CN110168328A - 用于确定至少一个电子开关元件的温度的方法和电子组件 - Google Patents

用于确定至少一个电子开关元件的温度的方法和电子组件 Download PDF

Info

Publication number
CN110168328A
CN110168328A CN201880005792.8A CN201880005792A CN110168328A CN 110168328 A CN110168328 A CN 110168328A CN 201880005792 A CN201880005792 A CN 201880005792A CN 110168328 A CN110168328 A CN 110168328A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electronic
switching element
electronic switching
temperature
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201880005792.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110168328B (zh
Inventor
G·韦尔夫尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Bayerische Motoren Werke AG
Original Assignee
Bayerische Motoren Werke AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Bayerische Motoren Werke AG filed Critical Bayerische Motoren Werke AG
Publication of CN110168328A publication Critical patent/CN110168328A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110168328B publication Critical patent/CN110168328B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/01—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/0812—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
    • H03K17/08122—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in field-effect transistor switches
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K2217/00—Temperature measurement using electric or magnetic components already present in the system to be measured
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K2017/0806—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage against excessive temperature

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

本发明涉及一种用于借助温度测量电路确定至少一个电子开关元件(16)的温度的方法。首先，阻断电子模块(12)的第一电子开关元件(14)并且导通电子模块(12)的第二电子开关元件(16)。然后，将电压测量单元(20)与电子模块(12)耦联并且测量第二电子开关元件(16)上的电压降。另外，确定流过第二电子开关元件(16)的电流的电流强度并且通过考虑测量的电压降和确定的电流强度确定第二电子开关元件(16)的温度。此外，还描述了一种用于确定至少一个电子开关元件(16)的温度的电子组件(10)。

