KR101538158B1 - 세라믹 칩형 엘티이 단일 대역 안테나 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 세라믹 칩형 엘티이 단일 대역 안테나에 관한 것으로, 육면체로 유전체를 이루는 세라믹 본체(100)와; 상기 세라믹 본체(100)의 윗면과, 전후면 및 좌우면에 패터닝된 마이크로스트립 라인(200)으로 구성되어 유전율이 높은 세라믹을 사용하여 안테나를 소형화하면서 다중대역 안테나로 여러 곳에서 쉽게 사용 가능하고, 간단한 구조로 다양한 주파수 대역용으로 제조 및 설치가 용이하여 제품의 제조에 소요되는 비용이 절감되어 경제성이 탁월하면서도 장기간 고장 없이 안정되게 사용할 수 있을 뿐만 아니라 800 MHz LTE 밴드나 1.8 GHz LTE 밴드의 특정 주파수 대역에서 감도 좋게 사용할 수 있는 각별한 장점이 있는 유용한 발명이다.

Description

세라믹 칩형 엘티이 단일 대역 안테나{Ceramic chip-type LTE single band antenna}
본 발명은 세라믹 칩형 안테나에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 유전체를 세라믹으로 하여 안테나의 크기를 축소하고 모노-폴 형태로 엘티이(LTE) 단일 대역의 안테나를 설계하여 휴대전화나 모바일 단말기 및 무선 LAN 의 단말기 등에 채용하기에 적합한 세라믹 칩형 엘티이 단일 대역 안테나에 관한 것이다.
무선통신 산업이 빠른 속도로 발전함에 따라 현재 대부분의 전자제품(예: 핸드폰, PDA, 노트북, 감지설비 등)이 무선통신을 이용해 신호를 전송하는 기능을 갖추고 있다. 그리고 무선통신에서 신호를 발사하고 수신하는 주요 설비는 전자제품 상에 설치된 안테나(antenna)이다. 그러므로 무선통신 산업의 발전에 따라 안테나의 수요량도 점점 더 증가하고 있다. 현재 안테나 자체의 제작 단가를 낮추고 전자제품의 경박단소(輕薄短小) 등의 디자인적 측면의 요구에 부합하기 위해, 무선통신이 가능한 전자제품상에 대부분 일체형 칩(chip)형 안테나(chip antenna)를 사용하여 예전의 부피가 큰 전통 안테나(예: 막대형 안테나)를 대신하고 있다.
휴대전화나 모바일 단말기 및 무선 LAN 의 단말기 등에 사용되는 안테나는 소형화가 중요한 과제이다. 이를 위해, 종래부터 여러 가지 타입의 소형 안테나가 제안되고 있다. 소형 안테나의 하나로서, 안테나 도체(방사체)를 사행형상으로 해서 유전체에 패턴을 형성한 칩형 안테나가 널리 알려져 있다.
도 1은 일반적인 칩형 안테나의 사시도이다.
도 1을 참조하면, 칩형 안테나(1)는 유전체(2)와, 이 유전체 상에 패턴 설계된 방사체(3)로 구성되어 있다. 칩형 안테나는 모바일 단말기 등에 내장되어 급전선과 접지면 사이에 개재됨으로써 전파를 수신하는 역할을 수행한다. 이러한 칩형 안테나는 유전체의 유전율이 높을수록 유전체의 두께 내지 크기를 줄일 수 있고, 이에 따라 안테나의 사이즈를 줄일 수 있게 된다.
그러나, 종래의 칩형 안테나에 사용되는 유전체는 유전율이 그다지 높지가 않아 안테나의 소형화에 한계가 있었다.
일반 칩형 안테나의 경우, 미국 특허 제 US7,136,021호에서 제시한『Ceramic chip antenna』 혹은 미국특허 제US6,222,489호에서 제시한『antenna device』등이 있으며, 이러한 칩(chip)형 안테나들은 외형이 대체적으로 장방형 판체로 구성되었고, 세라믹 재료를 사용하여 제작하였다. 또한 상기 칩(chip)형 안테나들은 굽어서휘감긴 형태의 마이크로스트립 라인(microstrip line)을 설치하여 복사체(輻射體)로 사용하였으며, 상기 칩(chip)형 안테나는 상기 마이크로스트립 라인(microstrip line)을 이용해 무선 신호를 발사하거나 수신하고 있다.
