驱动电路、损耗和干扰都将产生影响。
发明内容
本申请实施例提供了一种LLC控制器及控制方法,提高控制器的控制性能和可靠性。
第一方面,本申请实施例提供一种LLC控制器,包括依次连接的主控制器MCU、驱动电路以及LLC谐振电路;所述主控制器MCU用于控制所述LLC谐振电路的工作模式为脉冲频率调制模式;以及用于当检测到所述LLC谐振电路的工作频率大于或等于预设阈值时,将所述LLC谐振电路的工作模式切换为脉冲宽度调制模式;以及用于根据预设的初始占空比计算策略,确定所述脉冲宽度调制模式的初始占空比,所述初始占空比小于0.5;以及用于根据所述初始占空比向所述LLC谐振电路提供所述脉冲宽度调制模式的驱动信号。
在一个可能的示例中,所述LLC谐振电路包括输入整流电路、变压器及输出整流电路,所述变压器包括原边绕组和副边绕组,所述原边绕组为交流电输入侧,所述副边绕组为交流电输出侧。
在一个可能的示例中,所述输入整流电路包括谐振电容Cr、谐振电感Lr和第一全桥串联谐振整流电路,其中所述第一全桥串联谐振整流电路包括共源极结构的晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q3及晶体管Q4,所述第一全桥串联谐振整流电路、所述原边绕组、所述谐振电容Cr和所述谐振电感Lr与电源并联,所述原边绕组和所述谐振电容Cr以及所述谐振电感Lr串联并跨接到所述第一全桥串联谐振整流电路上。
在一个可能的示例中,所述输出整流电路包括输出电容C1和第二全桥串联谐振整流电路,所述第二全桥串联谐振整流电路包括副边整流二极管D1、副边整流二极管D2、副边整流二极管D3及副边整流二极管D4,用于全波整流且与输出电容C1并联。
在一个可能的示例中,所述LLC控制器处于闭合状态;当所述LLC控制器的工作频率小于所述预设阈值时,所述主控制器MCU分别采样输出电压值和输出电流值,按照所述脉冲频率调制模式的调节方式控制所述晶体管Q1、所述晶体管Q2、所述晶体管Q3及所述晶体管Q4,同时控制所述副边整流二极管D1、所述副边整流二极管D2、所述副边整流二极管D3、所述副边整流二极管D4、所述晶体管Q1、所述晶体管Q2、所述晶体管Q3及所述晶体管Q4按照后开先关的工作方式实现同步整流;当所述LLC控制器的工作频率大于或等于所述预设阈值时,所述主控制器MCU按照所述脉冲宽度调制模式的调节方式控制所述驱动电路。
在一个可能的示例中,所述晶体管Q1、所述晶体管Q2、所述晶体管Q3、所述晶体管Q4均为N型原边MOSFET管。
第二方面,本申请实施例提供了一种LLC控制方法,应用于上述LLC控制器,所述LLC控制方法包括:所述主控制器MCU控制所述LLC谐振电路的工作模式为脉冲频率调制模式;当检测到所述LLC谐振电路的工作频率大于或等于预设阈值时,所述主控制器MCU将所述LLC谐振电路的工作模式切换为脉冲宽度调制模式;所述主控制器MCU根据预设的初始占空比计算策略,确定所述脉冲宽度调制模式的初始占空比,所述初始占空比小于0.5;所述主控制器MCU根据所述初始占空比向所述LLC谐振电路提供所述脉冲宽度调制模式的驱动信号。
在一个可能的示例中,所述初始占空比计算策略为按照如下公式计算所述初始占空比:
Figure BDA0002128999540000021
其中,Vout为输出电压,Vin为输入电压,Iout为输出电流,Lr为谐振电感值,fr为谐振频率,0.5为参考占空比。
在一个可能的示例中,所述主控制器MCU根据所述初始占空比向所述LLC谐振电路提供所述脉冲宽度调制模式的驱动信号,包括:所述MCU根据所述初始占空比,通过所述驱动电路输出所述脉冲宽度调制模式的所述驱动信号,所述驱动信号用于调整所述晶体管Q1、所述晶体管Q2、所述晶体管Q3及所述晶体管Q4的工作频率,以调整所述LLC控制器的输出电压。
在一个可能的示例中,所述LLC谐振电路包括输入整流电路、变压器及输出整流电路,所述变压器包括原边绕组和副边绕组,所述原边绕组为交流电输入侧,所述副边绕组为交流电输出侧。
