CN110165057A - 一种有机/无机杂化界面铁电存储器及其制备方法 - Google Patents
一种有机/无机杂化界面铁电存储器及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110165057A CN110165057A CN201910520766.5A CN201910520766A CN110165057A CN 110165057 A CN110165057 A CN 110165057A CN 201910520766 A CN201910520766 A CN 201910520766A CN 110165057 A CN110165057 A CN 110165057A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon
- thin film
- layer
- organic polymer
- film layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims abstract description 41
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 54
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 54
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 54
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims abstract description 37
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims abstract description 8
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims abstract description 8
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000009396 hybridization Methods 0.000 claims description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical group [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 abstract description 11
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000557 Nafion® Polymers 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- 208000036142 Viral infection Diseases 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 108010067216 glycyl-glycyl-glycine Proteins 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000010534 mechanism of action Effects 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N oxalonitrile Chemical compound N#CC#N JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- GZXOHHPYODFEGO-UHFFFAOYSA-N triglycine sulfate Chemical compound NCC(O)=O.NCC(O)=O.NCC(O)=O.OS(O)(=O)=O GZXOHHPYODFEGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/20—Organic diodes
- H10K10/29—Diodes comprising organic-inorganic heterojunctions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/50—Bistable switching devices
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
本发明提供了一种有机/无机杂化界面铁电存储器及其制备方法，其结构为在无机硅表面设有含磺酸基团的有机聚合物薄膜层，在有机聚合物薄膜层上设有电极层。其制备方法包括以下步骤：a、将硅衬底在HF溶液中浸泡除去表面的自然氧化层，备用；或者在有机塑料衬底上沉积一层硅薄膜层，备用；b、在步骤a的衬底的硅表面上制备含磺酸基团的有机聚合物薄膜层，然后对有机聚合物薄膜层进行热退火处理；c、通过掩膜板在有机聚合物薄膜层上沉积电极层。本发明利用聚合物薄膜中的磺酸基团与硅界面悬挂键的连接与断开，造成极化场强度的变化，达到存储的效果；其结构简单，成本低，可在柔性衬底上实现铁电存储效应。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体地说涉及一种有机/无机杂化界面铁电存储器及其制备方法。
背景技术
半导体存储器在半导体电子学中占据重要地位，在信息和电子工业领域有着广阔的应用前景。在信息化时代发展的大背景下，存储器逐渐向体积小，容量高，读写速度快，可靠性强，功耗低，成本低的方向发展。目前，基于硅基的存储器件虽然占据半导体存储器件的主要市场，具备快速存储的特点，但是在制备过程中需要使用到昂贵的设备，需要利用复杂的光刻技术，以及搭配晶体管驱动电路，这些都增加了硅基存储器件的制造成本，不满足未来成本低廉的发展方向。有机存储器件是一种新型的电子存储器件，这种存储器件制备工艺简单，成本低，可大面积制备且兼具柔性等特点，符合未来信息社会的发展需求。但其可靠性能如抗疲劳特性及耐保持特性都不如硅基存储器。
为了解决以上问题，专利文件CN 107732008A 提出一种油酸钝化有机/无机杂化钙钛矿阻变存储器。该存储器虽然具有稳定的器件性能，但其制备工艺较为复杂。专利文件CN 105789434 A 提出一种基于有机/无机杂化钙钛矿阻变存储器，该存储器结构简单，具有良好的耐久性和热稳定性，但其使用含铅的有毒性的钙钛矿材料，容易对人体和环境造成不良影响。
铁电存储器是一种低功耗，高速度，长寿命的新型存储器件，在视频IC卡，快速启动内存，系统芯片嵌入式缓存，航空航天领域都具有广阔的发展前景。其作用机理基于器件内部的核心铁电材料，通过铁电材料的自发极化特性，在施加外电场作用下，极化强度发生改变及翻转，导致产生不同的极化状态实现存储效应。目前铁电存储器研究的铁电材料主要集中在如铁酸铋、铁酸镓、钛酸铅、钛酸钡、锆钛酸铅等无机材料，有机铁电存储器也有少量研究，主要集中在三甘氨酸硫酸酯，聚偏二氟乙烯，聚二氰亚乙烯等有机分子或聚合物。但无一例外的，这些无机或有机铁电存储器都是基于体内部的铁电材料极化强度的变化实现铁电效应。而基于有机/无机杂化界面的铁电存储器的研究较少，因此，研究一种性能可靠的有机/无机杂化界面铁电存储器具有重要的意义和市场前景。
发明内容
本发明的目的就是提供一种有机/无机杂化界面铁电存储器及其制备方法，以解决现有存储器制造成本高、制备方法复杂以及性能不理想的问题。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的：一种有机/无机杂化界面铁电存储器，其是在无机硅表面设有含磺酸基团的有机聚合物薄膜层，从而形成磺酸基聚合物/硅杂化界面，在所述有机聚合物薄膜层上设有电极层；对所述铁电存储器施加连续变化的外电压，当施加正偏置电压时，有机聚合物薄膜层中的磺酸基团与硅以硅氧键的形式连接，形成氧化层，使总的电偶极矩变大，当施加负偏置电压时，硅氧键断开，氧化层消失，使总的电偶极矩变小，氧化层中偶极子数量变化随外电压呈非线性的滞回效应，从而使整个器件表现出铁电效应。
进一步地，所述的有机/无机杂化界面铁电存储器，包括硅衬底、设于硅衬底上的含磺酸基团的有机聚合物薄膜层以及设于所述有机聚合物薄膜层上的电极层。
所述硅衬底为电阻率为0.1~100 Ω•cm的n型或p型硅片。
进一步地，所述的有机/无机杂化界面铁电存储器，包括有机塑料衬底、设于有机塑料衬底上的硅薄膜层、设于硅薄膜层上的含磺酸基团的有机聚合物薄膜层以及设于所述有机聚合物薄膜层上的电极层。
所述硅薄膜为本征硅、n型掺杂硅或p型掺杂硅。硅薄膜层采用磁控溅射或PEVCD技术制备。有机塑料衬底的材料为PET或PI。
更进一步地，所述有机聚合物薄膜层的材料为聚苯乙烯磺酸(PSS)、全氟磺酸（Nafion）、2-丙酰胺-2-甲基丙烷磺酸、聚(2-丙烯酰胺-2-甲基-1-丙磺酸)、2-甲基-2-[(1-氧代-2-丙烯基)氨基]-1-丙烷磺酸与乙烯基苯的聚合物中的一种或多种；所述有机聚合物薄膜层的厚度为50~1500nm。
所述电极层为金属电极或者透明导电电极；所述金属电极的材料为Au、Ag、Ti、Pd、Pt中的一种或多种，所述透明导电电极的材料为ITO、IZO、IWO、AZO中的一种或多种。
上述的有机/无机杂化界面铁电存储器的制备方法，包括以下步骤：
a、衬底的预处理：将硅衬底在HF溶液中浸泡除去表面的自然氧化层，然后经洗涤、吹干后备用；或者在有机塑料衬底上沉积一层硅薄膜层，备用；
