CN110162269B - 存储系统和固态驱动器 - Google Patents
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Abstract
存储系统和固态驱动器。一种存储系统包括至少一个固态驱动器(SSD)和基板管理控制器装置(BMC)。所述至少一个SSD可通过通信链路传递信息,所述信息是所述至少一个SSD包括预定数量的超级电容器并能够提供这样的操作模式:如果检测到掉电状况,则将易失性存储器中的数据刷新到持续预定时间量的非易失性存储器,其中,所述预定数量包括0。BMC装置从SSD接收所述信息,并作为响应向所述至少一个SSD发送消息以进入所述操作模式。
Description
本专利申请要求于2018年2月14日提交的第62/630,809号美国临时专利申请和于2018年4月10日提交的第15/950,114号美国非临时专利申请的优先权权益,所述专利申请的公开通过整体引用包含于此。
技术领域
在此公开的主题总体涉及存储系统,更具体地讲,涉及如果检测到即将发生的掉电事件则存储关键信息的存储系统。
背景技术
数据中心的主要任务是防止永久数据丢失或者使永久数据丢失的可能性最小化。这样的措施可采取许多形式。例如,可用于固态驱动器(SSD)的一种措施是将存储电能的超级电容器(supercap)包括在SSD内部,其中,该电能可用于确保如果检测到掉电则将驻留在SSD中的易失性DRAM中的关键信息保存(即,刷新)到持久存储器。由超级电容器存储的能量用于为飞行中或待处理的写入数据的保留提供短期电力。
SSD形状因子约束使得SSD超级电容器在物理上小。相应地,由于物理上相对小的超级电容器存储相对较少的电力,所以对于大多数SSD来说,相对大量的相对小的超级电容器被使用。例如,包括超级电容器的SSD可包括超过30个内部超级电容器。因此,对于满载2U机箱中的总共24个SSD来说,超过700个超级电容器可被使用。然而,超级电容器相对昂贵、容易发生故障、随时间劣化,并且更重要地是占用宝贵的SSD板空间。因此,为了提供合理的保修期,SSD制造商通常过度配置超级电容器的数量以补偿随时间的劣化。
发明内容
示例实施例提供一种存储系统,所述存储系统可包括至少一个SSD和基板管理控制器装置。所述至少一个SSD可通过通信链路传递信息,所述信息是所述至少一个SSD能够提供这样的操作模式:如果检测到掉电状况,则将易失性存储器中的数据刷新到持续预定时间量的非易失性存储器。基板管理控制器装置从SSD接收所述信息,并作为响应向所述至少一个SSD发送消息以进入所述操作模式。在一个实施例中,基板管理控制器装置响应于所述信息还控制将被施加到所述至少一个SSD的连接器引脚的电压。
连接器引脚是3.3V_AUX连接引脚。
所述电压包括大约+12V。
所述至少一个SSD包括预定数量的超级电容器,其中,所述预定数量包括0。
从易失性存储器刷新到非易失性存储器的数据包括SSD已经确认的主机数据-写入请求数据和/或SSD控制器状态信息。
另一示例实施例提供一种SSD,所述SSD可包括非易失性存储器、易失性存储器和SSD控制器装置。易失性存储器可存储SSD已经确认的主机数据-写入请求数据和/或SSD控制器状态信息。SSD控制器装置可通过通信链路传递信息,所述信息是所述SSD包括预定数量的超级电容器,并且能够提供这样的操作模式:如果检测到掉电状况,则将易失性存储器中的数据刷新到持续预定时间量的非易失性存储器,其中,所述预定数量包括0。SSD控制器装置还可接收用于进入所述操作模式的消息。
所述消息从存储系统的基板管理控制器(BMC)装置被接收。
又一示例实施例提供一种存储系统,所述存储系统可包括至少一个SSD、中平面和基板管理控制器装置。所述至少一个SSD可通过通信链路传递信息,所述信息是所述至少一个SSD能够提供这样的操作模式:如果检测到掉电状况,则将易失性存储器中的数据刷新到持续预定时间量的非易失性存储器,SSD可包括U.2连接器。中平面可包括连接器和至少一个超级电容器,其中,所述连接器接收所述至少一个SSD的U.2连接器,所述至少一个超级电容器可结合到接收所述至少一个SSD的U.2连接器的连接器。基板管理控制器装置可从SSD接收所述信息,并可作为响应向所述至少一个SSD发送消息以进入所述操作模式,并且基板管理控制器装置响应于所述信息还可控制将被施加给所述至少一个SSD的U.2连接器的连接器引脚电压。
从易失性存储器刷新到非易失性存储器的数据包括SSD已经确认的主机数据-写入请求数据和/或SSD控制器状态信息。
附图说明
在下面的部分中,将参照附图中示出的示例性实施例来描述在此公开的主题的方面,其中:
图1描绘根据在此公开的主题的存储系统的示例实施例;
图2A和图2B分别描绘包括内部超级电容器的典型SSD的示例实施例和根据在此公开的主题的SSD的示例实施例;
图3A描绘根据在此公开的主题的可用于在正常上电初始化处理期间确定SSD是否提供超级电容器支持的在BMC装置与SSD之间的示例信号流图;
图3B描绘根据在此公开的主题的设置电源状态并启用SSD的写入高速缓存功能的在BMC装置与不包括内部超级电容器(并且不提供超级电容器支持)的SSD之间的示例信号流图;
图4描绘根据在此公开的主题的通过配电板(PDB)施加到SSD的电源电压的示例实施例;
图5A描绘根据在此公开的主题的中平面(mid-plane)的示例实施例;
