CN110231730A - 彩膜基板的制备方法及彩膜基板 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种彩膜基板的制备方法及彩膜基板,该彩膜基板的制备方法包括:提供衬底基板;在所述衬底基板上形成图案化的光阻层,所述光阻层包括第一槽体和第二槽体;所述第一槽体和所述第二槽体均裸露出所述衬底基板;对所述衬底基板进行粗糙化处理,使所述第一槽体和所述第二槽体的底面粗糙化;在所述衬底基板上形成黑色矩阵层,所述黑色矩阵层设置在所述第一粗糙面和所述第二粗糙面内;去除所述光阻层。本申请通过在衬底基板上设置黑色矩阵层的区域进行表面的粗糙化处理,增加黑色矩阵层和衬底基板之间界面的粗糙度,进而降低了界面的反射率。
Description
技术领域
本申请涉及一种显示技术,特别涉及一种彩膜基板的制备方法及彩膜基板。
背景技术
通常液晶显示面板由彩膜(Color Filter,CF)基板、阵列(Array)基板、夹于彩膜基板与阵列基板之间的液晶及密封框胶组成。COA(Color Filter On Array)技术是将彩色滤光层直接制作在阵列基板上的一种集成技术,它能够有效解决成盒工艺中因彩色滤光片色阻与像素电极之间的对位偏差造成的漏光问题,并能显著提升显示像素开口率及减少寄生电容,从而成为主流技术。黑色矩阵(Black Matrix,BM)做在CF基板上,主要作用是遮蔽因像素排列不同造成的像素漏光设计,增加彩色彩膜的对比度,同时还可以防止不同颜色的像素之间出现混色,提高色纯度。
然而,这种COA技术制成的显示面板中彩膜基板的反射率较大,使得显示面板的对比度下降。特别是由于8K技术的发展,BM的面积占比进一步提升,由BM引起的反射率也随之增加,从而严重影响显示画面的质量。
发明内容
本申请实施例提供一种彩膜基板的制备方法及彩膜基板,以解决现有的显示面板中彩膜基板的BM和衬底基板的界面的光反射率较大的技术问题。
本申请实施例提供一种彩膜基板的制备方法,其包括:
提供衬底基板;
在所述衬底基板上形成图案化的光阻层,所述光阻层包括第一槽体、第二槽体和光阻结构,所述第一槽体和所述第二槽体均裸露出所述衬底基板,所述第一槽体沿着第一方向间隔排列设置,所述第二槽体沿着第二方向间隔排列设置,所述第一槽体和所述第二槽体相互交叉形成多个光阻区域,所述光阻结构设置在所述光阻区域内;
对所述衬底基板进行粗糙化处理,使所述第一槽体和所述第二槽体的底面粗糙化,分别得到第一粗糙面和第二粗糙面;
在所述衬底基板上形成黑色矩阵层,所述黑色矩阵层设置在所述第一槽体的第一粗糙面和所述第二槽体的第二粗糙面;
去除所述光阻层。
在本申请的彩膜基板的制备方法中,所述光阻层的材料为疏水性材料,所述黑色矩阵层的材料为黑色墨水性材料。
在本申请的彩膜基板的制备方法中,所述黑色矩阵层采用喷墨打印技术形成。
在本申请的彩膜基板的制备方法中,所述黑色墨水性材料的粘度小于10cps。
在本申请的彩膜基板的制备方法中,在所述对所述衬底基板进行粗糙化处理的步骤中,采用强酸或强碱对所述衬底基板进行粗糙化处理。
在本申请的彩膜基板的制备方法中,所述强酸为氢氟酸溶液,所述强碱为氢氧化钠溶液。
在本申请的彩膜基板的制备方法中,所述光阻层采用光刻工艺制成。
在本申请的彩膜基板的制备方法中,所述黑色矩阵层的高度小于或等于所述光阻层的高度。
本申请还涉及一种彩膜基板,其包括:
衬底基板,所述衬底基板包括第一粗糙面和第二粗糙面,所述第一粗糙面沿着第一方向间隔排列设置,所述第二粗糙面沿着第二方向间隔排列设置,所述第一粗糙面和所述第二粗糙面相互交叉设置;以及
黑色矩阵层,所述黑色矩阵层形成在所述第一粗糙面和所述第二粗糙面上。
在本申请的彩膜基板中,所述黑色矩阵层内设置有孔洞结构,所述孔洞结构包括一空气空间和包裹所述空气空间的保护层。