Description

用于确定至少一个电子开关元件的温度的方法和电子组件
技术领域
本发明涉及一种用于确定至少一个电子开关元件的温度的方法以及一种用于确定至少一个电子开关元件的温度的电子组件。
背景技术
在电路或电子组件中使用的电子开关元件在运行期间发生电功率方面的开关损耗和欧姆损耗。这些损耗转换为热量，使得电子开关元件的温度升高。
在高负载和/或快速切换的电子开关元件中监控温度尤为重要，因为过高的温度会影响或损伤开关元件。在最坏的情况下甚至可发生相应开关元件的失效。
在用于测量电子开关元件的温度的常见方法中，在电子开关元件附近安装温度相关电阻器。为了确定电子开关元件的温度，确定温度相关电阻器的欧姆电阻，由欧姆电阻可导出电子开关元件的温度。
但以这种方式不能在对于功能至关重要的内部区域、而只能在该区域之外测量电子开关元件的温度。由于在电子开关元件的内部区域和外部区域之间可能存在大的温差，因而温度测量结果可能仅具有有限的效力。
特别是在设置用于电路或电子组件、尤其是电子开关元件的冷却器时是这种情况。开关元件于是受到外部区域中的冷却器冷却，而开关元件的内部区域则可能存在更高的温度。在这种情况下，在通过单独构造的温度相关电阻器的测量中确定的温度要低于实际存在于开关元件内部区域中的温度，因为单独构造的温度相关电阻器也受到冷却器冷却。
发明内容
本发明的任务在于提供一种方法和组件，借助该方法或组件可更精确地确定电子开关元件的温度。
所述任务根据本发明通过一种用于借助温度测量电路确定至少一个电子开关元件的温度的方法来解决，所述温度测量电路包括至少一个具有第一电子开关元件和第二电子开关元件的电子模块，所述电子开关元件被构造成，使得它们在第一开关状态中阻断一个方向上的电流，所述方法包括下述步骤：
a)阻断第一电子开关元件并且导通第二电子开关元件，
b)将电压测量单元与电子模块耦联，
c)测量第二电子开关元件上的电压降，
d)确定流过第二电子开关元件的电流的电流强度，并且
e)通过考虑测量的电压降和确定的电流强度来确定第二电子开关元件的温度。
在上述步骤c)期间，在第二电子开关元件上仅产生小的电压降。尤其是这样设计电压测量单元，使得其以希望的精度分辨第二电子开关元件上的电压降。
当在步骤a)中通过阻断第一电子开关元件使第二电子开关元件与中间电路电压分离之后，电压测量单元才与电子模块耦联。因此电压测量单元无需按照中间电路电压的数量级设计，从而只需能足够精确地测量第二电子开关元件上的电压降。
根据一个方面，设置电子开关单元，该电子开关单元被构造成，使得电子开关单元在第一开关状态中阻断一个方向上的电流，其中，导通该电子开关单元，以便连接电压测量单元与电子模块。以这种方式电压测量单元可特别简单地、尤其是通过电控制脉冲与电子模块方式耦联。此外，通过电子开关单元确保电压测量单元可快速地与电子模块分离，从而可保护电压测量单元免受过大电压、如中间电路电压。
另一方面规定，所述两个电子开关元件中的至少一个和/或所述开关单元、尤其是所述两个电子开关元件和开关单元由控制装置来控制。由此可自动且以高精度控制切换步骤。尤其是可使各个部件的切换步骤彼此协调。
根据本发明的一个方面，在步骤d)之后，在阻断第二电子模块并且导通第一电子开关元件之前，分离电压测量单元与电子模块。因此在中间电路电压施加到电压测量单元之前，将电压测量单元与电子模块分离。这种数量级的电压可能会损伤或在最坏的情况下损坏电压测量单元。在步骤d)之后，可在分离电压测量单元与电子模块之前设置至少另一中间步骤。
根据本发明的另一个方面规定，由测量的电压降和确定的电流强度确定第一电子开关元件的电阻值，电阻值尤其是用于确定第二电子开关元件的温度。由此可与现有技术相反确定待检查电子开关元件的实际温度。
尤其是基于函数关系确定温度或从值表获取温度。由此可由确定的电阻以及确定的电流强度或测量的电压直接导出温度。
电子开关单元可具有场效应晶体管、尤其是MOSFET、如SiCMOSFET。由于电子开关单元必须非常精确且快速地切换，因而非常快速切换的MOSFET通常特别适合于此。
根据本发明的一个方面，通过测量流过负载、尤其是扼流圈的电流来确定流过第二电子开关元件的电流的电流强度。由于在电子模块的传统应用中本就需要测量该电流强度，因此不产生额外的电流测量耗费。
此外，所述任务根据本发明通过一种用于确定至少一个电子开关元件的温度的电子组件来解决，所述电子组件包括至少一个具有第一电子开关元件和第二电子开关元件的电子模块，设置电子开关单元，所述电子开关单元在第一开关状态中阻断并且在第二开关状态中导通，以便使电压测量单元这样与电子模块耦联，使得电压测量单元测量第二电子开关元件上的电压，设置电流测量单元，所述电流测量单元构造用于测量流过第二电子开关元件的电流的电流强度，并且设置控制和评估单元，所述控制和评估单元构造用于处理测量的电压以及测量的电流强度，以便确定第二电子开关元件的温度。
通过电子组件的这种结构可在电子模块运行期间确定第二电子开关元件的实际温度而不中断运行。因此无需通过为此单独设置的构件来推导待检查电子开关元件的温度。
电子组件尤其是构造用于实施上述方法。
本发明的另一方面规定，所述电子开关单元通过电线与电子模块耦联，该电线在第一电子开关元件和第二电子开关元件之间从电子模块分支出。由此电压测量单元可测量第二电子开关元件上的电压降。
附图说明
本发明的其它优点和特征由下述说明和参考附图给出。附图如下：
图1示出根据本发明的电子组件的电路图；
图2示出根据图1的电子组件的第二电子开关元件上的漏源电压的时间曲线；和
图3示出根据图1的电子组件的第二电子开关元件的特性曲线族。