图5B描绘根据在此公开的主题的具有集中的超级电容器的中平面的另一示例实施例。
具体实施方式
在下面的具体实施方式中,阐述了许多具体细节以提供对本公开的深入理解。然而,本领域技术人员将理解,可在没有这些具体细节的情况下实践公开的方面。在其他实例中,没有详细描述公知的方法、过程、组件和电路,以免模糊在此公开的主题。
贯穿本说明书,对“一个实施例”或“实施例”的引用表示结合该实施例描述的特定特征、结构或特性可包括在在此公开的至少一个实施例中。因此,在贯穿本说明书的各个地方出现的短语“在一个实施例中”或“在实施例中”或“根据一个实施例”(或具有类似含义的其他短语)可不一定都表示同一实施例。此外,特定特征、结构或特性可在一个或多个实施例中以任何合适的方式组合。在这方面,如在此使用的,词“示例性的”表示“用作示例、实例或说明”。在此描述为“示例性”的任何实施例不应被解释为必须优选或优于其他实施例。此外,根据在此讨论的上下文,单数术语可包括相应的复数形式,复数术语可包括相应的单数形式。还应注意,在此示出和讨论的各种附图(包括组件示图)仅用于说明目的,并未按比例绘制。类似地,仅用于说明目的示出各种波形和时序图。例如,为清楚起见,多个元件中的一些元件的尺寸可相对于其他元件被夸大。此外,如果认为适当,则可在附图中重复参考标号以指示对应的和/或类似的元件。
在此使用的术语仅用于描述特定示例性实施例的目的,并不意图限制要求保护的主题。除非上下文另有清楚指示,否则如在此使用的,单数形式也意图包括复数形式。还将理解,当在本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”时指明存在阐述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件,但不排除存在或者添加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。除非明确这样定义,否则如在此使用的术语“第一”、“第二”等用作它们之前的名词的标签,并不暗示任何类型的排序(例如,空间、时间、逻辑等)。此外,相同的参考标号可在两个或更多个图之间使用以表示具有相同或相似功能的部件、组件、块、电路、单元或模块。然而,这种用法仅为了简化说明和便于讨论,它并不意味着这样的组件或单元的构造或结构细节在所有实施例中都是相同的,或者这样共同引用的部件/模块是实现在此公开的特定实施例的教导的唯一方式。
除非另外定义,否则在此使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本主题所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解,除非在此明确定义,否则诸如在通用词典中定义的那些术语应被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义,并且将不被解释为理想化或过于形式化的意义。
如在此使用的,术语“模块”表示被配置为提供在此结合模块描述的功能的软件、固件和/或硬件的任何组合。软件可被实现为软件包、代码和/或指令集或指令,并且例如,如在此描述的任何实施方式中使用的术语“硬件”可单独地或任何组合地包括硬连线电路、可编程电路、状态机电路和/或存储由可编程电路执行的指令的固件。模块可共同地或单独地实现为形成较大系统的一部分的电路(例如,但不限于,集成电路(IC)、片上系统(SoC)等)。
在此公开的SSD的一个实施例不包括内部超级电容器,但是能够提供这样的操作模式:如果检测到掉电,则将驻留在易失性DRAM中的关键信息刷新到持久存储器。SSD内部的超级电容器的消除不仅降低成本,而且允许空出的空间被重新利用并用于额外的存储介质,从而增加SSD的数据存储容量。在另一实施例中,因为为刷新操作提供能量的额外的超级电容器可位于SSD外部(诸如,位于存储系统的中平面、母板和/或配电板(PDB)上),所以SSD可包括比典型SSD装置少的内部超级电容器并且仍提供这样的操作模式:如果检测到掉电,则将驻留在易失性DRAM中的关键信息刷新到持久存储器。
图1描绘根据在此公开的主题的存储系统100的示例实施例。存储系统100可包括以太网开关(Ethernet switch)101、基板管理控制器(BMC)装置102、外围组件互联快速(PCIe)开关(PeripheralComponent Interconnect Express(PCIe)switch)103、中平面104、电源单元(PSU)105、配电板(PDB)106以及一个或多个SSD 200a、SSD 200b至SSD 200n。为便于说明,SSD 200a、SSD 200b至SSD 200n中的一个或多个SSD可被称为SSD 200(例如,如图2B所示)。在一个实施例中,一个或多个SSD可以是非易失性存储器快速标准(NVMe)装置。在SSD 200是NVMe装置的实施例中,以太网开关板可由X86母板替换。以太网开关板将用于配置为通过网络的NVMe(NVMe over Fabrics,NVMe-oF)装置的SSD 200,然而X86母板将用于NVMe装置。尽管仅一个以太网开关101和仅一个PCIe开关103被描绘为存储系统100的一部分,但是应理解,多个以太网开关101和多个PCIe开关103可以是存储系统100的一部分。此外,形成存储系统100的不同的组件可被实施为多个单独的组件或被实施为多个单独的模块。可选择地,作为存储系统100的一部分的多个组件或多个模块中的两个或更多个可被彼此集成。
