CN110138224A - 一种支持多线圈切换的无线充电接收端及移动终端 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种支持多线圈切换的无线充电接收端及移动终端，无线充电接收端包括主控制器、多个谐振电路、及与所述谐振电路一一对应的自举电路和MOSFET导通电路，其中，所述谐振电路接收来自发射端的能量以产生谐振能量波；所述MOSFET导通电路包括若干MOSFET；所述自举电路基于其对应的所述振谐电路产生的谐振能量波，在所述MOSFET的G极和S极两端产生一个正向电压，使得所述MOSFET处于导通状态，以导通所述谐振电路与所述主控制器；所述主控制器基于所述谐振能量波输出电流。本发明可支持接收端具有两面乃至两面以上的无线充电接收功能，满足产品不同放置状态/方式下都具有无线充电接收功能。

Description

一种支持多线圈切换的无线充电接收端及移动终端
技术领域
本申请涉及无线充电，特别涉及一种支持多线圈切换的无线充电接收端及移动终端。
背景技术
在无线充电领域中，充电接收端产品有多方位充电的应用需求，即一个设备需要两面以及两面以上具有无线充电接收功能，满足无论产品正向放置或者反向放置，都可以使用无线充电功能。
目前市场上可以实现此功能的都是使用多路独立的电路模块搭配各自的线圈组合完成，虽可实现功能，但整个模块体积过大(相当于单路方案的多倍)，成本也非常高，且此类设计对于空间要求高的产品挑战非常大，不易实现。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可多方位进行无线充电的无线充电接收端，具有两面以及两面以上的无线充电接收功能。
为了解决上述问题，本发明提供了一种支持多线圈切换的无线充电接收端，包括主控制器、多个谐振电路、及与所述谐振电路一一对应的自举电路和MOSFET导通电路，其中，所述谐振电路接收来自发射端的能量以产生谐振能量波；所述MOSFET导通电路包括若干MOSFET；所述自举电路基于其对应的所述振谐电路产生的谐振能量波，在所述MOSFET的G极和S极两端产生一个正向电压，使得所述MOSFET处于导通状态，以导通所述谐振电路与所述主控制器；所述主控制器基于所述谐振能量波输出电流。
较佳地，每个所述谐振电路包括线圈和若干谐振电容，若干所述谐振电容并联，所述线圈与并联的所述谐振电容串联，当所述线圈通过电磁场感应接收到来自发射端的能量时，所述谐振电路产生谐振能量波。
较佳地，每个所述自举电路包括自举二极管和若干自举电容，所述谐振能量波在所述自举二极管的正半周期对所述自举电容充电，在所述自举二极管的负半周期在所述MOSFET的G极和S极两端产生一个正向电压，使得所述MOSFET处于导通状态。
较佳地，所述MOSFET导通电路包括两个MOSFET。
较佳地，还包括保护电路，所述保护电路用于限定所述MOSFET的G极和S极两端的电压。
较佳地，所述谐振电路包括第一谐振电路和第二谐振电路，所述自举电路包括第一自举电路和第二自举电路，所述MOSFET导通电路包括第一MOSFET导通电路和第二MOSFET导通电路；所述第一谐振电路包括第一线圈、第一谐振电容、第二谐振电容、第三谐振电容和第四谐振电容，所述第二谐振电路包括第二线圈、第一谐振电容、第二谐振电容、第三谐振电容和第四谐振电容；所述第一自举电路包括第一自举二极管、第一自举电容和第二自举电容，所述第二自举电路包括第二自举二极管、第三自举电容和第四自举电容；所述第一MOSFET导通电路包括第一MOSFET、第二MOSFET、第一分压电阻和第二分压电阻，所述第二MOSFET导通电路包括第三MOSFET、第四MOSFET、第三分压电阻和第四分压电阻；其中，所述第一线圈的第一端、第二线圈的第一端、所述第一谐振电容的第一端、第二谐振电容的第一端、第三谐振电容的第一端和第四谐振电容的第一端连接至第一节