可以看出,本申请实施例中,LLC控制器包括依次连接的主控制器MCU、驱动电路以及LLC谐振电路。其中,所述主控制器MCU首先控制LLC谐振电路的工作模式为脉冲频率调制模式,其次,当检测到LLC谐振电路的工作频率大于或等于预设阈值时,所述主控制器MCU将所述LLC谐振电路的工作模式切换为脉冲宽度调制模式,再次,所述主控制器MCU根据预设的初始占空比计算策略,确定所述脉冲宽度调制模式的初始占空比,最后,所述主控制器MCU根据所述初始占空比向所述LLC谐振电路提供所述脉冲宽度调制模式的驱动信号。由于脉冲宽度调制模式的初始占空比小于0.5,使得控制器由脉冲频率调制模式切换为脉冲宽度调制模式工作后,控制器的增益能够随着占空比的变化而动态变更,避免控制器因脉冲宽度调制模式下的初始占空比过大影响增益曲线不连续而导致控制器失效,有利于提高控制器的控制性能和可靠性。
附图说明
下面将对本申请实施例所涉及到的附图作简单地介绍。
图1A是本申请实施例提供的一种LLC控制器的结构示意图;
图1B是图1A中所示的LLC谐振电路的结构示意图;
图1C是图1B中所示的输入整流电路的结构示意图;
图1D是图1B中所示的输出整流电路的结构示意图;
图1E是图1A中所示的LLC谐振电路的电路示意图;
图2A是本申请实施例提供的一种LLC控制方法流程示意图;
图2B是图1A所示LLC控制器工作在50%占空比和40%占空比的波形图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象,而不是用于描述特定顺序。此外,术语“包括”和“具有”以及它们任何变形,意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元,而是可选地还包括没有列出的步骤或单元,或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其他步骤或单元。
在本文中提及“实施例”意味着,结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例,也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是,本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
常规设计中,在LLC电路中需要脉冲频率调制模式控制,当工作频率大于谐振频率时,频率越高增益越低。在输出低电平或轻载时,工作频率非常高,调整频率过高对闭环控制、驱动电路、损耗和干扰都将产生影响。为此需要设置一个最高频率,在工作频率大于最高频率时进入打嗝模式,由于打嗝模式时输出能量是断断续续的,因此输出电压、电流纹波很大。为了解决纹波问题,可以将脉冲宽度调制模式控制和脉冲频率调制模式控制相结合,当脉冲频率调制模式控制时频率达到最高就切换到脉冲宽度调制模式控制。但实际脉冲宽度调制模式从50%降低至某个值时,增益并没有下降,直到下降至某一个值后增益才开始下降,这将造成控制器失效。
针对上述问题,本申请实施例提出一种LLC电路工作时的控制方法,应用于LLC控制器,该LLC控制器包括依次连接的主控制器MCU、驱动电路以及LLC谐振电路。其中,该主控制器MCU首先控制LLC谐振电路的工作模式为脉冲频率调制模式,其次,当检测到LLC谐振电路的工作频率大于或等于预设阈值时,将LLC谐振电路的工作模式切换为脉冲宽度调制模式,再次,根据预设的初始占空比计算策略,确定脉冲宽度调制模式的初始占空比,最后,根据初始占空比向LLC谐振电路提供脉冲宽度调制模式的驱动信号。由于脉冲宽度调制模式的初始占空比小于0.5,这使得控制器由脉冲频率调制模式切换为脉冲宽度调制模式工作后,控制器的增益能够随着占空比的变化而动态变更,避免控制器因脉冲宽度调制模式下的初始占空比过大影响增益曲线不连续而导致控制器失效,有利于提高控制器的控制性能和可靠性。
下面结合附图对本申请实施例进行介绍。
请参阅图1A,图1A是本申请实施例提供的一种LLC控制器100的结构示意图,如图1A所示,该LLC控制器100包括依次连接的主控制器MCU101、驱动电路102以及LLC谐振电路103;所述主控制器MCU101,用于控制所述LLC谐振电路103的工作模式为脉冲频率调制模式;以及用于当检测到所述LLC谐振电路103的工作频率大于或等于预设阈值时,将所述LLC谐振电路103的工作模式切换为脉冲宽度调制模式;以及用于根据预设的初始占空比计算策略,确定所述脉冲宽度调制模式的初始占空比,所述初始占空比小于0.5;以及用于根据所述初始占空比向所述LLC谐振电路103提供所述脉冲宽度调制模式的驱动信号。
