CN110109627A - 一种有效提升Nand闪存设备生产足容率的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种有效提升Nand闪存设备生产足容率的方法，包含以下步骤，S1：扫描Nand Flash，获取闪存芯片的BBT(bad block table)信息；S2：下载FTL（Flash Translation Layer，闪存转换层）到主控，同时写入Nand Flash；S3：FTL根据BBT信息进行系统初始化，将plane之间或者CE之间同位置的block捆绑组成super block；S4：进行逻辑空间分配，优先选择bad super block中掉单的block来当系统块来使用，其他good super block来当数据块使用；S5：保存系统信息到闪存芯片。本发明利用bad super block中掉单的good block来当系统块使用,充分利用了block资源，提升了利用率，同时减少了系统对good super block的损耗，从而有效提升了用户数据存储的可用容量，有效提升了闪存设备的生产足容率。

Description

一种有效提升Nand闪存设备生产足容率的方法
技术领域
本发明涉及采用闪存颗粒作为存储介质的嵌入式存储技术领域，具体的说涉及一种有效提升Nand闪存设备生产足容率的方法。
背景技术
Nand闪存由于其体积小、质量轻、抗震性强、噪声小、耐高温和低功耗等优点，已经广泛地应用在常见的电子产品中。Nand闪存一般包含一个或多个LUN（Logical units），一个CE控制一个或多个LUN，LUN是可以单独处理读写擦除命令和报告状态的个体，LUN由一个或多个Plane组成，Plane内是一系列的块block，擦除以block为单位，block内包含page，读写以page为单位。如图1所示为Nand 闪存的一种构造。
由于闪存生产工艺的特性，每一个闪存芯片都不可避免会有坏块（bad block）出现，所以在应用闪存到产品上面的时候，一般首先要获取到闪存芯片的BBT（bad blocktable）信息，BBT记录着闪存芯片的坏块分布情况。Nand闪存中的FTL（Flash TranslationLayer，闪存转换层）是一种与操作系统间对话的介质，由于存在FTL，因此操作系统可将闪存等产品作为一个磁盘驱动器，在闪存等产品上建立多个虚拟的数据块或者扇区用以存储及管理数据。FTL在运行的时候，会将plane之间或者CE之间同位置的block拼成一个superblock来使用，以提升性能，下表为2CE 2plane的闪存产品（本产品一个CE控制一个LUN）的一种BBT：
根据上面的BBT信息，由于CE0和CE1同位置的block会捆绑在一起构成一个superblock(SB)来使用，所以在super block的层面，super block 2，3，4都是属于坏块，后续不能够使用，这就导致产品损失一定比例的物理容量，随着CE数量的增多，这一影响将会非常明显。FTL初始化的时候，只能从super block1，5...这些good block里面申请一定数量的块出来供系统使用，这也损失一定数量的物理容量，由于每颗闪存芯片都是只有限定数量的block数，当坏块数加上FTL占用的block数超过一定的数量，就会导致剩下的block的数量不足，在这种情况下，如果达不到业界标称容量，厂商只能将32GB的产品降格成16GB的产品或者将16GB的产品降格成8GB的产品，以此类推，或者直接报错，影响生产足容比例，造成生产损失。
发明内容
针对现有技术中的不足，本发明要解决的技术问题在于提供了一种有效提升Nand闪存设备生产足容率的方法。
为解决上述技术问题，本发明通过以下方案来实现：一种有效提升Nand闪存设备生产足容率的方法，其特征在于，包含以下步骤：
S1：扫描Nand Flash，获取闪存芯片的BBT (bad block table)信息；
S2：下载FTL（Flash Translation Layer，闪存转换层）到主控，同时写入Nand Flash；
S3：FTL根据BBT信息进行系统初始化，将 plane之间或者CE之间同位置的block捆绑组成super block；
S4：进行逻辑空间分配，优先选择bad super block 中掉单的block来当系统块来使用，其他good super block来当数据块使用；
S5：保存系统信息到闪存芯片。
进一步的，所述步骤S1中Nand Flash的扫描为对Nand Flash存储产品的原始坏块和新增坏块扫描。
进一步的，所述步骤S3中的block捆绑组成super block适用于多CE的Nand Flash存储产品或单CE多plane的Nand Flash存储产品。
进一步的，所述步骤S4中掉单的block为good block，可正常使用，优先被系统占用；所述步骤S4中good super block为用户可用来储存数据的块。
相对于现有技术，本发明的有益效果是：利用 bad super block 中掉单的goodblock来当系统块使用,充分利用了block资源，提升了利用率，同时减少了系统对goodsuper block的损耗，从而有效提升了用户数据存储的可用容量，有效提升了闪存设备的生产足容率。
附图说明
图1为本发明背景技术中Nand 闪存的一种构造示意图；
图2为本发明的流程示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的优选实施例进行详细阐述，以使发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
实施例1
参照附图2，本发明的一种有效提升Nand闪存设备生产足容率的方法，包括以下步骤：
S1：对Nand Flash存储产品进行原始坏块和新增坏块扫描，获取到BBT(bad blocktable)信息；
S2：利用厂商专用开卡工具进行开卡，将FTL下载到主控，同时写入Nand Flash；
S3：FTL根据BBT信息进行系统初始化，将 CE之间同位置的block捆绑组成superblock；
S4：进行逻辑空间分配，本实施例的闪存产品为2CE 2plane的产品，其中一种BBT如下：
FTL系统初始化的时候，优先选择CE0 block4、CE1 block3、CE1 block4、CE0 block5、CE0 block6、CE1 block6 、CE0 Block8、CE1 block7、CE1 block8…等掉单的block来进行分配，虽然这些good block跟对应CE同位置的block组不成good super block，但是实际上它们是可以正常使用的，本发明的方法让系统占用这些掉单的资源，提升了利用率，同时减少了系统对good super block的损耗，从而有效提升用户可用容量。
S5：保存系统信息到闪存芯片。
实施例2
参照附图2，本发明的一种有效提升Nand闪存设备生产足容率的方法，包括以下步骤：
S1：对Nand Flash存储产品进行原始坏块和新增坏块扫描，获取到BBT(bad blocktable)信息；
S2：利用厂商专用开卡工具进行开卡，将FTL下载到主控，同时写入Nand Flash；
S3：FTL根据BBT信息进行系统初始化，将 plane之间同位置的block捆绑组成superblock；
S4：进行逻辑空间分配，本实施例的闪存产品为单CE 2plane的产品，其中一种BBT如下：
FTL系统初始化的时候，优先选择plane1 block4、plane0 block5、plane1 block8、plane0 block9…等掉单的block来进行分配，虽然这些good block跟对应plane同位置的block组不成good super block，但是实际上它们是可以正常使用的，本发明的方法让系统占用这些掉单的资源，提升了利用率，同时减少了系统对good super block的损耗，从而有效提升用户可用容量。
本发明利用 bad super block 中掉单的good block来当系统块使用,充分利用了block资源，提升了利用率，同时减少了系统对good super block的损耗，good superblock留作用户使用的储存容量，有效提升了闪存设备的生产足容率。
以上所述仅为本发明的优选实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (4)