点；所述第一谐振电容的第二端、第二谐振电容的第二端、第三谐振电容的第二端、第四谐振电容的第二端、第一自举二极管的正极和第二自举二极管的正极连接至第二节点，第二节点连接至所述主控制器；所述第一自举二极管的负极、第一自举电容的第一端和第一分压电阻的第一端连接至第三节点；第一分压电阻的第二端、第一MOSFET的G极、第二MOSFET的G极、第二分压电阻的第一端和第二自举电容的第一端连接至第四节点；第二分压电阻的第二端、第二自举电容的第二端、第一MOSFET的S极和第二MOSFET的S极连接至第五节点；所述第一线圈的第二端、所述第一自举电容的第二端和所述第一MOSFET的D极连接至第六节点；所述第二MOSFET的D极连接至所述主控制器；所述第二自举二极管的负极、第三自举电容的第一端和第三分压电阻的第一端连接至第七节点；第三分压电阻的第二端、第三MOSFET的G极、第四MOSFET的G极、第四分压电阻的第一端和第四自举电容的第一端连接至第八节点；第四分压电阻的第二端、第四自举电容的第二端、第三MOSFET的S极和第四MOSFET的S极连接至第九节点；所述第二线圈的第二端、所述第三自举电容的第二端和所述第三MOSFET的D极连接至第十节点；所述第四MOSFET的D极连接至所述主控制器。
较佳地，所述谐振电路包括第一谐振电路和第二谐振电路，所述自举电路包括第一自举电路和第二自举电路，所述导通电路包括第一导通电路和第二导通电路；所述第一谐振电路包括第一线圈、第一谐振电容、第二谐振电容、第三谐振电容和第四谐振电容，所述第二谐振电路包括第二线圈、第五谐振电容、第六谐振电容、第七谐振电容和第八谐振电容；所述第一自举电路包括第一自举二极管、第一自举电容和第二自举电容，所述第二自举电路包括第二自举二极管、第三自举电容和第四自举电容；所述第一导通电路包括第一MOSFET、第二MOSFET、第一分压电阻和第二分压电阻，所述第二导通电路包括第三MOSFET、第四MOSFET、第三分压电阻和第四分压电阻；其中，所述第一线圈的第一端、第二线圈的第一端、第一自举二极管的正极和第二自举二极管的正极连接至第十一节点，所述第十一节点连接至所述主控器；所述第一自举二极管的负极、第一自举电容的第一端和第一分压电阻的第一端连接至第十二节点；所述第一分压电阻的第二端、第二分压电阻的第一端、第二自举电容的第一端、第一MOSFET的G极和第二MOSFET的G极连接至第十三节点；所述第二分压电阻的第二端、第二自举电容的第二端、第一MOSFET的S极和第二MOSFET的S极连接至第十四节点；所述第一线圈的第二端、第一自举电容的第二端和第一MOSFET的D极连接至第十五节点；所述第二MOSFET的D极、第一谐振电容的第一端、第二谐振电容的第一端、第三谐振电容的第一端和第四谐振电容的第一端连接至第十六节点；所述第一谐振电容的第二端、第二谐振电容的第二端、第三谐振电容的第二端和第四谐振电容的第二端连接至所述主控制器；所述第二自举二极管的负极、第三自举电容的第一端和第三分压电阻的第一端连接至第十七节点；所述第三分压电阻的第二端、第四分压电阻的第一端、第四自举电容的第一端、第三MOSFET的G极和第四MOSFET的G极连接至第十八节点；所述第四分压电阻的第二端、第四自举电容的第二端、第三MOSFET的S极和第四MOSFET的S极连接至第十九节点；所述第二线圈的第二端、第三自举电容的第二端和第三MOSFET的D极连接至第二十节点；所述第四MOSFET的D极、第五谐振电容的第一端、第六谐振电容的第一端、第七谐振电容的第一端和第八谐振电容的第一端连接至第二十一节点；所述第五谐振电容的第二端、第六谐振电容的第二端、第七谐振电容的第二端和第八谐振电容的第二端连接至所述主控制器。
较佳地，还包括第一保护电路和第二保护电路，其中，所述第一保护电路用于限定所述第一MOSFET的G极和S极两端的电压及第二MOSFET的G极和S极两端的电压，防止过压而损坏所述第一MOSFET和第二MOSFET；所述第二保护电路用于限定所述第三MOSFET的G极和S极两端的电压及第四MOSFET的G极和S极两端的电压，防止过压而损坏所述第三MOSFET和第四MOSFET。
较佳地，所述第一保护电路包括第一稳压二极管，所述第一稳压二极管的负极连接至第四节点或第十三节点，正极连接至第五节点或第十四节点；所述第二保护电路包括第二稳压二极管，所述第二稳压二极管的负极连接至第八节点或第十八节点，正极连接至第九节点或第十九节点。
本发明还提供了一种移动终端，包括上述任意一项所述的支持多线圈切换的无线充电接收端。
与现有技术相比，本发明存在以下技术效果：
1、本发明实施例本发明实施例提供的支持多线圈切换的无线充电接收端，通过设置多个谐振电路及与之对应的自举电路和导通电路，使得接收端具有两面乃至两面以上的无线充电接收功能，满足产品不同放置状态/方式下都具有无线充电接收功能。
2、本发明是实施例提供的支持多线圈切换的无线充电接收端双MOSFET背靠背设计，可以确保当前谐振电路产生的谐振能量波仅导通相应的MOSFET导通电路，而对于不具备谐振条件的其他谐振电路对应的MOSFET导通电路，该谐振能量波不会将其导通，即可实现在一路谐振电路与主控制器导通时，其他谐振电路与主控制器是断开的，以避免其他谐振电路与主控制器通路对当前导通通路形成干扰。
3、本发明是实施例提供的支持多线圈切换的无线充电接收端使用元器件少，无需增加额外的外设，且无需对无线充电接收端芯片作任何软件更改或配置，既减小了体积，又节省了成本。
当然，实施本发明的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。附图中：
图1为本发明实施例支持多线圈切换的无线充电接收端的结构框图；
图2为本发明实施例1支持多线圈切换的无线充电接收端的电路结构示意图；
图3为本发明实施例2支持多线圈切换的无线充电接收端的电路结构示意图。
具体实施方式
以下将结合附图对本发明提供的一种支持多线圈切换的无线充电接收端及移动终端进行详细的描述，本实施例在以本发明技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本发明的保护范围不限于下述的实施例，本领域技术人员在不改变本发明精神和内容的范围内，能够对其进行修改和润色。
请参考图1，一种支持多线圈切换的无线充电接收端，包括主控制器、多个谐振电路、及与所述谐振电路一一对应的自举电路、MOSFET导通电路和保护电路，其中，所述谐振电路接收来自发射端的能量以产生谐振能量波；所述MOSFET导通电路包括若干MOSFET，所述自举电路基于其对应的所述振谐电路产生的谐振能量波，在所述MOSFET的G极和S极两端产生一个正向电压，使得所述MOSFET处于导通状态，以导通所述谐振电路与所述主控制器；所述保护电路用于限定所述MOSFET的G极和S极两端的电压；所述谐振电路与所述主控制器导通后，主控制器对该谐振电路产生的谐振能量波进行控制与处理，输出一恒定的直流电，用以供给用电设备。
作为一种实施例，每个所述谐振电路包括线圈和若干谐振电容，若干所述谐振电容并联，所述线圈与并联的所述谐振电容串联，当所述线圈通过电磁场感应接收到来自发射端的能量时，所述谐振电路产生谐振能量波。
作为一种实施例，每个所述自举电路包括自举二极管和若干自举电容，所述谐振能量波在所述自举二极管的正半周期对所述自举电容充电，在所述自举二极管的负半周期在所述MOSFET的G极和S极两端产生一个正向电压，使得所述MOSFET处于导通状态。
作为一种实施例，所述MOSFET导通电路包括两个MOSFET，通过双MOSFET背靠背设计，可以确保当前谐振电路产生的谐振能量波仅导通相应的MOSFET导通电路，而对于不具备谐振条件的其他谐振电路对应的MOSFET导通电路，该谐振能量波不会将其导通，即可实现在一路谐振电路与主控制器导通时，其他谐振电路与主控制器是断开的，以避免其他谐振电路与主控制器通路对当前导通通路形成干扰。