相较于现有技术的显示面板的彩膜基板,本申请的彩膜基板的制备方法及彩膜基板通过在衬底基板上设置黑色矩阵层的区域进行表面的粗糙化处理,增加黑色矩阵层和衬底基板之间界面的粗糙度,进而降低了界面的反射率;解决了现有的显示面板中彩膜基板的BM和衬底基板的界面的光反射率较大的技术问题。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面对实施例中所需要使用的附图作简单的介绍。下面描述中的附图仅为本申请的部分实施例,对于本领域普通技术人员而言,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获取其他的附图。
图1为本申请实施例的彩膜基板的制备方法的流程示意图;
图2为本申请实施例的彩膜基板的制备方法的另一流程示意图;
图3为本申请实施例的彩膜基板的结构示意图;
图4为本申请实施例的彩膜基板的衬底基板的结构示意图;
图5为图3中沿AA线的截面图。
具体实施方式
请参照附图中的图式,其中相同的组件符号代表相同的组件。以下的说明是基于所例示的本申请具体实施例,其不应被视为限制本申请未在此详述的其它具体实施例。
请参照图1和图2,图1为本申请实施例的彩膜基板的制备方法的流程示意图;图2为本申请实施例的彩膜基板的制备方法的另一流程示意图。需要说明的是,在本申请的彩膜基板中,彩膜基板可以是第一种:该彩膜基板包括黑色矩阵层和彩膜层,彩膜层包括红色光阻单元、绿色光阻单元和蓝色光阻单元;另外,彩膜基板也可以是第二种:通过COA技术应用于液晶显示面板的的彩膜基板,该彩膜基板包括黑色矩阵层,即将彩膜层制作在阵列基板上。而本申请实施例的彩膜基板的制备方法以第二种为例进行说明,但并不限于此。
本申请实施例的彩膜基板的制备方法,其包括:
S1:提供衬底基板11;
S2:在所述衬底基板11上形成图案化的光阻层12,所述光阻层12包括第一槽体121、第二槽体122和光阻结构123,所述第一槽体121和所述第二槽体122均裸露出所述衬底基板11,所述第一槽体121沿着第一方向间隔排列设置,所述第二槽体122沿着第二方向间隔排列设置,所述第一槽体121和所述第二槽体122相互交叉形成多个光阻区域,所述光阻结构123设置在所述光阻区域内;
S3:对所述衬底基板11进行粗糙化处理,使所述第一槽体121和所述第二槽体122的底面粗糙化,分别得到第一粗糙面和第二粗糙面;
S4:在所述衬底基板11上形成黑色矩阵层13,所述黑色矩阵层13设置在所述第一粗糙面和所述第二粗糙面上;
S5:去除所述光阻层12。
本申请实施例的彩膜基板10的制备方法通过在衬底基板11上设置黑色矩阵层13的区域进行表面的粗糙化处理,增加黑色矩阵层13和衬底基板11之间界面的粗糙度,进而降低了界面的反射率。
本申请实施例的彩膜基板100的制备方法的步骤请参照以下具体内容。
步骤S1:提供衬底基板11。其中衬底基板11可以是硬性基板和可以是柔性基板,比如玻璃基板和聚酰亚胺薄膜等。完成步骤S1后,转入步骤S2。
步骤S2:在所述衬底基板11上形成图案化的光阻层12。
所述光阻层12采用光刻工艺制成。光阻层12呈阵列式排布。
具体的,所述光阻层12包括第一槽体121、第二槽体122和光阻结构123。所述第一槽体121和所述第二槽体122均裸露出所述衬底基板11。所述第一槽体121沿着第一方向间隔排列设置。所述第二槽体122沿着第二方向间隔排列设置。第一方向垂直于第二方向。所述第一槽体121和所述第二槽体122相互交叉形成多个光阻区域。所述光阻结构123设置在所述光阻区域内。光阻结构123为块状。
其中,光阻层12的材料为疏水性材料。当光阻层12由于疏水性材料制成时,光阻层12的光阻结构123的表面对液态材料的吸附性就会变弱,即液态材料在一定程度上不会凝结在光阻结构123的表面,便于液态材料自主流动和延展。当然,光阻层12的材料也可以亲水性材料,在此本实施例并不作限制。完成步骤S2后,转入步骤S3。
步骤S3:对所述衬底基板11进行粗糙化处理,使所述第一槽体121和所述第二槽体122的底面粗糙化,分别得到第一粗糙面和第二粗糙面。