在一个可能的示例中,如图1B所示,所述LLC谐振电路103包括输入整流电路104、变压器105及输出整流电路106,所述变压器105包括原边绕组107和副边绕组108,所述原边绕组107为交流电输入侧,所述副边绕组108为交流电输出侧。
在一个可能的示例中,如图1C所示,所述输入整流电路104包括谐振电容Cr、谐振电感Lr和第一全桥串联谐振整流电路,其中所述第一全桥串联谐振整流电路包括共源极结构的晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q3及晶体管Q4,所述第一全桥串联谐振整流电路、所述原边绕组107、所述谐振电容Cr和所述谐振电感Lr与电源并联,所述原边绕组107和所述谐振电容Cr以及所述谐振电感Lr串联,并跨接到第一全桥串联谐振整流电路上。
在一个可能的示例中,如图1D所示,所述输出整流电路106包括输出电容C1和第二全桥串联谐振整流电路,所述第二全桥串联谐振整流电路包括副边整流二极管D1、副边整流二极管D2、副边整流二极管D3及副边整流二极管D4,所述副边整流二极管D1、所述副边整流二极管D2、所述副边整流二极管D3、所述副边整流二极管D4,用于构成全波整流且与输出电容C1并联。
在一个可能的示例中,如图1E所示,所述LLC控制器100处于闭合状态;当所述LLC控制器100的工作频率小于所述预设阈值时,所述主控制器MCU101分别采样输出电压值和输出电流值,按照所述脉冲频率调制模式的调节方式控制所述晶体管Q1、所述晶体管Q2、所述晶体管Q3及所述晶体管Q4,同时控制所述副边整流二极管D1、所述副边整流二极管D2、所述副边整流二极管D3、所述副边整流二极管D4、所述晶体管Q1、所述晶体管Q2、所述晶体管Q3及所述晶体管Q4按照后开先关的工作方式实现同步整流;当所述LLC控制器100的工作频率大于或等于所述预设阈值时,所述主控制器MCU101按照所述脉冲宽度调制模式的调节方式控制所述驱动电路102。
在一个可能的示例中,所述晶体管Q1、所述晶体管Q2、所述晶体管Q3、所述晶体管Q4均为N型原边MOSFET管。
可见,本示例中,由于脉冲宽度调制模式的初始占空比小于0.5,这使得控制器由脉冲频率调制模式切换为脉冲宽度调制模式工作后,控制器的增益能够随着占空比的变化而动态变更,避免控制器因脉冲宽度调制模式下的初始占空比过大影响增益曲线不连续而导致控制器失效,有利于提高控制器的控制性能和可靠性。
与上述图1A所示的实施例一致的,请参阅图2A,图2A是本申请提供的一种LLC控制方法流程示意图,应用于上述的LLC控制器,所述LLC控制器包括依次连接的主控制器MCU、驱动电路以及LLC谐振电路,如图所示,所述LLC控制方法包括:
S201,所述主控制器MCU控制所述LLC谐振电路的工作模式为脉冲频率调制模式。
S202,当检测到所述LLC谐振电路的工作频率大于或等于预设阈值时,所述主控制器MCU将所述LLC谐振电路的工作模式切换为脉冲宽度调制模式。
S203,所述主控制器MCU根据预设的初始占空比计算策略,确定所述脉冲宽度调制模式的初始占空比。
S204,所述主控制器MCU根据所述初始占空比向所述LLC谐振电路提供所述脉冲宽度调制模式的驱动信号。
可见,在本示例中,首先,主控制器MCU控制LLC谐振电路的工作模式为脉冲频率调制模式;其次,当检测到LLC谐振电路的工作频率大于或等于预设阈值时,主控制器MCU将LLC谐振电路的工作模式切换为脉冲宽度调制模式;再次,主控制器MCU根据预设的初始占空比计算策略,确定脉冲宽度调制模式的初始占空比,初始占空比小于0.5;最后,主控制器MCU根据初始占空比向LLC谐振电路提供脉冲宽度调制模式的驱动信号。由于脉冲宽度调制模式的初始占空比小于0.5,这使得控制器由脉冲频率调制模式切换为脉冲宽度调制模式工作后,控制器的增益能够随着占空比的变化而动态变更,避免控制器因脉冲宽度调制模式下的初始占空比过大影响增益曲线不连续而导致控制器失效,有利于提高控制器的控制性能和可靠性。