存储系统100可被物理地实施为机箱(chassis)或被实施为机架(rack),其中,在机箱或机架中,SSD 200中的一个或多个可相对于存储系统100本地布置。一个或多个额外的SSD 200还可相对于存储系统100远程布置。在一个实施例中,存储系统100可包括24个SSD 200。在另一实施例中,存储系统100可包括48个SSD 200。在又一实施例中,存储系统100可包括任意数量的SSD 200。
以太网开关101可包括多个上行链路以太网端口108,其中,在图1中仅一个上行链路端口108被描绘。一个或多个上行链路端口108可将以太网开关101连接到一个或多个远程主机150,其中,仅一个主机150被描绘。以太网开关101还可包括多个下行链路以太网端口109,其中,在图1中仅两个端口109被描绘。管理端口(未具体示出)可通过中平面104将以太网开关101连接到BMC装置102和/或连接到各个SSD 200。在一个实施例中,尽管未具体标识,但是BMC装置102和每个SSD 200可包括对应的以太网端口。
在一个实施例中,BMC装置102可位于作为存储系统100的一部分的主开关板中。BMC装置102可被配置为提供管理功能(诸如,但不限于每个SSD 200的发现、配置以及操作状态和健康监视)。在一个实施例中,BMC装置102还可被配置为控制和/或配置SSD 200的内部功能并控制供应给SSD 200的电源电压,使得如果检测到掉电则驻留在易失性DRAM中的关键信息可被刷新到持久存储器。这样可被刷新的关键数据可包括SSD已经确认的任何主机数据-写入请求数据和/或SSD控制器状态信息,其中,如果在装置重新启动之后SSD已经确认的任何主机数据-写入请求数据和/或SSD控制器状态信息在持久存储器中可用,则SSD已经确认的任何主机数据-写入请求数据和/或SSD控制器状态信息显著地加快装置状态实例化和存储功能的恢复。
应注意,SSD 200可不需要保存SSD已经接收到但未确认的主机写入请求。在这种未确认的主机写入请求的情况下,主机可负责恢复任何未确认的写入请求活动。因此,SSD200将隐含地具有可需将被刷新到持久存储器的有限量的数据,这确保个体SSD不具有比可用超级电容器持有的能量可在操作上支持的数据更多的要刷新的数据。
在存储系统100的一个实施例中,在BMC装置102与SSD 200之间可存在一个或多个通信路径,其中,所述一个或多个通信路径可用于传递控制信息并用于获得与由BMC装置102提供的管理功能相关的信息。第一通信路径可通过以太网开关101的管理端口。第二通信路径可通过经由PCIe开关103和中平面104的PCIe总线111。第三路径可经由连接在BMC装置102与SSD 200之间的系统管理总线(SMBus)112。
BMC装置102还可具有管理端口114,其中,通过管理端口114,由管理员(用户)操作的管理服务器160可以与BMC装置102进行通信并控制BMC装置102。管理服务器160可被布置为接近或远离存储系统100。
中平面104可包括用于通信链路和控制链路的信号线以及向存储系统100的各种组件供电的供电线。在一个实施例中,中平面104包括与SSD 200的连接器匹配的插座连接器。
在一个实施例中,PSU 105可位于存储系统100内。在另一实施例中,PSU 105可与存储系统100分开布置。PSU 105可向存储系统100提供一个或多个电源电压。在一个实施例中,PSU 105可向存储系统100提供多个电源电压115(诸如,但不限于,+12V、+5V和+3.3V)。从PSU 105输出的电源电压可经由PDB 106分配给形成存储系统100的各种组件。在另一实施例中,PSU 105还可具有向存储系统100提供备用能源的能力。
PDB 106可包括用于遍及存储系统100(包括中平面104)分配电源电压115(例如,如图2A和2B中所示)的配电线。在一个实施例中,PDB 106可包括允许BMC装置102控制将选择的电源电压116施加到至少选择的SSD 200的组件。
图2A和图2B分别描绘包括内部超级电容器的典型SSD 150的示例实施例和根据在此公开的主题的SSD 200的示例实施例。如在图2A中所描绘,典型SSD 150包括SSD控制器151、易失性存储器152、非易失性存储器153a至153n、掉电(PFAIL)检测器154、超级电容器155、电源复用器(Mux)156以及DC/DC调节器157。非易失性存储器153a至153n中的一个或多个非易失性存储器也可称为持久存储器。在一个实施例中,易失性存储器152可以是动态随机存取存储器(DRAM),非易失性存储器153a至153n可通过多个非易失性存储器裸片或阵列形成。
典型SSD 150还包括连接器158,其中,连接器158可以是U.2连接器或M.2连接器。控制信号和数据信号可双向地通过连接器158。例如,控制信号和数据信号可使用SAS引脚、PCIe总线111和/或SMBus 112通过以太网110经由连接器158双向地传递到典型SSD 150。控制信息可通过例如内部SMBus 112和/或内部集成电路(I2C)总线(未示出)遍及典型SSD150内部地传递。数据可通过数据总线159遍及典型SSD 150内部地传递到易失性存储器152并通过数据总线160遍及典型SSD 150内部地传递到非易失性存储器153。
