CN110289353B - 以Au@CdS纳米颗粒钝化的钙钛矿光伏电池 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了以Au@CdS纳米颗粒钝化的钙钛矿光伏电池。在电子传输层、钙钛矿光敏活性层之间设置有界面钝化层;或钙钛矿光敏活性层、空穴传输层之间设置有界面钝化层;或者电子传输层、钙钛矿光敏活性层、空穴传输层之间同时设置有界面钝化层;所述界面钝化层为核壳结构的Au@CdS纳米颗粒的涂层。有效抑制其在器件中的扩散(减少漏电),降低界面势垒,实现空穴/电子传输层与钙钛矿光敏层间能级有效匹配,平衡空穴传输层和电子传输层对各自的载流子抽取率,从而达到提高电池短路电流和填充因子的目的。
Description
技术领域
本发明属于材料技术领域,具体涉及钙钛矿光伏电池。
背景技术
直到2018年,钙钛矿光伏电池最高效率已经突破23%(Solar cell efficiencytable,https://www.nrel.gov/pv/assets/images/efficiency-chart-20180716.jpg),在商业化发展过程中,稳定性受到极大关注。为了提高电池器件的效率和稳定性,除了制备高质量的钙钛矿光敏层外,恰当的界面修饰与钝化(包括电子/空穴传输界面层制备、掺杂及相关界面修饰等)在电池器件制备与研究过程中至关重要。
目前,国内外已经报道很多关于钙钛矿光敏层相关界面修饰与钝化成果(Adv.Mater.2019,31:e1805702)。将聚合物插入空穴传输层/钙钛矿光敏层间,取得较为理想的钝化效果(Nat.Energy,2016:1:16142;Adv.Sci.2017,4:1700025.Adv.Mater.2018,30:1706126),利用红荧烯及其衍生物抑制钙钛矿光敏层表层有机阳离子的迁移(Adv.Mater.2018,30,1707583,J.Mater.Chem.A,2019,7:1824);利用小分子/有机化合物钝化电子传输层/钙钛矿光敏层间缺陷(Adv.Mater.2017,29:1604545;ACS Nano,2018,12:4968;Adv.Mater.2017,29:1606806;J.Mater.Chem.A,2016,4:14276);利用溴化胍盐和肝素钠盐对阴极间界面进行修饰,提高电池的性能(Science,2016,360:1442;Adv.Mater.2018,30:e1706924);利用卤素离子进行界面钝化(Nano letters,2014,14:3247;Adv.Energy Mater.2019,9:1803135;Adv.Energy Mater.2018,8:1800138)。在研究过程中,用于界面钝化的这些材料有合成繁琐,成本高,载流子迁移率较低、酸性、亲水性等缺陷,严重阻碍这类材料适应钙钛矿电池大规模商业化发展,必须寻找理想的界面修饰/钝化材料。
红外光谱范围内表现出由入射光的电磁波驱动自由电子的集体振荡产生的单一或多个局域表面等离激元共振(LSPR)。改变贵金属纳米颗粒的大小、形状、化学成分和周围介质环境等可以调节其LSPR共振效应。因此,这类材料在光学、生物医学成像和能源等众多领域都有广泛的应用。由于卤素钙钛矿与金、银等材料发生反应(Nat.Mater.2015,14:1032),贵金属纳米颗粒很难直接应用于钙钛矿光伏器件。为了充分利用贵金属纳米颗粒LSPR效应,并且避免与钙钛矿光敏层直接接触,无机氧化物(如:SiO2、TiO2等)被利用包裹贵金属纳米颗粒,形成金属-半导体核壳结构(Adv.Sci.2016,3:1500312.Adv.Funct.Mater.2015,25:5038;ACS Appl.Mater.Inter.2017,9:34821)。在这类金属-半导体核壳结构中,纳米金属颗粒LSPR表现出色的光子吸收效率,极大的提升复合体系对不同波段的光响应,诱导热电子产生和注入,提升复合体系的电子浓度,加快电子和空穴转移。同时,由它产生的共振能量从金属转移到半导体,抑制电子和空穴的复合,促进电子和空穴对的形成,显著提升其电荷密度。因而,金属和半导体之间协同作用有效提高复合材料体系的光电转换效率。然而,绝缘体SiO2化学性质虽然稳定,但不利于载流子迁移;TiO2存在高温烧结、载流子迁移率低等缺陷。这些缺陷制约这类核壳结构材料在钙钛矿电池中广泛应用,有必要寻找新的核壳结构外包裹材料。
