CN110084350B - 一种双频柔性超高频rfid抗金属标签 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种双频柔性超高频RFID抗金属标签，包括第一基板、第二基板、第三基板、柔性介质板、天线辐射单元、天线反射单元、短路单元和射频芯片，第一基板、第二基板和第三基板三者之间围成一个内腔，柔性介质板位于内腔内，天线辐射单元和射频芯片设置在第一基板的上表面，射频芯片与天线辐射单元连接，天线反射单元设置在第二基板的下表面，短路单元设置在第三基板的左端面上，短路单元分别与天线辐射单元和天线反射单元连接，天线辐射单元上设置一个延伸到其右端的开路槽，开路槽用于使天线辐射单元表面电流方向随频率发生变化，从而产生两个临近的工作频段；优点是在尺寸较小，性能较高的基础上，具有两个工作频段，适用范围广。

Description

一种双频柔性超高频RFID抗金属标签

技术领域

本发明涉及一种抗金属标签，尤其是涉及一种双频柔性超高频RFID抗金属标签。

背景技术

传统RFID技术在某种意义上可以被认为是一种基于标签的、用于识别目标的传感器技术。随着RFID技术的飞速发展，应用领域越来越广，在一些应用领域中，需要在金属环境中使用电子标签。

由于射频信号是电磁信号，而金属对电磁信号有吸附和反射作用，使得一般电子标签不能附着于金属表面使用。在这种环境下诞生了抗金属标签，其工作原理主要是靠与金属隔离的介质(提高金属表面和标签天线的距离)，同时把金属当做反射面，提高标签在金属上的特性。现在市面上的抗金属标签主要有PCB抗金属标签、陶瓷抗金属标签、抗金属硬标签和柔性抗金属标签等。柔性抗金属标签不仅可以应用在平整的金属表面上，而且在曲面金属应用环境下也可以表现出优异的性能，得到了广泛的应用。

目前随着应用的深入，在要求抗金属标签尺寸更小、性能更好的同时，也要适应不同国家和地区RFID系统的频段要求。超高频RFID抗金属标签是目前应用比较广泛的一种RFID抗金属标签。，但是，在欧洲地区，RFID系统的可用频段范围为865MHz-868MHz，而在北美地区RFID系统的可用频段范围为902MHz-928MHz。在这种情况下，具有单工作频段的超高频RFID抗金属标签的使用受到了越来越多的限制。

公开号为CN207517048U的中国专利中提出的一种柔性RFID抗金属标签，该柔性RFID抗金属标签包括保护层、RFID标签层、柔性介质层和标签固定层，其中RFID标签层包括尺寸相同且相邻设置的两个长方形槽,两个长方形槽共用的一条边的中点处开了一个缝隙作为激励端口,用来放置RFID芯片。该柔性RFID抗金属标签虽然尺寸较小，成本较低，有利于大批量生产，但是其内RFID标签层中的两个长方形槽等效于偶极子天线的两个辐射端，由此该柔性RFID抗金属标签在超高频条件下只具有单工作频段，可应用的地区范围小。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种在尺寸较小，性能较高的基础上，具有两个工作频段，适用范围广的双频柔性超高频RFID抗金属标签。

本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为：一种双频柔性超高频RFID抗金属标签，包括第一基板、第二基板、第三基板、柔性介质板、天线辐射单元、天线反射单元、短路单元和射频芯片，所述的第一基板、所述的第二基板、所述的第三基板和所述的柔性介质板均为长方形结构，所述的第一基板的长边长度等于所述的第二基板的长边长度，所述的第一基板的宽边长度等于所述的第二基板的宽边长度，所述的第一基板和所述的第二基板上下间隔设置，且两者的四条边一一对应上下对齐，所述的第三基板分别垂直于所述的第一基板和所述的第二基板，所述的第三基板的上端与所述的第一基板的下端一体成型连接，所述的第三基板的下端与所述的第二基板的上端一体成型连接，所述的第一基板、所述的第二基板和所述的第三基板的左端位于同一平面，所述的第一基板、所述的第二基板和所述的第三基板三者之间围成一个内腔，所述的柔性介质板位于所述的内腔中，且所述的柔性介质板的上表面与所述的第一基板的下表面贴合固定连接，所述的柔性介质板的下表面与所述的第二基板的上表面贴合固定连接，所述的柔性介质板的左端面与所述的第三基板的右端面贴合固定连接，所述的第一基板、所述的第二基板、所述的第三基板和所述的柔性介质板的前端面位于同一平面，所述的第一基板、所述的第二基板、所述的第三基板和所述的柔性介质板的后端面位于同一平面，所述的第一基板、所述的第二基板和所述的柔性介质板的右端面位于同一平面，所述的天线辐射单元和所述的射频芯片设置在第一基板的上表面，所述的射频芯片与所述的天线辐射单元连接，所述的天线反射单元设置在所述的第二基板的下表面，所述的短路单元设置在所述的第三基板的左端面上，所述的短路单元分别与所述的天线辐射单元和所述的天线反射单元连接，所述的短路单元用于使所述的天线辐射单元和所述的天线反射单元之间呈短路状态,所述的天线辐射单元上设置一个延伸到其右端的开路槽，所述的开路槽用于使所述的天线辐射单元表面电流方向随频率发生变化，从而产生两个临近的工作频段。

所述的天线辐射单元包括附着在所述的第一基板上表面的第一金属层，所述的第一金属层的前端面与所述的第一基板的前端面位于同一平面，所述的第一金属层的后端面与所述的第一基板的后端面位于同一平面，所述的第一金属层的左端面与所述的第一基板的左端面位于同一平面，所述的第一金属层的右端面与所述的第一基板的右端面位于同一平面；所述的第一金属层上开设有第一矩形槽、第二矩形槽、第三矩形槽、第四矩形槽、第五矩形槽、第六矩形槽、第七矩形槽、第八矩形槽和第九矩形槽，所述的第一基板的上表面分别在所述的第一矩形槽、所述的第二矩形槽、所述的第三矩形槽、所述的第四矩形槽、所述的第五矩形槽、所述的第六矩形槽、所述的第七矩形槽、所述的第八矩形槽和所述的第九矩形槽处暴露出来；将所述的第一基板的长边长度记为L，L＝75.05mm,所述的第一基板的宽边长度记为D,D＝26.6mm；所述的第一矩形槽的长边平行于所述的第一基板的长边，所述的第一矩形槽的右端面与所述的第一金属层的右端面位于同一平面，所述的第一矩形槽的长边长度为70.05mm，所述的第一矩形槽的宽边长度1mm，所述的第一矩形槽