电源电压115(诸如,+12V、+5V和+3.3V)也可被供应给连接器158以向典型SSD 150供电。电源电压可结合到电源复用器156的一个输入并结合到超级电容器155以将电荷存储在超级电容器155上。DC/DC调节器157从电源复用器156接收电力并供应遍及典型SSD 150所需的调节的电压。
PFAIL检测器154能够检测即将发生的外部电源掉电事件,使得如果检测到掉电,则驻留在易失性存储器152中的关键信息可被刷新到持久存储器。与电源电压115相关联的检测到掉电(powerfail_detected)的信号(未示出)也可表示外部电源掉电会即将发生。在没有感测到即将发生的掉电事件的正常操作中,用于SSD 150的电力经由电源复用器156被供应给DC/DC调节器157,其中,DC/DC调节器157转而向典型SSD 150供应调节的电力。例如,如果检测到即将发生的掉电状况,则检测的状况被传递给电源复用器156并被传递给SSD控制器151。作为响应,电源复用器156将来自外部的(即,经由连接器158供应的)电力的源切换到内部超级电容器155,并且SSD控制器151将驻留在易失性存储器152中的关键信息(即,SSD已经确认的主机数据-写入请求数据和/或SSD控制器状态信息)刷新到持久存储器153。
图2B描绘与图2A的典型SSD 150相比较的SSD 200的示例实施例。除了图2B中描绘的SSD 200的示例实施例不包括超级电容器之外,SSD 200可包括与典型SSD 150相同的组件中的很多组件。更具体地讲,SSD 200包括SSD控制器201、易失性存储器202、非易失性存储器203a至203n、PFAIL检测器204、电源复用器206、DC/DC调节器207以及连接器113。在一个实施例中,易失性存储器202可以是DRAM,非易失性存储器203a至203n可通过多个非易失性存储器阵列形成。
连接器113可以是U.2连接器或M.2连接器。控制信号和数据信号可双向地通过连接器113。例如,控制信号和数据信号可通过以太网110、PCIe总线111和/或SMBus 112经由连接器113双向地传递到SSD 200。控制信息可通过例如内部SMBus 112和/或I2C总线(未示出)遍及SSD 200内部地传递。数据可通过数据总线209遍及SSD 200内部地传递到易失性存储器202并通过数据总线210遍及SSD 200内部地传递到非易失性存储器203。
与典型SSD 150类似,电源电压115(诸如,+12V、+5V和+3.3V)也可被供应给连接器113以向SSD 200供电。电源电压可结合到电源复用器206的一个输入。DC/DC调节器207从电源复用器206接收电力并供应遍及SSD 200所需的调节的电压。与典型SSD 150的另一不同之处是SSD 200还可被配置为经由U.2连接器113的3.3V_AUX引脚E3接收电源电压116(诸如,+12V)。经由U.2连接器113的3.3V_AUX引脚E3供应的+12V可被供应给电源复用器206的第二输入。
在一个实施例中,BMC装置102可基于SSD 200是否可将供应给3.3V_AUX引脚E3的+12V用于在检测到掉电时将易失性DRAM中的关键信息保存到持久存储器,来控制将+12V供应给3.3V_AUX引脚E3。结合图3A和图3B和图4来描述关于该功能的额外的细节。
与典型SSD 150的另一不同之处是:SSD 200可被BMC装置102查询,以确定SSD 200是否包括内部超级电容器。如果SSD 200不包括内部超级电容器并且SSD 200能够利用3.3V_AUX引脚E3上的+12V,则SSD 200可通过BMC装置102被配置为启用写入高速缓存功能,使得如果通过PFAIL检测器204检测到掉电,则SSD 200可将驻留在易失性存储器202中的关键信息刷新到持久存储器203。与电源电压115相关联的检测到掉电(powerfail_detected)的信号(未示出)也可表示外部电源掉电即将发生。
在没有感测到即将发生的掉电事件的正常操作中,用于SSD 200的电力可经由电源复用器206供应给DC/DC调节器207,其中,DC/DC调节器207转而向SSD 200提供调节的电力。例如,如果检测到即将发生的掉电状况,则检测的状况被传递给电源复用器206并被传递给SSD控制器201。如果检测到掉电,作为响应,电源复用器206将来自外部的(即,经由连接器113供应的)电力的源切换到连接器113的3.3V_AUX引脚E3,并且SSD控制器201将驻留在易失性存储器202中的关键信息(即,SSD已经确认的主机数据-写入请求数据和/或SSD控制器状态信息)刷新到持久存储器203。
BMC装置102可与存储系统100的每个SSD 200进行通信,并基于SSD 200的内部配置来配置SSD 200的内部操作。例如,BMC装置102可在正常上电初始化处理期间查询SSD200来确定SSD 200是否包括内部超级电容器,如果SSD 200包括内部超级电容器,则SSD200具有超级电容器的能力。如果SSD 200指示其包括内部超级电容器,则BMC装置102可监视内部超级电容器的状态以在超级电容器随着时间劣化时设置可允许的未解决的电力需求,这可能导致BMC装置102针对每个单独的SSD 200动态地改变在掉电事件中可能需要被刷新的可允许的未解决的确认的主机写入的数量。
