CN110176907A - 射频功放保护电路及其控制方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种射频功放保护电路及其控制方法，保护电路包括MCU、前向功率检测器、反向功率检测器、前向功率电压比较控制电路、反向功率电压比较控制电路，前向功率检测器检测功放前向输出功率，输出电压模拟量给MCU；反向功率检测器检测功放电路的反向反射功率，输出电压模拟量给MCU；前向功率电压比较控制电路比较MCU输出模拟量和前向功率检测器输出模拟量，当后者高于前者时，将前向输出功率控制在要求门限；反向功率电压比较控制电路比较MCU输出模拟量和反向功率检测器输出模拟量，当后者高于前者时，将反向反射功率控制在要求门限。本发明通过模拟比较电路实现前向和反向射频功率的增益控制，无需MCU介入计算和判断，是一种快速可靠的功放控制及保护电路。
Description
技术领域
本发明涉及射频功率放大器领域，具体的说，涉及一种射频功放保护电路及其控制方法。
背景技术
射频功率放大器在通信、医疗等各行业应用广泛，通用的功率放大器保护电路设计对前向输出功率用功率检测器输出的模拟电压进行采样并平均，由MCU判断功率值，用数字衰减器来控制输出功率，使得功率输出恒定。对反向反射功率则采用环形器加射频负载的方式来隔离反射功率，将反射功率吸收至负载转化为热消耗。
传统功率放大器设计有几个不足，第一控制精度不高，通用数字衰减器步进0.5dB，如采用高精度0.1dB步进衰减器则成本太高。在大功率应用时0.5dB步进对输出功率来说差异较大，例如59.5dBm和60dBm相差111W。第二是MCU采样取平均，计算和判断再通过数字衰减器控制增益需要延时，尤其是通信应用时因为调制信号峰均比，载波数量和载波功率变化需要更长时间的积分延时来计算功率，延时过大则对功率管防护越弱。第三是反射功率依靠环形器和负载吸收转换为热，对散热要求高且功率浪费。
发明内容
本发明的目的是提出一种射频功放保护电路及其控制方法，可使得射频功放前向输出功率精准快速控制，反向链路可减低对环形器和负载要求甚至取消环形器和负载，降低成本并实现精准快速反向功率保护，确保功率管不受到过大的反射功率冲击导致损坏。
为实现上述目的，本发明提供一种射频功放保护电路，包括：MCU、前向功率检测器、反向功率检测器、前向功率电压比较控制电路、反向功率电压比较控制电路，其中：
所述前向功率检测器，连接在所述功放电路末级放大器输出端与环形器之间，通过耦合电路将信号耦合至检测器，用于检测所述功放电路的前向输出功率，输出电压模拟量给MCU进行采样计算输出功率值；
所述反向功率检测器，连接在所述环形器反向端口与负载之间，通过耦合电路将信号耦合至检测器，用于检测所述功放电路的反向反射功率，输出电压模拟量给MCU进行采样计算反向功率值；
所述前向功率电压比较控制电路，连接在所述MCU与功放电路的输入端之间，并与所述前向功率检测器连接，用于比较MCU输出的电压模拟量和前向功率检测器输出的电压模拟量，当前向功率检测器输出的电压模拟量高于MCU输出的电压模拟量时，将前向输出功率控制在要求门限；
所述反向功率电压比较控制电路，连接在所述MCU与功放电路的输入端之间，并与所述反向功率检测器连接，用于比较MCU输出的电压模拟量和反向功率检测器输出的电压模拟量，当反向功率检测器输出的电压模拟量高于MCU输出的电压模拟量时，将反向反射功率控制在要求门限。
其中，所述前向功率电压比较控制电路包括：前向功率电压比较电路和第一PIN二极管衰减器，其中：
所述第一PIN二极管衰减器，连接在所述功放电路的输入端与RF信号源之间；
所述前向功率电压比较电路，连接在所述MCU与第一PIN二极管衰减器之间，并与所述前向功率检测器连接，用于比较MCU输出的电压模拟量和前向功率检测器输出的电压模拟量，当前向功率检测器输出的电压模拟量高于MCU输出的电压模拟量时，电压控制PIN二极管衰减器起控，将前向输出功率控制在要求门限。
其中，所述反向功率电压比较控制电路包括：反向功率电压比较电路和第二PIN二极管衰减器，其中：