本发明实施例提供的支持多线圈切换的无线充电接收端，每一路谐振电路设置有独立的导通电路，当谐振电路振荡并工作后，通过自举电路打开相应导通电路，从而导通该谐振电路至主控制器的通道，同时，其他的谐振电路因为不具备触发自举条件而无法导通其至主控制器的通道，从而实现无线充电接收端在正常工作状态下，只有谐振的谐振电路处于导通状态进行充电。
本发明是实施例提供的支持多线圈切换的无线充电接收端使用元器件少，无需增加额外的外设，且无需对无线充电接收端芯片作任何软件更改或配置。
以下以两个包括两组谐振电路、自举电路、MOSFET导通电路和保护电路的具体实施例为例，对支持多线圈切换的无线充电接收端进行具体的描述；可以理解地，包括两组以上谐振电路、自举电路、MOSFET导通电路和保护电路的多线圈切换无线充电接收端的电路结构也在本发明实施例保护范围内。
实施例1
请参考图2，为一种支持多线圈切换的无线充电接收端的电路结构示意图，谐振电路包括第一谐振电路和第二谐振电路，自举电路包括第一自举电路和第二自举电路，MOSFET导通电路包括第一MOSFET导通电路和第二MOSFET导通电路；
其中，第一谐振电路包括第一线圈L1、第一谐振电容C1、第二谐振电容C2、第三谐振电容C3和第四谐振电容C4，所述第二谐振电路包括第二线圈L2、第一谐振电容C1、第二谐振电容C2、第三谐振电容C3和第四谐振电容C4；
第一自举电路包括第一自举二极管D1、第一自举电容C5和第二自举电容C6，所述第二自举电路包括第二自举二极管D2、第三自举电容C7和第四自举电容C8；
所述第一MOSFET导通电路包括第一MOSFET Q1、第二MOSFET Q2、第一分压电阻R1和第二分压电阻R2，所述第二MOSFET导通电路包括第三MOSFET Q3、第四MOSFET Q4、第三分压电阻R3和第四分压电阻R4；
其中，所述第一线圈L1的第一端、第二线圈L2的第一端、所述第一谐振电容C1的第一端、第二谐振电容C2的第一端、第三谐振电容C3的第一端和第四谐振电容C4的第一端连接至第一节点N1；所述第一谐振电容C1的第二端、第二谐振电容C2的第二端、第三谐振电容C3的第二端、第四谐振电容C4的第二端、第一自举二极管D1的正极和第二自举二极管D2的正极连接至第二节点N2，第二节点N2连接至所述主控制器；所述第一自举二极管D1的负极、第一自举电容C5的第一端和第一分压电阻R1的第一端连接至第三节点N3；第一分压电阻R1的第二端、第一MOSFET Q1的G极、第二MOSFET Q2的G极、第二分压电阻R2的第一端和第二自举电容C6的第一端连接至第四节点N4；第二分压电阻R2的第二端、第二自举电容C6的第二端、第一MOSFET Q1的S极和第二MOSFET Q2的S极连接至第五节点N5；所述第一线圈L1的第二端、所述第一自举电容C5的第二端和所述第一MOSFET Q1的D极连接至第六节点N6；所述第二MOSFET Q2的D极连接至所述主控制器；
所述第二自举二极管D2的负极、第三自举电容C7的第一端和第三分压电阻R3的第一端连接至第七节点N7；第三分压电阻R3的第二端、第三MOSFET Q3的G极、第四MOSFET Q4的G极、第四分压电阻R4的第一端和第四自举电容C8的第一端连接至第八节点N8；第四分压电阻R4的第二端、第四自举电容C8的第二端、第三MOSFET Q3的S极和第四MOSFET Q4的S极连接至第九节点N9；所述第二线圈L2的第二端、所述第三自举电容C7的第二端和所述第三MOSFET Q3的D极连接至第十节点N10；所述第四MOSFET Q4的D极连接至所述主控制器。
作为一种可行实施例，还包括第一保护电路和第二保护电路，其中，所述第一保护电路用于限定所述第一MOSFET Q1的G极和S极两端的电压及第二MOSFET Q2的G极和S极两端的电压，防止过压而损坏所述第一MOSFET Q1和第二MOSFET Q2；所述第二保护电路用于限定所述第三MOSFET Q3的G极和S极两端的电压及第四MOSFET Q4的G极和S极两端的电压，防止过压而损坏所述第三MOSFET Q3和第四MOSFET Q4。
具体地，所述第一保护电路包括第一稳压二极管D3，所述第一稳压二极管D3的负极连接至第四节点N4，正极连接至第五节点N5；所述第二保护电路包括第二稳压二极管D4，所述第二稳压二极管D4的负极连接至第八节点N8，正极连接至第九节点N9。
当线圈L1通过电磁场感应接收到来自发射端的能量时，第一谐振电路产生谐振，谐振能量波在第一自举二极管D1的正半周期时对第一自举电容C5和第二自举电容C6充电，在第一自举二极管D1的负半周期时利用电容两端电压不能突变的特性，在第一MOSFET Q1的G极和S极两端产生一个正向电压，在第二MOSFET Q2的G极和S极两端产生一个正向电压，使得第一MOSFET Q1和第二MOSFET Q2处于导通状态，进而导通第一谐振电路和主控制器；
当线圈L2通过电磁场感应接收到来自发射端的能量时，第二谐振电路产生谐振，谐振能量波在第二自举二极管D2的正半周期时对第三自举电容C7和第四自举电容C8充电，在第二自举二极管D2的负半周期时利用电容两端电压不能突变的特性，在第三MOSFET Q3的G极和S极两端产生一个正向电压，在第四MOSFET Q4的G极和S极两端产生一个正向电压，使得第三MOSFET Q3和第四MOSFET Q4处于导通状态，进而导通第二谐振电路和主控制器；
同时，通过合理的元器件参数配置，可使得一个谐振电路和主控制器导通的同时，另外一个谐振电路的线圈由于没有足够的能量，无法达到自举的条件，进而无法打开相应的线路通道。
此处，第一分压电阻R1与第二分压电阻R2用于限定第一MOSFET Q1与第二MOSFETQ2的G极和S极两端的电压，第三分压电阻R3与第四分压电阻R4用于限定第三MOSFET Q3与第四MOSFET Q4的G极和S极两端的电压；第一稳压二极管D3和第二稳压二极管D4为齐纳稳压管，分别用于保护第一MOSFET Q1、第二MOSFET Q2、第三MOSFET Q3和第四MOSFET Q4不因其G极和S极两端过压而损坏。
实施例2
请参考图3，为一种支持多线圈切换的无线充电接收端的电路结构示意图，谐振电路包括第一谐振电路和第二谐振电路，所述自举电路包括第一自举电路和第二自举电路，所述导通电路包括第一导通电路和第二导通电路；
第一谐振电路包括第一线圈L1、第一谐振电容C1、第二谐振电容C2、第三谐振电容C3和第四谐振电容C4，所述第二谐振电路包括第二线圈L2、第五谐振电容C9、第六谐振电容C10、第七谐振电容C11和第八谐振电容C12；
第一自举电路包括第一自举二极管D1、第一自举电容C5和第二自举电容C6，所述第二自举电路包括第二自举二极管D2、第三自举电容C7和第四自举电容C8；
所述第一MOSFET导通电路包括第一MOSFET Q1、第二MOSFET Q2、第一分压电阻R1和第二分压电阻R2，所述第二MOSFET导通电路包括第三MOSFET Q3、第四MOSFET Q4、第三分压电阻R3和第四分压电阻R4；
其中，所述第一线圈L1的第一端、第二线圈L2的第一端、第一自举二极管D1的正极和第二自举二极管D2的正极连接至第十一节点N11，所述第十一节点N11连接至所述主控器；所述第一自举二极管D1的负极、第一自举电容C5的第一端和第一分压电阻R1的第一端连接至第十二节点N12；所述第一分压电阻R1的第二端、第二分压电阻R2的第一端、第二自举电容C6的第一端、第一MOSFET Q1的G极和第二MOSFET Q2的G极连接至第十三节点N13；所述第二分压电阻R2的第二端、第二自举电容C6的第二端、第一MOSFET Q1的S极和第二MOSFET Q2的S极连接至第十四节点N14；所述第一线圈L1的第二端、第一自举电容C5的第二端和第一MOSFET Q1的D极连接至第十五节点N15；所述第二MOSFET Q2的D极、第一谐振电容C1的第一端、第二谐振电容C2的第一端、第三谐振电容C3的第一端和第四谐振电容C4的第一端连接至第十六节点N16；所述第一谐振电容C1的第二端、第二谐振电容C2的第二端、第三谐振电容C3的第二端和第四谐振电容C4的第二端连接至所述主控制器；
所述第二自举二极管D2的负极、第三自举电容C7的第一端和第三分压电阻R3的第一端连接至第十七节点N17；所述第三分压电阻R3的第二端、第四分压电阻R4的第一端、第四自举电容C8的第一端、第三MOSFET Q3的G极和第四MOSFET Q4的G极连接至第十八节点N18；所述第四分压电阻R4的第二端、第四自举电容C8的第二端、第三MOSFET Q3的S极和第四MOSFET Q4的S极连接至第十九节点N19；所述第二线圈L2的第二端、第三自举电容C7的第二端和第三MOSFET Q3的D极连接至第二十节点N20；所述第四MOSFET Q4的D极、第五谐振电容C9的第一端、第六谐振电容C10的第一端、第七谐振电容C11的第一端和第八谐振电容C12的第一端连接至第二十一节点N21；所述第五谐振电容C9的第二端、第六谐振电容C10的第二端、第七谐振电容C11的第二端和第八谐振电容C12的第二端连接至所述主控制器。
作为一种可行实施例，还包括第一保护电路和第二保护电路，其中，所述第一保护电路用于限定所述第一MOSFET Q1的G极和S极两端的电压及第二MOSFET Q2的G极和S极两端的电压，防止过压而损坏所述第一MOSFET Q1和第二MOSFET Q2；
所述第二保护电路用于限定所述第三MOSFET Q3的G极和S极两端的电压及第四MOSFET Q4的G极和S极两端的电压，防止过压而损坏所述第三MOSFET Q3和第四MOSFET Q4。
具体地，所述第一保护电路包括第一稳压二极管D3，所述第一稳压二极管D3的负极连接至第十三节点N13，正极连接至第十四节点N14；所述第二保护电路包括第二稳压二极管D4，所述第二稳压二极管D4的负极连接至第十八节点N18，正极连接至第十九节点N19。
当线圈L1通过电磁场感应接收到来自发射端的能量时，第一谐振电路产生谐振，谐振能量波在第一自举二极管D1的正半周期时对第一自举电容C5和第二自举电容C6充电，在第一自举二极管D1的负半周期时利用电容两端电压不能突变的特性，在第一MOSFET Q1的G极和S极两端产生一个正向电压，在第二MOSFET Q2的G极和S极两端产生一个正向电压，使得第一MOSFET Q1和第二MOSFET Q2处于导通状态，进而导通第一谐振电路和主控制器；
当线圈L2通过电磁场感应接收到来自发射端的能量时，第二谐振电路产生谐振，谐振能量波在第二自举二极管D2的正半周期时对第三自举电容C7和第四自举电容C8充电，在第二自举二极管D2的负半周期时利用电容两端电压不能突变的特性，在第三MOSFET Q3的G极和S极两端产生一个正向电压，在第四MOSFET Q4的G极和S极两端产生一个正向电压，使得第三MOSFET Q3和第四MOSFET Q4处于导通状态，进而导通第二谐振电路和主控制器；
同时，通过合理的元器件参数配置，可使得一个谐振电路和主控制器导通的同时，另外一个谐振电路的线圈由于没有足够的能量，无法达到自举的条件，进而无法打开相应的线路通道。
此处，第一分压电阻R1与第二分压电阻R2用于限定第一MOSFET Q1与第二MOSFETQ2的G极和S极两端的电压，第三分压电阻R3与第四分压电阻R4用于限定第三MOSFET Q3与第四MOSFET Q4的G极和S极两端的电压；第一稳压二极管D3和第二稳压二极管D4为齐纳稳压管，分别用于保护第一MOSFET Q1、第二MOSFET Q2、第三MOSFET Q3和第四MOSFET Q4不因其G极和S极两端过压而损坏。
本发明还提供了一种移动终端，包括上述任意一项所述的支持多线圈切换的无线充电接收端。
以上公开的仅为本申请的两个具体实施例，但本申请并非局限于此，任何本领域的技术人员能思之的变化，都应落在本申请的保护范围内。

Claims (10)

1.一种支持多线圈切换的无线充电接收端，其特征在于，包括主控制器、多个谐振电路、及与所述谐振电路一一对应的自举电路和MOSFET导通电路，其中，
所述谐振电路接收来自发射端的能量以产生谐振能量波；
所述MOSFET导通电路包括若干MOSFET；
所述自举电路基于其对应的所述振谐电路产生的谐振能量波，在所述MOSFET的G极和S极两端产生一个正向电压，使得所述MOSFET处于导通状态，以导通所述谐振电路与所述主控制器；
所述主控制器基于所述谐振能量波输出电流。
2.根据权利要求1所述的支持多线圈切换的无线充电接收端，其特征在于，每个所述谐振电路包括线圈和若干谐振电容，若干所述谐振电容并联，所述线圈与并联的所述谐振电容串联，当所述线圈通过电磁场感应接收到来自发射端的能量时，所述谐振电路产生谐振能量波。
3.根据权利要求1所述的支持多线圈切换的无线充电接收端，其特征在于，每个所述自举电路包括自举二极管和若干自举电容，所述谐振能量波在所述自举二极管的正半周期对所述自举电容充电，在所述自举二极管的负半周期在所述MOSFET的G极和S极两端产生一个正向电压，使得所述MOSFET处于导通状态。
4.根据权利要求1所述的支持多线圈切换的无线充电接收端，其特征在于，所述MOSFET导通电路包括两个MOSFET。
5.根据权利要求1所述的支持多线圈切换的无线充电接收端，其特征在于，还包括保护电路，所述保护电路用于限定所述MOSFET的G极和S极两端的电压。
6.根据权利要求1所述的支持多线圈切换的无线充电接收端，其特征在于，所述谐振电路包括第一谐振电路和第二谐振电路，所述自举电路包括第一自举电路和第二自举电路，所述MOSFET导通电路包括第一MOSFET导通电路和第二MOSFET导通电路；
所述第一谐振电路包括第一线圈、第一谐振电容、第二谐振电容、第三谐振电容和第四谐振电容，所述第二谐振电路包括第二线圈、第一谐振电容、第二谐振电容、第三谐振电容和第四谐振电容；
所述第一自举电路包括第一自举二极管、第一自举电容和第二自举电容，所述第二自举电路包括第二自举二极管、第三自举电容和第四自举电容；
所述第一MOSFET导通电路包括第一MOSFET、第二MOSFET、第一分压电阻和第二分压电阻，所述第二MOSFET导通电路包括第三MOSFET、第四MOSFET、第三分压电阻和第四分压电阻；
其中，所述第一线圈的第一端、第二线圈的第一端、所述第一谐振电容的第一端、第二谐振电容的第一端、第三谐振电容的第一端和第四谐振电容的第一端连接至第一节点；所述第一谐振电容的第二端、第二谐振电容的第二端、第三谐振电容的第二端、第四谐振电容的第二端、第一自举二极管的正极和第二自举二极管的正极连接至第二节点，第二节点连接至所述主控制器；所述第一自举二极管的负极、第一自举电容的第一端和第一分压电阻的第一端连接至第三节点；第一分压电阻的第二端、第一MOSFET的G极、第二MOSFET的G极、第二分压电阻的第一端和第二自举电容的第一端连接至第四节点；第二分压电阻的第二端、第二自举电容的第二端、第一MOSFET的S极和第二MOSFET的S极连接至第五节点；所述第一线圈的第二端、所述第一自举电容的第二端和所述第一MOSFET的D极连接至第六节点；所述第二MOSFET的D极连接至所述主控制器；
所述第二自举二极管的负极、第三自举电容的第一端和第三分压电阻的第一端连接至第七节点；第三分压电阻的第二端、第三MOSFET的G极、第四MOSFET的G极、第四分压电阻的第一端和第四自举电容的第一端连接至第八节点；第四分压电阻的第二端、第四自举电容的第二端、第三MOSFET的S极和第四MOSFET的S极连接至第九节点；所述第二线圈的第二端、所述第三自举电容的第二端和所述第三MOSFET的D极连接至第十节点；所述第四MOSFET的D极连接至所述主控制器。