CdS具有2.4eV直接带隙和优异的电子传输能力,已经应用于钙钛矿光伏电池电子传输层(Adv.Mater.Inter.2019,6:1801976;J.Mater.Chem.A2019,7:1124.)。作为钙钛矿光伏器件界面层时,CdS中的Cd原子与钙钛矿材料中卤素原子(如:碘)能形成较强的相互作用,有效诱导诱导钙钛矿成膜过程中的形核,提升钙钛矿结晶质量。同时,CdS纳米颗粒掺入钙钛矿光敏层,导致较高的钙钛矿表面势能及均衡电流分布,加速光生电子迁移,提高电子空穴分离和光敏层异质结结构的稳定(Sol.Energy Mater.Sol.Cells,2015,140:396)。更重要的是,用CdS包裹纳米Au颗粒形成的核壳结构材料Au@CdS极易激发横向的表面等离子体效应(Adv.Funct.Mater.2015,25:898)。为了充分利用核壳结构材料Au@CdS的优势,结合CdS特点,本专利以溶液法制备核壳结构材料Au@CdS,并将其嵌入光敏层/空穴传输层间界面,利用Au@CdS近红外区表现出较强的等离子体共振吸收的优点,拓宽光伏器件吸收光谱范围,显著的提升界面处空穴密度,并加速其迁移。研究表明,MoS2纳米颗粒可以作为Li+离子强有力的吸附剂,抑制Li+从Spiro-OMeTAD向钙钛矿层的迁移。希望Au@CdS材料对钙钛矿光敏层相邻两界面同时进行钝化后,成为空穴传输层中Li+及光敏层退化后产生离子的吸附剂,有效抑制其在器件中的扩散(减少漏电),降低界面势垒,实现空穴/电子传输层与钙钛矿光敏层间能级有效匹配,平衡空穴传输层和电子传输层对各自的载流子抽取率,减少界面复合,从而达到提高电池短路电流和填充因子的目的。
发明内容
本发明目的在于提供一种以核壳结构Au@CdS纳米颗粒钝化的钙钛矿光伏电池,在提高电池性能的同时,达到降低电池的制备成本的目的。
为达到上述目的,采用技术方案如下:
以Au@CdS纳米颗粒钝化的钙钛矿光伏电池,包括透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿光敏活性层、空穴传输层和金属电极;
其中,在电子传输层、钙钛矿光敏活性层之间设置有界面钝化层;或钙钛矿光敏活性层、空穴传输层之间设置有界面钝化层;或者电子传输层、钙钛矿光敏活性层、空穴传输层之间同时设置有界面钝化层;所述界面钝化层为核壳结构的Au@CdS纳米颗粒的涂层。
按上述方案,所述透明导电衬底为ITO导电玻璃、FTO导电玻璃或镀有ITO的柔性透明塑料。
按上述方案,所述电子传输层为SnO2薄膜或SnO2量子点薄膜;
所述SnO2薄膜以溶液法制备得到:
0.1M SnCl2·2H2O溶于乙醇中,旋涂法将其涂在导电衬底上,在空气中180℃退火1小时;
所述SnO2量子点薄膜以溶液法制备得到:
0.13M SnCl2·2H2O和硫脲溶于去离子水中,搅拌24小时后,得到透明黄色溶液,将其旋涂在导电衬底上,在空气中200℃退火1小时。
按上述方案,所述钙钛矿光敏活性层为CH3NH3PbI3钙钛矿光敏活性层或三元混合(CsPbI3)0.04(FAPbI3)0.80(MAPbBr3)0.16(Cs=cesium,MA=CH3NH3,FA=HC(NH2)2)混合钙钛矿光敏活性层。
按上述方案,所述Au@CdS纳米颗粒的Au颗粒大小为5-30nm;CdS包裹厚度为10-100nm。
按上述方案,所述空穴传输层为2,2',7,7'-Tetrakis[N,N-di(4-methoxyphenyl)amino]-9,9'-spirobifluorene(Spiro-OMeTAD)。
按上述方案,所述金属电极为Cu电极、Au电极或Ag电极。
按上述方案,所述界面钝化层以Au@CdS纳米颗粒为溶质、氯苯为溶剂,制备成为浓度0.0075-0.03mmol/ml,通过旋涂法或反溶剂法制备而成。
本发明相对于现有技术的有益效果如下:
以溶液法制备核壳结构材料Au@CdS,并将其嵌入空穴传输层/光敏层和电子传输层/光敏层间界面,利用Au@CdS近红外区表现出较强的等离子体共振吸收的优点,拓宽光伏器件吸收光谱范围,显著的提升界面处空穴密度,并加速其迁移。
同时,Au@CdS材料对钙钛矿光敏层相邻两界面同时进行钝化后,成为空穴传输层中Li+及光敏层退化后产生离子的吸附剂,有效抑制其在器件中的扩散(减少漏电),降低界面势垒,实现空穴/电子传输层与钙钛矿光敏层间能级有效匹配,平衡空穴传输层和电子传输层对各自的载流子抽取率,从而达到提高电池短路电流和填充因子的目的。
附图说明
附图1:Au@CdS钝化空穴传输层与光敏层间界面的钙钛矿光伏电池的结构示意图。
附图2:Au@CdS钝化电子传输层与光敏层间界面的钙钛矿光伏电池的结构示意图。
附图3:Au@CdS钝化空穴传输层与光敏层间界面的钙钛矿光伏电池J-V曲线。
其中,1-透明导电衬底,2-电子传输层,3-钙钛矿光敏活性层,4-界面钝化层,5-空穴传输层,6-金属电极。
具体实施方式
以下实施例进一步阐释本发明的技术方案,但不作为对本发明保护范围的限制。
本发明所用核壳结构的Au@CdS纳米颗粒按以下方法制备而来:
(1)准备工作:配制0.2Mol/L的CTAB(十六烷基三甲基溴化铵)用作表面活性剂;5mMol/L的HAuCl4;10mMol/L的NaBH4(硼氢化钠);10mMol/L的AA(抗坏血酸);1mMol/L的NaOH溶液,备用。
(2)Au颗粒合成:
(a)种子溶液制备:在30℃室温下,取试管加入依次快速加入5ml的CTAB;4.5ml的H2O;0.5ml的HAuCl4;0.6ml的NaBH4,将配制好的溶液放置,待用。
(b)Au颗粒制备:取50ml烧杯,依次加入30ml的CTAB;6ml的HAuCl4;3.5ml的AA;40μL的种子溶液;不同的体积(0.2-0.5ml)的NaOH。将配制好的溶液放置1小时后,放置在离心机内进行离心处理,取出离心管中的上层清液。
(3)CdS包裹的Au纳米颗粒
(a)准备工作:将两个去除上层清液的离心管(只剩Au纳米颗粒溶液)再分别加入15ml的H2O备用。分别配置0.1M/L六亚甲基四胺(HMT)、硫代乙酰胺(TAA)、抗坏血酸(AA)、醋酸铅(Cd(CH3COO)2)水溶液。
(b)包裹实验过程:取一支试管,先依次添加5ml的0.2M/L的CTAB;1ml的0.1M/L的HMT;1ml的0.1mM/L的AA。在搅拌作用下,加入5ml的Au纳米颗粒溶液;再加入100ul的0.1mM/L的TAA,最后加入不同体积的(10~100ul对应CdS的厚度为10-100nm)Cd(CH3COO)2。反应后将试管放在干燥箱内85℃干燥8h以上。放置在离心机内进行离心处理,清洗与干燥后得到CdS包裹的Au纳米颗粒。
实施例1
如图1所示,一种平面结构钙钛矿光伏电池,包括透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿光敏活性层、界面钝化层、空穴传输层和金属电极,其制备方法包括如下步骤:
(1)透明导电衬底的处理:清洗FTO(掺杂氟的SnO2)导电玻璃片,先将导电玻璃片放入盛有清洁剂(如立白牌液体洗涤剂)的溶液中浸泡30分钟,然后反复擦洗后清水冲干净;接着用抛光粉进行抛光处理;然后分别放入装有去离子水、丙酮和酒精的器皿中分别超声20分钟;最后放进去离子水冲洗两遍后,用氮气枪吹干并放入烘箱中80℃烘干;
(2)SnO2QD薄膜制备:在FTO衬底上制备SnO2QD薄膜,并将其放入紫外臭氧清洗仪中,在大气的气氛和室温下紫外臭氧处理15分钟,将处理后的
SnO2QD/FTO衬底迅速转入手套箱中;
(3)钙钛矿光敏活性层的制备:
a.CH3NH3PbI3前体溶液的制备:将0.2067g合成的CH3NH3I与0.6000g PbI2(Aldrich)混合溶解在1mL二甲基甲酰胺和DMSO的混合溶剂(体积比为4:1)中,并在60℃下搅拌12小时,待用;
b.CH3NH3PbI3薄膜的制备:在惰性气体保护的气箱中,将制备好的钙钛矿前体溶液以反溶剂的方式,按低速1000转/分(5秒)、高速5,000转/分(30秒)的参数在SnO2QD/FTO衬底上制备CH3NH3PbI3薄膜。并高速结束前20秒时,将180μL的氯苯迅速滴在CH3NH3PbI3薄膜表面,然后在100℃下退火30分钟;