在一个可能的示例中,所述初始占空比计算策略为按照如下公式计算所述初始占空比:
Figure BDA0002128999540000071
其中,Vout为输出电压,Vin为输入电压,Iout为输出电流,Lr为谐振电感值,fr为谐振频率,0.5为参考占空比。
其中,所述LLC电路的初始占空比计算推算如下:所述MCU获取所述驱动电路在工作时的电路数据和电路结构参数,其中所述电路数据为输入电压Vin,输出电压Vout,输出电流Iout,所述电路结构参数为谐振电感Lr,谐振电容Cr,励磁电感Lm;脉冲宽度调制模式的频率设置为3倍谐振频率。
谐振频率为
Figure BDA0002128999540000072
当副边电流为准正弦波时,由谐振频率得到所述副边电流为
Figure BDA0002128999540000073
所述MCU根据所述副边电流且当前所述脉冲宽度调制模式的时刻为
Figure BDA0002128999540000074
时,得到原边电流,所述原边电流为
Figure BDA0002128999540000075
所述MCU将所述谐振电容Cr短路,根据所述原边电流、所述输入电压Vin和所述输出电压Vout得所述脉冲宽度调制模式的初始占空比,所述初始占空比为
Figure BDA0002128999540000081
其中,0.5为第一占空比。
当副边电流为准正弦波时,由谐振频率得到所述副边电流为
Figure BDA0002128999540000082
包括:
所述MCU根据所述谐振电感Lr,所述谐振电容Cr,可得谐振频率为
Figure BDA0002128999540000083
根据所述副边电流且当前所述脉冲宽度调制模式的时刻为
Figure BDA0002128999540000084
时,得到原边电流,包括:
在t时刻,所述副边电流等效至所述原边电流,即等效电流为
Figure BDA0002128999540000085
当前的原边励磁电流为
Figure BDA0002128999540000086
将所述等效电流与所述原边励磁电流相加即为t时刻的原边电流,即为
Figure BDA0002128999540000087
将所述谐振电容Cr短路,由所述原边电流、所述输入电压Vin和所述输出电压Vout得所述脉冲宽度调制模式的初始占空比,包括:
在预设时间段内,所述驱动电路处于零状态响应阶段,则参考电流为
Imax·sin(t-t2);
根据所述Lm>>Lr,
Figure BDA0002128999540000088
所述参考电流近似于原边电流,即
Imax·sin(t-t2)≈Imax·(t-t2);
确定在预设时间段内,所述脉冲宽度调制模式的初始占空比为
Figure BDA0002128999540000089
可见,本示例中,所述LLC电路在由脉冲频率调制模式切换至脉冲宽度调制模式时,占空比可以不从50%开始下降,而是从某个值开始下降,有利于稳定的调节输出电压,提高控制器的可靠性和稳定性。
在一个可能的示例中,所述主控制器MCU根据所述初始占空比向所述LLC谐振电路提供所述脉冲宽度调制模式的驱动信号,包括:所述MCU根据所述初始占空比,通过所述驱动电路输出所述脉冲宽度调制模式的所述驱动信号,所述驱动信号用于调整所述晶体管Q1、所述晶体管Q2、所述晶体管Q3及所述晶体管Q4的工作频率,以调整所述LLC控制器的输出电压。
举例来说,在如图1E所述控制器的全桥串联谐振电路中,图2B为占空比为50%时和占空比为40%的工作波形,其中,输出整流电路连接负载电阻R1,I_1、V_1、D1_1、D2_1为50%占空比工作时的波形,其中I_1为原边电流波形,V_1为原边全桥的两桥臂中点压差波形,D1_1为Q1、Q4的驱动波形,D2_1为Q2、Q3的驱动波形。I_2、V_2、D1_2、D2_2为40%占空比工作室的波形,其中I_2为原边电流波形,V_2为原边全桥的两桥臂中点压差波形,D1_2为Q1、Q4的驱动波形,D2_2为Q2、Q3的驱动波形。