칩(chip)형 안테나는 비록 부피가 작다는 장점을 가지고 있지만 부피가 작기 때문에 감을 수 있는 마이크로스트립 라인(microstrip line)의 길이가 제한되어 있고, 그로 인해 칩(chip)형 안테나의 복사 면적이 전통안테나에 비해 현저하게 작을 수 밖에 없었고, 또한 칩(chip)형 안테나의 대역폭이 작을 수 밖에 없었다. 이러한 단점을 개선하기 위해 일부 학자들, 업체들이 개선 방안을 제시하였는데, 예를 들어 마이크로스트립 라인(microstrip line)의 감는 방식을 개선하여 칩(chip)형 안테나 상에 더욱 많은 마이크로스트립 라인(microstrip line)을 감을 수 있게 한 것 등이 있다. 또한 중화민국 특허 공고 제518801호에서 제시한『칩형 안테나 및 그 제작 방법』에서는 일부 마이크로스트립 라인(microstrip line)을 안테나 밖으로 뻗어 나오게 하여, 마이크로스트립 라인(microstrip line)의 총길이를 증가시킴으로써 안테나의 대역폭을 증가시키는 방법을 제시하였다. 그 러나 상술된 개선 방안으로는 마이크로스트립 라인(microstrip line)의 길이나 복사면적을 증가시키는 데 한계가 있으며, 그로 인해 안테나의 대역폭 개선에도 한계가 있게 된다.
이러한 실정에 따라 안테나의 대역폭을 증가시키고자 개발된 종래의 칩형 안테나가 특허공개 제2010-0033346호로서 공개 특허공보에 게시되어 있다.
상기 특허공개 제2010-0033346호의 "칩형 안테나"는 도 2에 도시한 바와 같이 3개의 제1전기회로판(110)이 겹쳐진 본체(11), 다수의 제1마이크로스트립 라인(121)과 연결구멍(123)으로 이루어진 마이크로스트립 라인(microstrip line) 구조(12), 최소한 1개 이상의 금속조각(13)을 포함하고, 상기 본체(11)는 제1표면(111)과 제2표면(112)을 갖추고 있고, 상기 마이크로스트립 라인(microstrip line) 구조(12)는 상기 본체(11)의 제1표면(111)과 제2표면(112) 상에 설치되고, 상기 금속조각(13)은 상기 본체(11) 내에 설치되는데 그 설치 위치는 상기 제1표면(111)과 상기 제2표면(112)의 사이이고, 상기 금속조각(13)은 상기 마이크로스트립 라인(microstrip line) 구조(12)와 전기적 연결을 하고 있는 구성으로 이루어져 금속조각이 칩(chip)형 안테나의 복사(輻射) 면적을 대폭 증가시켜 칩(chip)형 안테나가 더욱 큰 대역폭과 더욱 우수한 전기적 특성을 갖는 것이다.
그러나 상기한 특허공개 제2010-0033346호의 "칩형 안테나"는 800 MHz LTE 밴드나 1.8 GHz LTE 밴드의 특정 주파수 대역에서 사용하는 안테나로서 적합하지 않아 800 MHz나 1.8 GHz의 주파수를 사용하는 KT나 SKT의 모바일 단말기에 사용하기 어렵다고 하는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기한 종래 칩형 안테나에서 야기되는 여러 가지 결점 및 문제점들을 해결하고자 발명한 것으로서, 그 목적은 유전율이 높은 세라믹을 사용하여 안테나를 소형화하면서 여러 곳에서 쉽게 사용가능한 세라믹 칩형 엘티이 단일 대역 안테나를 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 간단한 구조로 다양한 주파수 대역용으로 제조 및 설치가 용이하여 제품의 제조에 소요되는 비용이 절감되어 경제성이 탁월하면서도 장기간 고장 없이 안정되게 사용할 수 있는 세라믹 칩형 엘티이 단일 대역 안테나를 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 800 MHz LTE 밴드나 1.8 GHz LTE 밴드의 특정 주파수 대역에서 감도 좋게 사용할 수 있는 세라믹 칩형 엘티이 단일 대역 안테나를 제공하는 데 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명 세라믹 칩형 엘티이 단일 대역 안테나는 육면체로 유전체를 이루는 세라믹 본체(100)와; 상기 세라믹 본체(100)의 윗면과, 전후면 및 좌우면에 패터닝된 마이크로스트립 라인(200)으로 구성된 것을 특징으로 한다.
본 발명은 유전율이 높은 세라믹을 사용하여 안테나를 소형화하면서 다중대역 안테나로 여러 곳에서 쉽게 사용 가능하고, 간단한 구조로 다양한 주파수 대역용으로 제조 및 설치가 용이하여 제품의 제조에 소요되는 비용이 절감되어 경제성이 탁월하면서도 장기간 고장 없이 안정되게 사용할 수 있을 뿐만 아니라 800 MHz LTE 밴드나 1.8 GHz LTE 밴드의 특정 주파수 대역에서 감도 좋게 사용할 수 있는 각별한 장점이 있다.
도 1은 종래 일반적인 칩형 안테나의 사시도,
도 2는 종래 칩형 안테나의 사시도,
도 3 a 및 도 3b는 본 발명 세라믹 칩형 엘티이 단일 대역 안테나의 제 1실시예를 나타낸 도면으로서, 도 3a는 정면 사시도 이고, 도 3b는 후면 사시도 이다.
도 4는 본 발명 세라믹 칩형 엘티이 단일 대역 안테나의 제 1실시예에 따른 마이크로스트립 라인의 패턴도,
도 5 a 및 도 5b는 본 발명 세라믹 칩형 엘티이 단일 대역 안테나의 제 2실시예를 나타낸 도면으로서, 도 5a는 정면 사시도 이고, 도 5b는 후면 사시도 이다.
도 6은 본 발명 세라믹 칩형 엘티이 단일 대역 안테나의 제 2실시예에 따른 마이크로스트립 라인의 패턴도,
도 7은 주파수 대역별 S파라메타의 시뮬레이션 결과를 나타낸 그래프,
도 8은 본 발명에 따른 일실시예의 방사패턴,
도 9는 LTE 800MHz 주파수 대역에서의 S파라메타의 시뮬레이션 결과를 나타낸 그래프,
도 10은 주파수 대역별 S파라메타의 시뮬레이션 결과를 나타낸 그래프,
도 11은 본 발명에 따른 일실시예의 방사패턴,
도 12는 LTE 1.8GHz 주파수 대역에서의 S파라메타의 시뮬레이션 결과를 나타낸 그래프이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명 세라믹 칩형 엘티이 대역 안테나의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.
도 3 a 및 도 3b는 본 발명 세라믹 칩형 엘티이 단일 대역 안테나의 제 1실시예를 나타낸 도면으로서, 도 3a는 정면 사시도 이고, 도 3b는 후면 사시도 이며, 도 4는 본 발명 세라믹 칩형 엘티이 단일 대역 안테나의 제 1실시예에 따른 마이크로스트립 라인의 패턴도, 도 5 a 및 도 5b는 본 발명 세라믹 칩형 엘티이 단일 대역 안테나의 제 2실시예를 나타낸 도면으로서, 도 5a는 정면 사시도 이고, 도 5b는 후면 사시도 이며, 도 6은 본 발명 세라믹 칩형 엘티이 단일 대역 안테나의 제 2실시예에 따른 마이크로스트립 라인의 패턴도, 도 7은 주파수 대역별 S파라메타의 시뮬레이션 결과를 나타낸 그래프, 도 8은 본 발명에 따른 일실시예의 방사패턴, 도 9는 LTE 800MHz 주파수 대역에서의 S파라메타의 시뮬레이션 결과를 나타낸 그래프, 도 10은 주파수 대역별 S파라메타의 시뮬레이션 결과를 나타낸 그래프, 도 11은 본 발명에 따른 일실시예의 방사패턴, 도 12는 LTE 1.8GHz 주파수 대역에서의 S파라메타의 시뮬레이션 결과를 나타낸 그래프로서, 본 발명 세라믹 칩형 엘티이 단일 대역 안테나는 육면체로 유전체를 이루는 세라믹 본체(100)와; 상기 세라믹 본체(100)의 윗면과, 전후면 및 좌우면에 패터닝된 마이크로스트립 라인(200)으로 구성되어 있다.
상기 세라믹 본체(100)에 모노 폴(Mono-pole) 형태로 마이크로스트립 라인(200)이 형성되어 안테나를 이루고, 안테나의 반사계수는 -10dB 이하인 것이 바람직하다.
상기 세라믹 본체(100)는 유전율 2 ∼ 4를 갖는 것으로 가로 25 ∼ 27mm, 세로 12 ∼ 14mm, 높이 6 ∼ 7mm 의 세라믹 육면체인 것이 바람직하고, 상기 마이크로스트립 라인(200)은 두께 0.05 ∼ 0.15mm 의 박판상 구리인 것이 바람직하다.
또한 상기 마이크로스트립 라인(200)은 상기 세라믹 본체(100)의 평면상에 'ㄹ' 자상으로 형성된 구리판(a)과, 상기 구리판(a)의 하단부에서 수직으로 연장 형성된 구리판(b) 및, 상기 구리판(a)과 구리판(b) 아래와 우측에 역 'ㄴ'자상으로 형성된 구리판(c)으로 이루어진 평면(平面) 마이크로스트립(101)과; 상부에 가로방향으로 형성된 구리판(d)과, 하부에 가로방향으로 형성된 구리판(e)으로 이루어진 전면(前面) 마이크로스트립(102)과; 상단부가 상기 구리판(b)에 연결되어 'ㄴ'자 상으로 형성된 구리판(d')으로 이루어진 후면(後面) 마이크로스트립(103)과; 상기 구리판(a)의 상단부와 상기 구리판(c)의 하단부에 좌우 양단이 연결되어 'ㄷ'자상을 이루는 구리판(f)과, 상기 구리판(f)의 아래에서 가로방향으로 형성되어 상기 구리판(e)에 우측 단부가 연결된 구리판(g)으로 이루어진 좌측면(左側面) 마이크로스트립(104) 및; 우측면 후방에 수직으로 형성되어 상단부가 상기 구리판(c)의 상단부측에 연결되는 구리판(h)와, 우측면 전방 중앙에 수직으로 형성되어 상기 구리판(d)과 구리판(e)의 우측 단부를 연결하는 구리판(i)으로 이루어진 우측면(右側面)) 마이크로스트립(105)으로 구성되어 750 ∼ 900MHz 에서 세라믹 칩형 엘티이 단일 대역 안테나로 사용가능하다.
그리고, 상기 세라믹 본체(100)는 유전율 2 ∼ 4를 갖는 것으로 가로 24 ∼ 26mm, 세로 6 ∼ 8mm, 높이 2 ∼ 4mm 의 세라믹 육면체인 것이 바람직하고, 상기 마이크로스트립 라인(200)은 두께 0.05 ∼ 0.15mm 의 박판상 구리인 것이 바람직하다.
또한 상기 마이크로스트립 라인(200)은 상기 세라믹 본체(100)의 평면상에 'ㄷ' 자상으로 형성된 구리판(a')과, 상기 구리판(a')의 아래 단부에 연결되어 역 'ㄴ'자상으로 형성되고, 단부의 아래 가장자리가 일정부분 절개되어 제거된 구리판 (b') 및, 우측 단부에 세로방향으로 형성된 구리판(c')으로 이루어진 평면(平面) 마이크로스트립(101')과; 상기 구리판(c')의 아래 단부에 연결되어 역 'ㄴ'자상으로 형성된 구리판(d')으로 이루어진 전면(前面) 마이크로스트립(102')과; 상기 구리판(a')에 연결되어 'ㄴ'자상으로 형성된 구리판(e')으로 이루어진 후면(後面) 마이크로스트립(103')과; 상기 구리판(d')의 좌측 단부에 연결되어 가로방향으로 형성된 구리판(f')으로 형성된 좌측면(左側面) 마이크로스트립(104') 및; 우측면 후방에서 상기 구리판(c')의 상부측 단부에 연결되어 수직으로 형성된 구리판(g')으로 이루어진 우측면(右側面)) 마이크로스트립(105')으로 구성되어 1,700 ∼ 1,900MHz 에서 세라믹 칩형 엘티이 단일 대역 안테나로 사용가능하다.
다음에는 상기한 구성을 갖는 본 발명 세라믹 칩형 엘티이 단일 대역 안테나를 실제로 제작하여 반사계수 및 중심 주파수 864MHz 에서의 방사패턴을 시뮬레이션하여 태그 안테나의 인식 성능을 분석하였다.
실시예 1
도 3a 와 도 3b 및 도 4에 나타낸 형상과 치수(단위는 mm 이다)로 26 × 13 mm 크기, 유전율 8.2인 800MHz 단일 대역 칩형 엘티이 안테나를 CTC를 이용하여 제작하였다.
제작된 800MHz 단일 대역 세라믹 칩형 엘티이 안테나의 각 주파수에서의 반사계수(S11)와 방사패턴을 구하고, 각각을 도 7, 도 8에 나타냈다.
도 7로부터 864MHz 에서 -13.86dB 결과를 시뮬레이션에서 얻었고, 도 8로부터 안테나 이득은 2.7dBi로 안테나가 대칭이 아니므로 아테나의 도체 부분이 많은 부분으로 비대칭형임을 확인할 수 있었다.
또한 도 7의 반사계수(S11)의 시뮬레이션 결과를 실제측정결과와 비교하여 도 9에 나타냈다.
도 9에 나타낸 바와 같이 시뮬레이션 결과 S11 값은 864MHz -13.8dB 였으나, 실제 측정시 주파수가 5MHz 오른쪽으로 시프트되어 나타났고, 시뮬레이션 결과 실제 측정결과 모두 LTE 주파수 대역에 포함되는 것을 확인할 수 있었다.
실시예 2
도 5a 와 도 5b 및 도 6에 나타낸 형상과 치수(단위는 mm 이다)로 7.2 × 13 mm 크기, 유전율 8.2인 1,800MHz 단일 대역 칩형 엘티이 안테나를 CTC를 이용하여 제작하였다.
제작된 1,800MHz 단일 대역 세라믹 칩형 엘티이 안테나의 각 주파수에서의 반사계수(S11)와 방사패턴을 구하고, 각각을 도 10, 도 11에 나타냈다.
도 10으로부터 1,755MHz 에서 -25.22dB 결과를 시뮬레이션에서 얻었고, 도 11로부터 안테나 이득은 1.755GHz에서 3.8dBi를 나타냄을 확인할 수 있었다.
또한 도 10의 반사계수(S11)의 시뮬레이션 결과를 실제측정결과와 비교하여 도 12에 나타냈다.
도 12에 나타낸 바와 같이 시뮬레이션 결과 S11 값은 1.755GHz -25.2dB 였고, 실제 측정시 주파수는 어느 쪽으로도 시프트되지 않았지만, dB는 +6만큼 증가하였다. 시뮬레이션 결과 실제 측정결과 모두 LTE 주파수 대역에 포함되는 것을 확인할 수 있었다.
지금까지 본 발명을 바람직한 실시예로서 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고 발명의 요지를 이탈하지 않는 범위 내에서 다양하게 변형하여 실시할 수 있음은 물론이다.
100 : 세라믹 본체
101, 101' : 평면(平面) 마이크로스트립
102, 102' : 전면(前面) 마이크로스트립
103, 103' : 후면(後面) 마이크로스트립
104, 104' : 좌측면(左側面) 마이크로스트립
105, 105' : 우측면(右側面) 마이크로스트립 200 : 마이크로스트립 라인

Claims (8)

  1. 육면체로 유전체를 이루는 세라믹 본체(100)와; 상기 세라믹 본체(100)의 윗면과, 전후면 및 좌우면에 패터닝된 마이크로스트립 라인(200)으로 구성된 세라믹 칩형 엘티이 단일 대역 안테나에 있어서;
    상기 마이크로스트립 라인(200)은 상기 세라믹 본체(100)의 평면상에 'ㄹ' 상으로 형성된 구리판(a)과, 상기 구리판(a)의 하단부에서 수직으로 연장 형성된 구리판(b) 및, 상기 구리판(a)과 구리판(b) 아래와 우측에 역 'ㄴ'자상으로 형성된 구리판(c)으로 이루어진 평면(平面) 마이크로스트립(101)과; 상부에 가로방향으로 형성된 구리판(d)과, 하부에 가로방향으로 형성된 구리판(e)으로 이루어진 전면(前面) 마이크로스트립(102)과; 상단부가 상기 구리판(b)에 연결되어 'ㄴ'자 상으로 형성된 구리판(d')으로 이루어진 후면(後面) 마이크로스트립(103)과; 상기 구리판(a)의 상단부와 상기 구리판(c)의 하단부에 좌우 양단이 연결되어 'ㄷ'자상을 이루는 구리판(f)과, 상기 구리판(f)의 아래에서 가로방향으로 형성되어 상기 구리판(e)에 우측 단부가 연결된 구리판(g)으로 이루어진 좌측면(左側面) 마이크로스트립(104) 및; 우측면 후방에 수직으로 형성되어 상단부가 상기 구리판(c)의 상단부측에 연결되는 구리판(h)와, 우측면 전방 중앙에 수직으로 형성되어 상기 구리판(d)과 구리판(e)의 우측 단부를 연결하는 구리판(i)으로 이루어진 우측면(右側面) 마이크로스트립(105)으로 구성되어 750 ∼ 900MHz 에서 세라믹 칩형 엘티이 단일 대역 안테나로 사용가능한 것을 특징으로 하는 세라믹 칩형 엘티이 단일 대역 안테나.
