CN110120403B - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

提供了一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括：基底，包括塑料层、阻挡层和显示图像的显示区域。显示装置还包括：发光二极管，设置在显示区域中；平坦化层；以及像素限定层。平坦化层和像素限定层与发光二极管叠置。显示装置还包括：薄膜封装层，设置在像素限定层上。薄膜封装层包括至少一个无机层。显示装置还包括：开口，设置在显示区域中并且穿透基底。开口包括突出部分和凹陷部分，阻挡层在突出部分处与像素限定层和平坦化层中的至少一个叠置。

Description

显示装置及其制造方法

本申请要求于2018年2月5日提交的第10-2018-0013882号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及一种显示装置及其制造方法。

背景技术

发光二极管是在显示装置使用的元件，在发光二极管中，从阳极供应的空穴和从阴极供应的电子在有机发射层中结合以形成激子。在激子稳定的同时发射光。

发光二极管提供诸如宽视角、快响应速度、减小的厚度和低功耗的若干优点。因此，发光二极管广泛用于诸如电视、计算机监视器、移动电话等各种电子装置中。

与移动电话中所使用的显示装置相关的最近趋势是显示区域的尺寸增大和显示区域周围的非显示区域的尺寸减小。因此，先前已经设置在非显示区域中的某些模块(诸如相机传感器)可以替代地设置在显示区域中。

发明内容

本发明的示例性实施例提供了一种显示装置，在该显示装置中，插入有诸如相机的模块的开口布置在显示区域中，从而显示区域被扩大。另外，提供一种防止或减少外部空气或湿气渗透通过开口的显示装置。另外，提供了一种这样的显示装置的制造方法。

根据本发明的示例性实施例的显示装置包括：基底，包括塑料层、阻挡层和显示图像的显示区域。显示装置还包括：发光二极管，设置在显示区域中；平坦化层；以及像素限定层。平坦化层和像素限定层与发光二极管叠置。显示装置还包括：薄膜封装层，设置在像素限定层上。薄膜封装层包括至少一个无机层。显示装置还包括：开口，设置在显示区域中并且穿透基底。开口包括突出部分和凹陷部分，阻挡层在突出部分处与像素限定层和平坦化层中的至少一个叠置。

在示例性实施例中，发光二极管包括：像素电极，连接到晶体管；共电极，与像素电极叠置；以及发射层，设置在像素电极与共电极之间。发射层设置在突出部分处。

在示例性实施例中，设置在突出部分处的发射层包括发射彼此颜色不同的光的至少两种有机材料。

在示例性实施例中，发射层具有沿开口的外周向表面断开的形状。

在示例性实施例中，无机层设置在开口的外周向表面处。

在示例性实施例中，无机层包括至少两层。

在示例性实施例中，塑料层的紫外(UV)透射率低于阻挡层的UV透射率。

在示例性实施例中，塑料层和阻挡层交替堆叠至少两次，并且开口包括至少一个另外的突出部分。

在示例性实施例中，突出部分和至少一个另外的突出部分通过突出程度来区分。

在示例性实施例中，突出部分和至少一个另外的突出部分的突出程度随着距发光二极管的距离的增大而增大。

根据本发明的示例性实施例，一种显示装置包括：基底，包括塑料层、阻挡层和显示图像的显示区域。显示装置还包括：晶体管，设置在显示区域中并且包括栅电极、源电极和漏电极。显示装置还包括：像素电极，连接到晶体管；发射层，与像素电极叠置；以及开口，设置在显示区域中并且穿透基底。开口包括突出部分和凹陷部分。设置在突出部分中的阻挡层与金属辅助层叠置，金属辅助层与栅电极、源电极和像素电极中的至少一个设置在同一层处。

在示例性实施例中，显示装置还包括：缓冲层，设置在基底与栅电极之间；半导体层，设置在缓冲层上；以及栅极绝缘层，设置在半导体层与栅电极之间。

在示例性实施例中，缓冲层和栅极绝缘层中的至少一个与金属辅助层叠置。

根据本发明的示例性实施例，一种制造显示装置的方法包括：在基底上形成连接到晶体管的像素电极、平坦化层和像素限定层。基底包括塑料层和阻挡层，平坦化层和像素限定层与像素电极叠置。该方法还包括：形成穿透基底以及像素限定层和平坦化层中的至少一个的开口。开口的外周向表面包括突出部分和凹陷部分，阻挡层在突出部分处朝开口的中心突出，塑料层在凹陷部分处远离开口的中心凹入。阻挡层在突出部分处与像素限定层和平坦化层中的至少一个叠置。

在示例性实施例中，通过使用具有紫外(UV)波长的激光来形成开口。

在示例性实施例中，塑料层的UV透射率低于阻挡层的UV透射率。

在示例性实施例中，该方法还包括：在像素限定层上形成发射层。突出部分和发射层叠置。

在示例性实施例中，该方法还包括：在发射层上形成薄膜封装层。薄膜封装层包括至少一个无机层，并且至少一个无机层设置在开口的外周向表面上。

在示例性实施例中，塑料层和阻挡层交替地堆叠。

在示例性实施例中，开口的外周向表面包括至少一个另外的突出部分。

根据本发明的示例性实施例，一种显示装置包括：基底，包括塑料层和阻挡层；像素电极，设置在基底上；平坦化层，设置在基底上；以及像素限定层，设置在基底上。平坦化层和像素限定层与像素电极叠置。显示装置还包括：开口，穿透基底以及像素限定层和平坦化层中的至少一个。开口包括：突出部分，设置在开口的外周向表面上；和凹陷部分，形成在开口的外周向表面上。阻挡层在突出部分处与像素限定层和平坦化层中的至少一个叠置。