1.一种有效提升Nand闪存设备生产足容率的方法，其特征在于，包含以下步骤：
S1：扫描Nand Flash，获取闪存芯片的BBT (bad block table)信息；
S2：下载FTL（Flash Translation Layer，闪存转换层）到主控，同时写入Nand Flash；
S3：FTL根据BBT信息进行系统初始化，将 plane之间或者CE之间同位置的block捆绑组成super block；
S4：进行逻辑空间分配，优先选择bad super block 中掉单的block来当系统块来使用，其他good super block来当数据块使用；
S5：保存系统信息到闪存芯片。
2.根据权利要求1所示的有效提升Nand闪存设备生产足容率的方法，其特征在于：所述步骤S1中Nand Flash的扫描为对Nand Flash存储产品的原始坏块和新增坏块扫描。
3.根据权利要求1所示的有效提升Nand闪存设备生产足容率的方法，其特征在于：所述步骤S3中的block捆绑组成super block适用于多CE的Nand Flash存储产品或单CE多plane的Nand Flash存储产品。
4.根据权利要求1所示的有效提升Nand闪存设备生产足容率的方法，其特征在于：所述步骤S4中掉单的block为good block，可正常使用，优先被系统占用；所述步骤S4中goodsuper block为用户可用来储存数据的块。
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