CN110210183A - 组合绝缘子结构的调整方法及组合绝缘子 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种组合绝缘子结构的调整方法及组合绝缘子，一种组合绝缘子结构的调整方法，包括：建立复合绝缘子，均压环和/或玻璃绝缘子的复合绝缘子高压端场强预测模型，所述复合绝缘子高压端场强预测模型至少包括可以设置的均压环屏蔽深度参数和/或玻璃绝缘子个数参数；根据预设的多个所述均压环屏蔽深度参数和/或多个所述玻璃绝缘子个数参数预测多个第一高压端场强；根据目标高压端场强在所述多个第一高压端场强中选出匹配的第二高压端场强；根据所述第二高压端场强确认目标均压环屏蔽深度参数和/或目标玻璃绝缘子个数参数，以调整所述组合绝缘子结构。本发明达到了预判了复合绝缘子高压端的电场强度，避免复合绝缘子极化升温的效果。
Description
技术领域
本发明实施例涉及组合绝缘子结构的调整技术，尤其涉及一种组合绝缘子结构的调整方法及组合绝缘子。
背景技术
复合绝缘子以重量轻、机械强度高、憎水性能强、耐污闪电压高、不测零值、生产交货时间短、维护简便等优势在国内外得到了广泛应用。但复合绝缘子在运行中，受产品质量与运行环境的影响，可能出现紧急缺陷立即退出运行，从而致使寿命大幅降低，威胁整个电网安全运行。其中异常温升缺陷，在复合绝缘子事故中占有重要比例。对于高、低湿度下均发热的绝缘子，其内部交界面存在质量缺陷，水分透过硅橡胶表面将在交界面累积，在电场作用下，芯棒中的环氧树脂将水解，导致交界面缺陷的进一步扩大，并最终导致孔隙处出现电晕放电。
控制高压端电场对于避免此类事故具有重要意义，对于高低湿度下发热的绝缘子，较低的电场能减缓缺陷的发展，抑制缺陷处的局部放电；对于仅在高湿度条件下发热的绝缘子，其伞裙完整，芯棒机械强度可靠，仍可以持续运行，但在极化发热的影响下，其高压端与中部的温差超过1℃，不再满足DL/T664的相关要求，被迫退出运行将造成极大的浪费，因此有必要降低此类温升，此外控制温升也能减缓绝缘子尤其是高压端硅橡胶材料的老化速度。由于均匀场内单位体积介质的极化损耗功率正比于电场的平方，因此改善端部场强能够有效降低此类温升的幅值。
发明内容
本发明提供一种发明名称，以实现预判了复合绝缘子高压端的电场强度的效果。
第一方面，本发明实施例还提供了一种组合绝缘子结构的调整方法，包括：
建立复合绝缘子高压端场强预测模型，所述复合绝缘子高压端场强预测模型包括复合绝缘子结构模型和均压环结构模型和/或玻璃绝缘子结构模型的组合模型，所述复合绝缘子高压端场强预测模型至少包括可以设置的均压环屏蔽深度参数和/或玻璃绝缘子个数参数；
根据预设的多个所述均压环屏蔽深度参数和/或所述玻璃绝缘子个数参数预测多个第一高压端场强；
根据目标高压端场强在所述多个第一高压端场强中选出匹配的第二高压端场强；
根据所述第二高压端场强确认目标均压环屏蔽深度参数和/或目标玻璃绝缘子个数参数，以调整所述组合绝缘子结构。
第二方面，本发明实施例还提供了一种组合绝缘子，包括：
复合绝缘子串，包括至少一个复合绝缘子串套于芯棒上，所述至少一个复合绝缘子包括大伞和小伞，所述至少一个复合绝缘子的材料为硅橡胶，所述小伞位于所述大伞下方，所述复合绝缘子包裹于护套内；
均压环，包括环体和支架，所述环体位于所述至少一个复合绝缘子大伞的下方，所述支架用于将环体固定所述复合绝缘子串的所述芯棒上，所述均压环的位置用于调整所述复合绝缘子的屏蔽深度；
至少一个玻璃绝缘子，位于所述均压环的下方，用于通过连接件连接高压导线，包括头部和伞裙，所述伞裙位于所述头部的下方，所述头部与所述芯棒相连。
本实施例的技术方案，通过设置复合绝缘子高压端场强预测模型，在复合绝缘子高压端场强预测模型输入不同的组合绝缘子高压端的均压环深屏蔽深度和串接的玻璃绝缘子个数的方法，达到了预判了复合绝缘子高压端的电场强度的效果，避免了复合绝缘子因温升过高而导致的被迫退出运行造成极大的浪费。