由图2B可以看出,在每半个周期在T1-T2这段工作时间内,Q1、Q2、Q3、Q4在40%占空比工作和50%占空比工作相比,40%占空比工作时,Q1、Q2、Q3、Q4全为低。V_1和V_2电压分别由I_1、I_2方向决定。在T1-T2这段工作时间内,I_1、I_2方向不变,所以V_1和V_2波形一致,则I_1、I_2波形一致,所以主回路所有波形一致,增益也减少。
可见,本示例中,随着占空比的减少,输出电压先上升后下降,并且可以下降到很低的水平,因此脉冲宽度调制的控制模式能够极大的增加电路输出电压的调节能力,弥补在脉冲频率调制模式下高频率时的弱控制段。有利于提高控制电路的可靠性,使得增益减少。
在一个可能的示例中,所述LLC谐振电路包括输入整流电路、变压器及输出整流电路,所述变压器包括原边绕组和副边绕组,所述原边绕组为交流电输入侧,所述副边绕组为交流电输出侧。
上述为本申请的基本环路控制原理,通过上述控制能实现由脉冲频率调制模式切换为脉冲宽度调制模式。实现电路增益降低,减少控制器失效频率。
需要说明的是,对于前述的各方法实施例,为了简单描述,故将其都表述为一系列的动作组合,但是本领域技术人员应该知悉,本申请并不受所描述的动作顺序的限制,因为依据本申请,某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次,本领域技术人员也应该知悉,说明书中所描述的实施例均属于优选实施例,所涉及的动作和模块并不一定是本申请所必须的。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
在本申请所提供的几个实施例中,应该理解到,所揭露的装置,可通过其它的方式实现。例如,以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,例如上述单元的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统,或一些特征可以忽略,或不执行。另一点,所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口,装置或单元的间接耦合或通信连接,可以是电性或其它的形式。
上述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外,在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中,也可以是各个单元单独物理存在,也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现,也可以采用软件功能单元的形式实现。
以上对本申请实施例进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上上述,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (7)

1.一种LLC控制器,其特征在于,包括依次连接的主控制器MCU、驱动电路以及LLC谐振电路;
所述主控制器MCU用于控制所述LLC谐振电路的工作模式为脉冲频率调制模式;以及用于当检测到所述LLC谐振电路的工作频率大于或等于预设阈值时,将所述LLC谐振电路的工作模式切换为脉冲宽度调制模式;以及用于根据预设的初始占空比计算策略,确定所述脉冲宽度调制模式的初始占空比,所述初始占空比小于0.5;以及用于根据所述初始占空比向所述LLC谐振电路提供所述脉冲宽度调制模式的驱动信号;所述脉冲宽度调制模式工作的占空比为0至所述初始占空比;
所述LLC谐振电路包括输入整流电路、变压器及输出整流电路,所述变压器包括原边绕组和副边绕组,所述原边绕组为交流电输入侧,所述副边绕组为交流电输出侧;
所述输入整流电路包括谐振电容Cr、谐振电感Lr和第一全桥串联谐振整流电路,其中所述第一全桥串联谐振整流电路包括共源极结构的晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q3及晶体管Q4,所述第一全桥串联谐振整流电路、所述原边绕组、所述谐振电容Cr和所述谐振电感Lr与电源并联,所述原边绕组和所述谐振电容Cr以及所述谐振电感Lr串联并跨接到所述第一全桥串联谐振整流电路上;
