CN110265083A - 存储器装置的数据探测方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种存储器装置的数据探测方法，该存储器装置包括多个区块，该数据探测方法包括：读取这些区块的一目标区块；当从该目标区块所读出的数据的一错误比特率超过一门限值，则以一调整后读取电压来对该目标区块重试读取；以及当以该调整后读取电压所读出数据的该错误比特率超过该门限值，则将该目标区块标记为一“待搬移区块”。

Description

存储器装置的数据探测方法
技术领域
本发明属于数据存储技术领域，涉及一种存储器装置的数据探测方法。
背景技术
存储器装置(例如，闪存)所存储的数据可能因为受到外界干扰(disturbance)或者因为保存(retention)因素而受到损坏。
故而，因为这些因素，导致存储器装置所存储的数据的存放可能不稳定。所以，可能需要定期或不定期去探测(probe)存储器装置，以了解所存储数据的状态。如果发现某一区块(block)的数据严重损坏的话，则需要搬移该区块的数据，以避免该区块的资料损失。
然而，太过繁烦的数据搬移，可能缩短存储器装置的使用寿命。
故而，需要有一种存储器装置的数据探测方法，能在数据搬移(数据保护)与延长存储器装置使用寿命之间取得平衡点。
发明内容
根据本发明一实例，提出一种存储器装置的数据探测方法，该存储器装置包括多个区块，该数据探测方法包括：读取这些区块的一目标区块；当从该目标区块所读出的数据的一错误比特率超过一门限值，则以一调整后读取电压来对该目标区块重试读取；以及当以该调整后读取电压所读出数据的该错误比特率超过该门限值，则将该目标区块标记为一“待搬移区块”。
本发明还提供一种存储器装置的数据探测方法，该存储器装置包括多个区块，该数据探测方法包括：读取这些区块的一目标区块；当从该目标区块所读出的数据的一错误比特率超过一门限值，标记该目标区块为一“再检查区块”，并记录该目标区块的一读取地址；在一第一时序与一第二时序之间，以一相同读取电压与该读取地址再次读取被标示为该“再检查区块”的该目标区块；以及当从该“再检查区块”所读出的数据的该错误比特率超过该门限值，则将该“再检查区块”标示为一“待搬移区块”。
为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合所附附图详细说明如下：
附图说明
图1显示存储器装置的功能方框图。
图2至图4显示存储器的分布图。
图5显示根据本发明第一实施例的存储器装置的数据探测方法的流程图。
图6显示区块在长时间没有被读取后的一次读取的错误比特率变化图。
图7显示根据本发明第二实施例的存储器装置的数据探测方法流程图。
【符号说明】
100：存储器装置； 110：存储器控制器；
120：存储器；
B0-Bn：区块；
P0-Pm：页；
VR1、VR2、VR3、VR1’，VR2’、VR3’、VR1”，VR2”、VR3”：读取电压；
A、B：时序；
510-550、710-735：步骤。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
本说明书的技术用语均参照本技术领域的习惯用语，如本说明书对部分用语有加以说明或定义，该部分用语的解释以本说明书的说明或定义为准。本发明公开的各个实施例分别具有一个或多个技术特征。在可能实施的前提下，本技术领域具有公知常识的技术人员可选择性地实施任一实施例中部分或全部的技术特征，或者选择性地将这些实施例中部分或全部的技术特征加以组合。
现请参考图1，显示存储器装置的功能方框图。如图1所示，存储器装置100包括存储器控制器110与耦接至存储器控制器110的存储器120(例如但不受限于为闪存)。存储器120包括多个区块(区块0B0-区块nBn，n为正整数)，而各区块0B0-区块nBn则包括多个页(页0P0-页mPm，m为正整数)。在底下，以存储器为MCL(multi-level cell，多位晶胞)为例来做说明，但当知本发明并不受限于此。
第一实施例
图2显示存储器120的分布图(distribution)，例如但不受限于，存储器120刚完成编程时的分布图。如果分布图如图2所示，则用3个读取电压(read voltage)VR1、VR2与VR3来读取的话，则可以区隔这4个分布，故而，理论上，图2的分布图的错误位(error bit)的数量是0个(错误比特率为0)。
图3显示当存储器装置120的分布漂移(例如，往高电压漂移)的示意图。图3例如但不受限于，存储器装置120经过干扰所造成分布往高电压漂移的情况。如果仍利用图2的原始读取电压VR1、VR2与VR3去读取的话，则容易读出错误位(error bit)，且这些错误可能是无法校正(uncorrectable)。故而，在本发明第一实施例中，通过重试读取(retry read)的方式，来调整读取电压(调整成VR1’，VR2’与VR3’)，以降低错误位的个数(降低错误比特率)，甚至可能下降至0。此外，如果以图3的分布图来看，错误位仍不算多，因为这些4个分布尚未重叠。