附图说明
图1是本发明实施例一中的组合绝缘子结构的调整方法的流程图；
图2是本发明实施例二中的组合绝缘子结构的调整方法的流程图；
图3是本发明实施例二中的组合绝缘子结构的调整方法的均压环屏蔽深度参数与第一场强的关系图，和本发明实施例三中的组合绝缘子结构的调整方法的均压环屏蔽深度参数与第三场强的关系图。
图4是本发明实施例二中的组合绝缘子结构的调整方法的玻璃绝缘子个数参数与第五场强的关系图；
图5是本发明实施例三中的组合绝缘子的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对发明的限定。另外还需要说明的是，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
此外，术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种方向、动作、步骤或元件等，但这些方向、动作、步骤或元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个方向、动作、步骤或元件与另一个方向、动作、步骤或元件区分。举例来说，在不脱离本发明的范围的情况下，可以将第一速度差值为第二速度差值，且类似地，可将第二速度差值称为第一速度差值。第一速度差值和第二速度差值两者都是速度差值，但其不是同一速度差值。术语“第一”、“第二”等而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。需要说明的是，当部被称为“固定于”另一个部，它可以直接在另一个部上也可以存在居中的部。当一个部被认为是“连接”到另一个部，它可以是直接连接到另一个部或者可能同时存在居中部。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述，只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
在更加详细地讨论示例性实施例之前应当提到的是，一些示例性实施例被描述成作为流程图描绘的处理或方法。虽然流程图将各步骤描述成顺序的处理，但是其中的许多步骤可以被并行地、并发地或者同时实施。此外，各步骤的顺序可以被重新安排。当其操作完成时处理可以被终止，但是还可以具有未包括在附图中的附加步骤。
实施例一
图1为本发明实施例一提供的一种组合绝缘子结构的调整方法的流程图，具体包括如下步骤：
步骤202、建立复合绝缘子高压端场强预测模型，复合绝缘子高压端场强预测模型包括复合绝缘子结构模型和均压环模型和/或玻璃绝缘子结构模型的组合模型，复合绝缘子高压端场强预测模型至少包括可以设置的均压环屏蔽深度参数和/或玻璃绝缘子个数参数。
本实施例中，复合绝缘子高压端场强预测模型包括：复合绝缘子模型和均压环模型的组合模型，其中，组合方式为复合绝缘子模型下方连接均压环模型；复合绝缘子模型和玻璃绝缘子模型的组合模型，其中，组合方式为复合绝缘子模型下方连接玻璃绝缘子模型；或复合绝缘子模型、均压环模型和玻璃绝缘子模型的组合模型，其中，组合方式为从上至下复合绝缘子模型、均压环模型和玻璃绝缘子模型依次连接。在其他实施例中，复合绝缘子高压端场强预测模型还包括导线模型和铁塔模型。
本实施例中，复合绝缘子模型为多个复合绝缘子模型串接组成的复合绝缘子串。
本实施例中，复合绝缘子高压端场强预测模型包括可以预先设定的固定参数和可以设置的可调参数。其中，固定参数包括：复合绝缘子高压侧球头电位、复合绝缘子参数的材料、复合绝缘子的个数和/或复合绝缘子的尺寸；可调参数包括均压环屏蔽深度参数和/或玻璃绝缘子个数参数；具体的，可以设置的均压环屏蔽深度参数范围包括：50mm-140mm；可以设置的玻璃绝缘子个数参数包括：1、2和/或3。