所述第二PIN二极管衰减器，连接在所述功放电路的输入端与第一PIN二极管衰减器之间；
所述反向功率电压比较电路，连接在所述MCU与第二PIN二极管衰减器之间，并与所述反向功率检测器连接，用于比较MCU输出的电压模拟量和反向功率检测器输出的电压模拟量，当反向功率检测器输出的电压模拟量高于MCU输出的电压模拟量时，电压控制PIN二极管衰减器快速起控，将反向反射功率控制在要求门限。
其中，所述功放电路包括：若干级放大器，所述功放电路的输入端为第一级放大器的输入端，所述功放电路的输出端为末级放大器的输出端，所述第一级放大器的输入端连接RF信号源。
其中，所述若干级放大器依次包括串联的小信号放大器、前级放大器、末级放大器。
其中，所述MCU还与所述RF信号源连接，通过SPI接口控制RF信号源输出相应频率和电平。
本发明还提出一种射频功放保护电路的控制方法，所述射频功放保护电路，包括：MCU、前向功率检测器、反向功率检测器、前向功率电压比较控制电路、反向功率电压比较控制电路，所述方法包括以下步骤：
所述前向功率检测器检测功放电路的前向输出功率，输出电压模拟量给MCU进行采样计算输出功率值；
所述反向功率检测器检测所述功放电路的反向反射功率，输出电压模拟量给MCU进行采样计算反向功率值；
所述前向功率电压比较控制电路比较MCU输出的电压模拟量和前向功率检测器输出的电压模拟量，当前向功率检测器输出的电压模拟量高于MCU输出的电压模拟量时，将前向输出功率控制在要求门限；
所述反向功率电压比较控制电路比较MCU输出的电压模拟量和反向功率检测器输出的电压模拟量，当反向功率检测器输出的电压模拟量高于MCU输出的电压模拟量时，将反向反射功率控制在要求门限。
其中，所述前向功率电压比较控制电路包括：前向功率电压比较电路和第一PIN二极管衰减器，所述反向功率电压比较控制电路包括：反向功率电压比较电路和第二PIN二极管衰减器；
所述前向功率电压比较控制电路比较MCU输出的电压模拟量和前向功率检测器输出的电压模拟量，当前向功率检测器输出的电压模拟量高于MCU输出的电压模拟量时，将前向输出功率控制在要求门限的步骤包括：
所述前向功率电压比较电路比较MCU输出的电压模拟量和前向功率检测器输出的电压模拟量，当前向功率检测器输出的电压模拟量高于MCU输出的电压模拟量时，电压控制PIN二极管衰减器起控，将前向输出功率控制在要求门限；
所述反向功率电压比较控制电路比较MCU输出的电压模拟量和反向功率检测器输出的电压模拟量，当反向功率检测器输出的电压模拟量高于MCU输出的电压模拟量时，将反向反射功率控制在要求门限的步骤包括：
所述反向功率电压比较电路比较MCU输出的电压模拟量和反向功率检测器输出的电压模拟量，当反向功率检测器输出的电压模拟量高于MCU输出的电压模拟量时，电压控制PIN二极管衰减器快速起控，将反向反射功率控制在要求门限。
本发明的有益效果是：本发明提出的射频功放保护电路及其控制方法，射频功放保护电路包括：MCU、前向功率检测器、反向功率检测器、前向功率电压比较控制电路、反向功率电压比较控制电路，前向功率检测器检测所述功放电路的前向输出功率，输出电压模拟量给MCU进行采样计算输出功率值；所述反向功率检测器检测所述功放电路的反向反射功率，输出电压模拟量给MCU进行采样计算反向功率值；所述前向功率电压比较控制电路比较MCU输出的电压模拟量和前向功率检测器输出的电压模拟量，当前向功率检测器输出的电压模拟量高于MCU输出的电压模拟量时，将前向输出功率控制在要求门限；所述反向功率电压比较控制电路比较MCU输出的电压模拟量和反向功率检测器输出的电压模拟量，当反向功率检测器输出的电压模拟量高于MCU输出的电压模拟量时，将反向反射功率控制在要求门限。由此采用模拟电路实现了前向功率和反向射频功率的比较和增益控制，省去了MCU对模拟信号采样并进行算法判断再通过数字衰减器控制功率的过程，可使得射频功放前向输出功率精准快速控制，反向链路可减低对环形器和负载要求甚至取消环形器和负载，降低成本并实现精准快速反向功率保护，确保功率管不受到过大的反射功率冲击导致损坏。