SSD 200的另一示例实施例可包括比典型SSD 150少的内部超级电容器,并且因为为刷新操作提供能量的额外的超级电容器可位于SSD 200外部(诸如,位于存储系统100的中平面104、母板和/或配电板(PDB)106上),所以SSD 200的该另一示例实施例仍提供这样的操作模式:如果检测到掉电,则将驻留在易失性DRAM 202中的关键信息刷新到非易失性存储器203。针对这样的示例实施例,+3.3V可被供应给连接器113的3.3V_AUX引脚E3,在这种情况下,+12V将不被供应给连接器113的3.3V_AUX引脚E3。
图3A描绘根据在此公开的主题的可用于在正常上电初始化处理期间确定SSD是否提供超级电容器支持的在BMC装置102与SSD之间的示例信号流图。在图3A中的301,BMC装置102将GetFeature消息(例如,GetFeature(fid=0x6)消息)发送给SSD来确定SSD是否提供超级电容器支持。如果SSD提供超级电容器支持(CapSupport),则写入高速缓存使能(WriteCache Enable,WCE)为真,否则WCE为假。在302,SSD使用指示WCE是真还是假的FeatureInfo消息来向BMC装置102回复。在303,SSD将GetFeatureCmpl消息发送给BMC装置102来完成消息传递事务。
如果SSD 200向BMC装置102传递指示SSD不包括内部应急操作超级电容器能力的信息,但是可经由3.3V_AUX引脚E3支持12V的外部备用电源电压,则BMC装置102可向3.3V_AUX引脚E3供应+12V并向SSD传递3.3V_AUX引脚E3被供应+12V。因此,SSD可利用用于正常操作的电源电压115,并且利用供应给3.3V_AUX引脚E3的电源电压116(即,+12V)来将关键数据从易失性存储器刷新到非易失性存储器。BMC装置102可配置SSD的内部功能来启用写入高速缓存功能,以在检测到掉电的情况下将关键信息刷新到持久存储器。
图3B描绘根据在此公开的主题的设置电源状态并启用SSD的写入高速缓存功能的在BMC装置102与不包括内部超级电容器(并且不提供超级电容器支持)的SSD之间的示例信号流图。在304,BMC装置102将SetFeature消息发送到SSD。在305,BMC装置102发送FeatureInfo消息以将WCE设置为真。在306,SSD将SetFeatureCmpl消息发送到BMC装置102以完成事务。因为电力将由存储系统100经由PDB 106供应以刷新数据,所以如果检测到掉电,则通过启用WCE,不包含内部超级电容器的SSD 200可将驻留在易失性存储器202中的关键信息(即,SSD已经确认的主机数据-写入请求数据和/或SSD控制器状态信息)刷新到持久存储器203。
下面的表1阐述根据在此公开的主题的可在SSD中设置并传递的示例电源状态。
表1示例电源状态
在表1中,“MP”代表最大功率,“AP”代表平均功率,“ENTLAT”代表进入延迟(EntryLatency),“EXTLAT”代表退出延迟(Exit Latency),“RRT”代表相对读取吞吐量(RelativeRead Throughput),“RRL”代表相对读取延迟(Relative Read Latency),“RWL”代表相对写入延迟(Relative Write Latency)。此外,表1还可包括代表相对写入吞吐量(RelativeWrite Throughput)的“RWT”(未示出)。应理解,在此提供的表1意图仅在于示出不同的电源状态可能对SSD的不同的性能指标的影响,然而,不同的电源状态可能对SSD的不同的性能指标的影响不限于上述表1。换言之,表1仅用于示出示例性的示例电源状态,本发明不限于上述表1中的示例电源状态,任何其他电源状态也是可行的。
在一个示例中,可基于电源状态和/或设计意图来检测即将发生的掉电事件。例如,当电源的至少一个性能指标(例如,“MP”、“AP”、“ENTLAT”、“EXTLAT”、“RRT”、“RRL”和“RWL”等中的至少一个)被改变到可能影响SSD的操作的预定程度时,可检测到即将发生的掉电事件。例如,与上述至少一个性能指标相关的信号可被感测。
因此,在此公开的主题与仅在3.3V_AUX线上期望+3.3V的典型SSD兼容,这是因为BMC将识别这样的驱动器,并且将不向典型SSD供应应急+12V电力。此外,在掉电事件中,与电源电压115相关联的powerfail_detected信号是可用的。powerfail_detected信号向在3.3V_AUX引脚E3上供应+12V的SSD 200警告:即将发生掉电,并且可使用从电源电压115和提供给3.3V_AUX引脚E3的+12V可用的剩余电力执行的应急刷新操作。
图4描绘根据在此公开的主题的经由PDB 106施加到SSD 200的电源电压的示例实施例。在一个实施例中,PDB 106包括双输入电源复用器401、12V调节器402以及电源开关403n。虽然图4中仅示出一个电源开关403n,但本发明不限于此,电源开关403n也可以是两个或更多个电源开关。PSU 105(图1)可向电源复用器401的第一输入供应+12V。备用电源可向电源复用器401的第二输入供应备用+12V。12V调节器402包括指示从调节器402供应的12V是良好的12V PWRGOOD信号。12V PWRGOOD信号被供应给电源复用器401的控制输入。如果12V PWRGOOD信号是真,则电源复用器401传导来自PSU 105的电力。如果12V PWRGOOD信号为假,则电源复用器401传导来自备用电源的电力。