示例性的，以建立复合绝缘子模型和均压环模型的组合的复合绝缘子高压端场强预测模型为例：
A1、建立复合绝缘子模型和均压环模型，在复合绝缘子模型的下方链接均压环模型以形成组合模型；
A2、设置组合模型的固定参数和以生成复合绝缘子高压端场强预测模型，固定参数包括：复合绝缘子高压侧球头电位为449kV、复合绝缘子模型结构高度为4450mm，复合绝缘子模型的芯棒直径为24mm，复合绝缘子模型的护套厚度为6mm，复合绝缘子模型的大伞直径为171mm，复合绝缘子模型的小伞直径为84mm，复合绝缘子模型的大伞间距为79mm，均压环模型的均压环直径为400mm，复合绝缘子模型的材料硅橡胶的介电常数为3.5，复合绝缘子模型的芯棒材料相对介电常数为5。复合绝缘子高压端场强预测模型还包括可以设置的均压环屏蔽深度参数和/或玻璃绝缘子个数参数，其中，可以设置的均压环屏蔽深度参数包括：70mm，90mm，10mm和/或130mm；可以设置的玻璃绝缘子个数参数包括：1、2和/或3。
步骤204、根据预设的多个均压环屏蔽深度参数和/或多个玻璃绝缘子个数参数预测多个第一高压端场强。
本实施例中，根据预设的多个均压环屏蔽深度参数和/或多个玻璃绝缘子个数参数预测多个第一高压端场强具体的包括：将预设的多个均压环屏蔽深度参数和/或多个玻璃绝缘子个数参数输入复合绝缘子高压端场强预测模型以输出多个对应的第一高压端场强。
示例性的，参见图2，以输入的预设的多个均压环屏蔽深度参数为例，输入的预设的多个均压环屏蔽深度参数包括a1、a2、a3、a4和a5。当输入均压环屏蔽深度参数为a1时对应输出对应的第一高压端场强b1；当输入均压环屏蔽深度参数为a2时对应输出对应的第一高压端场强b2；当输入均压环屏蔽深度参数为a3时对应输出对应的第一高压端场强b3；当输入均压环屏蔽深度参数为a4时对应输出对应的第一高压端场强b4；当输入均压环屏蔽深度参数为a5时对应输出对应的第一高压端场强b5。
步骤206、根据目标高压端场强在多个第一高压端场强中选出匹配的第二高压端场强。
本实施例中，根据目标高压端场强在多个第一高压端场强中选出匹配的第二高压端场强包括：根据目标高压端场强在多个第一高压端场强中选出低于目标高压端场强且场强值最小的第二高压端场强。
示例性的，参见图2，一实施例中，目标高压端场强为B＝4.5kV/cm，第一高压端场强包括b1、b2、b3、b4和b5，其中，b2、b3和b4的值小于4.5kV/cm，且b3最小，则将b3选为第二高压端场强。
步骤208、根据第二高压端场强确认目标均压环屏蔽深度参数和/或目标玻璃绝缘子个数参数，以调整组合绝缘子结构。
本实施例中，当第二高压端场强被选出之后，根据第二高压端场强确认目标均压环屏蔽深度参数和/或目标玻璃绝缘子个数参数具体包括：根据第二高压端场强反推第二高压端场强对应的均压环屏蔽深度参数和/或第二高压端场强对应的玻璃绝缘子个数参数；根据第二高压端场强对应的均压环屏蔽深度参数和/或第二高压端场强对应的玻璃绝缘子个数参数调整组合绝缘子结构。
示例性的，第二高压端场强为b3，当在复合绝缘子高压端场强预测模型输入的预设的均压环屏蔽深度参数为a3时得到的高压端场强为b3，则可以反推均压环屏蔽深度参数为a3，据此，将均压环的屏蔽深度调整为a3。
本实施例的技术方案，通过设置复合绝缘子高压端场强预测模型，在复合绝缘子高压端场强预测模型输入不同的组合绝缘子高压端的均压环深屏蔽深度和串接的玻璃绝缘子个数的方法，达到了预判了复合绝缘子高压端的电场强度的效果，有效以避免复合绝缘子极化升温，还避免了复合绝缘子因温升过高而导致的被迫退出运行造成极大的浪费。
实施例二
图3为本发明实施例二提供的一种组合绝缘子结构的调整方法的流程图，具体包括如下步骤：