附图说明
图1是本发明射频功放保护电路的一种结构示意图。
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明设计一种射频功放快速保护电路，对功率放大器前向功率和反向功率进行快速控制及保护，此发明可使得前向输出功率得以实现高精度快速控制，对反向链路环形器和负载要求降低甚至取消，实现降低成本同时快速保护功放。
具体地，请参照图1，本发明提出一种射频功放保护电路，包括：MCU、前向功率检测器、反向功率检测器、前向功率电压比较控制电路、反向功率电压比较控制电路，其中：
所述前向功率检测器，连接在所述功放电路末级放大器输出端与环形器之间，通过耦合电路将信号耦合至检测器，用于检测所述功放电路的前向输出功率，输出电压模拟量给MCU进行采样计算输出功率值；
所述反向功率检测器，连接在所述环形器反向端口与负载之间，通过耦合电路将信号耦合至检测器，用于检测所述功放电路的反向反射功率，输出电压模拟量给MCU进行采样计算反向功率值；
所述前向功率电压比较控制电路，连接在所述MCU与功放电路的输入端之间，并与所述前向功率检测器连接，用于比较MCU输出的电压模拟量和前向功率检测器输出的电压模拟量，当前向功率检测器输出的电压模拟量高于MCU输出的电压模拟量时，将前向输出功率控制在要求门限；
所述反向功率电压比较控制电路，连接在所述MCU与功放电路的输入端之间，并与所述反向功率检测器连接，用于比较MCU输出的电压模拟量和反向功率检测器输出的电压模拟量，当反向功率检测器输出的电压模拟量高于MCU输出的电压模拟量时，将反向反射功率控制在要求门限。
其中，所述前向功率电压比较控制电路包括：前向功率电压比较电路和第一PIN二极管衰减器，所述第一PIN二极管衰减器，连接在所述功放电路的输入端与RF信号源之间；
所述前向功率电压比较电路，连接在所述MCU与第一PIN二极管衰减器之间，并与所述前向功率检测器连接，用于比较MCU输出的电压模拟量和前向功率检测器输出的电压模拟量，当前向功率检测器输出的电压模拟量高于MCU输出的电压模拟量时，电压控制PIN二极管衰减器起控，将前向输出功率控制在要求门限。
所述反向功率电压比较控制电路包括：反向功率电压比较电路和第二PIN二极管衰减器，其中：
所述第二PIN二极管衰减器，连接在所述功放电路的输入端与第一PIN二极管衰减器之间；
所述反向功率电压比较电路，连接在所述MCU与第二PIN二极管衰减器之间，并与所述反向功率检测器连接，用于比较MCU输出的电压模拟量和反向功率检测器输出的电压模拟量，当反向功率检测器输出的电压模拟量高于MCU输出的电压模拟量时，电压控制PIN二极管衰减器快速起控，将反向反射功率控制在要求门限。
本发明实施例中，所述功放电路包括：若干级放大器，所述功放电路的输入端为第一级放大器的输入端，所述功放电路的输出端为末级放大器的输出端，所述第一级放大器的输入端连接RF信号源。
其中，所述若干级放大器依次包括串联的小信号放大器、前级放大器、末级放大器。所述MCU还与所述RF信号源连接，通过SPI接口控制RF信号源输出相应频率和电平。
本发明提出的射频功放保护电路及其控制方法，采用模拟电路实现了前向功率和反向功率的比较和控制，省去了MCU对模拟信号采样并进行算法判断再通过数字衰减器控制功率的过程，对功率放大器前向功率进行高精度快速控制，反向链路可减低对环形器和负载要求甚至取消环形器和负载，降低成本并实现精准快速反向功率保护，确保功率管不受到过大的反射功率冲击导致损坏。
此外，本发明还提出一种射频功放保护电路的控制方法，所述射频功放保护电路，包括：MCU、前向功率检测器、反向功率检测器、前向功率电压比较控制电路、反向功率电压比较控制电路，所述方法包括以下步骤：
所述前向功率检测器检测功放电路的前向输出功率，输出电压模拟量给MCU进行采样计算输出功率值；
所述反向功率检测器检测所述功放电路的反向反射功率，输出电压模拟量给MCU进行采样计算反向功率值；