(4)在钙钛矿光敏薄膜上制备界面钝化层:
a.溶液制备:将事先已经合成的Au颗粒大小为20nm、CdS包裹厚度50nm的Au@CdS纳米颗粒溶解在1ml氯苯溶剂中,在超声波清洗机中超声1h,溶液浓度为0.015mmol/mL,待用;
b.界面钝化层的制备:惰性气体保护的气箱中,将制备好的界面钝化溶液以旋涂的方式,按低速1000转/分(15秒)的参数旋涂在钙钛矿光敏层薄膜表面。
(5)空穴传输层Spiro-OMeTAD的制备:将72.3mg的Spiro-OMeTAD溶解在1ml的氯苯溶液中,并在其中加入29μL ofTBP和17.5μL的Li-TFSI溶液(浓度为520mg/mL溶剂为乙腈溶液),用旋涂的方法按3,500转/分的参数在界面钝化层薄膜上制备Spiro-OMeTAD空穴传输层。
(6)电极的制备:在Spiro-OMeTAD表面蒸发约80nm厚的Au电极,得到平面结构钙钛矿光伏电池。
为了评价以核壳结构材料Au@CdS纳米颗粒薄膜为界面钝化层的钙钛矿光伏电池的光伏特性,我们利用Keithley 2400测试仪对本实施制备的电池进行了J-V曲线的测试,结果如图3所示。电池性能测试结果说明:其开路电压为:1.06V;电池的短路电流为:22.08mA/cm2,填充因子为:74.48%,能量转换效率为:17.47%。
实施例2
如图1所示,一种平面结构钙钛矿光伏电池,包括透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿光敏活性层、界面钝化层、空穴传输层和金属电极,其制备方法包括如下步骤:
(1)清洗ITO导电玻璃片:同实施例1;
(2)SnO2薄膜制备:在ITO衬底上制备SnO2薄膜,并将其放入紫外臭氧清洗仪中,在大气的气氛和室温下紫外臭氧处理15分钟,将处理后的SnO2/ITO衬底迅速转入手套箱中;
(3)钙钛矿光敏活性层的制备:同实施例1;
(4)在钙钛矿光敏薄膜上制备界面钝化层:
a.溶液制备:将事先已经合成的Au颗粒大小为5nm、CdS包裹厚度100nm的Au@CdS纳米颗粒溶解在1ml氯苯溶剂中,在超声波清洗机中超声1h,溶液浓度为0.0075mmol/mL,待用;
b.界面钝化层的制备:惰性气体保护的气箱中,将制备好的界面钝化溶液以旋涂的方式,按低速1000转/分(15秒)的参数旋涂在钙钛矿光敏层薄膜表面。
(5)空穴传输层Spiro-OMeTAD的制备:同实施例1。
(6)电极的制备:在Spiro-OMeTAD表面蒸发约80nm厚的Ag电极,得到平面结构钙钛矿光伏电池。
为了评价以核壳结构材料Au@CdS纳米颗粒薄膜为界面钝化层的钙钛矿光伏电池的光伏特性,我们利用Keithley 2400测试仪对本实施制备的电池进行了J-V曲线的测试,结果如图3所示。电池性能测试结果说明:其开路电压为:0.98V;电池的短路电流为:18.3mA/cm2,填充因子为:71.34%,能量转换效率为:12.87%。
实施例3
如图1所示,一种平面结构钙钛矿光伏电池,包括透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿光敏活性层、界面钝化层、空穴传输层和金属电极,其制备方法包括如下步骤:
(1)清洗FTO导电玻璃片:同实施例1;
(2)SnO2QD薄膜制备:同实施例1;
(3)钙钛矿光敏活性层的制备:同实施例1;
(4)在钙钛矿光敏薄膜上制备界面钝化层:
a.溶液制备:将事先已经合成的Au颗粒大小为30nm、CdS包裹厚度10nm的Au@CdS纳米颗粒溶解在1ml氯苯溶剂中,在超声波清洗机中超声1h,溶液浓度为0.03mmol/mL,待用;
b.界面钝化层的制备:惰性气体保护的气箱中,将制备好的界面钝化溶液以旋涂的方式,按低速1000转/分(15秒)的参数旋涂在钙钛矿光敏层薄膜表面。
(5)空穴传输层Spiro-OMeTAD的制备:同实施例1。
(6)电极的制备:在Spiro-OMeTAD表面蒸发约80nm厚的Cu电极,得到平面结构钙钛矿光伏电池。