步骤402、建立复合绝缘子高压端场强预测模型，复合绝缘子高压端场强预测模型包括复合绝缘子结构模型和均压环模型和/或玻璃绝缘子结构模型的组合模型，复合绝缘子高压端场强预测模型至少包括可以设置的均压环屏蔽深度参数和/或多个玻璃绝缘子个数参数。
本实施例中，复合绝缘子高压端场强预测模型为复合绝缘子模型、均压环模型和玻璃绝缘子模型的组合模型，其中，组合方式为从上之下复合绝缘子模型、均压环模型和玻璃绝缘子模型依次连接。在其他实施例中，复合绝缘子高压端场强预测模型还包括导线模型和铁塔模型。
本实施例中，复合绝缘子模型为多个复合绝缘子模型串接组成的复合绝缘子串。
本实施例中，复合绝缘子高压端场强预测模型包括可以预先设定的固定参数和可以设置的可调参数。其中，固定参数包括：复合绝缘子参数的材料、复合绝缘子的个数和/或复合绝缘子的尺寸；可调参数包括均压环屏蔽深度参数和/或玻璃绝缘子个数参数；具体的，可以设置的均压环屏蔽深度参数范围包括：50mm-140mm；可以设置的玻璃绝缘子个数参数包括：1、2和/或3。
示例性的，以建立复合绝缘子模型和均压环模型的组合的复合绝缘子高压端场强预测模型为例：
A1、建立复合绝缘子模型和均压环模型，在复合绝缘子模型的下方链接均压环模型以形成组合模型；
A2、设置组合模型的固定参数和以生成复合绝缘子高压端场强预测模型，固定参数包括：复合绝缘子模型结构高度为4450mm，复合绝缘子模型的芯棒直径为24mm，复合绝缘子模型的护套厚度为6mm，复合绝缘子模型的大伞直径为171mm，复合绝缘子模型的小伞直径为84mm，复合绝缘子模型的大伞间距为79mm，均压环模型的均压环直径为400mm，复合绝缘子模型的材料硅橡胶的介电常数为3.5，复合绝缘子模型的芯棒材料相对介电常数为5。复合绝缘子高压端场强预测模型还包括可以设置的均压环屏蔽深度参数和/或玻璃绝缘子个数参数，其中，可以设置的均压环屏蔽深度参数包括：70mm，90mm，10mm和/或130mm；可以设置的玻璃绝缘子个数参数包括：1、2和/或3。
步骤404、根据预设的多个均压环屏蔽深度参数预测多个第三高压端场强。
本实施例中，根据预设的多个均压环屏蔽深度参数预测多个第三高压端场强具体的包括：将预设的多个均压环屏蔽深度参数输入复合绝缘子高压端场强预测模型以输出多个对应的第三高压端场强。
示例性的，参见图2，以输入的预设的多个均压环屏蔽深度参数为例，输入的预设的多个均压环屏蔽深度参数包括a1、a2、a3、a4和a5。当输入均压环屏蔽深度参数为a1时对应输出对应的第三高压端场强b1；当输入均压环屏蔽深度参数为a2时对应输出对应的第三高压端场强b2；当输入均压环屏蔽深度参数为a3时对应输出对应的第三高压端场强b3；当输入均压环屏蔽深度参数为a4时对应输出对应的第三高压端场强b4；当输入均压环屏蔽深度参数为a5时对应输出对应的第三高压端场强b5。
步骤406、根据目标高压端场强在多个第三高压端场强中选出低于目标高压端场强且场强值最小的第四高压端场强。
示例性的，参见图2，一实施例中，目标高压端场强为B＝4.5kV/cm，第三高压端场强包括b1、b2、b3、b4和b5，其中，b2、b3和b4的值小于4.5kV/cm，且b3最小，则将b3选为第四高压端场强。
步骤408、根据第四高压端场强确认第一目标均压环屏蔽深度参数，以调整组合绝缘子均压环的屏蔽深度。
本实施例中，当第四高压端场强被选出之后，根据第四高压端场强确认目标均压环屏蔽深度参数具体包括：根据第四高压端场强反推第四高压端场强对应的均压环屏蔽深度参数；根据第四高压端场强对应的均压环屏蔽深度参数调整组合绝缘子结构。
示例性的，第四高压端场强为b3，当在复合绝缘子高压端场强预测模型输入的预设的第一均压环屏蔽深度参数为a3时得到的高压端场强为b3，则可以反推第一目标均压环屏蔽深度参数为a3，据此，将均压环的屏蔽深度调整为a3。