在示例性实施例中，突出部分在朝向开口的中心的方向上突出，凹陷部分在远离开口的中心的方向上凹入。

在示例性实施例中，阻挡层在突出部分处朝向开口的中心突出，塑料层在凹陷部分处远离开口的中心凹入。

在示例性实施例中，显示装置还包括：发射层，设置在像素限定层上。发射层沿开口的外周向表面断开。

根据本发明的示例性实施例，提供了一种显示区域的面积增大的显示装置。另外，提供了一种防止或减少外部空气或湿气渗透通过开口的显示装置。

附图说明

通过参照附图详细地描述本发明的示例性实施例，本发明的上述和其它特征将变得更加明显，在附图中：

图1A是传统显示装置的示意图。

图1B是根据本发明的示例性实施例的显示装置的示意图。

图2是根据本发明的示例性实施例的设置成与供模块插入的开口相邻的区域的剖视图。

图3是根据本发明的示例性实施例的一个像素的剖视图。

图4是根据本发明的示例性实施例的设置成与供模块插入的开口相邻的区域的剖视图。

图5是根据图4的示例性实施例的一个像素的剖视图。

图6是根据本发明的示例性实施例的设置成与供模块插入的开口相邻的区域的剖视图。

图7是根据本发明的示例性实施例的设置成与供模块插入的开口相邻的区域的剖视图。

图8至图10是根据本发明的示例性实施例的显示装置的制造方法的剖视图。

图11是示出根据本发明的示例性实施例的开口的平面图像的示图。

图12是示出根据对比示例的开口的平面图像的示图。

具体实施方式

在下文中将参照附图来更充分地描述本发明的示例性实施例。同样的附图标记贯穿附图可以指示同样的元件。

将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为在另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。还将理解的是，当元件被称为在两个元件“之间”时，该元件可以是这两个元件之间的唯一元件，或者也可以存在一个或更多个中间元件。还将理解的是，当元件被称为“与”另一元件“叠置”时，该元件可以是与所述另一元件叠置的唯一元件，或者一个或更多个中间元件也可以与所述另一元件叠置。

为了便于描述，在这里可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……下面”、“在……上方”、“上”等的空间相对术语来描述如图中所示的一个元件或特征与另一(另一些)元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语除了意图包括图中描绘的方位还意图包括装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转过来，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”或“下面的”的元件随后将被定位“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”和“在……下面”可以涵盖上方和下方两种方位。

图1A是传统显示装置的示意图。图1B是根据本发明的示例性实施例的显示装置的示意图。

参照图1A，传统的显示装置包括显示图像的显示区域DA和包围显示区域DA的不显示图像的非显示区域PA(也被称为外围区域)。诸如以相机C和传感器S为例的模块布置在非显示区域PA中。

参照图1B，在根据示例性实施例的显示装置中，显示装置的前侧的大部分是显示区域DA。例如，与图1A的显示装置不同，图1B中的显示装置的显示区域DA延伸到显示装置的前侧的外围。在根据示例性实施例的显示装置中，显示装置的一个表面的大部分被设置为显示区域DA，并且显示区域DA的外围的相对小的部分被设置为非显示区域PA。

根据示例性实施例的显示装置可以包括布置在显示区域DA中的诸如以相机C和传感器S为例的模块。例如，诸如相机C和传感器S的模块可以布置在显示图像的显示区域DA中。

接着，参照图2和图3来描述布置在显示区域DA中的一个像素和设置成与所述一个像素相邻并且供模块(例如，相机C、传感器S等)插入的开口OP。

图2是根据本发明的示例性实施例的设置成与供模块插入的开口相邻的区域的剖视图。图3是根据示例性实施例(例如，图2的示例性实施例)的一个像素的剖视图。图2的剖视图和图3的剖视图两者对应于显示区域DA。

在下文中，将如下区域称作开口相邻区域AA：在该区域中，包括布置在稍后描述的基底110与像素限定层360之间的构成元件的堆叠结构构件SA在设置有开口OP的显示区域DA中被部分地去除。

在示例性实施例中，开口相邻区域AA的直径大于开口OP的直径。例如，在示例性实施例中，开口OP的直径可以在大约1mm与大约4mm之间，开口相邻区域AA的直径可以为开口OP直径±大约200μm。

参照图2，根据示例性实施例的基底110可以为例如包括聚合物的透明绝缘基底。基底110可以是柔性基底。

在示例性实施例中，基底110包括第一塑料层110a、第一阻挡层110b、第二塑料层110c和第二阻挡层110d。在图2中示出的示例性实施例中，基底110包括交替堆叠两次的塑料层和阻挡层。然而，本发明的示例性实施例不限于此。例如，根据示例性实施例，可以包括塑料层和阻挡层交替堆叠一次的结构，或者可以包括塑料层和阻挡层交替堆叠三次或更多次的结构。

第一塑料层110a和第二塑料层110c可以包括例如聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚芳酯、聚碳酸酯、聚醚酰亚胺(PEI)、聚醚砜等。

与玻璃基底相比，第一塑料层110a和第二塑料层110c可能允许湿气和氧气更容易地渗透显示装置。为对此进行弥补，在示例性实施例中，第一阻挡层110b布置在第一塑料层110a上，第二阻挡层110d布置在第二塑料层110c上。

第一阻挡层110b和第二阻挡层110d可以包括诸如以金属氧化物、氮化硅、氧化硅等为例的无机材料。例如，第一阻挡层110b和第二阻挡层110d可以包括诸如Al₂O₃、SiO_x、SiN_x等的无机材料。第一阻挡层110b和第二阻挡层110d中的每个可以是单层或多层。

根据示例性实施例，包括布置在基底110与像素限定层360之间的构成元件的堆叠结构构件SA可以不布置在开口相邻区域AA中。根据示例性实施例，堆叠结构构件SA包括如参照图3详细描述的缓冲层111、晶体管Tr、像素电极191等。

再次参照图2，在示例性实施例中，开口OP穿透基底110、像素限定层360、发射层370和共电极270。诸如上面描述的以相机C或传感器S为例的模块可以插入开口OP中。例如，在示例性实施例中，开口OP完全穿透基底110、像素限定层360、发射层370和共电极270。在示例性实施例中，开口OP穿透基底110以及像素限定层360和平坦化层180(见图3)中的至少一个。

在示例性实施例中，开口OP的外周向表面包括突起和凹陷。开口OP的外周向表面指的是开口OP的在开口OP内的被暴露表面。例如，在示例性实施例中，像素限定层360以及第一阻挡层110b和第二阻挡层110d包括具有朝向开口OP的内部(或中心)凸出的结构的突出部分A1和A2。在示例性实施例中，开口OP的外周向表面包括凹陷部分B1和B2，在凹陷部分B1和B2中，与第一阻挡层110b和第二阻挡层110d相比，第一塑料层110a和第二塑料层110c形成为凹入。在示例性实施例中，第一阻挡层110b和第二阻挡层110d在突出部分A1和A2处与像素限定层360和平坦化层180(见图3)中的至少一个叠置。

在示例性实施例中，与包括在第一塑料层110a中的凹陷部分B2相比，包括在第二塑料层110c中的凹陷部分B1具有被过蚀刻的形状。在示例性实施例中，包括在第二塑料层110c中的凹陷部分B1可以具有比包括在第一塑料层110a中的凹陷部分B2远离开口OP的中心更凹入的形状。

另外，在示例性实施例中，与包括在第一阻挡层110b中的突出部分A2相比，包括在第二阻挡层110d中的突出部分A1具有被过蚀刻的形状。例如，如图2中所示，包括在第一阻挡层110b中的突出部分A2可以具有比包括在第二阻挡层110d中的突出部分A1朝向开口OP的中心更突出的形状。在示例性实施例中，突出部分可以随着距发光二极管的距离增大而突出得更多。例如，在示例性实施例中，突出部分的突出程度随着距发光二极管的距离的增大而增大。例如，与定位得更靠近发光二极管的突出部分相比，定位得更远离发光二极管的突出部分朝向开口OP的中心突出得更多(例如，具有增大的突出程度)。在示例性实施例中，突出部分和凹陷部分在朝向基底110的方向上重复布置。

参照图2，在示例性实施例中，突出部分A1和A2以及凹陷部分B1和B2沿开口OP的外周向表面形成。突出部分A1和A2朝向开口OP的中心突出，凹陷部分B1和B2远离开口OP的中心凹入。因此，在示例性实施例中，形成在第二突出部分A2处的第一阻挡层110b和形成在第一突出部分A1处的第二阻挡层110d朝向开口OP的中心突出，形成在第二凹陷部分B2处的第一塑料层110a和形成在第一凹陷部分B1处的第二塑料层110c远离开口OP的中心凹入。

在示例性实施例中，多个突出部分的朝向开口OP的中心突出的突出程度可以不同。例如，在图2中，第二突出部分A2比第一突出部分A1朝向开口OP的中心突出得更多。例如，在示例性实施例中，第二突出部分A2的最外表面比第一突出部分A1的最外表面定位得更靠近开口OP的中心。即，在示例性实施例中，如图2中所示，第一突出部分A1的横跨开口OP地彼此面对的相对的最外表面之间的距离大于第二突出部分A2的横跨开口OP地彼此面对的相对的最外表面之间的距离。

在形成开口OP的工艺中所使用的激光可以具有高斯形状。例如，根据示例性实施例的激光可以具有使宽度随着接近基底110的最下面的表面而减小的形状。多个突出部分的突出程度可以根据这些形状来区分。例如，当突出部分较靠近基底110的最下面的表面时，所述突出部分可以突出得更多。然而，本发明的示例性实施例不限于此。例如，根据示例性实施例，当使用其它形状的激光时，突出部分和凹陷部分的形状可以改变。

在示例性实施例中，在平面上，像素限定层360以及第一阻挡层110b和第二阻挡层110d的开口尺寸小于第一塑料层110a和第二塑料层110c的开口尺寸。底切可以形成在第一阻挡层110b和第二阻挡层110d与第一塑料层110a和第二塑料层110c之间。在示例性实施例中，第一塑料层110a和第二塑料层110c与开口OP之间的边界相比于第一阻挡层110b和第二阻挡层110d与开口OP之间的边界具有与开口OP的中心分开得更多的形状。例如，在示例性实施例中，第一塑料层110a和第二塑料层110c的横跨开口OP地彼此面对的相对部分之间的距离大于第一阻挡层110b和第二阻挡层110d的横跨开口OP地彼此面对的相对部分之间的距离。例如，在示例性实施例中，第一塑料层110a和第二塑料层110c的面对开口OP的端部比第一阻挡层110b和第二阻挡层110d的面对开口OP的端部更远离开口OP的中心。

第一阻挡层110b和第二阻挡层110d以及第一塑料层110a和第二塑料层110c可以具有彼此不同的紫外(UV)波长透射率。例如，第一塑料层110a和第二塑料层110c针对UV波长的透射率可以小于第一阻挡层110b和第二阻挡层110d针对UV波长的透射率。例如，当第一塑料层110a和第二塑料层110c吸收更大量的UV光时，第一塑料层110a和第二塑料层110c可以比第一阻挡层110b和第二阻挡层110d更多地被蚀刻。因此，凹陷部分B1和B2可以在第一塑料层110a和第二塑料层110c处形成，并且突出部分A1和A2可以在第一阻挡层110b和第二阻挡层110d处形成。

在示例性实施例中，突出部分A1和A2形成在布置有第一阻挡层110b和第二阻挡层110d的区域中。因此，在示例性实施例中，基底110包括至少两个阻挡层(即，第一阻挡层110b和第二阻挡层110d)，并且开口OP包括设置在与至少两个阻挡层(即，第一阻挡层110b和第二阻挡层110d)对应的区域中的至少两个突出部分A1和A2。

在示例性实施例中，包括在第二阻挡层110d中的突出部分A1与像素限定层360叠置。像素限定层360可以防止第二阻挡层110d的形成突出部分A1的端部被损坏。

在示例性实施例中，突出部分A1与布置在开口OP附近的发射层370叠置。在示例性实施例中，发射层370可以包括有机材料，并且可以包括发射彼此颜色不同的光的至少两种有机材料。在示例性实施例中，布置在形成图像的区域处并且发射彼此颜色不同的光的有机材料可以在突出部分A1处堆叠成多个层。例如，可以布置发射红光的有机材料、发射绿光的有机材料和发射蓝光的有机材料中的至少一种。

在示例性实施例中，发射层370在开口OP处具有断开的形状。例如，如果发射层370在开口OP中具有沿突出部分A1和A2以及凹陷部分B1和B2延伸的连续形状，则外部空气或湿气会通过开口OP渗透到发射层370中。然而，根据本发明的示例性实施例，突出部分A1和A2以及凹陷部分B1和B2被稳定地形成。因此，发射层370在开口OP处(例如，在开口OP中的突出部分A1处)具有断开的形状。例如，由于突出部分A1和A2以及凹陷部分B1和B2稳定地形成，发射层370不沿开口OP的外周向表面连续形成(例如，发射层370具有沿开口OP的外周向表面断开的形状)。因此，可以防止外部空气或湿气渗透通过发射层370。

根据示例性实施例，具有沿开口OP的外周向表面断开的形状的发射层370指的是发射层370未沿开口OP的外周向表面连续形成和延伸。

这里描述了突出部分A1与像素限定层360和发射层370叠置的示例性实施例。然而，本发明的示例性实施例不限于此。例如，根据示例性实施例，包括在后面描述的堆叠结构构件SA中的构成元件的一部分可以布置在突出部分A1处。

参照图3，在示例性实施例中，薄膜封装层400包括无机层410和有机层420。无机层410可以包括第一无机层410a和第二无机层410b。在这种情况下，第一无机层410a和第二无机层410b中的至少一个可以布置在开口OP处。根据示例性实施例，第一无机层410a和第二无机层410b都布置在开口OP处。第一无机层410a和第二无机层410b可以表示为包括相同材料的一层。

在示例性实施例中，无机层410沿开口OP的外周向表面布置。例如，无机层410可以布置成在模块插入开口OP中之前包围开口OP的整个外周向表面。例如，无机层410可以覆盖开口OP的整个外周向表面。无机层410可以防止外部空气或湿气渗透通过开口OP。

接着，参照图3详细描述根据本发明的示例性实施例的堆叠结构构件SA和其它构成元件。

根据示例性实施例，缓冲层111可以布置在上面描述的基底110上，或者可以省略缓冲层111。缓冲层111可以包括诸如以氧化硅、氮化硅等为例的无机材料。缓冲层111可以是单层或多层。

缓冲层111可以使基底110的一个表面变平以使其平坦化，并且可以防止杂质扩散到显示装置的半导体层154中，或者防止湿气渗透到显示装置中，从而防止半导体层154的特性的劣化。

晶体管Tr的半导体层154布置在缓冲层111上。半导体层154包括沟道区152以及布置在沟道区152的相应侧的源区153和漏区155。源区153和漏区155被掺杂。半导体层154可以包括例如多晶硅、非晶硅或氧化物半导体。

光阻挡电极可以布置在基底110与半导体层154之间。光阻挡电极防止外部光到达半导体层154，从而防止半导体层154的特性的劣化并减小晶体管Tr的漏电流。

栅极绝缘层141布置在半导体层154上。栅极绝缘层141可以与基底110的前表面叠置。栅极绝缘层141可以包括诸如以氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)等为例的无机绝缘材料。

包括晶体管Tr的栅电极124的栅极导体布置在栅极绝缘层141上。栅电极124可以与半导体层154的沟道区152叠置。

栅极导体可以包括诸如以钼(Mo)、铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、钽(Ta)、钛(Ti)等或它们的金属合金为例的金属材料。栅极导体可以是单层或多层。

包括无机绝缘材料或有机绝缘材料的层间绝缘层160布置在栅电极124上。

包括晶体管Tr的源电极173和漏电极175、数据线、驱动电压线等的数据导体布置在层间绝缘层160上。源电极173和漏电极175可以分别通过形成在层间绝缘层160和栅极绝缘层141中的接触孔63和65连接到半导体层154的源区153和漏区155。

数据导体可以包括诸如以铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、钯(Pd)、镍(Ni)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、铬(Cr)、钽(Ta)等或它们的金属合金为例的金属材料。数据导体可以是单层或多层(例如，Ti/Al/Ti、Mo/Al/Mo、Mo/Cu/Mo等)。

栅电极124、源电极173和漏电极175与半导体层154一起形成晶体管Tr。晶体管Tr可以是例如发射显示装置的像素中的驱动晶体管。因为栅电极124布置在半导体层154上方，所以晶体管Tr可以被称为顶栅晶体管。然而，晶体管Tr的结构不限于此。例如，在示例性实施例中，晶体管Tr可以是栅电极124布置在半导体层154下方的底栅晶体管。

平坦化层180布置在层间绝缘层160和数据导体上。平坦化层180去除台阶并使台阶平坦化，以提高将要形成在平坦化层180上的有机发光元件的发射效率。平坦化层180可以覆盖晶体管Tr。

平坦化层180可以包括例如有机绝缘材料。有机绝缘材料可以包括例如聚酰亚胺、聚酰胺、聚丙烯酸酯、聚苯醚、聚苯硫醚、不饱和聚酯、环氧树脂、酚醛树脂等。然而，平坦化层180不限于此。

像素电极191布置在平坦化层180上。像素电极191通过形成在平坦化层180中的接触孔81连接到晶体管Tr的漏电极175。

像素电极191可以由反射导电材料或半透射导电材料形成，或者可以由透明导电材料形成。例如，像素电极191可以包括诸如以氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)为例的透明导电材料或者诸如以锂(Li)、钙(Ca)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)和金(Au)为例的金属。

像素限定层360布置在平坦化层180和像素电极191上。像素限定层360具有与像素电极191的一部分叠置的开口91。像素限定层360的开口91可以限制与像素对应的区域。

如上面描述的，在示例性实施例中，像素限定层360在包括在开口OP中的突出部分A1处与第二阻挡层110d叠置。这里省略了与开口OP相邻的区域中的像素限定层360的描述。

像素限定层360可以包括诸如以聚酰亚胺、聚丙烯酸酯和聚酰胺为例的有机绝缘材料。

发射层370布置在像素电极191上。发射层370包括发射区域，并且可以另外包括空穴注入区域、空穴传输区域、电子注入区域和电子传输区域中的至少一个。

发射层370可以由独特地发射诸如红色、绿色和蓝色的原色的光的有机材料制成，并且可以具有发射不同颜色的光的多个有机材料堆叠的结构。

如上面描述的，在示例性实施例中，发射层370布置在与开口OP相邻的区域处，并且与突出部分A1叠置。为了便于说明，省略其重复描述。

传输共电压的共电极270布置在发射层370上。共电极270可以包括诸如以氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)为例的透明导电材料。共电极270可以通过将诸如以钙(Ca)、钡(Ba)、镁(Mg)、铝(Al)和银(Ag)为例的金属薄薄地层压而形成，以具有透光性质。至少一个保护层或功能层可以布置在共电极270上。

每个像素的像素电极191、发射层370和共电极270形成作为发光二极管(LED)的有机发光二极管OLED。在示例性实施例中，像素电极191可以是空穴注入电极的阳极，共电极270可以是电子注入电极的阴极。相反，在示例性实施例中，像素电极191可以是阴极，共电极270可以是阳极。空穴和电子分别从像素电极191和共电极270注入发射层370中，并且通过耦合注入的空穴和电子而产生的激子从激发态下降到基态以发光。

在示例性实施例中，薄膜封装层400布置在共电极270上。薄膜封装层400可以包括多个无机层，并且可以包括无机层和有机层交替堆叠的结构。根据示例性实施例的薄膜封装层400包括无机层410和有机层420。例如，顺序地堆叠的第一无机层410a、有机层420和第二无机层410b可以被包括在薄膜封装层400中。薄膜封装层400可以包括至少一个夹层结构，在该夹层结构中，至少一个有机层420插置在至少两个无机层(即，第一无机层410a和第二无机层410b)之间。然而，薄膜封装层400不限于此，并且可以实现各种其它堆叠结构。薄膜封装层400的最上层(例如，暴露于外部的层)可以是无机层。因此，可以防止湿气渗透发光二极管。

无机层410可以包括例如金属氧化物或金属氮化物或者包括SiN_x或SiO₂。例如，无机层410可以包括SiN_x、Al₂O₃、SiO₂和TiO₂中的任意一种。

有机层420可以包括聚合物。例如，有机层420可以由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的任意一种形成。

在这里描述的示例性实施例中，薄膜封装层400直接布置在共电极270上。然而，本发明的示例性实施例不限于此。例如，在示例性实施例中，单独的填料或粘合剂可以布置在共电极270与薄膜封装层400之间。

接着，将参照图4至图7来描述根据本发明的示例性实施例的显示装置。

图4是根据本发明的示例性实施例的设置成与供模块插入的开口相邻的区域的剖视图。图5是根据图4的示例性实施例的一个像素的剖视图。图6是根据本发明的示例性实施例的设置成与供模块插入的开口相邻的区域的剖视图。图7是根据本发明的示例性实施例的设置成与供模块插入的开口相邻的区域的剖视图。

为了便于解释，这里可以省略先前参照图2和图3描述的元件和工艺的进一步描述。

首先，参照图4和图5，在示例性实施例中，在布置有开口OP的开口相邻区域AA中，平坦化层180布置在第二阻挡层110d上。如图5中所示，在示例性实施例中，平坦化层180具有从与有机发光二极管OLED叠置的区域延伸到布置有开口OP的区域的形状。然而，本发明的示例性实施例不限于此。例如，在示例性实施例中，平坦化层180具有在布置有有机发光二极管OLED的区域和布置有开口OP的区域处分离的形状。

在示例性实施例中，平坦化层180包括有机材料。例如，平坦化层180可以包括聚酰亚胺、聚酰胺、聚丙烯酸酯、聚苯醚、聚苯硫醚、不饱和聚酯、环氧树脂和酚醛树脂中的至少一种。然而，平坦化层180不限于此。

与突出部分A1叠置的平坦化层180可以在制造工艺期间保护第二阻挡层110d的端部。在示例性实施例中，第二阻挡层110d的端部具有朝向开口OP的中心突出同时与平坦化层180叠置的形状。

接着，参照图6，在示例性实施例中，在开口相邻区域AA中，缓冲层111和栅极绝缘层141布置在第二阻挡层110d上。与如上面描述的类似，布置在布置有像素的区域中的缓冲层111和栅极绝缘层141可以具有延伸到供模块插入的开口相邻区域AA的形状。

在示例性实施例中，金属辅助层129在突出部分A1处布置在栅极绝缘层141上。金属辅助层129可以与包括栅电极124的栅极导体布置在同一层处。根据示例性实施例，金属辅助层129可以包括与栅极导体的材料相同的材料，并且可以在相同的工艺中形成。

在示例性实施例中，金属辅助层129与第二阻挡层110d叠置。与第二阻挡层110d叠置的金属辅助层129可以防止第二阻挡层110d的端部在形成开口OP的工艺中被损坏。此外，在示例性实施例中，上面描述的底切稳定地形成在第二阻挡层110d与第二塑料层110c之间，这可以帮助防止第二阻挡层110d的端部在形成开口OP的工艺中被损坏。

在示例性实施例中，金属辅助层129、栅极绝缘层141、缓冲层111和第二阻挡层110d的边缘可以基本上彼此对齐。

在示例性实施例中，缓冲层111和栅极绝缘层141中的至少一个与金属辅助层129叠置。

在示例性实施例中，金属辅助层129与栅电极124、源电极173和像素电极191中的至少一个设置在同一层上。

如图6中所示，在示例性实施例中，发射层370布置在像素限定层360与共电极270之间。另外，在示例性实施例中，发射层370的部分379也可以布置在第一阻挡层110b的端部处。例如，在形成发射层370的工艺中，形成发射层370的有机材料也可以布置在开口OP处。在这种情况下，有机材料的部分可以布置在朝向开口OP的中心突出的第一阻挡层110b上，因此，使得发射层370的部分379保留在第一阻挡层110b的端部。

根据示例性实施例，即使形成发射层370的有机材料布置在开口OP处(例如，即使部分379保留)，布置在第一阻挡层110b上的有机材料和布置在第二阻挡层110d上的有机材料也具有分离或断开的形状。因此，可以防止外部空气或湿气渗透通过伸长的发射层370。例如，即使外部空气或湿气渗透通过发射层370的布置在第一阻挡层110b上的小部分379，发射层370的布置在第二阻挡层110d上的伸长部分由于分离或断开的形状而不受影响。

接着，参照图7，在示例性实施例中，在布置有开口OP的开口相邻区域AA中，金属辅助层179布置在第二阻挡层110d上。图7中示出了金属辅助层179直接布置在第二阻挡层110d上的示例性实施例。然而，本发明的示例性实施例不限于此。例如，在示例性实施例中，缓冲层111和栅极绝缘层141中的至少一个可以布置在第二阻挡层110d与金属辅助层179之间。