的前端面所在平面与所述的第一金属层的前端面所在平面之间的距离为1.3mm，所述的第一矩形槽即为所述的开路槽；所述的第二矩形槽的长边平行于所述的第一基板的宽边，所述的第二矩形槽的长边长度为22mm，所述的第二矩形槽的宽边长度为1mm，所述的第二矩形槽的前端面与所述的第一矩形槽的后端面连接，所述的第二矩形槽的左端面与所述的第一矩形槽的左端面位于同一平面；所述的第三矩形槽的长边平行于所述的第一基板的长边，所述的第三矩形槽的长边长度为33.55mm，所述的第三矩形槽的宽边长度为1mm，所述的第三矩形槽的前端面与所述的第二矩形槽的后端面连接，所述的第三矩形槽的左端面与所述的第二矩形槽的左端面位于同一平面；所述的第四矩形槽的长边平行于所述的第一基板的宽边，所述的第四矩形槽的长边长度为15mm，所述的第四矩形槽的宽边长度为1mm，所述的第四矩形槽的后端面与所述的第三矩形槽的前端面连接，所述的第四矩形槽的右端面与所述的第三矩形槽的右端面位于同一平面；所述的第五矩形槽的长边平行于所述的第一基板的长边，所述的第五矩形槽的长边长度为6.2mm，所述的第五矩形槽的宽边长度为1mm，所述的第五矩形槽的后端面与所述的第四矩形槽的前端面连接；所述的第五矩形槽的右端面与所述的第四矩形槽的右端面位于同一平面；所述的第六矩形槽位于所述的第四矩形槽的右侧，所述的第六矩形槽的长边平行于所述的第一基板的宽边，所述的第六矩形槽的长边长度为12.3mm，所述的第六矩形槽的宽边长度为3.28mm，所述的第六矩形槽的前端面与所述的第一矩形槽的后端面连接，所述的第六矩形槽的左端面所在平面与所述的第五矩形槽的右端面所在平面之间的距离为0.72mm；所述的第七矩形槽位于所述的第六矩形槽的右侧，所述的第七矩形槽的长边平行于所述的第一基板的宽边，所述的第七矩形槽的长边长度为24mm，所述的第七矩形槽的宽边长度为1mm，所述的第七矩形槽的前端面与所述的第一矩形槽的后端面连接，所述的第七矩形槽的左端面所在平面与所述的第六矩形槽的右端面所在平面之间的距离为19mm；所述的第八矩形槽位于所述的第六矩形槽的后侧，所述的第八矩形槽的长边平行于所述的第一基板的宽边，所述的第八矩形槽的长边长度为1.4mm，所述的第八矩形槽的宽边长度为0.16mm，所述的第八矩形槽的前端面与所述的第六矩形槽的后端面连接，所述的第八矩形槽前后方向的中线所在直线与所述的第六矩形槽前后方向的中线所在直线重合；所述的射频芯片设置在所述的第八矩形槽内；所述的第九矩形槽位于所述的第八矩形槽的后侧，所述的第九矩形槽的长边平行于所述的第一基板的宽边，所述的第九矩形槽的长边长度为5.3mm，所述的第九矩形槽的宽边长度为3.28mm，所述的第九矩形槽的前端面与所述的第八矩形槽的后端面连接，所述的第九矩形槽前后方向的中线所在直线与所述的第八矩形槽前后方向的中线所在直线重合。该结构中，开路槽由右端延伸至第一金属层的右端面的第一矩形槽形成，开路槽使天线辐射单元表面电流方向随频率发生变化，从而产生两个临近的工作频段，第七矩形槽作为阻抗调谐元件，在两个不同的工作频段处调节柔性RFID抗金属标签的阻抗，从而解决柔性RFID抗金属标签和芯片在两个工作频段时的阻抗共轭匹配问题。

所述的第一金属层的厚度为0.009mm。

所述的天线反射单元包括附着在所述的第二基板下表面的第二金属层，所述的第二金属层的前端面与所述的第二基板的前端面位于同一平面，所述的第二金属层的后端面与所述的第二基板的后端面位于同一平面，所述的第二金属层的左端面与所述的第二基板的左端面位于同一平面，所述的第二金属层的右端面与所述的第二基板的右端面位于同一平面。

所述的第二金属层的厚度为0.009mm。

所述的短路单元包括附着在所述的第三基板左端面上的第三金属层，所述的第三金属层为矩形，所述的第三金属层的前端面所在平面平行于所述的第三基板的前端面所在平面，所述的第三金属层的前端面所在平面与所述的第三基板的后端面所在平面之间的距离为25.3mm，所述的第三金属层的前端面所在平面与其后端面所在平面之间的距离为1mm，所述的第三金属层的上端面与所述的第一金属层的左端面连接，所述的第三金属层的下端面与所述的第二金属层的左端面连接。该结构中，短路单元采用附着在第三基板左端面上的第三金属层来实现，通过第三金属层将天线辐射单元和天线反射单元连接，进一步减少本发明的柔性RFID抗金属标签尺寸，实现小型化。

所述的第三金属层的厚度为0.009mm。

所述的第一基板、所述的第二基板和所述的第三基板的材料均为PET，所述的柔性介质层的材料为泡棉。

所述的第一基板、所述的第二基板和所述的第三基板的厚度均为0.05mm，所述的柔性介质层的厚度为3.18mm。

与现有技术相比，本发明的优点在于通过第一基板、第二基板、第三基板、柔性介质板、天线辐射单元、天线反射单元、短路单元和射频芯片构成双频柔性超高频RFID抗金属标签，第一基板、第二基板、第三基板和柔性介质板均为长方形结构，第一基板的长边长度等于第二基板的长边长度，第一基板的宽边长度等于第二基板的宽边长度，第一基板和第二基板上下间隔设置，且两者的四条边一一对应上下对齐，第三基板分别垂直于第一基板和第二基板，第三基板的上端与第一基板的下端一体成型连接，第三基板的下端与第二基板的上端一体成型连接，第一基板、第二基板和第三基板的左端位于同一平面，第一基板、第二基板和第三基板三者之间围成一个内腔，柔性介质板位于内腔中，且柔性介质板的上表面与第一基板的下表面贴合固定连接，柔性介质板的下表面与第二基板的上表面贴合固定连接，柔性介质板的左端面与第三基板的右端面贴合固定连接，第一基板、第二基板、第三基板和柔性介质板的前端面位于同一平面，第一基板、第二基板、第三基板和柔性介质板的后端面位于同一平面，第一基板、第二基板和柔性介质板的右端面位于同一平面，天线辐射单元和射频芯片设置在第一基板的上表面，射频芯片与天线辐射单元连接，天线反射单元设置在第二基板的下表面，短路单元设置在第三基板的左端面上，短路单元分别与天线辐射单元和天线反射单元连接，短路单元用于使天线辐射单元和天线反射单元之间呈短路状态,天线辐射单元上设置一个延伸到其右端的开路槽，开路槽用于使天线辐射单元表面电流方向随频率发生变化，从而产生两个临近的工作频段，由此本发明在尺寸较小，性能较高的基础上，具有两个工作频段(865MHz-868MHz以及902MHz-928MHz)，适用范围广；仿真结构显示，本发明在两个工作频段的最大增益分别为3.9dBi和-0.75dBi,性能较高，阅读距离较远。

附图说明

图1为本发明的双频柔性超高频RFID抗金属标签的侧视图；

图2为本发明的双频柔性超高频RFID抗金属标签的天线辐射单元、天线反射单元和短路单元的展开状态的连接图；

图3为本发明的双频柔性超高频RFID抗金属标签的天线辐射单元的放大图；

图4为本发明的双频柔性超高频RFID抗金属标签的在867MHz工作频点的辐射增益仿真图；

图5为本发明的双频柔性超高频RFID抗金属标签的在920MHz工作频点的辐射增益仿真图。

具体实施方式

以下结合附图实施例对本发明作进一步详细描述。

实施例：如图所示，一种双频柔性超高频RFID抗金属标签，包括第一基板1、第二基板2、第三基板3、柔性介质板4、天线辐射单元5、天线反射单元6、短路单元7和射频芯片8，第一基板1、第二基板2、第三基板3和柔性介质板4均为长方形结构，第一基板1的长边长度等于第二基板2的长边长度，第一基板1的宽边长度等于第二基板2的宽边长度，第一基板1和第二基板2上下间隔设置，且两者的四条边一一对应上下对齐，第三基板3分别垂直于第一基板1和第二基板2，第三基板3的上端与第一基板1的下端一体成型连接，第三基板3的下端与第二基板2的上端一体成型连接，第一基板1、第二基板2和第三基板3的左端位于同一平面，第一基板1、第二基板2和第三基板3三者之间围成一个内腔，柔性介质板4位于内腔中，且柔性介质板4的上表面与第一基板1的下表面贴合固定连接，柔性介质板4的下表面与第二基板2的上表面贴合固定连接，柔性介质板4的左端面与第三基板3的右端面贴合固定连接，第一基板1、第二基板2、第三基板3和柔性介质板4的前端面位于同一平面，第一基板1、第二基板2、第三基板3和柔性介质板4的后端面位于同一平面，第一基板1、第二基板2和柔性介质板4的右端面位于同一平面，天线辐射单元5和射频芯片8设置在第一基板1的上表面，射频芯片8与天线辐射单元5连接，天线反射单元6设置在第二基板2的下表面，短路单元7设置在第三基板3的左端面上，短路单元7分别与天线辐射单元5和天线反射单元6连接，短路单元7用于使天线辐射单元5和天线反射单元6之间呈短路状态,天线辐射单元5上设置一个延伸到其右端的开路槽，开路槽用于使天线辐射单元5表面电流方向随频率发生变化，从而产生两个临近的工作频段。

本实施例中，天线辐射单元5包括附着在第一基板1上表面的第一金属层9，第一金属层9的前端面与第一基板1的前端面位于同一平面，第一金属层9的后端面与第一基板1的后端面位于同一平面，第一金属层9的左端面与第一基板1的左端面位于同一平面，第一金属层9的右端面与第一基板1的右端面位于同一平面；第一金属层9上开设有第一矩形槽10、第二矩形槽11、第三矩形槽12、第四矩形槽13、第五矩形槽14、第六矩形槽15、第七矩形槽16、第八矩形槽17和第九矩形槽18，第一基板1的上表面分别在第一矩形槽10、第二矩形槽11、第三矩形槽12、第四矩形槽13、第五矩形槽14、第六矩形槽15、第七矩形槽16、第八矩形槽17和第九矩形槽18处暴露出来；将第一基板1的长边长度记为L，L＝75.5mm,第一基板1的宽边长度记为D,D＝26.6mm；第一矩形槽10的长边平行于第一基板1的长边，第一矩形槽10的右端面与第一金属层9的右端面位于同一平面，第一矩形槽10的长边长度为70.5mm，第一矩形槽10的宽边长度1mm，第一矩形槽10的前端面所在平面与第一金属层9的前端面所在平面之间的距离为1.3mm，第一矩形槽10即为开路槽；第二矩形槽11的长边平行于第一基板1的宽边，第二矩形槽11的长边长度为22mm，第二矩形槽11的宽边长度为1mm，第二矩形槽11的前端面与第一矩形槽10的后端面连接，第二矩形槽11的左端面与第一矩形槽10的左端面位于同一平面；第三矩形槽12的长边平行于第一基板1的长边，第三矩形槽12的长边长度为34mm，第三矩形槽12的宽边长度为1mm，第三矩形槽12的前端面与第二矩形槽11的后端面连接，第三矩形槽12的左端面与第二矩形槽11的左端面位于同一平面；第四矩形槽13的长边平行于第一基板1的宽边，第四矩形槽13的长边长度为14mm，第四矩形槽13的宽边长度为1mm，第四矩形槽13的后端面与第三矩形槽12的前端面连接，第四矩形槽13的右端面与第三矩形槽12的右端面位于同一平面；第五矩形槽14的长边平行于第一基板1的长边，第五矩形槽14的长边长度为11.5mm，第五矩形槽14的宽边长度为1mm，第五矩形槽14的后端面与第四矩形槽13的前端面连接；第五矩形槽14的右端面与第四矩形槽13的右端面位于同一平面；第六矩形槽15位于第四矩形槽13的右侧，第六矩形槽15的长边平行于第一基板1的宽边，第六矩形槽15的长边长度为12.3mm，第六矩形槽15的宽边长度为2.98mm，第六矩形槽15的前端面与第一矩形槽10的后端面连接，第六矩形槽15的左端面所在平面与第五矩形槽14的右端面所在平面之间的距离为1mm；第七矩形槽16位于第六矩形槽15的右侧，第七矩形槽16的长边平行于第一基板1的宽边，第七矩形槽16的长边长度为22.5mm，第七矩形槽16的宽边长度为1mm，第七矩形槽16的前端面与第一矩形槽10的后端面连接，第七矩形槽16的左端面所在平面与第六矩形槽15的右端面所在平面之间的距离为8mm；第八矩形槽17位于第六矩形槽15的后侧，第八矩形槽17的长边平行于第一基板1的宽边，第八矩形槽17的长边长度为1.4mm，第八矩形槽17的宽边长度为0.16mm，第八矩形槽17的前端面与第六矩形槽15的后端面连接，第八矩形槽17前后方向的中线所在直线与第六矩形槽15前后方向的中线所在直线重合；射频芯片8设置在第八矩形槽17内；第九矩形槽18位于第八矩形槽17的后侧，第九矩形槽18的长边平行于第一基板1的宽边，第九矩形槽18的长边长度为5.3mm，第九矩形槽18的宽边长度为2.98mm，第九矩形槽18的前端面与第八矩形槽17的后端面连接，第九矩形槽18前后方向的中线所在直线与第八矩形槽17前后方向的中线所在直线重合。

本实施例中，第一金属层9的厚度为0.009mm。

本实施例中，天线反射单元6包括附着在第二基板2下表面的第二金属层19，第二金属层19的前端面与第二基板2的前端面位于同一平面，第二金属层19的后端面与第二基板2的后端面位于同一平面，第二金属层19的左端面与第二基板2的左端面位于同一平面，第二金属层19的右端面与第二基板2的右端面位于同一平面。

本实施例中，第二金属层19的厚度为0.009mm。

本实施例中，短路单元7包括附着在第三基板3左端面上的第三金属层20，第三金属层20为矩形，第三金属层20的前端面所在平面平行于第三基板3的前端面所在平面，第三金属层20的前端面所在平面与第三基板3的后端面所在平面之间的距离为25.3mm，第三金属层20的前端面所在平面与其后端面所在平面之间的距离为1mm，第三金属层20的上端面与第一金属层9的左端面连接，第三金属层20的下端面与第二金属层19的左端面连接。

本实施例中，第三金属层20的厚度为0.009mm。

本实施例中，第一基板1、第二基板2和第三基板3的材料均为PET，柔性介质层的材料为泡棉。

本实施例中，第一基板1、第二基板2和第三基板3的厚度均为0.05mm，柔性介质层的厚度为3.18mm。

本发明的双频柔性超高频RFID抗金属标签的在867MHz工作频点的辐射增益仿真曲线如图4所示；本发明的双频柔性超高频RFID抗金属标签的在920MHz工作频点的辐射增益仿真曲线如图5所示。分析图4可知，本发明的双频柔性超高频RFID抗金属标签在867MHz工作频点的的最大增益分别为4.48dBi，对应的最大理论阅读距离分别为28m。分析图5可知，本发明的双频柔性超高频RFID抗金属标签在920MHz工作频点的的最大增益分别为2.4dBi，对应的最大理论阅读距离分别为23.7m。

Claims (9)

1.一种双频柔性超高频RFID抗金属标签，其特征在于包括第一基板、第二基板、第三基板、柔性介质板、天线辐射单元、天线反射单元、短路单元和射频芯片，所述的第一基板、所述的第二基板、所述的第三基板和所述的柔性介质板均为长方形结构，所述的第一基板的长边长度等于所述的第二基板的长边长度，所述的第一基板的宽边长度等于所述的第二基板的宽边长度，所述的第一基板和所述的第二基板上下间隔设置，且两者的四条边一一对应上下对齐，所述的第三基板分别垂直于所述的第一基板和所述的第二基板，所述的第三基板的上端与所述的第一基板的下端一体成型连接，所述的第三基板的下端与所述的第二基板的上端一体成型连接，所述的第一基板、所述的第二基板和所述的第三基板的左端位于同一平面，所述的第一基板、所述的第二基板和所述的第三基板三者之间围成一个内腔，所述的柔性介质板位于所述的内腔中，且所述的柔性介质板的上表面与所述的第一基板的下表面贴合固定连接，所述的柔性介质板的下表面与所述的第二基板的上表面贴合固定连接，所述的柔性介质板的左端面与所述的第三基板的右端面贴合固定连接，所述的第一基板、所述的第二基板、所述的第三基板和所述的柔性介质板的前端面位于同一平面，所述的第一基板、所述的第二基板、所述的第三基板和所述的柔性介质板的后端面位于同一平面，所述的第一基板、所述的第二基板和所述的柔性介质板的右端面位于同一平面，所述的天线辐射单元和所述的射频芯片设置在第一基板的上表面，所述的射频芯片与所述的天线辐射单元连接，所述的天线反射单元设置在所述的第二基板的下表面，所述的短路单元设置在所述的第三基板的左端面上，所述的短路单元分别与所述的天线辐射单元和所述的天线反射单元连接，所述的短路单元用于使所述的天线辐射单元和所述的天线反射单元之间呈短路状态,所述的天线辐射单元上设置一个延伸到其右端的开路槽，所述的开路槽用于使所述的天线辐射单元表面电流方向随频率发生变化，从而产生两个临近的工作频段。

2.根据权利要求1所述的一种双频柔性超高频RFID抗金属标签，其特征在于所述的天线辐射单元包括附着在所述的第一基板上表面的第一金属层，所述的第一金属层的前端面与所述的第一基板的前端面位于同一平面，所述的第一金属层的后端面与所述的第一基板的后端面位于同一平面，所述的第一金属层的左端面与所述的第一基板的左端面位于同一平面，所述的第一金属层的右端面与所述的第一基板的右端面位于同一平面；所述的第一金属层上开设有第一矩形槽、第二矩形槽、第三矩形槽、第四矩形槽、第五矩形槽、第六矩形槽、第七矩形槽、第八矩形槽和第九矩形槽，所述的第一基板的上表面分别在所述的第一矩形槽、所述的第二矩形槽、所述的第三矩形槽、所述的第四矩形槽、所述的第五矩形槽、所述的第六矩形槽、所述的第七矩形槽、所述的第八矩形槽和所述的第九矩形槽处暴露出来；将所述的第一基板的长边长度记为L，L＝75.5mm,所述的第一基板的宽边长度记为D,D＝26.6mm；所述的第一矩形槽的长边平行于所述的第一基板的长边，所述的第一矩形槽的右端面与所述的第一金属层的右端面位于同一平面，所述的第一矩形槽的长边长度为70.5mm，所述的第一矩形槽的宽边长度1mm，所述的第一矩形槽的前端面所在平面与所述的第一金属层的前端面所在平面之间的距离为1.3mm，所述的第一矩形槽即为所述的开路槽；所述的第二矩形槽的长边平行于所述的第一基板的宽边，所述的第二矩形槽的长边长度为22mm，所述的第二矩形槽的宽边长度为1mm，所述的第二矩形槽的前端面与所述的第一矩形槽的后端面连接，所述的第二矩形槽的左端面与所述的第一矩形槽的左端面位于同一平面；所述的第三矩形槽的长边平行于所述的第一基板的长边，所述的第三矩形槽的长边长度为34mm，所述的第三矩形槽的宽边长度为1mm，所述的第三矩形槽的前端面与所述的第二矩形槽的后端面连接，所述的第三矩形槽的左端面与所述的第二矩形槽的左端面位于同一平面；所述的第四矩形槽的长边平行于所述的第一基板的宽边，所述的第四矩形槽的长边长度为14mm，所述的第四矩形槽的宽边长度为1mm，所述的第四矩形槽的后端面与所述的第三矩形槽的前端面连接，所述的第四矩形槽的右端面与所述的第三矩形槽的右端面位于同一平面；所述的第五矩形槽的长边平行于所述的第一基板的长边，所述的第五矩形槽的长边长度为11.5mm，所述的第五矩形槽的宽边长度为1mm，所述的第五矩形槽的后端面与所述的第四矩形槽的前端面连接；所述的第五矩形槽的右端面与所述的第四矩形槽的右端面位于同一平面；所述的第六矩形槽位于所述的第四矩形槽的右侧，所述的第六矩形槽的长边平行于所述的第一基板的宽边，所述的第六矩形槽的长边长度为12.3mm，所述的第六矩形槽的宽边长度为2.98mm，所述的第六矩形槽的前端面与所述的第一矩形槽的后端面连接，所述的第六矩形槽的左端面所在平面与所述的第五矩形槽的右端面所在平面之间的距离为1mm；所述的第七矩形槽位于所述的第六矩形槽的右侧，所述的第七矩形槽的长边平行于所述的第一基板的宽边，所述的第七矩形槽的长边长度为22.5mm，所述的第七矩形槽的宽边长度为1mm，所述的第七矩形槽的前端面与所述的第一矩形槽的后端面连接，所述的第七矩形槽的左端面所在平面与所述的第六矩形槽的右端面所在平面之间的距离为8mm；所述的第八矩形槽位于所述的第六矩形槽的后侧，所述的第八矩形槽的长边平行于所述的第一基板的宽边，所述的第八矩形槽的长边长度为1.4mm，所述的第八矩形槽的宽边长度为0.16mm，所述的第八矩形槽的前端面与所述的第六矩形槽的后端面连接，所述的第八矩形槽前后方向的中线所在直线与所述的第六矩形槽前后方向的中线所在直线重合；所述的射频芯片设置在所述的第八矩形槽内；所述的第九矩形槽位于所述的第八矩形槽的后侧，所述的第九矩形槽的长边平行于所述的第一基板的宽边，所述的第九矩形槽的长边长度为5.3mm，所述的第九矩形槽的宽边长度为2.98mm，所述的第九矩形槽的前端面与所述的第八矩形槽的后端面连接，所述的第九矩形槽前后方向的中线所在直线与所述的第八矩形槽前后方向的中线所在直线重合。