步骤410、根据第一均压环屏蔽深度参数和预设的多个玻璃绝缘子个数参数预测多个第五高压端场强。
本实施例中，当第一均压环屏蔽深度参数确定之后，将第一屏蔽参数输入复合绝缘子高压端场强预测模型之后生成第一复合绝缘子高压端场强预测模型，其中第一复合绝缘子高压端场强预测模型包括可以设置的玻璃绝缘子个数参数。将预设的多个玻璃绝缘子个数参数输入复合绝缘子高压端场强预测模型以输出多个对应的第五高压端场强。
示例性的，参见图4，第一均压环屏蔽深度参数为b3，将b3输入复合绝缘子高压端场强预测模型之后生成第一复合绝缘子高压端场强预测模型，在第一复合绝缘子高压端场强预测模型中输入的预设的多个玻璃绝缘子个数参数包括c1、c2和c3。当玻璃绝缘子个数参数为c1对应输出对应的第五高压端场强d1；当玻璃绝缘子个数参数为c2对应输出对应的第五高压端场强d2；当玻璃绝缘子个数参数为c3对应输出对应的第五高压端场强d3。
步骤412、根据目标高压端场强在多个第五高压端场强中选出低于目标高压端场强且场强最小的第六高压端场强。
本实施例中，根据目标高压端场强在多个第五高压端场强中选出匹配的第六高压端场强包括：根据目标高压端场强在多个第五高压端场强中选出低于目标高压端场强且场强值最小的第六高压端场强。
示例性的，参见图4，目标高压端场强为D，第五高压端场强包括d1、d2和d3，其中，d2和d3的值小于D，且d2小于d3，则将d2选为第六高压端场强。
步骤414、根据第六高压端场强确认目标玻璃绝缘子个数参数，以调整组合绝缘子玻璃绝缘子的个数。
本实施例中，当第六高压端场强被选出之后，根据第六高压端场强确认目标玻璃绝缘子个数参数具体包括：根据第六高压端场强反推第六高压端场强对应的玻璃绝缘子个数参数；根据第六高压端场强对应的玻璃绝缘子个数参数调整组合绝缘子结构。
示例性的，第六高压端场强为d2，当在d2第一复合绝缘子高压端场强预测模型输入的预设的玻璃绝缘子个数参数为c2时得到的高压端场强为d2，则可以反推均压环的目标玻璃绝缘子个数参数为c2，据此，将玻璃绝缘子的个数调整为d2。
本实施例的技术方案，通过设置复合绝缘子高压端场强预测模型，在复合绝缘子高压端场强预测模型输入不同的组合绝缘子高压端的均压环深屏蔽深度和串接的玻璃绝缘子个数的方法，达到了预判了复合绝缘子高压端的电场强度的效果，有效以避免复合绝缘子极化升温，还避免了复合绝缘子因温升过高而导致的被迫退出运行造成极大的浪费。
实施例三
图5为本发明实施例二提供的一种组合绝缘子示意图，本实施中组合绝缘子包括：复合绝缘子串1、均压环2和至少一个玻璃绝缘子3。
复合绝缘子串1，包括至少一个复合绝缘子串套于芯棒13上，至少一个复合绝缘子包括大伞11和小伞12，至少一个复合绝缘子的材料为硅橡胶，小伞12位于大伞11下方，复合绝缘子包裹于护套内。具体的，复合绝缘子还包括高压侧球头14，复合绝缘子的芯棒13直径为24mm，复合绝缘子保护套厚度为6mm，复合绝缘子的大伞直径为171mm，复合绝缘子小伞直径为84mm，两个复合绝缘子之间的大伞间距为79mm，均压环2的环体21直径为400mm。
均压环2，包括环体21和支架22，环体21位于至少一个复合绝缘子大伞11的下方，支架22用于将环体21固定复合绝缘子串的芯棒13上，均压环2的位置用于调整复合绝缘子的屏蔽深度23，具体的，均压环2调整的复合绝缘子的屏蔽深度为50mm-140mm，优选为90mm。
至少一个玻璃绝缘子3，位于均压环2的下方，用于通过连接件连接高压导线，包括头部31和伞裙32，伞裙32位于头部31的下方，头部与芯棒13相连。具体的，玻璃绝缘子3的型号为U210型。具体的，至少一个玻璃绝缘子3的个数为1-3个，优选为2个。
本实施例的技术方案，通过在复合绝缘子串高压端加均压环深屏蔽深度和串接玻璃绝缘子的结构，改善复合绝缘子高压端的电场强度，避免复合绝缘子极化升温，还达到了降低复合绝缘子温升幅值，增加复合绝缘子寿命的效果。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (10)