BMC装置102可向电源开关403n提供可启用电源开关403n以向SSD 200供应+12V的控制信号3.3VAUX Power_EN_SlotN。如果BMC装置102确定特定SSD 200n不包括内部超级电容器并且能够利用供应给3.3V_AUX引脚E3的+12V,则BMC装置102可启用电源开关403n以供应+12V,使得如果检测到掉电,将存在足够的能量,以将驻留在易失性存储器202中的关键信息刷新到持久存储器203。
电力可经由SSD 200n的连接器113从PDB 106供应给SSD 200n。在一个实施例中,连接器113可以是U.2连接器,其中,通过U.2连接器,+12V被供应给引脚P13、P14和P15,并且通过U.2连接器,+12V可被供应给3.3V_AUX引脚E3。根据在此公开的主题,U.2连接器的3.3V_AUX引脚E3可作为将在典型SSD内部的储备电源的超级电容器的替代品,用于供应二级备用电源。
图5A描绘根据在此公开的主题的中平面500的示例实施例。中平面500包括多个连接器501和多个超级电容器502。每个连接器501与SSD 200的连接器113匹配。每个超级电容器502对应于连接器501。PDB 106(图1和图4)向中平面500供应一个或多个调节的电压115和电压116。每个超级电容器502可结合到供应给中平面500的电压116。此外,图5A还示出了用于调节电压的调节器403。
飞行中或待处理的写入数据请求的数量可通过机箱中的SSD来变化,因此集中式超级电容器池或超级电容器的组可以使具有相对更多的飞行中或待处理的写入数据请求的SSD能够适时地消耗存储的能量,而不是具有相对较少的飞行中或待处理的写入数据请求的SSD。可位于集中式位置的超级电容器可共同向机箱内的所有SSD提供应急电力。可选择地,互斥和共同穷举的超级电容器储备子组可布置在机箱中以支持机箱内的对应的互斥和共同穷举的SSD子组。作为另一可选方案,机箱中的每个SSD可具有向SSD提供应急电力的多个专用超级电容器。此外,集中式超级电容器可并联连接,使得单个或多个超级电容器故障不会影响操作,因为幸存的超级电容器和备用电源可在断电期间继续提供足够的电力。
图5B描绘根据在此公开的主题的具有集中式超级电容器的中平面550的另一示例实施例。中平面550包括多个连接器551和多个超级电容器552。每个连接器551与SSD 200的连接器113匹配。每个超级电容器552在物理上和电容上都比示例超级电容器502(图5A)相对更大,使得一个超级电容器552对应于两个连接器551。也就是说,在这种情况下,超级电容器552向两个SSD 200(图5B中未示出)提供集中式超级电容器。PDB 106(图1和图4)将一个或多个调节的电压115和电压116供应给中平面550。每个超级电容器552可结合到供应给中平面550的电压116。尽管图5B描绘了针对两个SSD 200的集中式超级电容器,但是应理解,集中式超级电容器可以与多于两个的SSD 200相关联。
如本领域技术人员将认识到的,在此描述的创新性构思可随着应用的宽范围而被修改和改变。因此,要求保护的主题的范围不应受限于以上讨论的特定示例性教导中的任何特定示例性教导,而是由所附权利要求限定。
Claims (20)
1.一种存储系统,包括:
至少一个固态驱动器SSD,能够提供响应于掉电而在预定时间量内将易失性存储器中的数据刷新到非易失性存储器的操作模式;
基板管理控制器BMC装置,将消息发送到所述至少一个SSD以进入所述操作模式,
其中,所述至少一个SSD通过通信链路将所述SSD能够提供用于刷新数据的所述操作模式的信息传递到BMC装置,
其中,BMC装置从所述至少一个SSD接收所述信息,并作为响应,基于从所述SSD接收所述信息将所述消息发送到所述SSD以进入用于刷新数据的所述操作模式。
2.根据权利要求1所述的存储系统,其中,BMC装置响应于所述信息还控制将被施加给所述至少一个SSD的连接器引脚的电压。
3.根据权利要求2所述的存储系统,其中,连接器引脚是3.3V_AUX连接引脚。
4.根据权利要求3所述的存储系统,其中,所述电压标称地包括+12V。
5.根据权利要求1所述的存储系统,其中,所述至少一个SSD包括预定数量的超级电容器,所述预定数量包括0。
6.根据权利要求1所述的存储系统,其中,所述至少一个SSD在所述操作模式期间从所述SSD外部的超级电容器接收电力。
7.根据权利要求1所述的存储系统,还包括:所述至少一个SSD连接到的中平面,其中,所述中平面包括与所述至少一个SSD相关联的至少一个超级电容器。
8.一种固态驱动器SSD,包括:
非易失性存储器;
易失性存储器,存储所述SSD已经确认的主机数据-写入请求数据或SSD控制器状态信息;
预定数量的超级电容器,所述预定数量包括0;
SSD控制器装置,能够提供响应于掉电而在预定时间量内将易失性存储器中的数据刷新到非易失性存储器的操作模式,
其中,SSD控制器装置接收用于进入用于刷新数据的所述操作模式的消息,
其中,SSD控制器装置通过通信链路传递所述SSD包括所述预定数量的超级电容器并且能够提供用于刷新数据的所述操作模式的信息。
9.根据权利要求8所述的SSD,其中,所述消息从存储系统的基板管理控制器BMC装置被接收。
10.根据权利要求9所述的SSD,其中,所述SSD包括U.2连接器,