7.根据权利要求1所述的支持多线圈切换的无线充电接收端，其特征在于，所述谐振电路包括第一谐振电路和第二谐振电路，所述自举电路包括第一自举电路和第二自举电路，所述导通电路包括第一导通电路和第二导通电路；
所述第一谐振电路包括第一线圈、第一谐振电容、第二谐振电容、第三谐振电容和第四谐振电容，所述第二谐振电路包括第二线圈、第五谐振电容、第六谐振电容、第七谐振电容和第八谐振电容；
所述第一自举电路包括第一自举二极管、第一自举电容和第二自举电容，所述第二自举电路包括第二自举二极管、第三自举电容和第四自举电容；
所述第一导通电路包括第一MOSFET、第二MOSFET、第一分压电阻和第二分压电阻，所述第二导通电路包括第三MOSFET、第四MOSFET、第三分压电阻和第四分压电阻；
其中，所述第一线圈的第一端、第二线圈的第一端、第一自举二极管的正极和第二自举二极管的正极连接至第十一节点，所述第十一节点连接至所述主控器；所述第一自举二极管的负极、第一自举电容的第一端和第一分压电阻的第一端连接至第十二节点；所述第一分压电阻的第二端、第二分压电阻的第一端、第二自举电容的第一端、第一MOSFET的G极和第二MOSFET的G极连接至第十三节点；所述第二分压电阻的第二端、第二自举电容的第二端、第一MOSFET的S极和第二MOSFET的S极连接至第十四节点；所述第一线圈的第二端、第一自举电容的第二端和第一MOSFET的D极连接至第十五节点；所述第二MOSFET的D极、第一谐振电容的第一端、第二谐振电容的第一端、第三谐振电容的第一端和第四谐振电容的第一端连接至第十六节点；所述第一谐振电容的第二端、第二谐振电容的第二端、第三谐振电容的第二端和第四谐振电容的第二端连接至所述主控制器；
所述第二自举二极管的负极、第三自举电容的第一端和第三分压电阻的第一端连接至第十七节点；所述第三分压电阻的第二端、第四分压电阻的第一端、第四自举电容的第一端、第三MOSFET的G极和第四MOSFET的G极连接至第十八节点；所述第四分压电阻的第二端、第四自举电容的第二端、第三MOSFET的S极和第四MOSFET的S极连接至第十九节点；所述第二线圈的第二端、第三自举电容的第二端和第三MOSFET的D极连接至第二十节点；所述第四MOSFET的D极、第五谐振电容的第一端、第六谐振电容的第一端、第七谐振电容的第一端和第八谐振电容的第一端连接至第二十一节点；所述第五谐振电容的第二端、第六谐振电容的第二端、第七谐振电容的第二端和第八谐振电容的第二端连接至所述主控制器。
8.根据权利要求6或7所述的支持多线圈切换的无线充电接收端，其特征在于，还包括第一保护电路和第二保护电路，其中，
所述第一保护电路用于限定所述第一MOSFET的G极和S极两端的电压及第二MOSFET的G极和S极两端的电压，防止过压而损坏所述第一MOSFET和第二MOSFET；
所述第二保护电路用于限定所述第三MOSFET的G极和S极两端的电压及第四MOSFET的G极和S极两端的电压，防止过压而损坏所述第三MOSFET和第四MOSFET。
9.根据权利要求8所述的支持多线圈切换的无线充电接收端，其特征在于，所述第一保护电路包括第一稳压二极管，所述第一稳压二极管的负极连接至第四节点或第十三节点，正极连接至第五节点或第十四节点；
所述第二保护电路包括第二稳压二极管，所述第二稳压二极管的负极连接至第八节点或第十八节点，正极连接至第九节点或第十九节点。
10.一种移动终端，其特征在于，包括如权利要求1至9中任意一项所述的支持多线圈切换的无线充电接收端。
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