所述前向功率电压比较控制电路比较MCU输出的电压模拟量和前向功率检测器输出的电压模拟量，当前向功率检测器输出的电压模拟量高于MCU输出的电压模拟量时，将前向输出功率控制在要求门限；
所述反向功率电压比较控制电路比较MCU输出的电压模拟量和反向功率检测器输出的电压模拟量，当反向功率检测器输出的电压模拟量高于MCU输出的电压模拟量时，将反向反射功率控制在要求门限。
其中，所述前向功率电压比较控制电路包括：前向功率电压比较电路和第一PIN二极管衰减器，所述反向功率电压比较控制电路包括：反向功率电压比较电路和第二PIN二极管衰减器；
所述前向功率电压比较控制电路比较MCU输出的电压模拟量和前向功率检测器输出的电压模拟量，当前向功率检测器输出的电压模拟量高于MCU输出的电压模拟量时，将前向输出功率控制在要求门限的步骤包括：
所述前向功率电压比较电路比较MCU输出的电压模拟量和前向功率检测器输出的电压模拟量，当前向功率检测器输出的电压模拟量高于MCU输出的电压模拟量时，电压控制PIN二极管衰减器起控，将前向输出功率控制在要求门限；
所述反向功率电压比较控制电路比较MCU输出的电压模拟量和反向功率检测器输出的电压模拟量，当反向功率检测器输出的电压模拟量高于MCU输出的电压模拟量时，将反向反射功率控制在要求门限的步骤包括：
所述反向功率电压比较电路比较MCU输出的电压模拟量和反向功率检测器输出的电压模拟量，当反向功率检测器输出的电压模拟量高于MCU输出的电压模拟量时，电压控制PIN二极管衰减器快速起控，将反向反射功率控制在要求门限。
以下通过实例对本发明实施例方案进行详细阐述：
如图1所示，前向功率检测器检测功放前向输出功率，对应输出ADC1，此为一个0-5V的模拟电压值，在功率校准时将此电压值对应输出功率电平，举例4V对应500W功率电平。
反向功率检测检测反射功率，对应输出ADC2，此也为一个0-5V模拟电压值，在功率校准时将此电压值对应反射功率电平，举例3V对应50W功率电平。
PWM1和PWM2均为0-5V模拟电压值，由MCU根据功放要求来输出，PWM1对应前向功率电平，PWM2对应反向功率电平。
举例说明，当功放设定需要将前向功率控制在500W，MCU输出PWM1为4V给前向功率电压比较电路，当前向功率检测器检测输出ADC1达到4V时，电压比较电路启动PIN二极管衰减器将输出功率保持在500W恒定输出。
同理，反向功率控制原理一样，如需要将反射功率控制在50W，当反向功率检测器检测输出ADC2达到MCU输出PWM2模拟电压值3V时，电压比较电路启动PIN二极管衰减器将输出功率拉低，使得反射功率恒定在50W。
相比现有技术，本发明提出的射频功放保护电路及其控制方法，采用模拟电路实现了前向功率和反向功率的比较和控制，省去了MCU对模拟信号采样并进行算法判断再通过数字衰减器控制功率的过程，避免了数控衰减器步进精度的影响对功率放大器前向功率和反向功率进行高精度快速控制，从而实现对功放的保护更及时有效,确保功率管不受到过大的反射功率冲击导致损坏。此外本发明可使得设计大功率功放时取消环形器和负载，降低成本。
以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (8)
1.一种射频功放保护电路，其特征在于，包括：MCU、前向功率检测器、反向功率检测器、前向功率电压比较控制电路、反向功率电压比较控制电路，其中：
所述前向功率检测器，连接在所述功放电路末级放大器输出端与环形器之间，通过耦合电路将信号耦合至检测器，用于检测所述功放电路的前向输出功率，输出电压模拟量给MCU进行采样计算输出功率值；
所述反向功率检测器，连接在所述环形器反向端口与负载之间，通过耦合电路将信号耦合至检测器，用于检测所述功放电路的反向反射功率，输出电压模拟量给MCU进行采样计算反向功率值；
所述前向功率电压比较控制电路，连接在所述MCU与功放电路的输入端之间，并与所述前向功率检测器连接，用于比较MCU输出的电压模拟量和前向功率检测器输出的电压模拟量，当前向功率检测器输出的电压模拟量高于MCU输出的电压模拟量时，将前向输出功率控制在要求门限；