为了评价以核壳结构材料Au@CdS纳米颗粒薄膜为界面钝化层的钙钛矿光伏电池的光伏特性,我们利用Keithley 2400测试仪对本实施制备的电池进行了J-V曲线的测试,结果如图3所示。电池性能测试结果说明:其开路电压为:1.0V;电池的短路电流为:21.56mA/cm2,填充因子为:43.24%,能量转换效率为:9.32%。
实施例4
如图2所示,一种平面结构钙钛矿光伏电池,包括透明导电衬底、电子传输层、界面钝化层、钙钛矿光敏活性层、空穴传输层和金属电极,其制备方法包括如下步骤:
(1)镀有ITO的柔性透明塑料衬底的清洗:同实施例1;
(2)SnO2薄膜制备:同实施例2;
(3)在SnO2薄膜表面制备界面钝化层:
a.溶液制备:将事先已经合成的Au颗粒大小为20nm、CdS包裹厚度50nm的Au@CdS纳米颗粒溶解在1ml氯苯溶剂中,在超声波清洗机中超声1h,溶液浓度为0.015mmol/mL,待用;
b.界面钝化层的制备:惰性气体保护的气箱中,将制备好的界面钝化溶液以旋涂的方式,按低速1000转/分(15秒)的参数旋涂在SnO2薄膜表面。
(4)钙钛矿光敏活性层的制备:
a.CH3NH3PbI3前体溶液的制备:将0.2067g合成的CH3NH3I与0.6000g PbI2(Aldrich)混合溶解在1mL二甲基甲酰胺和DMSO的混合溶剂(体积比为4:1)中,并在60℃下搅拌12小时,待用;
b.CH3NH3PbI3薄膜的制备:在惰性气体保护的气箱中,将制备好的钙钛矿前体溶液以反溶剂的方式,按低速1000转/分(5秒)、高速5,000转/分(30秒)的参数在界面钝化层/SnO2/FTO衬底上制备CH3NH3PbI3薄膜。并高速结束前20秒时,将180μL的氯苯迅速滴在CH3NH3PbI3薄膜表面,然后在100℃下退火30分钟;
(5)空穴传输层Spiro-OMeTAD的制备:同实施例1;
(6)电极的制备:同实施例1。
为了评价以核壳结构材料Au@CdS纳米颗粒薄膜为界面钝化层的钙钛矿光伏电池的光伏特性,我们利用Keithley 2400测试仪对本实施制备的电池进行了J-V曲线的测试,结果如图3所示。电池性能测试结果说明:其开路电压为:1.01V;电池的短路电流为:19.73mA/cm2,填充因子为:72.41%,能量转换效率为:14.5%。
实施例5
如图1所示,一种平面结构钙钛矿光伏电池,包括透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿光敏活性层、界面钝化层、空穴传输层和金属电极,其制备方法包括如下步骤:
(1)清洗ITO导电玻璃片:同实施例1;
(2)SnO2QD薄膜制备:在FTO衬底上制备SnO2QD薄膜,并将其放入紫外臭氧清洗仪中,在大气的气氛和室温下紫外臭氧处理10分钟,将处理后的
SnO2QD/ITO衬底迅速转入手套箱中;
(3)钙钛矿光敏活性层的制备:同实施例1;
(4)在钙钛矿光敏薄膜上制备界面钝化层:
a.Au@CdS纳米颗粒溶液制备:将事先已经合成的Au颗粒大小为20nm、CdS包裹厚度50nm的Au@CdS纳米颗粒溶解在1ml氯苯溶剂中,在超声波清洗机中超声1h,溶液浓度为0.015mmol/mL,待用;
b.(CsPbI3)0.04(FAPbI3)0.80(MAPbBr3)0.16前驱体溶液的制备:将0.5325g的PbI2、0.0807g的PbBr2、0.1892g的FAI、0.0246g的PbI2与0.0143g CsI混合溶解在1mL二甲基甲酰胺和DMSO的混合溶剂(体积比为4:1)中,并在40℃下搅拌4小时,待用;
c.(CsPbI3)0.04(FAPbI3)0.80(MAPbBr3)0.16薄膜的制备:在惰性气体保护的气箱中,将制备好的钙钛矿前驱体溶液以旋涂的方式,按低速1000转/分(5秒)、高速5000转/分(30秒)的参数在SnO2QD/FTO衬底上制备(CsPbI3)0.04(FAPbI3)0.80(MAPbBr3)0.16薄膜,并在高速结束前10秒时,将200微升的Au@CdS纳米颗粒氯苯溶液滴在(CsPbI3)0.04(FAPbI3)0.80(MAPbBr3)0.16薄膜表面,然后在100℃下退火60分钟,最终CH3NH3PbI3薄膜的厚度为550nm;