其中,所述U.2连接器的连接器引脚接收电源电压,所述电源电压由所述SSD用于响应于断电而将数据从易失性存储器刷新到非易失性存储器。
11.根据权利要求10所述的SSD,其中,连接器引脚是3.3V_AUX连接引脚。
12.根据权利要求11所述的SSD,其中,所述电源电压标称地包括+12V。
13.根据权利要求8所述的SSD,其中,所述SSD还通过通信链路传递所述SSD能够提供响应于在第二预定时间量内发生的掉电而将易失性存储器中的数据刷新到非易失性存储器的操作模式的信息。
14.根据权利要求8所述的SSD,其中,通信链路包括以太网。
15.根据权利要求8所述的SSD,其中,通信链路包括外围组件互连快速PCIe总线。
16.根据权利要求8所述的SSD,其中,通信链路包括系统管理总线SMBus。
17.一种存储系统,包括:
至少一个固态驱动器SSD,能够提供响应于在预定时间量内发生的掉电而将易失性存储器中的数据刷新到非易失性存储器的操作模式,所述SSD还包括第一连接器;
中平面,包括接纳第一连接器的第二连接器并包括结合到第二连接器的至少一个超级电容器;
基板管理控制器BMC装置,向所述至少一个SSD发送消息以进入所述操作模式;
其中,所述至少一个SSD通过通信链路将所述SSD能够提供用于刷新数据的所述操作模式的信息传递到BMC装置,
其中,BMC装置从所述至少一个SSD接收所述信息并作为响应向所述SSD发送消息以进入用于刷新数据的所述操作模式,并且基于从所述SSD接收所述信息控制将被施加给第一连接器的连接器引脚的电压。
18.根据权利要求17所述的存储系统,其中,连接器引脚是3.3V_AUX连接引脚。
19.根据权利要求18所述的存储系统,其中,所述电压标称地包括+12V。
20.根据权利要求17所述的存储系统,其中,所述至少一个SSD包括预定数量的超级电容器,所述预定数量包括0。
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---|---|---|---|---|
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US11416144B2 (en) | 2019-12-12 | 2022-08-16 | Pure Storage, Inc. | Dynamic use of segment or zone power loss protection in a flash device |
US11704192B2 (en) | 2019-12-12 | 2023-07-18 | Pure Storage, Inc. | Budgeting open blocks based on power loss protection |
US12001684B2 (en) | 2019-12-12 | 2024-06-04 | Pure Storage, Inc. | Optimizing dynamic power loss protection adjustment in a storage system |
US11847331B2 (en) * | 2019-12-12 | 2023-12-19 | Pure Storage, Inc. | Budgeting open blocks of a storage unit based on power loss prevention |
KR20210117609A (ko) | 2020-03-19 | 2021-09-29 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 메모리 장치, 컨트롤러 및 이들을 포함하는 메모리 시스템 |
US11681448B2 (en) | 2020-09-08 | 2023-06-20 | Pure Storage, Inc. | Multiple device IDs in a multi-fabric module storage system |
CN113131613B (zh) * | 2021-04-07 | 2023-04-07 | 山东英信计算机技术有限公司 | 一种电源管理装置 |
CN113254030B (zh) * | 2021-04-09 | 2024-04-16 | 联合汽车电子有限公司 | 车载微处理器软件应急刷新方法、装置、存储介质及系统 |
US11994723B2 (en) | 2021-12-30 | 2024-05-28 | Pure Storage, Inc. | Ribbon cable alignment apparatus |
US20230333619A1 (en) * | 2022-04-18 | 2023-10-19 | Dell Products L.P. | System and method for power supply input power management |
US20230400988A1 (en) * | 2022-06-14 | 2023-12-14 | Western Digital Technologies, Inc. | Preservation of volatile data in distress mode |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103500131A (zh) * | 2013-09-18 | 2014-01-08 | 华为技术有限公司 | 一种存储系统掉电数据备份方法及存储系统控制器 |