所述反向功率电压比较控制电路，连接在所述MCU与功放电路的输入端之间，并与所述反向功率检测器连接，用于比较MCU输出的电压模拟量和反向功率检测器输出的电压模拟量，当反向功率检测器输出的电压模拟量高于MCU输出的电压模拟量时，将反向反射功率控制在要求门限。
2.根据权利要求1所述的射频功放保护电路，其特征在于，所述前向功率电压比较控制电路包括：前向功率电压比较电路和第一PIN二极管衰减器，其中：
所述第一PIN二极管衰减器，连接在所述功放电路的输入端与RF信号源之间；
所述前向功率电压比较电路，连接在所述MCU与第一PIN二极管衰减器之间，并与所述前向功率检测器连接，用于比较MCU输出的电压模拟量和前向功率检测器输出的电压模拟量，当前向功率检测器输出的电压模拟量高于MCU输出的电压模拟量时，电压控制PIN二极管衰减器起控，将前向输出功率控制在要求门限。
3.根据权利要求2所述的射频功放保护电路，其特征在于，所述反向功率电压比较控制电路包括：反向功率电压比较电路和第二PIN二极管衰减器，其中：
所述第二PIN二极管衰减器，连接在所述功放电路的输入端与第一PIN二极管衰减器之间；
所述反向功率电压比较电路，连接在所述MCU与第二PIN二极管衰减器之间，并与所述反向功率检测器连接，用于比较MCU输出的电压模拟量和反向功率检测器输出的电压模拟量，当反向功率检测器输出的电压模拟量高于MCU输出的电压模拟量时，电压控制PIN二极管衰减器快速起控，将反向反射功率控制在要求门限。
4.根据权利要求2所述的射频功放保护电路，其特征在于，所述功放电路包括：若干级放大器，所述功放电路的输入端为第一级放大器的输入端，所述功放电路的输出端为末级放大器的输出端，所述第一级放大器的输入端连接RF信号源。
5.根据权利要求4所述的射频功放保护电路，其特征在于，所述若干级放大器依次包括串联的小信号放大器、前级放大器、末级放大器。
6.根据权利要求4所述的射频功放保护电路，其特征在于，所述MCU还与所述RF信号源连接，通过SPI接口控制RF信号源输出相应频率和电平。
7.一种射频功放保护电路的控制方法，其特征在于，所述射频功放保护电路，包括：MCU、前向功率检测器、反向功率检测器、前向功率电压比较控制电路、反向功率电压比较控制电路，所述方法包括以下步骤：
所述前向功率检测器检测功放电路的前向输出功率，输出电压模拟量给MCU进行采样计算输出功率值；
所述反向功率检测器检测所述功放电路的反向反射功率，输出电压模拟量给MCU进行采样计算反向功率值；
所述前向功率电压比较控制电路比较MCU输出的电压模拟量和前向功率检测器输出的电压模拟量，当前向功率检测器输出的电压模拟量高于MCU输出的电压模拟量时，将前向输出功率控制在要求门限；
所述反向功率电压比较控制电路比较MCU输出的电压模拟量和反向功率检测器输出的电压模拟量，当反向功率检测器输出的电压模拟量高于MCU输出的电压模拟量时，将反向反射功率控制在要求门限。
8.根据权利要求7所述的射频功放保护电路的控制方法，其特征在于，所述前向功率电压比较控制电路包括：前向功率电压比较电路和第一PIN二极管衰减器，所述反向功率电压比较控制电路包括：反向功率电压比较电路和第二PIN二极管衰减器；
所述前向功率电压比较控制电路比较MCU输出的电压模拟量和前向功率检测器输出的电压模拟量，当前向功率检测器输出的电压模拟量高于MCU输出的电压模拟量时，将前向输出功率控制在要求门限的步骤包括：
所述前向功率电压比较电路比较MCU输出的电压模拟量和前向功率检测器输出的电压模拟量，当前向功率检测器输出的电压模拟量高于MCU输出的电压模拟量时，电压控制PIN二极管衰减器起控，将前向输出功率控制在要求门限；
所述反向功率电压比较控制电路比较MCU输出的电压模拟量和反向功率检测器输出的电压模拟量，当反向功率检测器输出的电压模拟量高于MCU输出的电压模拟量时，将反向反射功率控制在要求门限的步骤包括：
所述反向功率电压比较电路比较MCU输出的电压模拟量和反向功率检测器输出的电压模拟量，当反向功率检测器输出的电压模拟量高于MCU输出的电压模拟量时，电压控制PIN二极管衰减器快速起控，将反向反射功率控制在要求门限。