具体的,采用强酸或强碱对所述衬底基板11进行粗糙化处理。所述强酸为氢氟酸溶液、硫酸和硝酸等,所述强碱为氢氧化钠溶液、氢氧化钾等。其中,由于光阻结构123的作用,使得强酸或强碱溶液并不能腐蚀衬底基板11设置有光阻结构123区域。因此强酸或强碱便腐蚀第一槽体121和第二槽体122的底面,即衬底基板11裸露出来的区域,使得衬底基板11对应于第一槽体121和第二槽体122的区域的表面被腐蚀形成粗糙面,其中,第一槽体121被腐蚀的底面为第一粗糙面,第二槽体122被腐蚀的底面为第二粗糙面。第一粗糙面和第二粗糙面的粗糙度可以相同也可以不同。
衬底基板11上粗糙面的形成破坏了黑色矩阵层13和衬底基板11的结合界面,进而增加了二者界面的粗糙度。当外界光线照射至该界面时,便会产生散射效果,进而降低了该界面的反射率。
在一些实施例中,第一槽体的底面为第一粗糙面,第二槽体的底面为第二粗糙面,第一粗糙面和第二粗糙面的粗糙度不同。二者粗糙度的不同,使得二者对光线的散射效果不同,也就是说,本实施例可以根据不同的需求进行不同粗糙度的调整。
对于形成第一粗糙面和第二粗糙面的过程是:首先,在衬底基板上形成第一光阻层,第一光阻层包括第一光阻结构和第一槽体,相邻第一光阻结构之间通过第一槽体间隔设置,第一槽体沿着第一方向排列设置;然后对衬底基板的表面进行第一次粗糙化处理,使第一槽体的底面转为第一粗糙面。
随后,对所述第一光阻层进行切割或刻蚀形成第二光阻层,第一光阻结构被切割或刻蚀为多个第二光阻结构;第二光阻层包括第二槽体,相邻两个第二光阻结构之间通过第二槽体间隔设置,第二槽体颜色第二方向排列设置;最后对衬底基板进行第二次粗糙化处理,使得第二槽体的底面转为第二粗糙面。
由于第一槽体的底面进行了两次的腐蚀,所以第一粗糙面的粗糙度大于第二粗糙面的粗糙度。
当完成步骤S3后,转入步骤S4。
步骤S4:在所述衬底基板11上形成黑色矩阵层13,所述黑色矩阵层13设置在所述第一粗糙面和所述第二粗糙面上。即黑色矩阵层13形成在第一槽体121内和第二槽体122内。
具体的,黑色矩阵层13的材料为黑色墨水性材料。黑色墨水性材料的粘度小于10cps。可选的,黑色墨水性材料的粘度为7cps。黑色矩阵层采用喷墨打印技术形成。
在步骤S4中,黑色墨水性材料通过喷墨打印技术,将黑色墨水性材料打印在第一槽体121和第二槽体122内。由于光阻层12采用疏水性材质,因此第一槽体121和第二槽体122的侧壁具有疏水性,当黑色墨水性材料在第一槽体121和第二槽体122的表面时,黑色墨水性材料会自动在第一槽体121和第二槽体122之间流动,而不会凝结在第一槽体121和第二槽体122的表面。也由于黑色墨水性材料在第一槽体121和第二槽体122中具有自主流向槽体的特点,使得黑色墨水性材料具有自对准功能,即黑色墨水性材料会自动从一个槽体流向另一个槽体,并逐渐填满所有的槽体。而不会出现由于黑色墨水性材料因误差打印在光阻结构123上,使得黑色墨水性材料凝结在光阻结构123上。
其中,光阻结构123背向所述衬底基板11的顶面与光阻结构123的侧面通过弧面圆滑相连,以使得滴落到光阻结构123四周边缘的黑色墨水性材料,在重力和弧面的作用下,流向槽体内。
另外,黑色矩阵层13的高度小于或等于所述光阻层12的高度。
在一些实施例中,黑色矩阵层的材料还包括颗粒结构,颗粒结构混合入黑色墨水材质中。颗粒结构包括混合体和包裹所述混合体的保护层。混合体包括聚碳酸亚丙酯树脂和光酸产生剂。
当完成步骤S4后,转入步骤S5。
步骤S5:去除所述光阻层12。具体的,采用显影液去除所述光阻层12,后只留下黑色矩阵层13。
在一些实施例中,还包括步骤:对所述黑色矩阵层13进行紫外光照射和加热处理。紫外光照射以降低颗粒结构热分解的温度要求。加热处理使得颗粒结构受热分解为气体。具体的,所有的所述颗粒结构的所述聚碳酸亚丙酯树脂受热分解为气体,使所有的颗粒结构变为孔洞结构。由于孔洞结构内是气体,其折射率接近与空气的折射率,因此对于黑色矩阵层整体而言,孔洞结构影响着黑色矩阵层的折射率,可降低黑色矩阵层整体的折射率,进而降低黑色矩阵层和衬底基板的界面的反射率。该步骤后黑色矩阵层成型后的结构,可参照下文的彩膜基板的结构。
这样便完成了本申请实施例的彩膜基板100的制备过程。
请参照图3-5,图3为本申请实施例的彩膜基板的结构示意图;图4为本申请实施例的彩膜基板的衬底基板的结构示意图;图5为图3中沿AA线的截面图。本申请还涉及一种彩膜基板200,其包括衬底基板21和黑色矩阵层22。
衬底基板21包括第一粗糙面211和第二粗糙面212。第一粗糙面211沿着第一方向间隔排列设置。第二粗糙面212沿着第二方向间隔排列设置。第一粗糙面211和第二粗糙面212相互交叉设置。
黑色矩阵层22形成在第一粗糙面211和第二粗糙面212上。
本申请实施例的彩膜基板200通过在衬底基板21上设置黑色矩阵层22的区域进行表面的粗糙化处理(第一粗糙面211和第二粗糙面212),增加黑色矩阵层22和衬底基板21之间界面的粗糙度,进而降低了界面的反射率。
其中,在一些实施例中,黑色矩阵层22内设置有孔洞结构23。孔洞结构23包括一空气空间231和包裹所述空气空间231的保护层232。
由于孔洞结构23内具有空气空间,即保护层232内填充有空气,使得孔洞结构23的折射率接近与空气的折射率。从而在整体上使得黑色矩阵层22的折射率下降,进而降低了黑色矩阵层22和衬底基板21的界面的反射率。
相较于现有技术的显示面板的彩膜基板,本申请的彩膜基板的制备方法及彩膜基板通过在衬底基板上设置黑色矩阵层的区域进行表面的粗糙化处理,增加黑色矩阵层和衬底基板之间界面的粗糙度,进而降低了界面的反射率;解决了现有的显示面板中彩膜基板的BM和衬底基板的界面的光反射率较大的技术问题。
以上所述,对于本领域的普通技术人员来说,可以根据本申请的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形,而所有这些改变和变形都应属于本申请后附的权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种彩膜基板的制备方法,其特征在于,包括:
提供衬底基板;
在所述衬底基板上形成图案化的光阻层,所述光阻层包括第一槽体、第二槽体和光阻结构,所述第一槽体和所述第二槽体均裸露出所述衬底基板,所述第一槽体沿着第一方向间隔排列设置,所述第二槽体沿着第二方向间隔排列设置,所述第一槽体和所述第二槽体相互交叉形成多个光阻区域,所述光阻结构设置在所述光阻区域内;
对所述衬底基板进行粗糙化处理,使所述第一槽体和所述第二槽体的底面粗糙化,分别得到第一粗糙面和第二粗糙面;
在所述衬底基板上形成黑色矩阵层,所述黑色矩阵层设置在所述第一粗糙面和所述第二粗糙面内;
去除所述光阻层。
2.根据权利要求1所述的彩膜基板的制备方法,其特征在于,所述光阻层的材料为疏水性材料,所述黑色矩阵层的材料为黑色墨水性材料。
3.根据权利要求2所述的彩膜基板的制备方法,其特征在于,所述黑色矩阵层采用喷墨打印技术形成。
4.根据权利要求2所述的彩膜基板的制备方法,其特征在于,所述黑色墨水性材料的粘度小于10cps。
5.根据权利要求1所述的彩膜基板的制备方法,其特征在于,在所述对所述衬底基板进行粗糙化处理的步骤中,采用强酸或强碱对所述衬底基板进行粗糙化处理。
6.根据权利要求5所述的彩膜基板的制备方法,其特征在于,所述强酸为氢氟酸溶液,所述强碱为氢氧化钠溶液。
7.根据权利要求1所述的彩膜基板的制备方法,其特征在于,所述光阻层采用光刻工艺制成。
8.根据权利要求1所述的彩膜基板的制备方法,其特征在于,所述黑色矩阵层的高度小于或等于所述光阻层的高度。
9.一种彩膜基板,其特征在于,包括:
衬底基板,所述衬底基板包括第一粗糙面和第二粗糙面,所述第一粗糙面沿着第一方向间隔排列设置,所述第二粗糙面沿着第二方向间隔排列设置,所述第一粗糙面和所述第二粗糙面相互交叉设置;以及
黑色矩阵层,所述黑色矩阵层形成在所述第一粗糙面和所述第二粗糙面上。
10.根据权利要求9所述的彩膜基板,其特征在于,所述黑色矩阵层内设置有孔洞结构,所述孔洞结构包括一空气空间和包裹所述空气空间的保护层。
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