所述脉冲宽度调制模式的初始占空比小于0.5包括:晶体管Q1的初始占空比小于0.5、晶体管Q2的初始占空比小于0.5、晶体管Q3的初始占空比小于0.5及晶体管Q4的初始占空比小于0.5;
所述初始占空比计算策略为按照如下公式计算所述初始占空比:
Figure FDA0002994334660000011
其中,Vout为输出电压,Vin为输入电压,Iout为输出电流,Lm为所述变压器的励磁电感值,fr为谐振频率,0.5为参考占空比。
2.根据权利要求1所述的LLC控制器,其特征在于,所述输出整流电路包括输出电容C1和第二全桥串联谐振整流电路,所述第二全桥串联谐振整流电路包括副边整流二极管D1、副边整流二极管D2、副边整流二极管D3及副边整流二极管D4,用于全波整流且与输出电容C1并联。
3.根据权利要求2所述的LLC控制器,其特征在于,所述LLC控制器处于闭合状态;
当所述LLC控制器的工作频率小于所述预设阈值时,所述主控制器MCU分别采样输出电压值和输出电流值,按照所述脉冲频率调制模式的调节方式控制所述晶体管Q1、所述晶体管Q2、所述晶体管Q3及所述晶体管Q4,同时控制所述晶体管Q1、所述晶体管Q2、所述晶体管Q3及所述晶体管Q4按照后开先关的工作方式实现同步整流;
当所述LLC控制器的工作频率大于或等于所述预设阈值时,所述主控制器MCU按照所述脉冲宽度调制模式的调节方式控制所述驱动电路。
4.根据权利要求3所述的LLC控制器,其特征在于,所述晶体管Q1、所述晶体管Q2、所述晶体管Q3及所述晶体管Q4均为N型原边MOSFET管。
5.一种LLC控制方法,其特征在于,应用于上述权利要求1~4任一项所述的LLC控制器,所述LLC控制器包括依次连接的主控制器MCU、驱动电路以及LLC谐振电路;所述LLC谐振电路包括输入整流电路、变压器及输出整流电路,所述变压器包括原边绕组和副边绕组,所述原边绕组为交流电输入侧,所述副边绕组为交流电输出侧;
所述输入整流电路包括谐振电容Cr、谐振电感Lr和第一全桥串联谐振整流电路,其中所述第一全桥串联谐振整流电路包括共源极结构的晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q3及晶体管Q4,所述第一全桥串联谐振整流电路、所述原边绕组、所述谐振电容Cr和所述谐振电感Lr与电源并联,所述原边绕组和所述谐振电容Cr以及所述谐振电感Lr串联并跨接到所述第一全桥串联谐振整流电路上;
所述LLC控制方法包括:
所述主控制器MCU控制所述LLC谐振电路的工作模式为脉冲频率调制模式;
当检测到所述LLC谐振电路的工作频率大于或等于预设阈值时,所述主控制器MCU将所述LLC谐振电路的工作模式切换为脉冲宽度调制模式;
所述主控制器MCU根据预设的初始占空比计算策略,确定所述脉冲宽度调制模式的初始占空比,所述初始占空比小于0.5;所述脉冲宽度调制模式的初始占空比小于0.5包括:晶体管Q1的初始占空比小于0.5、晶体管Q2的初始占空比小于0.5、晶体管Q3的初始占空比小于0.5及晶体管Q4的初始占空比小于0.5;所述脉冲宽度调制模式工作的占空比为0至所述初始占空比;
所述主控制器MCU根据所述初始占空比向所述LLC谐振电路提供所述脉冲宽度调制模式的驱动信号;
所述初始占空比计算策略为按照如下公式计算所述初始占空比:
Figure FDA0002994334660000031
其中,Vout为输出电压,Vin为输入电压,Iout为输出电流,Lm为所述变压器的励磁电感值,fr为谐振频率,0.5为参考占空比。
6.根据权利要求5所述的LLC控制方法,其特征在于,所述主控制器MCU根据所述初始占空比向所述LLC谐振电路提供所述脉冲宽度调制模式的驱动信号,包括:
所述MCU根据所述初始占空比,通过所述驱动电路输出所述脉冲宽度调制模式的所述驱动信号,所述驱动信号用于调整所述晶体管Q1、所述晶体管Q2、所述晶体管Q3及所述晶体管Q4的工作频率,以调整所述LLC控制器的输出电压。
7.根据权利要求6所述的LLC控制方法,其特征在于,所述LLC谐振电路包括输入整流电路、变压器及输出整流电路,所述变压器包括原边绕组和副边绕组,所述原边绕组为交流电输入侧,所述副边绕组为交流电输出侧。
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