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Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08179388A (ja) * | 1994-12-27 | 1996-07-12 | Fujitsu Ltd | 光増幅装置 |
| CN101051816A (zh) * | 2006-10-18 | 2007-10-10 | 深圳国人通信有限公司 | 实现宽带微功率线性功放的装置及方法 |
| CN201303322Y (zh) * | 2008-09-17 | 2009-09-02 | 三维通信股份有限公司 | Uhf宽频带发射机的功放保护装置 |
| CN202444489U (zh) * | 2012-01-17 | 2012-09-19 | 深圳国人通信有限公司 | 直放站及其功放装置 |
| CN103209016A (zh) * | 2012-01-17 | 2013-07-17 | 深圳国人通信有限公司 | 直放站及其功放装置 |
| CN203632622U (zh) * | 2013-12-11 | 2014-06-04 | 深圳国人通信股份有限公司 | 一种功放电路及其印刷电路板 |
| CN105676189A (zh) * | 2015-12-18 | 2016-06-15 | 四川九洲电器集团有限责任公司 | 一种功率发射机 |
| CN109412616A (zh) * | 2018-10-30 | 2019-03-01 | 天津津航计算技术研究所 | 一种射频发射机开路保护电路及方法 |
| CN209964022U (zh) * | 2019-06-26 | 2020-01-17 | 深圳市博威射频科技有限公司 | 射频功放保护电路 |
-
2019
- 2019-06-26 CN CN201910564197.4A patent/CN110176907A/zh active Pending
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08179388A (ja) * | 1994-12-27 | 1996-07-12 | Fujitsu Ltd | 光増幅装置 |
| CN101051816A (zh) * | 2006-10-18 | 2007-10-10 | 深圳国人通信有限公司 | 实现宽带微功率线性功放的装置及方法 |
| CN201303322Y (zh) * | 2008-09-17 | 2009-09-02 | 三维通信股份有限公司 | Uhf宽频带发射机的功放保护装置 |
| CN202444489U (zh) * | 2012-01-17 | 2012-09-19 | 深圳国人通信有限公司 | 直放站及其功放装置 |
| CN103209016A (zh) * | 2012-01-17 | 2013-07-17 | 深圳国人通信有限公司 | 直放站及其功放装置 |
| CN203632622U (zh) * | 2013-12-11 | 2014-06-04 | 深圳国人通信股份有限公司 | 一种功放电路及其印刷电路板 |
| CN105676189A (zh) * | 2015-12-18 | 2016-06-15 | 四川九洲电器集团有限责任公司 | 一种功率发射机 |
| CN109412616A (zh) * | 2018-10-30 | 2019-03-01 | 天津津航计算技术研究所 | 一种射频发射机开路保护电路及方法 |
| CN209964022U (zh) * | 2019-06-26 | 2020-01-17 | 深圳市博威射频科技有限公司 | 射频功放保护电路 |
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