CN110086071A - 一种双波长激光可控输出方法及激光器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种双波长激光可控输出方法及激光器,所述激光器包括:全反镜、可变损耗调制器、单晶体泵浦模块、双波长偏振片、输出镜、激光电源和调Q电源,其中:所述全反镜、可变损耗调制器、单晶体泵浦模块、双波长偏振片和输出镜构成激光谐振腔,且沿着激光器光路方向依次顺序排列;所述激光电源与所述单晶体泵浦模块连接,用于为所述单晶体泵浦模块提供电源;所述激光电源具有波长选择功能,其与所述调Q电源连接,所述调Q电源与可变损耗调制器连接。本发明方案中采用单晶体泵浦模块,实现了双波长主动可控输出,可以大幅减小激光器体积,有利于提高激光器的便携性。
Description
技术领域
本发明涉及固体激光器领域,特别是一种双波长激光可控输出方法及激光器。
背景技术
双波长激光的可控输出在军用、民用、倍频和频等领域具有重要的应用前景,在激光通信、特征识别领域具有潜在的应用价值。现有技术关于双波长同时输出的技术方案,一般通过谐振腔镀膜,抑制强谱线激光,使激光器谐振腔内双波长损耗近似一致,从而实现双波长同时输出,由于现有技术是通过镀膜方式控制谐振腔损耗,一旦损耗确定下来,就无法再次改变输出激光的波长,因此难以实现可控双波长输出。目前还没有针对单晶体泵浦模块双波长激光可控输出的技术方案,然而在实际应用场景中,具有波长选择输出的激光器具有潜在的应用需求。
发明内容
为了解决上述现有技术中存在的技术问题,本发明提出一种双波长激光可控输出方法及激光器。
根据本发明的一方面,提出一种双波长激光可控输出激光器,所述激光器包括:全反镜、可变损耗调制器、单晶体泵浦模块、双波长偏振片、电光调Q模块、输出镜、激光电源和调Q电源,其中:
所述全反镜、可变损耗调制器、单晶体泵浦模块、双波长偏振片和输出镜构成激光谐振腔,且沿着所述激光器光路方向依次顺序排列;
所述激光电源与所述单晶体泵浦模块连接,用于为所述单晶体泵浦模块提供电源;
所述激光电源具有波长选择功能,其与所述调Q电源连接,所述调Q电源与可变损耗调制器连接,其中,所述激光电源和所述调Q电源为电控部分,所述激光电源产生的波长选择信号输入至调Q电源,所述调Q电源根据所述波长选择信号向可变损耗调制器施加电压。
可选地,所述全反镜是一个具有强增益激光部分透过和弱增益激光高反特性的镜片,或者所述全反镜是一个具有强谱线激光部分透过和弱谱线激光高反特性的镜片。
可选地,所述可变损耗调制器包括但不限于电光晶体和电极,通过改变所述电极的电压,可以改变所述电光晶体的折射率。
可选地,所述可变损耗调制器可以利用横向电光效应制成或使用纵向电光效应制成。
可选地,所述单晶体泵浦模块包括泵浦源和工作物质,所述泵浦源接收激光电源的功率后,产生的泵浦光照射到所述工作物质上,从而产生粒子数反转。
可选地,所述单晶体泵浦模块为端面泵浦模块或侧面泵浦模块,其中,所述端面泵浦模块是指所述泵浦源产生的泵浦光方向与激光器光路方向一致或平行,所述侧面泵浦模块是指所述泵浦源产生的泵浦光方向与激光器光路方向垂直。
可选地,所述激光器还包括电光调Q模块,所述电光调Q模块位于所述双波长偏振片和所述输出镜的中间,所述电光调Q模块与所述调Q电源连接,所述激光电源产生的波长选择信号输入至调Q电源,所述调Q电源根据所述波长选择信号分别向可变损耗调制器和电光调Q模块施加不同电压。
可选地,所述电光调Q模块包括但不限于电光晶体和电极,通过改变所述电极的电压,可以改变所述电光晶体的折射率。
根据本发明的另一方面,提出一种双波长激光可控输出方法,应用于如上所述的激光器中,所述方法包括:
激光电源进行第一预设波长选择,且将第一预设波长选择信号输入到调Q电源,所述调Q电源根据所述第一预设波长选择信号向可变损耗调制器输出高压直流信号;
所述激光电源对单晶体泵浦模块进行供电,输出第一预设波长激光;
所述激光电源进行第二预设波长选择,且将第二预设波长选择信号输入到所述调Q电源,所述调Q电源根据所述第二预设波长选择信号向所述可变损耗调制器输出高压直流信号;
所述激光电源对所述单晶体泵浦模块进行供电,输出第二预设波长激光;
周期性重复对所述激光电源进行第一预设波长和第二预设波长选择,得到双波长可控输出激光。
根据本发明的又一方面,提出一种双波长激光可控输出方法,应用于如上所述的激光器中,所述方法包括:
激光电源进行第一预设波长选择,且将第一预设波长选择信号输入到调Q电源,所述调Q电源根据所述第一预设波长选择信号分别向可变损耗调制器和电光调Q模块输出两路高压直流信号,其中,向所述可变损耗调制器施加的电压为第一电压,向所述电光调Q模块施加的电压为第二电压;
所述激光电源对单晶体泵浦模块进行供电,输出第一预设波长激光;
所述激光电源进行第二预设波长选择,且将第二预设波长选择信号输入到所述调Q电源,所述调Q电源根据所述第二预设波长选择信号分别向所述可变损耗调制器和所述电光调Q模块输出两路高压直流信号,其中,向所述可变损耗调制器施加的电压为第三电压,向所述电光调Q模块施加的电压为第四电压;
所述激光电源对所述单晶体泵浦模块进行供电,输出第二预设波长激光;
周期性重复对所述激光电源进行第一预设波长和第二预设波长选择,得到双波长可控输出激光。
本发明提出了一种双波长激光可控输出方法及激光器,本发明方案中采用单晶体泵浦模块,实现了双波长主动可控输出,可以大幅减小激光器体积,有利于提高激光器的便携性,由于可以进行波长选择,使得激光器具有更多的应用场景,从而拓宽了激光器的适用性。
附图说明
图1是根据本发明一实施例的双波长激光可控输出激光器的结构示意图;
图2是根据本发明一实施例的双波长激光可控输出方法的流程图;
图3是根据本发明另一实施例的双波长激光可控输出方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,以下结合具体实施例,并参照附图,对本发明进一步详细说明。
图1是根据本发明一实施例的双波长激光可控输出激光器的结构示意图,如图1所示,所述激光器包括:全反镜1、可变损耗调制器2、单晶体泵浦模块3、双波长偏振片4、输出镜6、激光电源7和调Q电源8,其中:
所述全反镜1、可变损耗调制器2、单晶体泵浦模块3、双波长偏振片4和输出镜6构成激光谐振腔,且沿着所述激光器光路方向依次顺序排列;
所述激光电源7与所述单晶体泵浦模块3连接,用于为所述单晶体泵浦模块3提供电源;
所述激光电源7具有波长选择功能,其与所述调Q电源8连接,所述调Q电源8与可变损耗调制器2连接,其中,所述激光电源7和所述调Q电源8为电控部分,所述激光电源7产生的波长选择信号输入至调Q电源8,所述调Q电源8根据所述波长选择信号向可变损耗调制器2施加电压。
本发明一实施方式中,所述全反镜1是平面镜或带有曲率的曲面镜,对激光具有反射的作用。
本发明一实施方式中,所述全反镜1是一个具有强增益激光部分透过和弱增益激光高反特性的镜片,或者所述全反镜1是一个具有强谱线激光部分透过和弱谱线激光高反特性的镜片。在本实施例中,激光器输出的双波长中,两个波长的谱线强弱是不一样的,如果不对强谱线激光进行抑制,就会增加谐振腔损耗,也就不能输出弱谱线激光。当可变损耗调制器2对强谱线激光抑制不够时,可采用全反镜1让强谱线激光部分透过的方式,来降低全反镜1对强谱线激光的反射率,进而通过进一步控制谐振腔损耗,来实现双波长激光的可控输出。
本发明一实施方式中,所述可变损耗调制器2包括但不限于电光晶体和电极,通过改变所述电极的电压,可以改变所述电光晶体的折射率。在本实施例中,可变损耗调制器2是利用双折射晶体电光效应原理实现的,由于双波长激光的波长不同,对应的电光晶体的晶压和折射率也不同,所述可变损耗调制器2与双波长偏振片4配合作用,可以实现不同晶压控制不同波长激光损耗的目的。
本发明一实施方式中,所述可变损耗调制器2可以利用横向电光效应制成或使用纵向电光效应制成。下面以横向电光效应为例进行解释说明可变损耗调制器2的工作原理:
某些各向同性的透明物质在电场作用下显示出光学各向异性,物质的折射率因外加电场而发生变化的现象为电光效应,利用电光效应可以制作得到电光调制器。在电光效应中,将两个光波产生的相位差为pi/2时晶体上所加的电压称为二分之一半波电压,第一波长激光的半波电压Vπ1和第二波长激光的半波电压Vπ2可由下式计算:
其中,λ1为第一波长,λ2为第二波长,n1为第一波长的折射率,n2为第二波长的折射率,γ为电光系数,d为电光晶体宽度,l为电光晶体长度。
当激光往返经过电光晶体后,经过双波长偏振片4后的透过率关系遵循下式:
其中,V为施加在电光晶体上的电压,T1和T2分别为第一波长激光和第二波长激光的透过率。
从上述公式可以看出,不同波长激光的半波电压不同,相同晶压下,第一波长激光和第二波长激光的透过率一般也是不同的。
在本发明一实施方式中,所述单晶体泵浦模块3包括泵浦源和工作物质,所述泵浦源接收激光电源7的功率后,产生的泵浦光照射到所述工作物质上,从而产生粒子数反转。
本发明一实施方式中,所述单晶体泵浦模块3为端面泵浦模块或侧面泵浦模块,其中,所述端面泵浦模块是指所述泵浦源产生的泵浦光方向与激光器光路方向一致或平行,所述侧面泵浦模块是指所述泵浦源产生的泵浦光方向与激光器光路方向垂直。
本发明一实施方式中,所述单晶体泵浦模块3为单端面泵浦模块或双端面泵浦模块。
在本发明一实施方式中,当所述单晶体泵浦模块3是侧面泵浦模块时,其可以是LD侧面泵浦模块或闪光灯泵浦模块,并且可以脉冲工作或者连续工作。
在本发明一实施方式中,所述双波长偏振片4具有P偏振光高透和S偏振光高反的特性,其可以是布儒斯特片,也可是格兰棱镜甚至是PBS分光棱镜,当选用格兰棱镜或者PBS分光棱镜时,其同光面需要镀高透膜。
在本发明一实施方式中,所述激光器还包括电光调Q模块5,所述电光调Q模块5位于所述双波长偏振片4和所述输出镜6的中间,所述电光调Q模块5与所述调Q电源8连接,所述激光电源7产生的波长选择信号输入至调Q电源8,所述调Q电源8根据所述波长选择信号分别向可变损耗调制器2和电光调Q模块5施加不同电压。
本发明一实施方式中,所述电光调Q模块5包括但不限于电光晶体和电极,通过改变所述电极的电压,可以改变所述电光晶体的折射率。在本实施例中,电光调Q模块5是利用双折射晶体电光效应原理实现的,由于双波长激光的波长不同,对应的电光晶体的晶压和折射率也不同,其与双波长偏振片4配合作用,可以实现不同晶压控制不同波长激光损耗的目的。
本发明一实施方式中,所述电光调Q模块5可以利用横向电光效应制成或使用纵向电光效应制成。
在本发明一实施方式中,所述输出镜6是具有激光部分透过的输出镜,用于不同波长激光的耦合输出。
本发明提出的双波长激光可控输出激光器是利用晶体的电光效应主动控制可变损耗衰减器2和调Q电源8的晶压,实现控制谐振腔第一波长激光和第二波长激光的损耗,然后采用单晶体泵浦模块通过泵浦功率补偿,实现双波长激光近似能量可控输出。在本发明中,双波长主动可控输出采用单晶体泵浦模块,可以大幅减小激光器体积,有利于提高激光器的便携性,由于可以进行波长选择,使得激光器具有更多的应用场景,从而增强了激光器的适用性。
在本发明一实施方式中,调Q电源8仅为可变损耗调制器2施加电压就获得双波长激光可控输出。为进一步提高双波长激光可控输出的技术效果,调Q电源8可以同时为可变损耗调制器2和电光调Q模块5施加电压。下面以调Q电源8可以同时为可变损耗调制器2和电光调Q模块5施加电压为例说明双波长激光可控输出激光器的具体工作原理。
当需要输出第一波长λ1(强谱线)激光时,激光电源7将第一波长λ1信号输入到调Q电源8中,通过调Q电源8,输出两路电压不同的高压直流信号,其中,可变损耗调制器2的电压为u1,电光调Q模块5的电压为U1,即可变损耗调制器2和电光调Q模块5处于不同的晶压状态,从而使谐振腔损耗处于适合输出第一波长λ1激光的损耗状态(即λ1激光损耗小)。可选地,u1为第一波长λ1可变损耗调制器2的半波电压或全波电压,U1为第一波长λ1电光调Q模块5的半波电压或全波电压。
泵浦源接收激光电源7的功率后,产生的泵浦光照射到工作物质上,从而产生粒子数反转形成种子信号光,种子信号光第一次经过双波长偏振片4后产生线偏振光,线偏振光第一次依次经过电光调Q模块5和输出镜6。经过输出镜6的反射后,线偏振光第二次经过电光调Q模块5,第一波长λ1线偏振光偏振方向和状态均不变,第一波长λ1线偏振光无损经过双波长偏振片4;第二波长λ2线偏振光变为部分偏振光,经过双波长偏振片4后,第二波长λ2部分偏振光发生损耗,即只有一部分第二波长λ2线偏振光经过双波长偏振片4。同理,透过双波长偏振片4的线偏振光(第一波长λ1,第二波长λ2)依次经过单晶体泵浦模块3、可变损耗调制器2和全反镜1,经过反射镜1的反射后,第二次经过可变损耗调制器2、单晶体泵浦模块3后,第一波长λ1线偏振光偏振方向和状态均不变,第一波长λ1线偏振光无损经过双波长偏振片4;第二波长λ2线偏振光变为部分偏振光,第二波长λ2部分偏振光发生损耗,即一部分第二波长λ2线偏振光经过双波长偏振片4。由此可见,第一波长λ1信号光在谐振腔往返过程中对应损耗小,而第二波长λ2信号光只能部分经过双波长偏振片4,对应的损耗很大。种子激光(第一波长λ1,第二波长λ2)在谐振腔中不断振荡,将第一波长λ1信号光放大并抑制第二波长λ2波长的激光产生,最终形成第一波长λ1激光。
在下一时刻,当需要输出第二波长λ2激光时,激光电源7将第二波长λ2信号输入到调Q电源8,通过调Q电源8内路模块,输出两路电压不同的高压直流信号,其中,可变损耗调制器2的电压为u2,电光调Q模块5的电压为U2,即可变损耗调制器2和电光调Q模块5处于不同的晶压状态,从而使谐振腔损耗处于适合输出第二波长λ2激光的损耗状态(即λ1激光损耗大,λ2激光损耗小)。可选地,u2为第一波长λ2可变损耗调制器2的半波电压或全波电压,其中U2为第一波长λ1电光调Q模块5的半波电压或全波电压。
泵浦源接收激光电源7的功率后,产生的泵浦光照射到工作物质上,从而产生粒子数反转形成种子信号光,经过谐振腔的往返,与第一波长λ1激光产生方法完全相同,不同的是此时的谐振腔抑制第一波长λ1激光的产生,种子激光(第一波长λ1,第二波长λ2)在谐振腔中不断振荡,将λ2信号光放大并抑制第一波长λ1的激光产生,最终形成第二波长λ2激光。
如此往复下去,即能获得双波长激光可控输出。
本发明一实施方式中,在形成第一波长λ1激光时,当调Q电源8给电光调Q模块5施加的电压为U1大小为λ1/4时,第一波长λ1激光往返经过电光调Q模块5之后的激光偏振方向与激光入射偏振方向垂直,此时不能经过双波长偏振片4,当单晶体泵浦模块3的激光增益增大直到第一预设增益值,此时调Q电源8停止给电光调Q模块5输出电压,谐振腔处于低损耗状态,输出第一波长λ1激光。在形成第二波长λ2激光时,当调Q电源8给电光调Q模块5施加的电压为U2大小为λ2/4时,第二波长λ2激光往返经过电光调Q模块5之后的激光偏振方向与激光入射偏振方向垂直,此时不能经过双波长偏振片4,当单晶体泵浦模块3的激光增益增大直到第二预设增益值,此时调Q电源8停止给电光调Q模块5输出电压,谐振腔处于低损耗状态,输出第二波长λ2激光。
本发明一实施方式中,所述第一预设增益值可以为所述单晶体泵浦模块3工作第一预设时间间隔之后的激光增益值,优选地,第一预设增益值可以为第一波长λ1激光增益最大值,第一波长λ1激光增益最大值可以根据历史数据获得;第一波长λ1激光增益最大值还可以通过观察第一波长λ1激光峰值功率获得,当第一波长λ1激光峰值功率不再增加时的增益值为第一波长λ1激光增益最大值。
本发明一实施方式中,所述第二预设增益值可以为所述单晶体泵浦模块3工作第二预设时间间隔之后的激光增益值,优选地,第二预设增益值可以为第二波长λ2激光增益最大值,第二波长λ2激光增益最大值可以根据历史数据获得;第二波长λ2激光增益最大值还可以通过观察第二波长λ2激光峰值功率获得,当第二波长λ2激光峰值功率不再增加时的增益值为第二波长λ2激光增益最大值。
本发明一实施方式中,所述第一预设增益值可以与所述第二预设增益值相同或者不相同,可以根据发明具体需要设定,在此不做具体限定。
根据本发明的另一方面,还提出一种双波长激光可控输出方法,图2是根据本发明一实施例的双波长激光可控输出方法的流程图,如图2所示,所述方法包括步骤S201-S205:
在步骤S201中,激光电源7进行第一预设波长选择,且将第一预设波长选择信号输入到调Q电源8,所述调Q电源8根据所述第一预设波长选择信号向可变损耗调制器2输出高压直流信号;
在步骤S202中,激光电源7对单晶体泵浦模块3进行供电,输出第一预设波长激光;
在步骤S203中,激光电源7进行第二预设波长选择,且将第二预设波长选择信号输入到调Q电源8,所述调Q电源8根据所述第二预设波长选择信号向可变损耗调制器2输出高压直流信号;
在步骤S204中,激光电源7对单晶体泵浦模块3进行供电,输出第二预设波长激光;
在步骤S205中,周期性重复对激光电源7进行第一预设波长和第二预设波长选择,得到双波长可控输出激光。
图3是根据本发明另一实施例的双波长激光可控输出方法的流程图,如图3所示,所述方法包括步骤S301-S305:
在步骤S301中,激光电源7进行第一预设波长选择,且将第一预设波长选择信号输入到调Q电源8,所述调Q电源8根据所述第一预设波长选择信号分别向可变损耗调制器2和电光调Q模块5输出两路高压直流信号,其中,向可变损耗调制器2施加的电压为第一电压,向电光调Q模块5施加的电压为第二电压;
在步骤S302中,激光电源7对单晶体泵浦模块3进行供电,输出第一预设波长激光;
在步骤S303中,激光电源7进行第二预设波长选择,且将第二预设波长选择信号输入到调Q电源8,所述调Q电源8根据所述第二预设波长选择信号分别向可变损耗调制器2和电光调Q模块5输出两路高压直流信号,其中,向可变损耗调制器2施加的电压为第三电压,向电光调Q模块5施加的电压为第四电压;
在步骤S304中,激光电源7对单晶体泵浦模块3进行供电,输出第二预设波长激光;
在步骤S305中,周期性重复对激光电源7进行第一预设波长和第二预设波长选择,得到双波长可控输出激光。
本发明一实施方式中,在形成第一波长λ1激光时,当调Q电源8给电光调Q模块5施加的电压为U1大小为λ1/4时,第一波长λ1激光往返经过电光调Q模块5之后的激光偏振方向与激光入射偏振方向垂直,此时不能经过双波长偏振片4,当单晶体泵浦模块3的激光增益增大直到第一预设增益值,此时调Q电源8停止给电光调Q模块5输出电压,谐振腔处于低损耗状态,输出第一波长λ1激光。在形成第二波长λ2激光时,当调Q电源8给电光调Q模块5施加的电压为U2大小为λ2/4时,第二波长λ2激光往返经过电光调Q模块5之后的激光偏振方向与激光入射偏振方向垂直,此时不能经过双波长偏振片4,当单晶体泵浦模块3的激光增益增大直到第二预设增益值,此时调Q电源8停止给电光调Q模块5输出电压,谐振腔处于低损耗状态,输出第二波长λ2激光。
本发明一实施方式中,所述第一预设增益值可以为所述单晶体泵浦模块3工作第一预设时间间隔之后的激光增益值,优选地,第一预设增益值可以为第一波长λ1激光增益最大值,第一波长λ1激光增益最大值可以根据历史数据获得;第一波长λ1激光增益最大值还可以通过观察第一波长λ1激光峰值功率获得,当第一波长λ1激光峰值功率不再增加时的增益值为第一波长λ1激光增益最大值。
本发明一实施方式中,所述第二预设增益值可以为所述单晶体泵浦模块3工作第二预设时间间隔之后的激光增益值,优选地,第二预设增益值可以为第二波长λ2激光增益最大值,第二波长λ2激光增益最大值可以根据历史数据获得;第二波长λ2激光增益最大值还可以通过观察第二波长λ2激光峰值功率获得,当第二波长λ2激光峰值功率不再增加时的增益值为第二波长λ2激光增益最大值。
本发明一实施方式中,所述第一预设增益值可以与所述第二预设增益值相同或者不相同,可以根据发明具体需要设定,在此不做具体限定。
以上所述的具体实施例,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种双波长激光可控输出激光器,其特征在于,所述激光器包括:全反镜、可变损耗调制器、单晶体泵浦模块、双波长偏振片、输出镜、激光电源和调Q电源,其中:
所述全反镜、可变损耗调制器、单晶体泵浦模块、双波长偏振片和输出镜构成激光谐振腔,且沿着所述激光器光路方向依次顺序排列;
所述激光电源与所述单晶体泵浦模块连接,用于为所述单晶体泵浦模块提供电源;
所述激光电源具有波长选择功能,其与所述调Q电源连接,所述调Q电源与可变损耗调制器连接,其中,所述激光电源和所述调Q电源为电控部分,所述激光电源产生的波长选择信号输入至调Q电源,所述调Q电源根据所述波长选择信号向可变损耗调制器施加电压。
2.根据权利要求1所述的激光器,其特征在于,所述全反镜是一个具有强增益激光部分透过和弱增益激光高反特性的镜片,或者所述全反镜是一个具有强谱线激光部分透过和弱谱线激光高反特性的镜片。
3.根据权利要求1所述的激光器,其特征在于,所述可变损耗调制器包括但不限于电光晶体和电极,通过改变所述电极的电压,可以改变所述电光晶体的折射率。
4.根据权利要求3所述的激光器,其特征在于,所述可变损耗调制器利用横向电光效应制成或使用纵向电光效应制成。
5.根据权利要求1所述的激光器,其特征在于,所述单晶体泵浦模块包括泵浦源和工作物质,所述泵浦源接收激光电源的功率后,产生的泵浦光照射到所述工作物质上,从而产生粒子数反转。
6.根据权利要求5所述的激光器,其特征在于,所述单晶体泵浦模块为端面泵浦模块或侧面泵浦模块,其中,所述端面泵浦模块是指所述泵浦源产生的泵浦光方向与激光器光路方向一致或平行,所述侧面泵浦模块是指所述泵浦源产生的泵浦光方向与激光器光路方向垂直。
7.根据权利要求1所述的激光器,其特征在于,所述激光器还包括电光调Q模块,所述电光调Q模块位于所述双波长偏振片和所述输出镜的中间,所述电光调Q模块与所述调Q电源连接,所述激光电源产生的波长选择信号输入至调Q电源,所述调Q电源根据所述波长选择信号分别向可变损耗调制器和电光调Q模块施加不同电压。
8.根据权利要求7所述的激光器,其特征在于,所述电光调Q模块包括但不限于电光晶体和电极,通过改变所述电极的电压,可以改变所述电光晶体的折射率。
9.一种双波长激光可控输出方法,应用于如权利要求1-8任一项所述的激光器中,其特征在于,所述方法包括:
激光电源进行第一预设波长选择,且将第一预设波长选择信号输入到调Q电源,所述调Q电源根据所述第一预设波长选择信号向可变损耗调制器输出高压直流信号;
所述激光电源对单晶体泵浦模块进行供电,输出第一预设波长激光;
所述激光电源进行第二预设波长选择,且将第二预设波长选择信号输入到所述调Q电源,所述调Q电源根据所述第二预设波长选择信号向所述可变损耗调制器输出高压直流信号;
所述激光电源对所述单晶体泵浦模块进行供电,输出第二预设波长激光;
周期性重复对所述激光电源进行第一预设波长和第二预设波长选择,得到双波长可控输出激光。
10.一种双波长激光可控输出方法,应用于如权利要求7-8任一项所述的激光器中,其特征在于,所述方法包括:
激光电源进行第一预设波长选择,且将第一预设波长选择信号输入到调Q电源,所述调Q电源根据所述第一预设波长选择信号分别向可变损耗调制器和电光调Q模块输出两路高压直流信号,其中,向所述可变损耗调制器施加的电压为第一电压,向所述电光调Q模块施加的电压为第二电压;
所述激光电源对单晶体泵浦模块进行供电,输出第一预设波长激光;
所述激光电源进行第二预设波长选择,且将第二预设波长选择信号输入到所述调Q电源,所述调Q电源根据所述第二预设波长选择信号分别向所述可变损耗调制器和所述电光调Q模块输出两路高压直流信号,其中,向所述可变损耗调制器施加的电压为第三电压,向所述电光调Q模块施加的电压为第四电压;
所述激光电源对所述单晶体泵浦模块进行供电,输出第二预设波长激光;
周期性重复对所述激光电源进行第一预设波长和第二预设波长选择,得到双波长可控输出激光。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910441005.0A CN110086071A (zh) | 2019-05-24 | 2019-05-24 | 一种双波长激光可控输出方法及激光器 |
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---|---|
CN110086071A true CN110086071A (zh) | 2019-08-02 |
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Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN110086071A (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112290360A (zh) * | 2020-10-28 | 2021-01-29 | 中国人民解放军陆军工程大学 | 一种双波长自由控制输出激光器 |
CN117374723A (zh) * | 2023-11-27 | 2024-01-09 | 重庆师范大学 | 基于双泵浦的外腔半导体自锁模激光器的脉冲调制系统 |
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2019
- 2019-05-24 CN CN201910441005.0A patent/CN110086071A/zh active Pending
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