具体实施方式
下面借助图1说明用于确定至少一个电子开关元件的温度的电子组件10的结构。
图1示出电子组件10的电路图，其包括用于电子开关元件的温度测量电路。电子组件10包括具有第一电子开关元件14和第二电子开关元件16的电子模块12。
电子组件10还包括电子开关单元18，通过该电子开关单元可将电压测量单元20与电子模块12耦联。
电子开关单元18通过电线18L与电子模块12连接。电线18L从第一电子开关元件14和第二电子开关元件16之间分支出。
在所示实施方式中，电子开关单元18具有电子开关元件21，其构造为MOSFET、更确切地说是常态阻断n沟道MOSFET、尤其是SiC MOSFET。
此外，设置电流测量单元22，其构造用于确定流过第二电子开关元件16的电流的电流强度。
电压测量单元20和电流测量单元22可分别包括模数转换器，以便将模拟输入信号数字化。
此外，在所示实施方式中，电感元件24、尤其是扼流圈与电流测量单元22串联连接。
电子开关元件14、16例如构造为MOSFET，更确切地说是常态阻断n沟道MOSFET、尤其是SiC MOSFET。第一(高侧)电子开关元件14的漏极端子14D与直流电源26的正极连接。另外，第二(低侧)电子开关元件16的源极端子16S与直流电源26的负极连接。
此外，设置控制和评估单元28，其通过未详细示出的电线控制两个电子开关元件14、16以及电子开关单元18。另外，控制和评估单元28通过在此未示出的导线接收电压测量单元20和电流测量单元22的测量结果，以便如下面还将解释地相应评估它们。
为清楚起见，未在图1中示出对于电子模块12的运行额外所需的电线和电子元件。
下面参照图1至3说明用于借助上述温度测量电路确定至少一个电子开关元件的温度的方法。
为了确定第二电子开关元件16的温度，首先阻断第一电子开关元件14并且导通第二电子开关元件16。这也称为步骤a)。步骤a)发生在时间t1(参见图2)。
在步骤a)之后，第二电子开关元件16与直流电源26分离。因此直流电源26的中间电路电压UZK不再施加到第二电子开关元件16上。
然后连接电压测量单元20与电子模块12，这被称为步骤b)。连接这样进行，即导通电子开关单元18、尤其是其开关元件21。
现在借助电压测量单元20测量第二电子开关元件16的漏极和源极端子之间的电压降UDS，这被称为步骤c)。
在第二电子开关元件16的漏极和源极端子之间的电压降与第二电子开关元件16的温度有关，因为其欧姆电阻与温度有关。
电压测量单元20尤其是构造用于这样精确地测量电压降UDS，使得可在第二电子开关元件16的不同温度下分辨电压降UDS的差异。
如在图2中可见，步骤a)之后的电压降UDS、即在大于t1的时间中(参见图2)显著小于直流电源26的中间电路电压UZK。因此在不同温度下电压降UDS的差异可能比中间电路电压UZK小几个数量级。
因此，在将电压测量单元20连接到电子模块12之前，在步骤a)中将第二电子开关元件16与直流电源26分离。否则，中间电路电压UZK有可能损坏电压测量单元20。
借助电流测量单元22确定流过第二电子开关元件16的电流IDS的电流强度，这被称为步骤d)。这尤其是可通过测量流过电感元件24、尤其是从电感元件流出的电流来进行。
通过考虑测量的电压降UDS和确定的电流IDS的电流强度随后尤其是通过控制和评估单元28确定第二电子开关元件16的温度T，该控制和评估单元接收电压测量单元20和电流测量单元22的测量值。这也称为步骤e)。
下面更详细地解释步骤e)。首先，根据欧姆定律确定处于导通状态中的第二电子开关元件16的欧姆电阻RDS,on，即：
由于欧姆电阻RDS,on是温度相关的，因此可由欧姆电阻和确定的电流强度IDS确定第二电子开关元件16的温度T。
如果已知温度T、欧姆电阻RDS,on和确定的电流强度IDS之间的函数关系，则可根据下述公式计算第二电子开关元件16的温度：
T＝f(RDS,on,IDS)
在此f是函数，其使值对(RDS,on,IDS)与温度对应。
作为替代方案，可从值表中读取温度T，该值表使值对(RDS,on,IDS)与温度对应。
类似于上述说明，第二电子开关元件16的温度也可由欧姆电阻RDS,on和测量的电压降UDS确定。
如果函数关系已知，则可根据下述公式计算第二电子开关元件16的温度：
T＝g(RDS,on,UDS)
在此g是函数，其使值对(RDS,on,UDS)与温度T对应。
作为替代方案，可从值表中读取温度T，该值表使值对(RDS,on,UDS)与温度T对应。
同样类似于上述说明，第二电子开关元件16的温度也可直接由测量的电压降UDS和确定的电流强度IDS确定。
如果已知函数关系，则可根据下述公式计算第二电子开关元件16的温度：
T＝h(UDS，IDS)
在此h是函数，其使值对(UDS，IDS)与温度T对应。
作为替代方案，可从值表中读取温度T，该值表使值对(UDS，IDS)与温度T对应。
可这样设计控制和评估单元28，使得其自动实施上述方法并且尤其是自动确定第二电子开关元件16的温度。
该方法也可类似地用于测量第一电子开关元件14的温度。在此电压测量单元20可通过电子开关单元18与电子模块12这样耦联，使得电压测量单元20测量第一电子开关元件14上的电压。
只有在第一电子开关元件14导通且第二电子开关元件16阻断后，电压测量单元20才与电子模块12耦联。
其它方面参考上述说明。
图3示出图表，在其中绘出三个不同温度(即25℃、150℃和175℃)下关于测量的电压降UDS的测量的电流强度IDS。从该图表中得到测量值的温度相关性。由此可清楚地看出，可通过测量值相应确定电子开关元件的温度。