在示例性实施例中，金属辅助层179包括与数据导体的材料相同的材料或与像素电极191的材料相同的材料。当金属辅助层179包括与数据导体的材料相同的材料时，金属辅助层179可以在与数据导体的制造工艺相同的工艺中形成。当金属辅助层179包括与像素电极191的材料相同的材料时，金属辅助层179可以在与像素电极191的制造工艺相同的工艺中形成。

接着，将参照图8至图10来描述根据本发明的示例性实施例的显示装置的制造方法。

图8至图10是根据本发明的示例性实施例的显示装置的制造方法的剖视图。

为了便于解释，这里可以省略对先前描述的元件和工艺的进一步描述。

参照图8，准备包括第一塑料层110a、第一阻挡层110b、第二塑料层110c和第二阻挡层110d的基底110。根据示例性实施例，可以将载体玻璃布置在基底110的后表面。

在基底110上形成包括晶体管Tr和连接到晶体管Tr的像素电极191的堆叠结构构件SA。不在稍后形成有开口OP的区域中布置堆叠结构构件SA。然后，形成与基底110的前侧叠置的像素限定层360。

接着，如图9中所示，形成穿透像素限定层360和基底110的开口OP。可以通过各种方法形成开口OP。例如，在示例性实施例中，可以使用湿蚀刻工艺、干蚀刻工艺、激光蚀刻工艺等。例如，可以使用具有UV波长的激光的激光蚀刻工艺。

在这种情况下，第一塑料层110a和第二塑料层110c对于UV波长的透射率可以低于第一阻挡层110b和第二阻挡层110d的透射率。与第一阻挡层110b和第二阻挡层110d相比，具有UV波长的激光可以过度蚀刻第一塑料层110a和第二塑料层110c。可以在第二阻挡层110d与第二塑料层110c之间以及第一阻挡层110b与第一塑料层110a之间布置底切。

另外，当使用预定的激光时，第二塑料层110c的蚀刻程度可以大于第一塑料层110a的蚀刻程度。类似地，第二阻挡层110d的蚀刻程度可以大于第一阻挡层110b的蚀刻程度。因此，第一塑料层110a与第二塑料层110c相比可以布置得更靠近开口OP的中心，并且第一阻挡层110b与第二阻挡层110d相比也可以布置得更靠近开口OP的中心。与第二塑料层110c和第二阻挡层110d相比，第一塑料层110a和第一阻挡层110b可以具有突出的形状。

在示例性实施例中，开口OP在第一阻挡层110b和第二阻挡层110d突出的区域处具有突出部分A，并且在布置有过蚀刻的第一塑料层110a和第二塑料层110c的区域处具有凹陷部分B。

在示例性实施例中，布置有第二阻挡层110d的突出部分A与像素限定层360叠置。这引起更稳定地形成的突出形状，并且防止由于蚀刻工艺而可能发生的损坏。例如，当没有叠置时，突出的第二阻挡层110d的端部可能被蚀刻工艺中所使用的激光损坏。因此，在示例性实施例中，第二阻挡层110d的端部与像素限定层360叠置，从而防止由于蚀刻工艺而可能发生的损坏，并且引起更稳定地形成的突出形状。

接着，如图10中所示，在示例性实施例中，在像素限定层360上形成发射层370。由于开口OP包括突出部分A和凹陷部分B，因此发射层370未沿开口OP连接。例如，发射层370在突出部分A处具有断开的形状。例如，由于包括突出部分A和凹陷部分B，发射层370未沿开口OP的外周向表面连续地形成。

发射层370包括有机材料。湿气会渗透布置在开口OP附近的发射层370。因此，如果发射层370具有连续形状而不是断开形状，则形成像素的发射层370可能被损坏。

根据本发明的示例性实施例，由于基底110包括稳定形成的突出部分A和凹陷部分B，所以包括有机材料的发射层370不是连续的，而是在开口OP处具有断开的形状。因此，可以防止湿气渗透发光二极管，从而提高可靠性。

根据示例性实施例，也可以在形成发射层370的工艺中在第一阻挡层110b的端部布置形成发射层370的有机材料的一部分。

接着，在发射层370上形成共电极270并且然后形成薄膜封装层400，从而提供如例如图2和图3中所示的显示装置。

根据本发明的示例性实施例的薄膜封装层400可以包括第一无机层410a、有机层420和第二无机层410b。可以通过根据示例性实施例的印刷工艺形成有机层420。未在与根据示例性实施例的开口OP相邻的区域中布置有机层420。

布置在开口OP处的无机层410还可以包括第一无机层410a和第二无机层410b中的至少一个。无机层410可以包括第一无机层410a和第二无机层410b两者。在第一无机层410a和第二无机层410b包括相同材料的示例性实施例中，这些层不被分成单独的层。

为了便于解释，这里详细描述仅针对图2和图3的示例性实施例的制造方法。然而，将理解的是，也可以通过类似的方法制造除图2和图3的示例性实施例之外的根据示例性实施例的显示装置。