CN104122977A (zh) * | 2014-07-11 | 2014-10-29 | 华为技术有限公司 | 一种存储数据的方法及存储系统 |
CN107210057A (zh) * | 2015-02-05 | 2017-09-26 | 苹果公司 | 具有自刷新节电模式的固态驱动器 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8806271B2 (en) | 2008-12-09 | 2014-08-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Auxiliary power supply and user device including the same |
US8934255B2 (en) | 2009-03-10 | 2015-01-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Super capacitor casing and supercapacitor embedded device |
US8230257B2 (en) | 2009-06-26 | 2012-07-24 | Seagate Technology Llc | Systems, methods and devices for controlling backup power provided to memory devices and used for storing of sensitive data |
JP5414656B2 (ja) * | 2010-12-01 | 2014-02-12 | 株式会社東芝 | データ記憶装置、メモリ制御装置及びメモリ制御方法 |
US9721660B2 (en) | 2014-10-24 | 2017-08-01 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Configurable volatile memory without a dedicated power source for detecting a data save trigger condition |
US20160378344A1 (en) * | 2015-06-24 | 2016-12-29 | Intel Corporation | Processor and platform assisted nvdimm solution using standard dram and consolidated storage |
TW201742063A (zh) * | 2016-05-30 | 2017-12-01 | 慧榮科技股份有限公司 | 資料儲存方法及發生電源中斷事件後之系統初始化之方法 |
US9966143B2 (en) | 2016-06-06 | 2018-05-08 | Toshiba Memory Corporation | Solid state drive with improved power efficiency |
US10599503B2 (en) * | 2016-07-28 | 2020-03-24 | Dell Products L.P. | Triggering power loss protection on solid-state storage devices |
US10482014B2 (en) * | 2017-08-08 | 2019-11-19 | Dell Products L.P. | System and method of managing a memory medium |
US10726879B2 (en) * | 2017-12-08 | 2020-07-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Low-power data transfer from buffer to flash memory |
-
2018
- 2018-04-10 US US15/950,114 patent/US10901898B2/en active Active
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103500131A (zh) * | 2013-09-18 | 2014-01-08 | 华为技术有限公司 | 一种存储系统掉电数据备份方法及存储系统控制器 |
CN104122977A (zh) * | 2014-07-11 | 2014-10-29 | 华为技术有限公司 | 一种存储数据的方法及存储系统 |
CN107210057A (zh) * | 2015-02-05 | 2017-09-26 | 苹果公司 | 具有自刷新节电模式的固态驱动器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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