b、有机聚合物薄膜层的制备：利用旋涂法、喷雾法或提拉法在步骤a的衬底的硅表面上制备含磺酸基团的有机聚合物薄膜层，然后对有机聚合物薄膜层进行热退火处理；
c、通过掩膜板在有机聚合物薄膜层上沉积电极层。
步骤a中，硅衬底在5%~10%的HF溶液中浸泡1~10min；步骤b中，有机聚合物薄膜层的制备在大气环境中、真空手套箱中或者惰性气体气氛下进行；所述热退火处理为将带有有机聚合物薄膜层的衬底在大气环境、真空或惰性气氛中进行热处理后取出，热处理温度为RT~300℃。
本发明与传统铁电存储器机理不同，其存储机理为：在不同的偏置电压下，无机硅与聚合物薄膜界面的超薄界面氧化层的产生/消除，导致了整个有机/无机杂化体系中总电偶极矩的差异，这种现象导致器件的饱和极化强度随外加偏置电压实现非线性的变化，这是实现界面铁电存储效应的原因。当给器件施加正偏置电压时，聚合物薄膜中的磺酸基团与硅以硅氧键的形式进行连接，形成1~2nm的自然氧化层，使得界面态密度变低，总的电偶极矩变大。当器件施加负偏置电压时，硅氧键断开，自然氧化层消失，使得界面态密度变高，总的电偶极矩变小。因此给器件施加连续变化的外电场时，有机薄膜与硅界面的硅氧键得以连接与断开，造成自然氧化层的形成与消失，界面态密度低与高的连续变化，这些界面的变化使得整体器件的极化强度发生变化，产生对外电场的滞回效应，实现存储效果。
本发明相对于现有技术而言具有如下有益效果：
（1）本发明利用聚合物薄膜中的磺酸基团与硅界面悬挂键的连接与断开，造成极化强度的变化，形成逻辑“0”态和逻辑“1”态，达到存储的效果；
（2）本发明存储器件结合了硅基存储器及有机存储器的特点，结构简单，掩膜步骤少，开启电压小，抗漏电能力强，存储特性可靠，无需使用昂贵的设备，具有成本低的特点；
（3）本发明器件实现了柔性铁电存储，具有可印刷的特点，可在柔性衬底上实现铁电存储效应，适合柔性印刷电路及满足可穿戴电子学的需求。
附图说明
图1 是本发明的整体结构示意图。其中，1为衬底，2为有机聚合物薄膜与硅表面接触的界面，3为有机聚合物薄膜层，4为小面积电极，5为大面积电极。
图2是实施例1所制备的有机/无机杂化界面铁电存储器件的PV图。
图3是实施例1所制备的有机/无机杂化界面铁电存储器件的性能测试结果图。
具体实施方式
下面以具体实施例详细描述本发明。
实施例1
如图1所示，本发明的有机/无机杂化界面铁电存储器，包括衬底1，含有磺酸基团的有机聚合物薄膜层3，聚合物薄膜与衬底接触的界面2，有机聚合物薄膜层3上沉积的小面积电极4和大面积电极5。
本实施例选用p型1~10Ω的抛光硅片作为衬底1，选用PSS制备有机聚合物薄膜层3，PSS与硅片形成可在不同外加电场下变化的界面2，选用金属Ag制备小面积电极4和大面积电极5。
具体制备步骤如下：硅片在5%~10%的HF溶液中浸泡1~10min去除自然氧化层，取出后经洗涤、吹干后备用。之后在硅片上利用旋涂方式，制备厚度为800nm的 PSS有机薄膜。将涂覆有机薄膜的硅片在真空环境下100℃热处理10min后取出。最后采用掩膜板，热蒸发沉积金属Ag电极，最终形成有机/无机杂化界面铁电存储器。图1为本发明的器件结构示意图。
该器件在室温下进行极化强度-电压（P-V）测试。图2为典型的铁电存储器电学测试结果，由图2可知，该器件的剩余极化强度（Pr）为0.9 μC/cm2。图3为该器件的可靠性测试结果，由图3可知，该有机/无机杂化界面铁电存储器在400k次的存储过程以及10000s的存储过程中，依然保持优良的性能，说明其可靠性优良。
Claims (9)
1.一种有机/无机杂化界面铁电存储器，其特征是，在无机硅表面设有含磺酸基团的有机聚合物薄膜层，从而形成磺酸基聚合物/硅杂化界面，在所述有机聚合物薄膜层上设有电极层；对所述铁电存储器施加连续变化的外电压，当施加正偏置电压时，有机聚合物薄膜层中的磺酸基团与硅以硅氧键的形式连接，形成氧化层，使总的电偶极矩变大，当施加负偏置电压时，硅氧键断开，氧化层消失，使总的电偶极矩变小，氧化层中偶极子数量变化随外电压呈非线性的滞回效应，从而使整个器件表现出铁电效应。
2.根据权利要求1所述的有机/无机杂化界面铁电存储器，其特征是，包括硅衬底、设于硅衬底上的含磺酸基团的有机聚合物薄膜层以及设于所述有机聚合物薄膜层上的电极层。
3.根据权利要求2所述的有机/无机杂化界面铁电存储器，其特征是，所述硅衬底为电阻率为0.1~100 Ω•cm的n型或p型硅片。
4.根据权利要求1所述的有机/无机杂化界面铁电存储器，其特征是，包括有机塑料衬底、设于有机塑料衬底上的硅薄膜层、设于硅薄膜层上的含磺酸基团的有机聚合物薄膜层以及设于所述有机聚合物薄膜层上的电极层。
5.根据权利要求4所述的有机/无机杂化界面铁电存储器，其特征是，所述硅薄膜为本征硅、n型掺杂硅或p型掺杂硅。
6.根据权利要求1~5任一所述的有机/无机杂化界面铁电存储器，其特征是，所述有机聚合物薄膜层的材料为聚苯乙烯磺酸、全氟磺酸、2-丙酰胺-2-甲基丙烷磺酸、聚(2-丙烯酰胺-2-甲基-1-丙磺酸)、2-甲基-2-[(1-氧代-2-丙烯基)氨基]-1-丙烷磺酸与乙烯基苯的聚合物中的一种或多种；所述有机聚合物薄膜层的厚度为50~1500nm。