3.根据权利要求2所述的一种双频柔性超高频RFID抗金属标签，其特征在于所述的第一金属层的厚度为0.009mm。

4.根据权利要求2所述的一种双频柔性超高频RFID抗金属标签，其特征在于所述的天线反射单元包括附着在所述的第二基板下表面的第二金属层，所述的第二金属层的前端面与所述的第二基板的前端面位于同一平面，所述的第二金属层的后端面与所述的第二基板的后端面位于同一平面，所述的第二金属层的左端面与所述的第二基板的左端面位于同一平面，所述的第二金属层的右端面与所述的第二基板的右端面位于同一平面。

5.根据权利要求4所述的一种双频柔性超高频RFID抗金属标签，其特征在于所述的第二金属层的厚度为0.009mm。

6.根据权利要求4所述的一种双频柔性超高频RFID抗金属标签，其特征在于所述的短路单元包括附着在所述的第三基板左端面上的第三金属层，所述的第三金属层为矩形，所述的第三金属层的前端面所在平面平行于所述的第三基板的前端面所在平面，所述的第三金属层的前端面所在平面与所述的第三基板的后端面所在平面之间的距离为25.3mm，所述的第三金属层的前端面所在平面与其后端面所在平面之间的距离为1mm，所述的第三金属层的上端面与所述的第一金属层的左端面连接，所述的第三金属层的下端面与所述的第二金属层的左端面连接。

7.根据权利要求6所述的一种双频柔性超高频RFID抗金属标签，其特征在于所述的第三金属层的厚度为0.009mm。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的一种双频柔性超高频RFID抗金属标签，其特征在于所述的第一基板、所述的第二基板和所述的第三基板的材料均为PET，所述的柔性介质层的材料为泡棉。

9.根据权利要求1-7中任一项所述的一种双频柔性超高频RFID抗金属标签，其特征在于所述的第一基板、所述的第二基板和所述的第三基板的厚度均为0.05mm，所述的柔性介质层的厚度为3.18mm。

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