  2. 육면체로 유전체를 이루는 세라믹 본체(100)와; 상기 세라믹 본체(100)의 윗면과, 전후면 및 좌우면에 패터닝된 마이크로스트립 라인(200)으로 구성되고, 상기 세라믹 본체(100)에 모노 폴(Mono-pole) 형태로 마이크로스트립 라인(200)이 형성되어 안테나를 이루는 세라믹 칩형 엘티이 단일 대역 안테나에 있어서;
    상기 마이크로스트립 라인(200)은 상기 세라믹 본체(100)의 평면상에 'ㄹ' 상으로 형성된 구리판(a)과, 상기 구리판(a)의 하단부에서 수직으로 연장 형성된 구리판(b) 및, 상기 구리판(a)과 구리판(b) 아래와 우측에 역 'ㄴ'자상으로 형성된 구리판(c)으로 이루어진 평면(平面) 마이크로스트립(101)과; 상부에 가로방향으로 형성된 구리판(d)과, 하부에 가로방향으로 형성된 구리판(e)으로 이루어진 전면(前面) 마이크로스트립(102)과; 상단부가 상기 구리판(b)에 연결되어 'ㄴ'자 상으로 형성된 구리판(d')으로 이루어진 후면(後面) 마이크로스트립(103)과; 상기 구리판(a)의 상단부와 상기 구리판(c)의 하단부에 좌우 양단이 연결되어 'ㄷ'자상을 이루는 구리판(f)과, 상기 구리판(f)의 아래에서 가로방향으로 형성되어 상기 구리판(e)에 우측 단부가 연결된 구리판(g)으로 이루어진 좌측면(左側面) 마이크로스트립(104) 및; 우측면 후방에 수직으로 형성되어 상단부가 상기 구리판(c)의 상단부측에 연결되는 구리판(h)와, 우측면 전방 중앙에 수직으로 형성되어 상기 구리판(d)과 구리판(e)의 우측 단부를 연결하는 구리판(i)으로 이루어진 우측면(右側面) 마이크로스트립(105)으로 구성되어 750 ∼ 900MHz 에서 세라믹 칩형 엘티이 단일 대역 안테나로 사용가능한 것을 특징으로 하는 세라믹 칩형 엘티이 단일 대역 안테나.
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  8. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 마이크로스트립 라인(200)은 상기 세라믹 본체(100)의 평면상에 'ㄷ' 자상으로 형성된 구리판(a')과, 상기 구리판(a')의 아래 단부에 연결되어 역 'ㄴ'자상으로 형성되고, 단부의 아래 가장자리가 일정부분 절개되어 제거된 구리판 (b') 및, 우측 단부에 세로방향으로 형성된 구리판(c')으로 이루어진 평면(平面) 마이크로스트립(101')과; 상기 구리판(c')의 아래 단부에 연결되어 역 'ㄴ'자상으로 형성된 구리판(d')으로 이루어진 전면(前面) 마이크로스트립(102')과; 상기 구리판(a')에 연결되어 'ㄴ'자상으로 형성된 구리판(e')으로 이루어진 후면(後面) 마이크로스트립(103')과; 상기 구리판(d')의 좌측 단부에 연결되어 가로방향으로 형성된 구리판(f')으로 형성된 좌측면(左側面) 마이크로스트립(104') 및; 우측면 후방에서 상기 구리판(c')의 상부측 단부에 연결되어 수직으로 형성된 구리판(g')으로 이루어진 우측면(右側面)) 마이크로스트립(105)으로 구성되어 1,700 ∼ 1,900MHz 에서 세라믹 칩형 엘티이 단일 대역 안테나로 사용 가능한 것을 특징으로 하는 세라믹 칩형 엘티이 단일 대역 안테나.
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