7.根据权利要求6所述的有机/无机杂化界面铁电存储器，其特征是，所述电极层为金属电极或者透明导电电极；所述金属电极的材料为Au、Ag、Ti、Pd、Pt中的一种或多种，所述透明导电电极的材料为ITO、IZO、IWO、AZO中的一种或多种。
8.一种权利要求1~7任一所述的有机/无机杂化界面铁电存储器的制备方法，其特征是，包括以下步骤：
a、衬底的预处理：将硅衬底在HF溶液中浸泡除去表面的自然氧化层，然后经洗涤、吹干后备用；或者在有机塑料衬底上沉积一层硅薄膜层，备用；
b、有机聚合物薄膜层的制备：利用旋涂法、喷雾法或提拉法在步骤a的衬底的硅表面上制备含磺酸基团的有机聚合物薄膜层，然后对有机聚合物薄膜层进行热退火处理；
c、通过掩膜板在有机聚合物薄膜层上沉积电极层。
9.根据权利要求8所述的有机/无机杂化界面铁电存储器的制备方法，其特征是，步骤a中，硅衬底在5%~10%的HF溶液中浸泡1~10min；步骤b中，有机聚合物薄膜层的制备在大气环境中、真空手套箱中或者惰性气体气氛下进行；所述热退火处理为将带有有机聚合物薄膜层的衬底在大气环境、真空或惰性气氛中进行热处理后取出，热处理温度为RT~300℃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910520766.5A CN110165057B (zh) | 2019-06-17 | 2019-06-17 | 一种有机/无机杂化界面铁电存储器及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910520766.5A CN110165057B (zh) | 2019-06-17 | 2019-06-17 | 一种有机/无机杂化界面铁电存储器及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110165057A true CN110165057A (zh) | 2019-08-23 |
| CN110165057B CN110165057B (zh) | 2023-10-17 |
Family
ID=67625934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910520766.5A Active CN110165057B (zh) | 2019-06-17 | 2019-06-17 | 一种有机/无机杂化界面铁电存储器及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110165057B (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102214791A (zh) * | 2011-06-07 | 2011-10-12 | 复旦大学 | 一种基于pedot:pss的有机动态随机存储器及其制备方法 |
| CN103219225A (zh) * | 2013-03-29 | 2013-07-24 | 河北大学 | 用于硅基铁电电容器集成的一种阻挡层材料及集成方法 |
| US20140097395A1 (en) * | 2012-10-09 | 2014-04-10 | Saudi Basic Industries Corporation | Resistive memory device fabricated from single polymer material |
-
2019
- 2019-06-17 CN CN201910520766.5A patent/CN110165057B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102214791A (zh) * | 2011-06-07 | 2011-10-12 | 复旦大学 | 一种基于pedot:pss的有机动态随机存储器及其制备方法 |
| US20140097395A1 (en) * | 2012-10-09 | 2014-04-10 | Saudi Basic Industries Corporation | Resistive memory device fabricated from single polymer material |
| CN103219225A (zh) * | 2013-03-29 | 2013-07-24 | 河北大学 | 用于硅基铁电电容器集成的一种阻挡层材料及集成方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 陈剑辉: ""PSS/Si有机-无机杂化界面特性及其应用"", 《中国博士学位论文全文数据库 工程科技II辑》 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110165057B (zh) | 2023-10-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2925436C (en) | Methods for producing thin film charge selective transport layers | |