1.一种组合绝缘子结构的调整方法，其特征在于，包括：
建立复合绝缘子高压端场强预测模型，所述复合绝缘子高压端场强预测模型包括复合绝缘子结构模型和均压环结构模型和/或玻璃绝缘子结构模型的组合模型，所述复合绝缘子高压端场强预测模型至少包括可以设置的均压环屏蔽深度参数和/或玻璃绝缘子个数参数；
根据预设的多个所述均压环屏蔽深度参数和/或所述玻璃绝缘子个数参数预测多个第一高压端场强；
根据目标高压端场强在所述多个第一高压端场强中选出匹配的第二高压端场强；
根据所述第二高压端场强确认目标均压环屏蔽深度参数和/或目标玻璃绝缘子个数参数，以调整所述组合绝缘子结构。
2.根据权利要求1所述的组合绝缘子结构的调整方法，其特征在于，所述根据目标高压端场强在所述多个第一高压端场强中选出匹配的第二高压端场强包括：
根据目标高压端场强在所述多个第一高压端场强中选出低于所述目标高压端场强且场强最小的第二高压端场强。
3.根据权利要求1所述的组合绝缘子结构的调整方法，其特征在于，所述根据预设的多个均压环屏蔽深度参数和/或至少一个玻璃绝缘子个数参数预测多个第一高压端场强包括：
根据预设的多个均压环屏蔽深度参数预测多个第三高压端场强；
所述根据目标高压端场强在所述多个第一高压端场强中选出匹配的第二高压端场强包括：
根据目标高压端场强在所述多个第三高压端场强中选出低于所述目标高压端场强且场强最小的第四高压端场强；
所述根据所述第二高压端场强确认目标均压环屏蔽深度参数和/或目标玻璃绝缘子个数参数，以调整所述组合绝缘子结构包括：
根据所述第四高压端场强确认第一目标均压环屏蔽深度参数，以调整所述组合绝缘子均压环的屏蔽深度。
4.根据权利要求3所述的组合绝缘子结构的调整方法，其特征在于，所述根据所述第四高压端场强确认目标均压环的第一均压环屏蔽深度参数，以调整所述组合绝缘子均压环的屏蔽深度之后还包括：
根据第一均压环屏蔽深度参数和预设的多个玻璃绝缘子个数参数预测多个第五高压端场强；
根据目标高压端场强在所述多个第五高压端场强中选出低于所述目标高压端场强且场强最小的第六高压端场强；
根据所述第六高压端场强确认目标玻璃绝缘子个数参数，以调整所述组合绝缘子玻璃绝缘子的个数。
5.根据权利要求1所述的组合绝缘子结构的调整方法，其特征在于，所述均压环屏蔽深度参数范围包括：50mm-140mm。
6.根据权利要求1所述的组合绝缘子结构的调整方法，其特征在于，所述玻璃绝缘子个数参数包括：1、2和/或3。
7.根据权利要求1所述的组合绝缘子结构的调整方法，其特征在于，所述复合绝缘子高压端场强预测模型的参数还包括复合绝缘子高压侧球头电位、复合绝缘子参数的材料、复合绝缘子的个数和/或复合绝缘子的尺寸。
8.一种组合绝缘子，其特征在于，包括：
复合绝缘子串，包括至少一个复合绝缘子串套于芯棒上，所述至少一个复合绝缘子包括大伞和小伞，所述至少一个复合绝缘子的材料为硅橡胶，所述小伞位于所述大伞下方，所述复合绝缘子包裹于护套内；
均压环，包括环体和支架，所述环体位于所述至少一个复合绝缘子大伞的下方，所述支架用于将环体固定所述复合绝缘子串的所述芯棒上，所述均压环的位置用于调整所述复合绝缘子的屏蔽深度；
至少一个玻璃绝缘子，位于所述均压环的下方，用于通过连接件连接高压导线，包括头部和伞裙，所述伞裙位于所述头部的下方，所述头部与所述芯棒相连。
9.根据权利要求6所述的组合绝缘子，其特征在于，所述均压环调整的所述复合绝缘子的屏蔽深度为50mm-140mm。
10.根据权利要求6所述的组合绝缘子，其特征在于，所述至少一个玻璃绝缘子的个数为1-3个。
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