图4显示显示当存储器装置120的分布漂移(例如，往高电压漂移)的示意图。图4例如但不受限于，存储器装置120因为保持因素而造成分布往高电压漂移的情况。如图4所示，这4个分布已经重叠，即便调整读取电压为VR1”，VR2”与VR3”)，错误位降低的情况仍可能不明显(亦即，错误比特率仍可能高)。故而，在本发明第一实施例中，将该区块标记起来，并对该标记区块进行搬移(可以未必立即搬移，等到计算机系统为闲置时，再进行区块数据搬移亦可)。
现请参照图5，其显示根据本发明第一实施例的存储器装置的数据探测方法的流程图。如图5所示，在步骤510中，读取目标区块内的数据。在步骤510中，可以选取目标区块内的一目标页来读取数据。在本发明第一实施例中，原则上，不会读取整个目标区块内的数据，以避免花费太长读取时间。故而，在本发明第一实施例中，从目标区块中选择一目标页，并读取目标页的数据。选择目标页的原则可以是从该目标区块中随机选择一目标页，或者是，从该目标区块中的多个页中选比较有代表性的页(例如但不受限于，如果已能事先知道该页比较容易被存取或者是比较容易坏掉等)，则选择具有代表性的该页为目标页。
在步骤520中，判断从目标区块(目标页)所读出的数据的错误比特率是否超过门限值。如果从目标区块(目标页)所读出的数据的错误比特率未超过门限值，则代表该目标区块的数据错误情况尚不严重，不需要搬移该目标区块，则流程结束。
相反地，如果从目标区块(目标页)所读出的数据的错误比特率超过门限值，则代表该目标区块的数据错误情况严重，故而，流程接续至步骤530。
在步骤530中，判断是否已试过其它重试读取条件。在本发明第一实施例中，“重试读取条件”例如但不受限于，调整读取电压(如图3或图4所示)，而如何调整读取电压的细节在此可不特别限定。
如果步骤530判断为否，则以调整后的读取电压来进行对该目标区块重试读取(亦即，再次读取该目标区块的该目标页)(步骤550)，且流程接续至步骤520(判断这次读取数据的错误比特率是否超过门限值)。
相反地，如果步骤530的判断为是(已试过其他重试读取条件)，则流程接续至步骤540，将该目标区块标记为“待搬移区块”。接着流程结束。被标记“待搬移区块”的区块可由存储器控制器110判断该于何时进行搬移，其细节在此不重述。
步骤530的“判断是否已试过其他重试读取条件”的细节例如但不受限于如下。假设先已设定好共有X组读取电压(亦即，有X种重试读取条件)，X是正整数。1组读取电压是如图2所示的读取电压VR1，VR2与VR3，或如图3所示的读取电压VR1’，VR2’与VR3’，或如图4所示的读取电压VR1”，VR2”与VR3”。当读取目标区块的数据后(以例如图2所示的读取电压VR1、VR2与VR3来读取)，如果判断错误比特率超过门限值，则对上次所用的读取电压进行调整，并用调整后读取电压再次读取该目标区块。如果目标区块的读取数据的错误比特率一直超过门限值，则流程重复步骤520、530与550，直到目标区块的读取数据的错误比特率低于门限值，或者是，直到已试过其他重试读取条件(例如但不受限于，试过至少1次其他重试读取条件(甚至可以是所有其他重试读取条件))。
此外，在本发明第一实施例中，针对不同的重试读取条件可以对应至不同的门限值。例如但不受限于，读取电压较高的重试读取条件可以对应至较低门限值，反之亦然。
由上述可知，在本发明第一实施例中，通过引入重试读取的概念，经过重试读取之后，如果目标区块的错误比特率低于门限值，则判断这个目标区块是情况良好，不用搬移数据。本发明第一实施例中，通过重试读取，可能可以延后数据搬移的动作。而延后数据搬移的动作的好处在于，避免太频繁的数据搬移。按照本领域技术人员所知，太频繁的数据搬移会减少存储器装置的寿命。故而，在本发明第一实施例中，通过重试读取避免太频繁的数据搬移，进而可以尽量避免由频繁的数据搬移所导致存储器装置的寿命减少。
第二实施例
按照本领域技术人员所知，如果存储器装置中的某一区块经过长时间未被读取，则当该区块在长时间未读取后的第一次读取时，错误比特率可能很高。然而，如果相隔一段时间(此段时间未特别限定)对该区块读取一次，则错误比特率可能降低了。但如果该区块又经过长时间没有被读取，则该区块的错误比特率可能又会变很高(但这并非代表该区块已经损坏，或已需要被搬移)。图6显示，区块在长时间没有被读取后的一次读取的错误比特率变化图。其中，时序A代表由“不稳定态”转化为“稳定态”的时序，而时序B代表由“稳定态”转化为“不稳定态”的时序。其中，“不稳定态”代表该区块的错误位数量(或错误比特率)很高，而“稳定态”代表该区块的错误位数量(或错误比特率)较低。至于如何决定时序A与时序B的细节在此可不特别限定。
