CN110118807A - 一种mems湿度传感器及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种MEMS湿度传感器及其制造方法，包括：衬底、绝缘层、停止层、介质层、电极层、钝化层和敏感层；所述绝缘层设置在衬底上，所述停止层设置在绝缘层上；所述介质层设置在停止层上；所述电极层设置在介质层上，所述电极层包括第一电极、第二电极和第三电极，所述第一电极和第二电极呈叉指状交错排列；所述第三电极通过所述介质层上的若干通孔与停止层形成互连；所述钝化层设置在电极层的第三电极区域以及连接导线上。本发明的优点在于：(1)本发明通过采用停止层方案，使得聚酰亚胺的填充量可控，提高量产一致性和稳定性；(2)本发明利用停止层对传感器进行底部和表面双重屏蔽，提高了器件性能。
Description
技术领域
本发明涉及半导体芯片及MEMS传感器领域，尤其涉及一种MEMS湿度传感器及其制造方法。
背景技术
在航空航天，智能家居，冷链物流，洁净车间，农业畜牧业等领域，需要检测或监测环境湿度变化，以维持湿度在合适的状态。湿度的检测原理主要有电阻式，压阻式和电容式，其中电容式传感器由于其结构简单，检测范围宽，可靠性高，易与CMOS技术集成等优点而广泛运用。
目前，电容式传感器主要有两种设计方法，一种是平板结构设计，湿度敏感层置于第一和第二电极板的夹层中，第二电极板开若干孔，使空气进入高分子敏感层中，实现湿度感知。这种方案一般只适用于制作分立器件，需配合ASIC芯片SiP合封后使用，无法在一颗芯片上实现ASIC和MEMS器件的集成。另一种是叉指电容式结构设计，第一电极和第二电极在同一平面内，高分子层置于两者之间，以侧面电容检测的方式实现湿度测量。这种方案的好处在于可以实现ASIC和MEMS器件集成在一颗芯片上，成本上有较大优势。
由于叉指电容的检测容值较小，叉指间填充敏感材料的一致性对器件的性能影响较大，同时寄生电容的存在对于小信号电容的检测也有较大影响。为了进一步提高器件量产的性能一致性，需要保证湿度传感器叉指间填充敏感材料的量一致性，以及最大限度降低寄生电容影响。
发明内容
本发明的目的是通过以下技术方案实现的。
为了进一步提高器件性能量产的一致性和稳定性，需要保证湿度传感器叉指间填充敏感材料的量一致性，以及最大限度降低寄生电容影响，本发明提供一种MEMS湿度传感器的结构及其制造方法。
具体的，根据本发明的一个方面，提供了一种MEMS湿度传感器，包括：衬底、绝缘层、停止层、介质层、电极层、钝化层和敏感层；所述绝缘层设置在衬底上，所述停止层设置在绝缘层上；所述介质层设置在停止层上；所述电极层设置在介质层上，所述电极层包括第一电极、第二电极和第三电极，所述第一电极和第二电极呈叉指状交错排列；所述第三电极通过所述介质层上的若干通孔与停止层形成互连；所述钝化层设置在电极层的第三电极区域以及连接导线上。
优选的，所述衬底为硅晶圆、已加工好ASIC电路的硅衬底玻璃或陶瓷基底。
优选的，所述停止层为梳齿装排列的铝条，与传感单元的叉指层交错分布；或所述停止层为方块型的铝层，置于整个叉指层的下方。
优选的，所述介质层为二氧化硅、氮化硅或其复合物。
优选的，所述第三电极全包裹或半包裹第一电极和第二电极。
优选的，所述电极层的材料为以下材料中的一种或多种：铝、铝硅、铝铜；所述钝化层为二氧化硅、氮化硅或其复合物。
优选的，所述第一电极和第二电极的叉指宽度及其边间距为0.1～2μm。
优选的，所述敏感层设置在电极层上；所述敏感层的材料为以下材料中的一种或多种：聚酰亚胺、氮化铝、石墨烯。
根据本发明的另一个方面，还提供了一种MEMS湿度传感器的制造方法，包括以下步骤：准备硅晶圆，并在晶圆上淀积绝缘层；在绝缘层上淀积停止层，进一步的，通过刻蚀定义停止层的区域以及形状；淀积介质层，并通过平坦化工艺将介质层平坦化，再通过刻蚀在介质层中定义若干通孔；在介质层上淀积电极层，进一步地，通过刻蚀定义电极层的第一电极、第二电极、第三电极；在电极层上淀积钝化层，进一步地，通过刻蚀完全去除第一电极和第二电极区域的钝化层，保留第三电极区域的部分钝化层，定义传感器芯片区域；通过压焊块版光刻定义压焊块区域，并蚀刻钝化层打开压焊块；涂覆湿度敏感材料，去除压焊块上的湿度敏感材料，保留第一电极、第二电极、第三电极区域的湿度敏感材料，最后固化处理，完成湿度传感器的制作。
优选的，所述绝缘层通过热氧化生长氧化硅，或CVD工艺淀积氧化硅或氮化硅，或其复合层制作。
优选的，所述电极层厚度为0.5～2μm。
优选的，所述第一电极和第二电极的边间距为0.1～2μm。
优选的，所述钝化层厚度为0.6～1.5μm。
优选的，所述通过刻蚀完全去除第一电极和第二电极区域的钝化层，包括：通过干法刻蚀技术刻蚀第一电极和第二电极区域的钝化层，将第一电极和第二电极的表面和侧壁，以及第一电极和第二电极之间的钝化层刻蚀干净，在第一电极和第二电极完全裸露后继续将第一电极和第二电极之间的介质层过刻蚀，直到刻蚀至停止层。
优选的，所述打开压焊块的工艺为CMOS标准刻蚀工艺。
优选的，所述固化后的湿度敏感材料厚度为1～6μm。
本发明的优点在于：(1)本发明通过采用停止层方案，使得聚酰亚胺的填充量可控，提高量产一致性和稳定性；(2)本发明利用停止层对传感器进行底部和表面双重屏蔽，提高了器件性能。
附图说明
通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
附图1示出了根据本发明实施方式的一种MEMS湿度传感器的结构剖面示意图。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
如图1所示，本实施例所述MEMS湿度传感器，包含衬底1，绝缘层2，停止层3，介质层4及若干通孔41，电极层5及第一电极51，第二电极52，第三电极53，压焊块54，钝化层6，湿度敏感层7。
所述衬底为硅晶圆、已加工好ASIC电路的硅衬底玻璃或陶瓷基底。
所述绝缘层设置在衬底上，所述停止层设置在绝缘层上，所述停止层为梳齿装排列的铝条，与传感单元的叉指层交错分布；或所述停止层为方块型的铝层，置于整个叉指层的下方。
所述介质层设置在停止层上，所述介质层为二氧化硅、氮化硅或其复合物。
所述电极层设置在介质层上，所述电极层包括第一电极、第二电极和第三电极，所述第一电极和第二电极呈叉指状交错排列，所述第三电极全包裹或半包裹着第一电极和第二电极；所述第三电极通过所述介质层上的若干通孔与停止层形成互连；
所述电极层的材料为以下材料中的一种或多种：铝、铝硅、铝铜。
所述钝化层设置在电极层的第三电极区域以及连接导线上；所述钝化层为二氧化硅、氮化硅或其复合物。
所述敏感层设置在电极层上；所述敏感层的材料为以下材料中的一种或多种：聚酰亚胺、氮化铝、石墨烯。
实施例1
在本实施例中，所述衬底1为硅晶圆，所述绝缘层2为氧化层。所述停止层3为铝层。所述介质层4为氧化层，所述电极层5为铝层，并定义为敏感电容检测电极区域，屏蔽区域和压焊块区域。所述钝化层6为二氧化硅和氮化硅的复合层。所述湿度敏感层7为聚酰亚胺感湿膜。
本实施例所述MEMS湿度传感器制作过程为：
S1：准备硅晶圆衬底1，并在晶圆上淀积绝缘层2；所述绝缘层通过热氧化生长氧化硅，或CVD工艺淀积氧化硅或氮化硅，或其复合层制作。
S2：通过磁控溅射或蒸发工艺，在绝缘层2上淀积一层铝，进一步的，通过光刻和刻蚀工艺定义出停止层3的区域以及梳齿形状；
S3：通过CVD工艺淀积一层介质层4，并通过CMP工艺，SOG涂布等平坦化工艺实现介质层4的平坦化，再通过光刻和刻蚀工艺定义出若干通孔41；
S4：通过磁控溅射或蒸发工艺，在介质层上淀积一层铝，进一步地，通过光刻和刻蚀工艺定义出第一电极51，第二电极52，第三电极53和压焊块54；所述电极层厚度为0.5～2μm。所述第一电极和第二电极的叉指宽度为0.1～2μm。所述第一电极和第二电极的边间距为0.1～2μm。
S5：通过PECVD工艺，在铝层上淀积钝化层6，进一步地，通过光刻和刻蚀工艺，完全去除第一电极和第二电极区域的钝化层，保留第三电极区域以及其他连接电路的部分钝化层6，定义出传感器芯片区域；所述钝化层厚度为0.6～1.5μm。优选的，通过干法刻蚀技术刻蚀第一电极和第二电极区域的钝化层，将第一电极和第二电极的表面和侧壁，以及第一电极和第二电极之间的钝化层刻蚀干净，在第一电极和第二电极完全裸露后继续将第一电极和第二电极之间的介质层过刻蚀，直到刻蚀至停止层。
S6：通过压焊块版光刻定义压焊块区域，并蚀刻钝化层打开压焊块54；所述打开压焊块的工艺为CMOS标准刻蚀工艺。显然地，也可以在S5步骤中同时打开压焊块54，略去S6步骤。
S7：通过旋涂工艺涂覆聚酰亚胺敏感膜7，经过光刻显影等工艺去除压焊块上的聚酰亚胺，保留第一电极，第二电极，第三电极等区域的聚酰亚胺，最后固化处理，完成湿度传感器的制作。所述固化后的湿度敏感材料厚度为1～6μm。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种MEMS湿度传感器，其特征在于，包括：
衬底、绝缘层、停止层、介质层、电极层、钝化层和敏感层；
所述绝缘层设置在衬底上，所述停止层设置在绝缘层上；
所述介质层设置在停止层上；
所述电极层设置在介质层上，所述电极层包括第一电极、第二电极和第三电极，所述第一电极和第二电极呈叉指状交错排列；所述第三电极通过所述介质层上的若干通孔与停止层形成互连；
所述钝化层设置在电极层的第三电极区域以及连接导线上。
2.根据权利要求1所述的MEMS湿度传感器，其特征在于，
所述衬底为硅晶圆、已加工好ASIC电路的硅衬底玻璃或陶瓷基底。
3.根据权利要求1所述的MEMS湿度传感器，其特征在于，
所述停止层为梳齿状排列的铝条，与传感单元的叉指层交错分布；或所述停止层为方块型的铝层，置于整个叉指层的下方。
4.根据权利要求1所述的MEMS湿度传感器，其特征在于，
所述介质层为二氧化硅、氮化硅或其复合物。
5.根据权利要求1所述的MEMS湿度传感器，其特征在于，
所述第三电极全包裹或半包裹第一电极和第二电极。
6.根据权利要求1所述的MEMS湿度传感器，其特征在于，
所述电极层的材料为以下材料中的一种或多种：铝、铝硅、铝铜；所述钝化层为二氧化硅、氮化硅或其复合物。
7.根据权利要求1所述的MEMS湿度传感器，其特征在于，
所述第一电极和第二电极的叉指宽度及其边间距为0.1～2μm。
8.根据权利要求1所述的MEMS湿度传感器，其特征在于，
所述敏感层设置在电极层上；所述敏感层的材料为以下材料中的一种或多种：聚酰亚胺、氮化铝、石墨烯。
9.一种MEMS湿度传感器的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：
准备硅晶圆，并在晶圆上淀积绝缘层；
在绝缘层上淀积停止层，进一步的，通过刻蚀定义停止层的区域以及形状；
在停止层上淀积介质层，并通过平坦化工艺将介质层平坦化，再通过刻蚀在介质层中定义若干通孔；
在介质层上淀积电极层，进一步地，通过刻蚀定义电极层的第一电极、第二电极、第三电极；
在电极层上淀积钝化层，进一步地，通过刻蚀完全去除第一电极和第二电极区域的钝化层，保留第三电极区域的部分钝化层，定义传感器芯片区域；
通过压焊块版光刻定义压焊块区域，并蚀刻钝化层打开压焊块；
涂覆湿度敏感材料，去除压焊块上的湿度敏感材料，保留第一电极、第二电极、第三电极区域的湿度敏感材料，最后固化处理，完成湿度传感器的制作。
10.根据权利要求9所述的MEMS湿度传感器的制造方法，其特征在于，
所述通过刻蚀完全去除第一电极和第二电极区域的钝化层，包括：
通过干法刻蚀技术刻蚀第一电极和第二电极区域的钝化层，将第一电极和第二电极的表面和侧壁，以及第一电极和第二电极之间的钝化层刻蚀干净，在第一电极和第二电极完全裸露后继续将第一电极和第二电极之间的介质层过刻蚀，直到刻蚀至停止层。
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| CN (1) | CN110118807A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112730537A (zh) * | 2020-12-22 | 2021-04-30 | 杭州未名信科科技有限公司 | 电容式氢气传感器及其制备方法 |
| CN112730529A (zh) * | 2020-12-22 | 2021-04-30 | 杭州未名信科科技有限公司 | 电阻式氢气传感器及其制备方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010113712A1 (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-07 | アルプス電気株式会社 | 容量型湿度センサ及びその製造方法 |
| CN101949878A (zh) * | 2010-09-03 | 2011-01-19 | 兰州交通大学 | 一种聚酰亚胺膜微型快速响应湿度传感元件及其制作方法 |
| CN105502282A (zh) * | 2015-11-30 | 2016-04-20 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种mems湿度传感器的制造方法 |
| US9753002B2 (en) * | 2014-07-22 | 2017-09-05 | Magnachip Semiconductor, Ltd. | Humidity sensor with void within interconnect and method of manufacturing the same |
| CN107144609A (zh) * | 2017-04-01 | 2017-09-08 | 上海申矽凌微电子科技有限公司 | 湿敏传感器的制造方法以及使用该方法制造的湿敏传感器 |
| CN108362408A (zh) * | 2018-03-08 | 2018-08-03 | 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 | 压力传感器及其制造方法 |
-
2019
- 2019-04-08 CN CN201910277818.0A patent/CN110118807A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010113712A1 (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-07 | アルプス電気株式会社 | 容量型湿度センサ及びその製造方法 |
| CN101949878A (zh) * | 2010-09-03 | 2011-01-19 | 兰州交通大学 | 一种聚酰亚胺膜微型快速响应湿度传感元件及其制作方法 |
| US9753002B2 (en) * | 2014-07-22 | 2017-09-05 | Magnachip Semiconductor, Ltd. | Humidity sensor with void within interconnect and method of manufacturing the same |
| CN105502282A (zh) * | 2015-11-30 | 2016-04-20 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种mems湿度传感器的制造方法 |
| CN107144609A (zh) * | 2017-04-01 | 2017-09-08 | 上海申矽凌微电子科技有限公司 | 湿敏传感器的制造方法以及使用该方法制造的湿敏传感器 |
| CN108362408A (zh) * | 2018-03-08 | 2018-08-03 | 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 | 压力传感器及其制造方法 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| 孙履厚: "《精细化工新材料与技术》", 30 April 1998, 中国石化出版社 * |
| 徐开先 等: "《传感器实用技术》", 31 December 2016, 国防工业出版社 * |
| 雷程 等: "基于纳米化聚酰亚胺材料的MEMS湿度传感器的研究", 《仪表技术与传感器》 * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112730537A (zh) * | 2020-12-22 | 2021-04-30 | 杭州未名信科科技有限公司 | 电容式氢气传感器及其制备方法 |
| CN112730529A (zh) * | 2020-12-22 | 2021-04-30 | 杭州未名信科科技有限公司 | 电阻式氢气传感器及其制备方法 |
| WO2022134494A1 (zh) * | 2020-12-22 | 2022-06-30 | 杭州未名信科科技有限公司 | 电容式氢气传感器及其制备方法 |
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