| CN107364851B (zh) | 一种松香树脂转移石墨烯的方法及石墨烯透明导电薄膜的制备与应用 | |
| Peng et al. | An efficient and thickness insensitive cathode interface material for high performance inverted perovskite solar cells with 17.27% efficiency | |
| US7745820B2 (en) | Negative differential resistance polymer devices and circuits incorporating same | |
| TW200537689A (en) | Method for enhancing the electrical characteristics of organic electronic devices | |
| CN105789441B (zh) | 一种有机双功能器件及其制备方法 | |
| CN110635028A (zh) | 一种自供电阻变存储器及其制备方法 | |
| JP4534930B2 (ja) | 有機太陽電池の製造方法 | |
| CN110165057A (zh) | 一种有机/无机杂化界面铁电存储器及其制备方法 | |
| Liu et al. | Ultrathin free-substrate n-type PTCDI-C13 transistors with bilayer polymer dielectrics | |
| CN102723438A (zh) | 有机阻变型存储单元、存储器及其制备方法 | |
| CN109037441B (zh) | 半导体电存储材料及其制备的柔性电存储器件及制备方法 | |
| CN109494228B (zh) | 一种具有多位存储功能的非易失性存储器及其制备方法 | |
| CN108470829A (zh) | 基于meh-ppv:pcbm给体-受体结构的单层聚合物存储器 | |
| CN107565028B (zh) | 一种基于低温制备热结晶活性层的厚膜有机太阳能电池及其制备方法 | |
| CN115440888A (zh) | 一种基于金属与电介质混合薄膜源极的柔性垂直沟道场效应管 | |
| KR100959760B1 (ko) | 태양전지 및 그 제조 방법 | |
| CN108447989A (zh) | 基于电双稳特性的单层聚合物电存储器及其制造方法 | |
| US10170629B2 (en) | Field-effect transistor and the manufacturing method | |
| CN105336858A (zh) | 一种基于meh-ppv的聚合物薄膜电双稳器件及其制作方法 | |
| CN113257993A (zh) | 具有碳膜保护层的有机半导体磁阻器件及其制备方法和应用 | |
| CN115432736B (zh) | 超薄BiOX纳米材料以及包含该材料的太阳能电池及其制备方法 | |
| CN109904188B (zh) | 基于钙钛矿二极管的柔性wifi信号能量转换器及其制备方法 | |
| CN113471368B (zh) | 一种具有可调功函数的透明电极及其制备方法和应用、有机太阳能电池 | |
| CN111341910B (zh) | 一种柔性全碳阻变存储器及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20240425 Address after: No. 43 Bailing South Road, Qujiang District, Quzhou City, Zhejiang Province, 324022 Patentee after: Yidao New Energy Technology Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: 071002 Hebei University, 54 East 180 Road, Hebei, Baoding Patentee before: HEBEI University Country or region before: China |
|
| TR01 | Transfer of patent right |