接着，将参照图11和图12来描述根据本发明的示例性实施例和对比示例的开口。

图11是示出根据本发明的示例性实施例的开口的平面图像的示图。图12是示出根据对比示例的开口的平面图像的示图。

参照图11，可以看出，在示例性实施例中，突出部分均匀地形成在与开口相邻的区域中。然而，参照图12，可以看出无机层被非均匀地损坏，使得突出部分不稳定地形成。

当突出部分不稳定地形成时，发射层会沿开口的外周向表面连续形成。因此，外部空气或湿气会渗透通过布置在开口处(例如，通过开口暴露)的发射层。渗透的外部空气或湿气会沿发射层移动，从而损坏布置在像素区域处的发射层并且降低显示质量。

根据本发明的示例性实施例的显示装置包括突出部分和凹陷部分稳定地形成在其上的开口。突出部分形成为具有这里所描述的突出形状，使得通过布置在阻挡层上的像素限定层或平坦化层而不会发生损坏，并且使得通过包括与栅极导体、数据导体和像素电极中的一个的材料相同材料的金属辅助层而不会发生损坏。在示例性实施例中，发射层在开口中断开，并且不在像素区域中连续形成。因此，可以防止或减少由于外部空气或湿气渗透通过发射层而导致的布置在像素区域中的发光元件的损坏。

尽管已经参照本发明的示例性实施例具体地示出和描述了本发明，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下，可以对其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：

基底，包括塑料层、阻挡层和显示图像的显示区域；

发光二极管，设置在所述显示区域中；

平坦化层；

像素限定层，其中，所述平坦化层和所述像素限定层与所述发光二极管叠置；

薄膜封装层，设置在所述像素限定层上，其中，所述薄膜封装层包括至少一个无机层；以及

开口，设置在所述显示区域中并且穿透所述基底，

其中，所述开口包括朝向所述开口的中心突出的突出部分和远离所述开口的所述中心凹入的凹陷部分，所述阻挡层在所述突出部分处与所述像素限定层和所述平坦化层中的至少一个叠置。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述发光二极管包括：

像素电极，连接到晶体管；

共电极，与所述像素电极叠置；以及

发射层，设置在所述像素电极与所述共电极之间，

其中，所述发射层设置在所述突出部分处。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，设置在所述突出部分处的所述发射层包括发射彼此颜色不同的光的至少两种有机材料。

4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述发射层具有沿所述开口的外周向表面断开的形状。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述无机层设置在所述开口的外周向表面处。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述无机层包括至少两层。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述塑料层的紫外透射率低于所述阻挡层的紫外透射率。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述塑料层和所述阻挡层交替堆叠至少两次，并且所述开口包括至少一个另外的突出部分。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述突出部分和所述至少一个另外的突出部分通过突出程度来区分。

10.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述突出部分和所述至少一个另外的突出部分的突出程度随着距所述发光二极管的距离的增大而增大。

11.一种显示装置，所述显示装置包括：

基底，包括塑料层、阻挡层和显示图像的显示区域；

晶体管，设置在所述显示区域中并且包括栅电极、源电极和漏电极；

像素电极，连接到所述晶体管；

发射层，与所述像素电极叠置；以及

开口，设置在所述显示区域中并且穿透所述基底，

其中，所述开口包括朝向所述开口的中心突出的突出部分和远离所述开口的所述中心凹入的凹陷部分，

其中，设置在所述突出部分中的所述阻挡层与金属辅助层叠置，所述金属辅助层与所述栅电极、所述源电极和所述像素电极中的至少一个设置在同一层处。

12.根据权利要求11所述的显示装置，所述显示装置还包括：

缓冲层，设置在所述基底与所述栅电极之间；

半导体层，设置在所述缓冲层上；以及

栅极绝缘层，设置在所述半导体层与所述栅电极之间。

13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述缓冲层和所述栅极绝缘层中的至少一个与所述金属辅助层叠置。

14.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：

在基底上形成连接到晶体管的像素电极、平坦化层和像素限定层，

其中，所述基底包括塑料层和阻挡层，所述平坦化层和所述像素限定层与所述像素电极叠置；以及

形成穿透所述基底以及所述像素限定层和所述平坦化层中的至少一个的开口，

其中，所述开口的外周向表面包括突出部分和凹陷部分，所述阻挡层在所述突出部分处朝向所述开口的中心突出，所述塑料层在所述凹陷部分处远离所述开口的所述中心凹入，

其中，所述阻挡层在所述突出部分处与所述像素限定层和所述平坦化层中的至少一个叠置。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，通过使用具有紫外波长的激光来形成所述开口。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述塑料层的紫外透射率低于所述阻挡层的紫外透射率。

17.根据权利要求14所述的方法，所述方法还包括：

在所述像素限定层上形成发射层，其中，所述突出部分和所述发射层叠置。

18.根据权利要求17所述的方法，所述方法还包括：

在所述发射层上形成薄膜封装层，

其中，所述薄膜封装层包括至少一个无机层，并且所述至少一个无机层设置在所述开口的所述外周向表面上。

19.根据权利要求14所述的方法，其中，所述塑料层和所述阻挡层交替地堆叠。

20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述开口的所述外周向表面包括至少一个另外的突出部分。