Claims (10)

1.一种用于借助温度测量电路确定至少一个电子开关元件(16)的温度的方法，所述温度测量电路包括至少一个具有第一电子开关元件(14)和第二电子开关元件(16)的电子模块(12)，所述电子开关元件(14、16)构造成，使得电子开关元件在第一开关状态中阻断一个方向上的电流，所述方法包括下述步骤：
a)阻断第一电子开关元件(14)并且导通第二电子开关元件(16)，
b)将电压测量单元(20)与电子模块(12)耦联，
c)测量第二电子开关元件(16)上的电压降，
d)确定流过第二电子开关元件(16)的电流的电流强度，并且
e)通过考虑测量的电压降和确定的电流强度确定第二电子开关元件(16)的温度。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，设置电子开关单元(18)，该电子开关单元构造成，使得电子开关单元在第一开关状态中阻断一个方向上的电流，其中，导通该电子开关单元(18)，以便连接电压测量单元(20)与电子模块(12)。
3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述两个电子开关元件(14、16)中的至少一个和/或所述开关单元(18)、尤其是所述两个电子开关元件(14、16)和开关单元(18)由控制装置(28)来控制。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在步骤d)之后，在阻断第二电子开关元件(16)并且导通第一电子开关元件(14)之前，分离电压测量单元(20)与电子模块。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，由测量的电压降和确定的电流强度确定第二电子开关元件(16)的电阻值，所述电阻值尤其是用于确定第二电子开关元件(16)的温度。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，基于函数关系确定温度或从值表获取温度。
7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，至少所述电子开关单元(18)具有场效应晶体管、尤其是MOSFET、如SiC MOSFET。
8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，通过测量流过负载、尤其是扼流圈(24)的电流来确定流过第二电子开关元件(16)的电流的电流强度。
9.一种用于确定至少一个电子开关元件(16)的温度的电子组件(10)，包括至少一个具有第一电子开关元件(14)和第二电子开关元件(16)的电子模块(12)，设置电子开关单元(18)，所述电子开关单元在第一开关状态中阻断并且在第二开关状态中导通，以便使电压测量单元(20)这样与电子模块(12)耦联，使得电压测量单元(20)测量第二电子开关元件(16)上的电压，设置电流测量单元(22)，所述电流测量单元构造用于测量流过第二电子开关元件(16)的电流的电流强度，并且设置控制和评估单元(28)，所述控制和评估单元构造用于处理测量的电压以及测量的电流强度，以便确定第二电子开关元件(16)的温度。
10.根据权利要求9所述的电子组件(10)，其特征在于，所述电子开关单元(18)通过电线(18L)与电子模块(12)耦联，该电线(18L)在第一电子开关元件(14)和第二电子开关元件(16)之间从电子模块(12)分支出。
CN201880005792.8A 2017-04-03 2018-03-15 用于确定至少一个电子开关元件的温度的方法和电子组件 Active CN110168328B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102017205625.8 2017-04-03
DE102017205625.8A DE102017205625A1 (de) 2017-04-03 2017-04-03 Verfahren sowie elektronische Baugruppe zur Bestimmung einer Temperatur zumindest eines elektronischen Schaltelements
PCT/EP2018/056524 WO2018184810A1 (de) 2017-04-03 2018-03-15 Verfahren sowie elektronische baugruppe zur bestimmung einer temperatur zumindest eines elektronischen schaltelements

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110168328A true CN110168328A (zh) 2019-08-23
CN110168328B CN110168328B (zh) 2021-08-31

Family

ID=61691975

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880005792.8A Active CN110168328B (zh) 2017-04-03 2018-03-15 用于确定至少一个电子开关元件的温度的方法和电子组件

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11852543B2 (zh)
EP (1) EP3607287A1 (zh)
CN (1) CN110168328B (zh)
DE (1) DE102017205625A1 (zh)
WO (1) WO2018184810A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018130105A1 (de) * 2018-11-28 2020-05-28 Hauni Maschinenbau Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Temperaturregelung eines Verdampfers für einen Inhalator, insbesondere ein elektronisches Zigarettenprodukt
DE102019113645B4 (de) * 2019-05-22 2020-12-03 Hauni Maschinenbau Gmbh Verfahren zur Regelung der Verdampfung eines Verdampfers in einem Inhalator
CN112050959B (zh) * 2020-09-04 2022-09-02 中国科学院微电子研究所 基于SiC-MOSFET的温度检测电路及电子设备
DE102022201327A1 (de) 2022-02-09 2023-08-10 Zf Friedrichshafen Ag Temperaturbestimmung einer Halbbrücke