(5)空穴传输层Spiro-OMeTAD的制备:同实施例1;
(6)电极的制备:同实施例1。
为了评价以核壳结构材料Au@CdS纳米颗粒薄膜为界面钝化层的钙钛矿光伏电池的光伏特性,我们利用Keithley 2400测试仪对本实施制备的电池进行了J-V曲线的测试,结果如图3所示。电池性能测试结果说明:其开路电压为:1.05V;电池的短路电流为:18.99mA/cm2,填充因子为:73.16%,能量转换效率为:14.71%。
Claims (8)
1.以Au@CdS纳米颗粒钝化的钙钛矿光伏电池,包括透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿光敏活性层、空穴传输层和金属电极;
其特征在于电子传输层、钙钛矿光敏活性层之间设置有界面钝化层;或钙钛矿光敏活性层、空穴传输层之间设置有界面钝化层;或者电子传输层、钙钛矿光敏活性层、空穴传输层之间同时设置有界面钝化层;所述界面钝化层为核壳结构的Au@CdS纳米颗粒的涂层。
2.如权利要求1所述以Au@CdS纳米颗粒钝化的钙钛矿光伏电池,其特征在于所述透明导电衬底为ITO导电玻璃、FTO导电玻璃或镀有ITO的柔性透明塑料。
3.如权利要求1所述以Au@CdS纳米颗粒钝化的钙钛矿光伏电池,其特征在于所述电子传输层为SnO2薄膜或SnO2量子点薄膜;
所述SnO2薄膜以溶液法制备得到:
0.1M SnCl2·2H2O溶于乙醇中,旋涂法将其涂在导电衬底上,在空气中180℃退火1小时;
所述SnO2量子点薄膜以溶液法制备得到:
0.13M SnCl2·2H2O和硫脲溶于去离子水中,搅拌24小时后,得到透明黄色溶液,将其旋涂在导电衬底上,在空气中200℃退火1小时。
4.如权利要求1所述以Au@CdS纳米颗粒钝化的钙钛矿光伏电池,其特征在于所述钙钛矿光敏活性层为CH3NH3PbI3钙钛矿光敏活性层或三元混合(CsPbI3)0.04(FAPbI3)0.80(MAPbBr3)0.16(Cs=cesium,MA=CH3NH3,FA=HC(NH2)2)混合钙钛矿光敏活性层。
5.如权利要求1所述以Au@CdS纳米颗粒钝化的钙钛矿光伏电池,其特征在于所述Au@CdS纳米颗粒的Au颗粒大小为5-30nm;CdS包裹厚度为10-100nm。
6.如权利要求1所述以Au@CdS纳米颗粒钝化的钙钛矿光伏电池,其特征在于所述空穴传输层为2,2',7,7'-Tetrakis[N,N-di(4-methoxyphenyl)amino]-9,9'-spirobifluorene。
7.如权利要求1所述以Au@CdS纳米颗粒钝化的钙钛矿光伏电池,其特征在于所述金属电极为Cu电极、Au电极或Ag电极。
8.如权利要求1所述以Au@CdS纳米颗粒钝化的钙钛矿光伏电池,其特征在于所述界面钝化层以Au@CdS纳米颗粒为溶质、氯苯为溶剂,制备成为浓度0.0075-0.03mmol/ml,通过旋涂法或反溶剂法制备而成。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910328536.9A CN110289353B (zh) | 2019-04-23 | 2019-04-23 | 以Au@CdS纳米颗粒钝化的钙钛矿光伏电池 |
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---|---|---|---|
CN201910328536.9A CN110289353B (zh) | 2019-04-23 | 2019-04-23 | 以Au@CdS纳米颗粒钝化的钙钛矿光伏电池 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110289353A CN110289353A (zh) | 2019-09-27 |
CN110289353B true CN110289353B (zh) | 2022-07-19 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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CN201910328536.9A Active CN110289353B (zh) | 2019-04-23 | 2019-04-23 | 以Au@CdS纳米颗粒钝化的钙钛矿光伏电池 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110289353B (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111451520B (zh) * | 2020-03-12 | 2022-09-20 | 武汉工程大学 | 一种纳米金的制备方法 |
CN111525033B (zh) * | 2020-04-21 | 2022-07-12 | 南昌大学 | 一种反向介孔钙钛矿太阳能电池结构及其制备方法 |
CN111864081B (zh) * | 2020-07-01 | 2023-07-18 | 武汉工程大学 | 一种基于P型Au@Cu2-xS界面钝化层材料的钙钛矿光伏电池 |
CN117015250A (zh) * | 2023-06-29 | 2023-11-07 | 上海乐天钙钛光电科技有限公司 | 界面缓冲液、缓冲层和钙钛矿太阳能电池及制备方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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KR20160069342A (ko) * | 2014-12-08 | 2016-06-16 | 서울대학교산학협력단 | 가시광선 범위의 광에너지 변환을 위한 3성분계로 이루어진 플라즈모닉 코어-쉘 나노구조체 및 그 제조방법 |
CN106935708A (zh) * | 2017-04-26 | 2017-07-07 | 江西师范大学 | 一种基于花生状金‑硫化铜核壳纳米棒的有机太阳能电池宽频带光吸收层薄膜及其制备方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102607857B1 (ko) * | 2016-03-17 | 2023-11-29 | 삼성전자주식회사 | 코어쉘 구조의 나노 입자를 포함하는 발광 소자 |
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2019
- 2019-04-23 CN CN201910328536.9A patent/CN110289353B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102412369A (zh) * | 2011-10-14 | 2012-04-11 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 一种有机/无机杂化太阳电池及其制备方法 |
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---|
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Synthesis of Dumbbell-Like Gold–Metal Sulfi de Core–Shell Nanorods with Largely Enhanced Transverse Plasmon Resonance in Visible Region and Efficiently Improved Photocatalytic Activity;Liang Ma等;《Advanced Functional Materials》;20141222;全文 * |
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CN110289353A (zh) | 2019-09-27 |
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