利用传统方法来读取该区块(经长时间未被读取)，则该区块的错误比特率可能会变很高，导致传统方法误判为该区块需要进行搬移，故而会对该区块进行搬移。但实际上，绝大部分的区块可能都会出现这种现象，且这样的现象并非代表该区块已经损坏或已经需要被搬移。
相反地，在本发明第二实施例中，如果出现如图6所示的现象时，未必一定要马上搬移该区块，而是再经过一次(或多次)判断，来决定是否真正需要搬移此区块。
故而，在本发明第二实施例中，当该区块的错误位的数量高(超过门限值)时，则隔一段时间再读取一次，如果再次读取的错误位的数量仍高，则将该区块标记为待搬移区块；相反地，如果再次读取的错误位的数量变低(低于门限值)，则该区块可以不用搬移。如此一来，可以减少区块搬移的次数，进而避免过度缩短存储器装置的寿命。
现请参照图7，显示根据本发明第二实施例的存储器装置的数据探测方法流程图。如图7所示，在步骤710中，读取目标区块内的数据。在步骤715中，判断从目标区块(目标页)所读出的数据的错误比特率是否超过门限值。步骤710与715的细节可如图5的步骤510与520，于此不重述。
如果步骤715中，判断从目标区块(目标页)所读出的数据的错误比特率超过门限值，则在步骤720中，将该区块标记为“再检查区块”，并记录该区块(该页)的读取地址。
在步骤725中，在时序A与时序B之间，以相同读取电压与该相同读取地址来再次读取被标示为“再检查区块”的该区块。
在步骤730中，判断从“再检查区块”所读出的数据的错误比特率是否超过门限值。如果步骤730为否，则流程结束。如果步骤730为是，则在步骤735中，将该“再检查区块”标示为“待搬移区块”，接着，流程结束。
如上所述，由于传统方式只读取一次，接着判断错误位数量(错误比特率)，来决定该区块是否要被搬移。所以，如果在“不稳定态”下读取该区块，则该区块容易被判定为待搬移区块。导致搬移次数可能较多，容易造成存储器的损坏。
相反地，在本发明第二实施例中，如果上次读取区块的错误位数量(错误比特率)较高，则将该区块暂标示为“再检查区块”。并于适当时序，再读取一次并判断错误位数量(错误比特率)来决定是否要搬移该区块。由此，本发明第二实施例可有效地减少将暂不需要搬移的区块标示为待搬移区块的可能性，减少了无谓区块搬移的可能性，进而可延长存储器装置的寿命。
此外，上述二实施例及本发明其他可能实施例也可应用至其他存储器类型，如果这些存储器类型也会因为外界干扰或保存因素而导致数据损坏需要搬移区块的话。
综上所述，虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中具有公知常识的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的改动与润饰。因此，本发明的保护范围当以申请专利范围所界定的权利要求为准。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种存储器装置的数据探测方法，该存储器装置包括多个区块，该数据探测方法包括：
读取这些区块的一目标区块；
当从该目标区块所读出的数据的一错误比特率超过一门限值，则以一调整后读取电压来对该目标区块重试读取；以及
当以该调整后读取电压所读出数据的该错误比特率超过该门限值，则将该目标区块标记为一“待搬移区块”。
2.根据权利要求1所述的数据探测方法，其中，选取该目标区块的多个页中随机选择一目标页来读取数据；或者从该目标区块中的这些页选择一代表页来读取数据。
3.根据权利要求1所述的数据探测方法，其中，如果从该目标区块所读出的数据的该错误比特率未超过该门限值，则不需要搬移该目标区块。
4.根据权利要求1所述的数据探测方法，其中，
这些重试读取对应多个不同组读取电压；以及
各这些重试读取对应至不同的该门限值。
5.一种存储器装置的数据探测方法，该存储器装置包括多个区块，该数据探测方法包括：
读取这些区块的一目标区块；
当从该目标区块所读出的数据的一错误比特率超过一门限值，标记该目标区块为一“再检查区块”，并记录该目标区块的一读取地址；
在一第一时序与一第二时序之间，以一相同读取电压与该读取地址再次读取被标示为该“再检查区块”的该目标区块；以及
当从该“再检查区块”所读出的数据的该错误比特率超过该门限值，则将该“再检查区块”标示为一“待搬移区块”。
6.根据权利要求5所述的数据探测方法，其中，选取该目标区块的多个页中随机选择一目标页来读取数据；或者从该目标区块中的这些页选择一代表页来读取数据。
7.根据权利要求5所述的数据探测方法，其中，该第一时序代表该目标区块由一“不稳定态”转化为一“稳定态”的一时序，而该第二时序代表该目标区块由该“稳定态”转化为该“不稳定态”的一时序。
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