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050232333A1 (en) * 2004-04-14 2005-10-20 Franch Robert L On chip temperature measuring and monitoring circuit and method
DE102010000875A1 (de) * 2010-01-13 2011-07-14 Infineon Technologies AG, 85579 Verfahren zur Messung der Junction-Temperatur bei Leistungshalbleitern in einem Stromrichter
CN103226044A (zh) * 2012-01-31 2013-07-31 台湾积体电路制造股份有限公司 小区域高性能的以单元为基础的热二极管
CN103604517A (zh) * 2013-11-12 2014-02-26 北京工业大学 一种实时测量耗尽型场效应晶体管瞬态温升和热阻方法
CN103674299A (zh) * 2012-09-05 2014-03-26 德克萨斯仪器股份有限公司 确定晶体管的温度的电路和方法
CN105406850A (zh) * 2014-09-05 2016-03-16 英飞凌科技股份有限公司 具有集成温度传感器的半导体开关
CN105572557A (zh) * 2014-10-28 2016-05-11 英飞凌科技奥地利有限公司 用于温度感测的系统和方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6812677B2 (en) * 2001-08-21 2004-11-02 Intersil Americas Inc. Thermally compensated current sensing of intrinsic power converter elements
DE10204487B4 (de) 2002-01-30 2004-03-04 Infineon Technologies Ag Temperatursensor
EP1973025B1 (de) * 2007-03-22 2009-11-25 Baumüller Nürnberg Gmbh Temperaturüberwachung bei Leistungsschaltern
FR3002646B1 (fr) * 2013-02-22 2015-04-17 Technofan Capteur electronique de temperature pour mesurer la temperature de jonction d'un interrupteur electronique de puissance en fonctionnement et procede de mesure de la temperature de la jonction par ce capteur electronique
DE102015218912A1 (de) * 2015-09-30 2017-03-30 Robert Bosch Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Ermitteln einer Temperatur eines Halbleiterbauelements
JP6885862B2 (ja) * 2017-12-28 2021-06-16 ルネサスエレクトロニクス株式会社 電力変換装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050232333A1 (en) * 2004-04-14 2005-10-20 Franch Robert L On chip temperature measuring and monitoring circuit and method
DE102010000875A1 (de) * 2010-01-13 2011-07-14 Infineon Technologies AG, 85579 Verfahren zur Messung der Junction-Temperatur bei Leistungshalbleitern in einem Stromrichter
CN103226044A (zh) * 2012-01-31 2013-07-31 台湾积体电路制造股份有限公司 小区域高性能的以单元为基础的热二极管
CN103674299A (zh) * 2012-09-05 2014-03-26 德克萨斯仪器股份有限公司 确定晶体管的温度的电路和方法
CN103604517A (zh) * 2013-11-12 2014-02-26 北京工业大学 一种实时测量耗尽型场效应晶体管瞬态温升和热阻方法
CN105406850A (zh) * 2014-09-05 2016-03-16 英飞凌科技股份有限公司 具有集成温度传感器的半导体开关
CN105572557A (zh) * 2014-10-28 2016-05-11 英飞凌科技奥地利有限公司 用于温度感测的系统和方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE102017205625A1 (de) 2018-10-04
EP3607287A1 (de) 2020-02-12
CN110168328B (zh) 2021-08-31
US20190323900A1 (en) 2019-10-24
US11852543B2 (en) 2023-12-26
WO2018184810A1 (de) 2018-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110168328A (zh) 用于确定至少一个电子开关元件的温度的方法和电子组件
EP2867985B1 (en) System for measuring soft starter current and method of making same
US7579900B2 (en) Operation and circuitry of a power conversion and control circuit
CN109565271B (zh) 用于半导体开关装置的快速温度感测的集成电路
EP2568268A1 (en) Method for estimating the temperature of a semiconductor chip
JP6522232B2 (ja) 過熱保護制御装置および車載用電力回路装置
CN104422810A (zh) 电流测量电路
EP2752952B1 (en) Control device for load circuit
JP7414812B2 (ja) 電気システム又は電子システムの特徴温度の決定
KR20060043676A (ko) 전류 검출 기능이 부가된 반도체 집적 회로, 및 이를이용한 전원 장치
CN104347446A (zh) 半导体结构中的温度监视和控制
US10365329B2 (en) Measurements in switch devices
KR101982118B1 (ko) 저항기의 값을 측정하기 위한 장치 및 방법
US10505360B2 (en) Method and device for determining a load current
CN104980136B (zh) 开关器件
CN105960618B (zh) 用于检测电流的电流探测装置和方法
JPWO2020058435A5 (zh)
CN116953461A (zh) 用于监测多个并联连接的半导体开关的方法和设备
CN113711063A (zh) 功率器件监测系统和监测方法
AU2013280897A1 (en) System for measuring soft starter current and method of making same

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant